JPS6172277A - イオン投射複写機 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は流体ジェットを利用したイオン投射電子写真印
刷プロセスに基づいた複写機に関する。

複写すべき原稿から投射された光学的情報に応してイオ
ンの流れを制御するために感光性イオン変ＭＪアセンブ
リがｆ史用される。

本発明で利用される画像化（ｉｍａｇｉｎｇ）の概念は
、「流体ジェットを利用したイオン投射印刷（Ｆｌｕｉ
ｄＪｓｔ＾５ｓｉｓｔｅｄ　Ｉｏａ　Ｐｒｏｊｅｃｔｉ
ｏｎ　Ｐｒｉｎｔｉｎｇ）　Ｊと題され、ロバート・ダ
プリエ・ガントラッチ（Ｒｏｂｅｒｉ　１４．　にｕｎ
ｄｌａｃｈ）とリチャード・エル・バーゲン（Ｒｉｃｈ
ａｒｄ　Ｌ、　Ｂｅｒｇｅｎ）名で共同譲渡され、１９
８４年７月３１日に発行された米国特許第４，４６３，
３６３号公報の流体ジェットを利用したイオン投射プリ
ンタに関して記載されている。上記特許に記載されてい
るプリンタにおいては画像化イオンが最初に発生され、
それから選択的に制御可能な近接した間隔で配された微
小な空気「ノズル」のリニアアレイにより、祇のような
移動する受容シート上に置かれる。単極性、好ましくは
正のイオンが高電圧コロナ放電によりイオン化チャンバ
内で発生され、その後それぞれの「ノズル」構造の変調
電極に印加される電位により電気的に制御される「ノズ
ル」を通して搬送される。上記アレイの変調電極への制
御電圧の選択的な印加が、これに続く現像により電（；
Ｉの点が受容体−ヒに現れることをｉ、Ｊ　ｉにする。

この型のプリンタのための典型的な変調構造が「流体シ
ェアドを利用したイオン投射印刷装置用変調構造（Ｍｏ
ｄｕｌａｔｉｏｎ　５ｔｒｕｃｔｕｒｅ　Ｆｏｒ　Ｆｌ
ｕｉｄ　ＪｅｔＡｓｓｉｓｔｅｄ　Ｊｏｎ　Ｐｒｏｊｅ
ｃｔｉｏｎ　Ｐｒｉｎｔｉｎｇ　ＡｐｐａｒａＬｕｓＪ
と題され、ニコラス・ケイ・シェリドン（Ｎｉｃｈｏｌ
ａｓＫ、　５ｈｅｒｉｄｏｎ）とマイケル・呈イ・バー
コヴイフッ（Ｍｉｃｈａｅｌ　Ａ、　ＢｅｒｋｏｖｉＬ
ｚ）名で共同！ａ１ｘされ、１９８３年４月１日に出願
された同時継続米国特許出間第４８１．１３２号に開示
されている。平面印字ヘッドがイオン発生ハウジングに
載置され、そこに設けられたそれぞれの電極は各ノズル
を独立に変調するために個々に位置付け（ａｄｄｒｅｓ
ｓ）される。

ガントラッチらの特許とシェリドンらの出願に記載され
ているプリンタは変調電極に電気的データを印加するこ
とにより作動する。データはコンピュータにより発生さ
せられ慣用のデータアドレス手法により印加される。

原稿像を像受容体上に複写するためにガントラッチらの
特許に記載されているような流体ジェットを利用したイ
オン投射プロセスの原理を利用することが強く望まれて
いる。我々は光学的入力で感光性変調アセンブリを位置
付けすることにより、これを達成できる事を発見した。

従ってこの印刷プロセスは製造が本質的に安価であり高
解像度出力が得られ、低コスト複写機が実現できる。

本発明は、ｌ実施例として、電荷受容体、複写すべき原
稿の明暗エリアの増分（ｉｎｃｒｅｍｅｎｔａ＋）像を
投影するための光学系、及び原稿の明暗エリアの投影さ
れた増分像に応じて電荷受容体上にイオンを置くための
光学的に制御されるイオン投射器を備えることにより実
現することができる。イオン投射器は、イオン発生器と
、一対の壁によって定義される流出チャネルを通ってイ
オン発生器外にイオンを引き出すための搬送流体源と、
上記流出チャネルに隣接しその中を通るイオンの流れを
制御するための変調アセンブリとを含んでいる。

変調手段はチャネル壁の一方に接続された第１の電位源
と、それを通って明暗エリア像が投影される光コレクタ
と、光コレクタに隣接し、他方のチャネル壁を形成する
光学的に切り換え可能な手段とを存している。実質的に
第１の電位源と同一の第２の電位源及び、第１及び第２
の電位と異なる基準電位源が光学的に切り換え可能な手
段を横切って接続され、それにより光学的に切り換え可
能な手段が暗いときは他方のチャネル壁が第２の電位で
あり、光学的に切り換え可能な手段が照射されていると
きは他方のチャネル壁が基準電位である。

本発明の他の目的、特徴及び利点は添付図面を参照しつ
つ行われる以下の説明から明らかにされる。

第１図は米国特許第４，４６３．３６３号の流体ジェッ
トを利用したイオン投射印刷装置を示す斜視図、第２図
は「書き込み」を示す第１図の変調構造の概略図、 第３図は「書き込み」が禁止されている状態を示す第１
図の変調構造の概略図、 第４図は流体ジェットを利用したイオン投射印別装置を
使用した複写装置を示す立面図、第５図はイオン投射装
置の感光性変調部分の１実施例を示す部分拡大立面図、 第６図は第５図の感光性変調アセンブリの底部斜視図、 第７図はイオン投射装置の感光性変調部分の他の実施例
を示す部分拡大立面図である。

特に例として第１図に示される図を参照すると、イオン
投射器１０はハウジング１８内に、流体圧分布部１２．
イオン発生部１４及びイオン変調部１６の３つの動作区
域を含んでいる。流体圧分布部は空気のようなイオン化
可能な流体が側壁２４を貫通して形成された複数個の貫
通孔２２を通って導入される与圧室２０を含んでいる。

加圧された空気は与圧室２０から調節用流入チャネル２
６を通して、高圧電位源に接続されたコロナ発生ワイヤ
３０を実質的に囲む導電性の壁ををする筒状のイオン発
生チャンバ２８に流れ込む、空気はチャンバ２８から流
出チャネル３２を通って流れ出る。流出チャネル３２内
には２個の対向壁の一つに沿っＣ多数の間隔を置いた電
気的に制御される変調電極３４が絶縁７５体３６．ヒに
空気流方向に伸延してｉｆｆされる。流出チャネルの対
向壁３８は基準電極として作用し、接地のような基準電
位源に接続される。

イオン投射器１０から間隔を置いて、イオンに対して逆
極性の高圧電位ｍ＜図示せず）に接続されたバッキング
電極４０が設けられる０紙のような平面状の電荷受容シ
ート４２はバンキング電極上を通過する。イオン投射器
から流出チャネル３２を通って流れ出たイオンは、バフ
キング電極により電荷受容シートの方向に加速され、そ
こで像の形態で累積され、ついで現像装置（図示せず）
において可視状態にされる。

変調部の概略図が第２図及び第３図に示されている。単
；の変調電極３４及び接地された対向電極３８の一部が
図示されている。これらの要素は流出チャネル３２を横
切ってギャップに跨がり、またその両端に低電圧制御電
位が選択的に印加されるキャパシタを含んでいる。この
ように搬送流体が流れる方向を横切る方向に伸延する電
界が、変調電極と対向壁との間に形成される。一定の変
調電極の影響のもとにあるイオンは隣接する電極により
比較的影響を受けないので、それらは個別の「ビーム」
として見ることができる。

単一のビームを考えたときのラスクー線における単一ス
ポットの「書き込み」が第２図に示されている。この状
態は変ｉｊｌ電極３４が接地電位ｓ４４にスイッチ４６
を介して接続されるときに達成される。流出チャネル３
２を横切って伸延する電界がないので、そこを通るイオ
ンは影響を受けず電荷受容シート４２上に付着する。逆
にスイッチ４６を閉じ、低電圧電位＃４８を変調電極３
４に印加することにより変調電界が印加されるときは、
イオンの種類として同符号の電荷が電極に印加される。

電界は流出チャネル３２を横切って伸延しイオン「ビー
ム」は反発され（第３図に示すように）、電気的に接地
された対向導電壁３８に接触させられ、イオンが再結合
し電荷を持たない、すなわち中性の空気分子となる。「
ビーム」部においてイオン投射器から流れ出た搬送流体
はｒ　ｌ’ｔき込み」イオンを搬送しない、このように
、列中の変１！電極のそれぞれを選択的に制御すること
により情報の画像パターンが形成されるので、それに関
連したイオン「ビーム」は所望の通り、ハウジングから
流れ出るか、または流れ出るのを禁止される。

イオン投射「書き込み」プロセスを組み込んだ提案され
た複写ｆｉ５０の全体の構成が第４図を参照して述べら
れる。普通のあるいは誘電性の用紙のような受容シート
、上に直接複写がなされる直接書き込みプロセスが示さ
れているが、これは単なる一例であることは理解される
べきである０画像が最初に誘電体ドラムの表面上に作ら
れ、ついで受容シートに転写される転写プロセスが明ら
かに同様に可能である。

複写機５０は、その上を光学的に走査されるべき原稿５
４が通過するハウジング５２を含んでいる。原稿の画像
は、積み重ねられた受容ンート５６から剥離ローラ５８
により取り除かれたシート。

望ましくは１１？１ｊｌ１紙上に複写される。一番上の
シートがスタックから取り除かれ、ガイド板６０により
偏向され駆動ローラ６２のニンプ部に入れられ、順番に
ホットシュー６４とこれと関連したガイド板６６との間
に導かれる。ホットシューの目的は湿気を除去し、導電
性をより少なくするために、用紙を略１５０’から１６
０”Ｃにプリヒートすることであり、それにより用紙は
電荷を保持できる。湿気成分の約３分の２が加熱中に除
去され、重量にして約６％から約２％となる。明らかに
機械のこの部分は湿気が累積するのを防止するために充
分に換気されなければならない。

一度加熱され乾燥され、シート５４は狭い入ロスロフト
６８を通って実質的に気密とされたハウジング５２の内
部に進む、ハウジング内に外気が入るのを厳しく制限す
ることにより、内部は低包囲湿度に維持されるので、シ
ートが湿気を再吸収して再び導電性となることはない、
普通紙で電荷像を保持するためには、用紙はその誘電緩
和時間が像創成（ｃｒｅａｔｉｏｎ）と画像化（ｔｏｎ
ｉｎｇ）間の時間より長くなるように充分乾燥しζいる
べきであるのでこれは非常に重要である。

さらに熱い用紙は、それが乾燥されているとしても電荷
を保持しないので、冷却しなければならない０本質的に
湿気は完全には除去できず、用紙が熱いときは冷却時に
比べてより導電性となる。

その表面上に電荷像を保持するために普通紙を充分に絶
縁させるただ一つの実際的な方法は、残存する水分が問
題を生じないように、最初に加熱して水分の約３分の２
を除去し、ついで冷却することである。この方法では１
０１ｓΩ／単位面積の範囲のオーダーのシートの抵抗率
が可能である。従うでハウジングに入った直後に、シー
トは熱い用紙の温度を導電性がより少なくなるレベルま
で低下させる冷却ローラ７０間を通過する。この方法に
よりシートに電荷像を充分な長さの時間保持させること
ができる。

シートは冷却ローラ７０から多孔性で導電性の搬送ドラ
ム７２に進む、ｖＩｉ送ドラム７２は微細な網のスクリ
ーン、圧縮金属粉、ファイパーマ、トあるいは他の等価
な構成の種々の形態を探り（：）る。

通気性なので空気ポンプ７４のような適当な吸引装置は
ドラムの内部に低い気圧を作り出し、シートを吸着保持
して、画像化処理装置を通過したシートを搬送する。導
電性なのでバッキング電極として機能しシートに画像化
イオンを引きつける。

非通気性板７６はドラムの内部に配置され、１時と５時
の位置の間に広がる。このようにｖｉ７６の領域におい
て、そのセクタではドラムの外部に吸引力は存在せず、
シートの解放が容易に達成できる。

次にイオン投射器７８を流れ出るイオンがシート上に画
像の形態で付着される画像化装置（詳細は後述される）
を過ぎてシートが搬送される。一度画像化装置を通過し
た後、潜像は、好ましくは一成分磁性トナー８４を含ん
でいる樋８２及び磁気ブラシローラ８６とよりなる現像
装置８０において可視化される。ローラ８６は樋内を回
転するのでトナーを引きつけ、搬送ドラム７２上のシー
トに接触してトナーを搬送する。トナーはブラシリーフ
からイオノ（象に引きつけられる。

シートの前端が搬送ドラム７２の５時の位置を通過する
とシートは解放され、そのビームの強さはシートを、定
着ローラ９０の二ンブ部に向は直すためのガイド板８８
の方向に向ける。最後に完成した複写がハウジングから
狭い排出スロット９２を通ってキャッチトレイ９４に向
けられる。

複写シート搬送経路及び関連する複写処理要素について
説明したが、以下光学系が説明される。

上述したように、原＃＆５４はハウジング５２の上部表
面を横切って動かされろ、これは往復プラテンのような
慣用手段によって実現できる。Ｗｉ送送路路中原稿は、
そこを通って画像が投影される窓９６を横切る。光学系
を通過する充分な光エネルギを投影するために、原稿は
石英沃素フィラメントランプあるいはこれと同様の装置
の形態をとる細長い光１１１９８により照射される。さ
らにランプの光エネルギを集め、原稿上に反射するよう
にリフレクタ１００がランプを囲む０図示されるように
リフレクタは楕円形でありランプ９６はその焦点の一つ
に配置される。他力の（、（一点は々ｆましくは原稿５
４の面に位置される。リフレクタ１００の壁を貫通した
狭く細長い開口１０２により、原稿（点線で示される）
の狭い幅の画像はそこを通過する。

好ましくはセルフォック（ＳｅｌｆｏｃＪ　あるいはグ
レーデッド型（ｇｒａｄｅｄ　１ｎｄｅｘ　ｆｏｃｕｓ
ｉｎｇ　ｔｙｐｅ）の短光学距離の細長いレンズストリ
ップ１０４の形態のレンズ系は、投影された画像を受け
、綱要い光コレクタ１０６上に収束させる。光コレクタ
１０６はサファイヤのような適当な光伝導性の材料の約
４０ミル（１，０１６ｆｌ）幅の細長いリボンの形とさ
れる０図示されるように、光コレクタは、イオン変調部
においてイオン投射器７８上に載置され２重の目的をは
たし、その上端は光学像を集め、その下端は照射パター
ンに応じてイオン出力を制御する。

イオン投射器７８は第１図に示されたものと、イオン変
ｙ４構造が電気的な入力信号により制御されるのではな
く直接光学的に制御されることを除い°ζ順イ以する。

イオノ投射２Ｓ７８はゾ＋：＋ｙｚｚにより与圧空気が
押し込まれる与圧チャンバ１１０を有するハウジング１
０８を含んでいる。空気は与圧チャンバから円筒状のイ
オン発生チャンバ１１６内のコロナワイヤ１１４を越し
て凍れ、流出チャネル１１１１１を通ってハウジング外
に出る。

流出チャネルは、その構造の詳細が第５図から第７図に
最も明確に示される光学的イオン変調構造を含んでいる
。

原稿の細い幅の投影像は光コレクタ１０６の湾曲上部表
面１２０上に収束する。上部湾曲表面を約２ミル（０，
０５０８寵）幅の非常に狭いスロット１２４ををする不
透明な材料の薄膜１２２でコーティングすることにより
、情報の単一ラスター線のみがイオン流を制御する。湾
曲上部表面１２０はマスク線像を、図示されるように空
気流方向のみに均一に広げ、空気流を横切る方向につい
ては投影されたマスク線像に影響を与えずシャープな収
束のままとする。

本発明においては、光学的手段によるイオン変！ｇ１は
種々の形態によって達成することができる。

一般的な形としては、暗黒中の光導電層は対向壁に印加
された基準電圧と等しい印加電圧を保持することができ
るという原理に基づいている。光が光導電体に衝突した
とき光導電体は導電性になり、流出チャネルの変調片上
の表面電圧は、隣接する接地基体の表面電圧に近づくよ
うに偏移する。

第５図及び第６図に示す好ましい実施例においては、ネ
サ（ＮＥＳＡ）ガラス（Ｓｒ＋、　ｌｎＯ＊）のような
約０．０５ミクロン厚の薄い遇明の導電層１２６が光コ
レクタ１０６の下部表面上に配置される。接地のような
基準電位源１２８はネサ層に接続される。

約１ミル（０，０２５上ｗ）から２ミル（０，０５０８
０）厚のバルク光導電層１３０、好ましくはアモルファ
スシリコン（ａ−３ｉ：ＩＩ）がネサ層に隣接して配置
される。平行なｐ型フィンガ１３２の列とｎ゛型ツクロ
スパー１３４形成するために、光導電層の露出した表面
は適当にマスクされ約０．１ミル（０，００２５４０）
の深さにドープされる。好ましくはフィンガは約３．５
ミル（０，０８８９ｗ５）幅で空気流の方向に約３５ミ
ル（０，８８９ｍｅ）の長さに伸延し、約１．５ミル（
０，０３８１１）のドープされていないａ−５ｉ：ＩＩ
により互いに分離される。それらは略３ミル（０，０７
６２ｍ）幅のドープされていないａ−５ｉ：Ｈの絶縁ス
トリップ１３６により、空気流の方向を横切って伸延す
るクロスバー１３４から分離される。

例えば直流−２０Ｖの電位１Ｉ９１１３８がクロスバー
１３０に印加される。クロスバ−に印加される電位と同
じ大きさと極性の電位源１４Ｇが流出チャネル１１８の
対向壁３８に接続される。暗黒中では絶縁ストリップ１
３６を含むバルク光導′を層１３０は絶縁状態である。

しかしながら絶縁ストリップの幅が狭いために、バイア
スされたクロスバー１３４とフィンガ１３２との間の絶
縁ストリップを通過する空間電荷制限電流はフィンガの
バイアスを実質的に直流−２０Ｖに維持する。バルク光
導電層は、絶縁ストリップのインピーダンスに比べて比
較的高いその実効インピーダンスのためにクロスバ−の
バイアスに影響されない、同時に尊信本家ストリップの
インピーダンスは、１（（（射されたバルクＮ１２６の
インピーダンスに比べて大きくされなければならない。

このように光が存在しないときは、流出スロットの変調
側の全体が対向壁３８と同様に直流−２０■の電位に維
持される。チャネルを横切る電界は実質的に零なので、
電荷受容シート上に付着すべきそこを移動するイオンは
影響されず、イオン投射器から出て行く、一方、光がバ
ルクａ−３ｉ：Ｈ光導電層１３０を照射したときは、導
電性になり接地されたネサ層１２６とドープされたフィ
ンガ１３２の間の短絡回路を効果的に形成し、フィンガ
を実質的に接地電位にする。対向壁は直流−２０Ｖに維
持されるので、流出チャネルを横切る電界はそこを通過
して対向壁に向かうイオン（通常正極性）がイオン投射
器から流出するのを禁止する。

原稿を複写するときはラスクー線に沿った増分エリアは
画像情報に応じて交互に明暗となることが理解されるべ
きである。この画像情報は上述した方法で個々のフィン
ガのバイアスを段階的（ｉｎｃｒｃ＋＊ｅｎｔ１１１１
ｙ）に；ｌ；＋Ｉ御Ｊ゛る。ノスク線の方向に伸延し、
かつ同一の広がりを占めるクロスパー１３４により、直
流−２０Ｖが照射されないフィンガ１３２のいずれかに
印加されるのに対して、照射されたフィンガは接地され
たネサ層１２６に短絡される。

他の実施例が第７図に示されている。光コレクタ１０６
には変調部において異なった感光構成が備えられる。薄
い（ｇ４えば０．０５ミクロン）ネサガラスのような導
電層１４２がラスクー線方向に光コレクタを完全に横切
って、かつ空気流の方向に光コレクタを殆どその全体に
横切って伸延する。

この導電層は接地のような基準電位源１４４に接続され
る。約５０から６０ミクロン厚の、ドープされていない
バルク結晶質シリコン層１４６が、光コレクタの底を横
切って均一に伸延する。約１０９Ω／　ａｓ　”の抵抗
を有する、薄い（例えば１ミクロン以下）抵抗層１４８
、好ましくはｐ型アモルファスソリコンがバルク結晶質
シリコン層１４６の露出表面上を光コレクタ１０６の側
壁に沿っ゛ζ仲社する。１１（抗層１４６上に設りられ
な金属接触型！！ｉ＋１５０は抵抗層を約−２０Ｖの直
流電位源１５２に接続する。同じ極性と大きさの他の電
位源１５４は流出チャネル１１８の対向壁３８に接続さ
れる０本実施例の光導電体により制御される変調部は個
別エリア制御のためのフィンガは待ってないが、第５図
及び第６図の実施例と同様に、アモルファスシリコン層
１４６のシート抵抗により、投影されたラスクー線の明
暗エリアが流出チャネルに隣接する同様な水平部分を制
御Ｂする。

動作中、暗いエリアにおいてはバルクソリコン層は絶縁
体として働くのでアモルファスシリコン抵抗層１４８の
表面の電圧は電位ｔＡ１５２の印加電圧によって決定さ
れる。対向壁３８の電位も同じなので、イオンはイオン
投射器を出る。照射されたエリアにおいてはバルク結晶
質シリコン層１４６は導電性になり効果的に印加電圧を
短絡する。

薄いアモルファスシリコン層１４８は、印加電位を保持
するための充分な電流を供給することができず表面電位
が接地に近づくように充分高い抵抗を持つべきでＪ）る
、この状ｔＷは流出チャネル１１８を横切る電界を形成
してイオンを偏向し、イオンがイオン投射器を通過する
のを禁止する。

本発明の開示は卓なる一例としてなされたものであって
、特許請求の範囲に記載される発明の精神及び範囲から
離れることなく、構造の細部及び、部品の組み合わせ及
び配置の種々の変形がなしうろことは理解されるべきで
ある。

【図面の簡単な説明】

第１図は米国特許第４．４６３，３６３号の流体ジェッ
トを利用したイオン投射印刷装置を示す斜視図、第２図
は「書き込み」を示す第１図の変調構造の概略図、第３
図は「書き込み」が禁止されている状態を示す第１図の
変調構造の概略図、第４図は流体ジェットを利用したイ
オン投射印刷装置を使用した複写装置を示す立面図、第
５図はイオン投射装置の感光性変調部分の１実施例を示
す部分拡大立面図、第６図は第５図の感光性変調アセン
ブリの底部斜視図、第７図はイオン投射装置の感光性変
調部分の他の実施例を示す部分拡大立面図である。 ５２：ハウジング　　５４：原稿 ５６：受容シート　　６４：ホットシエー７０：冷却ロ
ーラ　　７２：ＩＩＩ送ドラム７４：空気ポンプ　　７
６：非通気性板７８：イオン投射器　８０：現像部 ９０：定着ローラ　　９８：光源 １Ｇ４：レンズストリップ １０６；光コレクタ １１６；イオン発生チェンバ １１８：流出チャネル ｔｚ２ｓＥ１層 １２４ニスロツト　　１２６：導電層 １２８：基準電位　　１３０：光導電層１３２：ｐ型フ
ィンガ １３４：ｎ”型クロスバ− １３６！絶縁ストリツプ １３８：電位１１　　　１４０：電位源特ｆｆ出１を人
　ゼロックス　コーポレーシタン代理人　　　小堀　益
（ほか２名） ＦＩＧ、／ ＦＩＧ、５ ＦＩＧ、６

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、電荷受容体と、 複写すべき原稿の明暗エリアの増分像を投影する手段と
   、 イオン発生器と、一対の壁によつて定義された流出チャ
   ネルを通り上記イオン発生器からイオンを引き出す搬送
   流体源を有し、上記原稿の明暗エリアの投影された増分
   像に応じて上記電荷受容体上にイオンを投射する手段と
   、 上記流出チャネルに隣接し、そこを通るイオンの通過を
   制御する変調手段とよりなり、 上記変調手段は上記壁の一方に接続された第１の電位源
   と、そこを通して上記明暗エリアの像が投影される光コ
   レクタと、この光コレクタに隣接し上記壁の他方を形成
   する光学的に切り換え可能な手段と、上記第１の電位源
   と実質的に同一の第２の電位源と、上記第１及び第２の
   電位と異なる基準電位源とを有し、上記第２の電位源及
   び上記基準電位源は上記光学的に切り換え可能な手段を
   横切つて接続され、それによつて上記光学的に切り換え
   可能な手段が暗いときは上記他方の壁は上記第２の電位
   にあり、上記光学的に切り換え可能な手段が照射された
   ときは上記他方の壁は上記基準電位にあることを特徴と
   する流体ジェットを利用したイオン投射複写機。 ２、上記光コレクタはイオン流方向に上記切り換え可能
   な手段を横切つて光学的情報を広げる湾曲照射入力表面
   を有する透明体を含むことを特徴とする特許請求の範囲
   第１項記載の流体ジェットイオン投射複写機。 ３、上記イオン流方向を横切る方向に伸延し中央部に位
   置するスリットを有する薄い不透明層が、上記湾曲照射
   入力表面を覆うことを特徴とする特許請求の範囲第２項
   記載の流体ジェットイオン投射複写機。 ４、上記光学的に切り換え可能な手段は上記基準電位に
   接続された第１の導電手段と上記第２の電位に接続され
   た第２の導電手段により挟まれた光導電層を含むことを
   特徴とする特許請求の範囲第１項記載の流体ジェットイ
   オン投射複写機。 ５、上記光導電層はアモルファスシリコン層を含み、上
   記第２の導電手段は上記流出チャネルに隣接して配置さ
   れ、イオン流方向に伸延するフィンガ列と、上記フィン
   ガの端部から間隔をもつて上記イオン流方向を横切る方
   向に伸延するクロスバーを含むことを特徴とする特許請
   求の範囲第４項記載の流体ジェットイオン投射複写機。 ６、上記第１の導電手段はネサ層を含み、上記アモルフ
   ァスシリコン層は実質的にドープされておらず、上記フ
   ィンガ列及び上記クロスバーは、上記実質的にドープさ
   れていないアモルファスシリコンの絶縁ストリップによ
   り分離されたドープされたアモルファスシリコンである
   ことを特徴とする特許請求の範囲第５項記載の流体ジェ
   ットイオン投射複写機。 ７、上記光導電層は結晶質シリコン層を含み上記第２の
   導電手段は上記流出チャネルに隣接して配置され、ドー
   プされたアモルファスシリコン層を含むことを特徴とす
   る特許請求の範囲第４項記載の流体ジェットイオン投射
   複写機。 ８、複数の処理装置を囲むハウジングと、 上記ハウジング内に設けられ、上記処理装置を通過した
   上記電荷受容体を移動させる搬送手段と、 上記イオンを投射する手段を含む一方の処理装置と、 上記電荷受容体上の電荷像を可視化する現像手段を含む
   他方の処理装置とをさらに含んでいることを特徴とする
   特許請求の範囲第２項、第３項あるいは第４項のいずれ
   かに記載の流体ジェットイオン投射複写機。 ９、上記電荷受容体は紙のシートであり、上記ハウジン
   グにはその内部に制御された湿度環境を維持するための
   封止手段が備えられ、上記搬送手段は導電性のドラムで
   あり、固定手段が上記シートを上記ドラムに取りつける
   ために備えられ、解放手段が上記ドラムから上記シート
   を取り除くために備えられ、定着手段が上記シートに上
   記現像された像を固定するためにハウジング内に備えら
   れることを特徴とする特許請求の範囲第８項記載の流体
   ジェットイオン投射複写機。 １０、上記ドラムは通気性であり、上記固定手段は上記
   ドラムの内部に接続された低空気圧源であり、上記解放
   手段は上記ドラムの内部に隣接して位置された非通気性
   部材であることを特徴とする特許請求の範囲第９項記載
   の流体ジェットイオン投射複写機。 １１、上記シートから湿気を除去するために上記ハウジ
   ングの外部に設けられた加熱手段と、イオンを投射する
   のに先立つて上記シート温度を低下させるために上記ハ
   ウジングの内部に設けられた冷却手段をさらに含むこと
   を特徴とする特許請求の範囲第９項記載の流体ジェット
   イオン投射複写機。 １２、上記電荷受容体はその表面に絶縁コーティングを
   有する導電性のドラムを含むことを特徴とする特許請求
   の範囲第８項記載の流体ジェットイオン投射複写機。 １３、現像された像を上記絶縁コーティングから複写シ
   ートへ転写するための手段、及び上記複写シート上の現
   像された像を固定するための手段をさらに含むことを特
   徴とする特許請求の範囲第１２項記載の流体ジェットイ
   オン投射複写機。 １４、上記原稿を向いた照射手段、及び上記照射を受け
   上記湾曲照射入力表面上に上記原稿の像を収束する手段
   をさらに含むことを特徴とする特許請求の範囲第８項記
   載の流体ジェットイオン投射複写機。