JPS6174130A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS6174130A JPS6174130A JP59196048A JP19604884A JPS6174130A JP S6174130 A JPS6174130 A JP S6174130A JP 59196048 A JP59196048 A JP 59196048A JP 19604884 A JP19604884 A JP 19604884A JP S6174130 A JPS6174130 A JP S6174130A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic recording
- recording medium
- present
- layer
- magnetic
- Prior art date
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- Pending
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、高密度磁気記録に適する磁気記録媒体に関す
る。
る。
従来例の構成とその問題点
近年、垂直磁気記録方式を含み、磁気記録の高密度化に
強磁性金属薄膜を磁気記録層とする磁気記録媒体の実用
化が検討されている。
強磁性金属薄膜を磁気記録層とする磁気記録媒体の実用
化が検討されている。
現状で最も実用に近いのは、高分子フィルム上に酸素中
の電子ビーム蒸着法で得られるＣｏ −Ｎｉ−０膜、ア
ルゴン中での高周波スパッタリンク法で得られるパーマ
ロイ膜、 Ｃｏ −Ｏｒ膜の積層膜を磁気記録層としだ
ものであると考えられている。
の電子ビーム蒸着法で得られるＣｏ −Ｎｉ−０膜、ア
ルゴン中での高周波スパッタリンク法で得られるパーマ
ロイ膜、 Ｃｏ −Ｏｒ膜の積層膜を磁気記録層としだ
ものであると考えられている。
しかしこれらは磁気ヘッドとの摺動で、スリ傷が発生す
ることがあるだめ、表固粗さは小さく保ち、微小突起を
高密度に分散させた高分子基板を用いることで、上記問
題の解決を図る提案がなされている。
ることがあるだめ、表固粗さは小さく保ち、微小突起を
高密度に分散させた高分子基板を用いることで、上記問
題の解決を図る提案がなされている。
この方法は、実用性を高めだが、逆に、雑音の面で高密
度記録での信号対雑音比（Ｓ／Ｎ）を低下させる不具合
を生じさせることがあり、改良が望まれている。
度記録での信号対雑音比（Ｓ／Ｎ）を低下させる不具合
を生じさせることがあり、改良が望まれている。
発明の目的
本発明は上記事情に鑑みなされたもので、Ｓ／Ｎの改良
された磁気記録媒体の提供を目的とする。
された磁気記録媒体の提供を目的とする。
発明の構成
本発明の磁気記録媒体は、微小突起を有する基板上に配
された磁気記録層がＣＯに対して１０〜３０原子チのＸ
元素を含み、Ｘ元素がＬａ 、 、ｐｒ 。
された磁気記録層がＣＯに対して１０〜３０原子チのＸ
元素を含み、Ｘ元素がＬａ 、 、ｐｒ 。
Ｎｄ のうちのいずれかであることを特徴とし、高密度
記録時のＳ／Ｎが改良されるものである。
記録時のＳ／Ｎが改良されるものである。
実施例の説明
以下図面を参照しながら本発明の実施例について説明す
る。
る。
第１図、第２図は本発明の磁気記録媒体の拡大断面図で
ある。
ある。
第１図で１は高分子フィルム、２は微小突起を有する下
塗り層、３はＣｏ −Ｘ薄膜（Ｘ元素は、ｃｏに対する
原子類で１０〜３０原子チのＬａ 。
塗り層、３はＣｏ −Ｘ薄膜（Ｘ元素は、ｃｏに対する
原子類で１０〜３０原子チのＬａ 。
Ｐｒ 、 Ｎｄのいずれかひとつである。）から成る磁
気記録層である。滑剤層、バックコート層等は必要に応
じ適宜設けられるものである。
気記録層である。滑剤層、バックコート層等は必要に応
じ適宜設けられるものである。
第２図で４は高分子フィルム、６は第１図と同じ下塗り
層、６はパーマロイ等の軟磁性層、了は垂直磁化可能な
Ｃｏ−Ｘ（ＸはＬａ、 Ｐｒ、Ｎｄ のいずれか）膜
である。
層、６はパーマロイ等の軟磁性層、了は垂直磁化可能な
Ｃｏ−Ｘ（ＸはＬａ、 Ｐｒ、Ｎｄ のいずれか）膜
である。
尚いずれの場合も部分酸化されたＣｏ−Ｘ膜も本発明の
範囲である。
範囲である。
第１図の構成でも、第２図の構成でもＳ／Ｎが改良され
る理由は、分析的には（現在の分析限界を越えるものと
思われるのであるが）明確な差はでないが、ＣｏとＬａ
、 Ｐｒ 、 Ｎｄが六方稠密構造をとる結晶である
ことから後述する比較例の例えばＣｏ −Ｏｒ膜とＣ軸
分散の差としては余り大きくなくても、結晶が微視的に
均一であると考えられる。
る理由は、分析的には（現在の分析限界を越えるものと
思われるのであるが）明確な差はでないが、ＣｏとＬａ
、 Ｐｒ 、 Ｎｄが六方稠密構造をとる結晶である
ことから後述する比較例の例えばＣｏ −Ｏｒ膜とＣ軸
分散の差としては余り大きくなくても、結晶が微視的に
均一であると考えられる。
特に、厚み方向で、基板に近いところでは、微小突起の
影響を入射原子が受けると考えられるが、そこで恐らく
、本発明は、六方稠密構造に擾乱が入らないため、最、
ｍて均一な摸となることから感度向上と雑音改良でＳ／
Ｎ向上につながっていると考えられるものである。
影響を入射原子が受けると考えられるが、そこで恐らく
、本発明は、六方稠密構造に擾乱が入らないため、最、
ｍて均一な摸となることから感度向上と雑音改良でＳ／
Ｎ向上につながっていると考えられるものである。
本発明に用いられる高分子フィルムは、ポリエステル類
、ポリオレフィン類、セルロース誘導体。
、ポリオレフィン類、セルロース誘導体。
ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリイミド等で、下塗
り層に用いられる樹脂はポリエステル、エポキシ、ポリ
アミド、ポリイミド、等で、微小突起は５０人から３０
０人までノＣａＣＯ３、５ｉ０２ 。
り層に用いられる樹脂はポリエステル、エポキシ、ポリ
アミド、ポリイミド、等で、微小突起は５０人から３０
０人までノＣａＣＯ３、５ｉ０２ 。
ＴｉＯ２、ＢａＣＯ３、ＢａＳＯ４、ポリエステル球等
の微粒子を、１μｌ］−１Ｘ１μｍに１個から１００個
配設されるのが好ましい。
の微粒子を、１μｌ］−１Ｘ１μｍに１個から１００個
配設されるのが好ましい。
磁気記録層の形成は、電子ビーム加熱による二元蒸着、
イオンブレーティング、スパッタリング等の薄膜化技術
によればよい。
イオンブレーティング、スパッタリング等の薄膜化技術
によればよい。
以下、更に具体的に一実施例を説明する。
厚み１０μｍのポリエチレンテレフタレート上に平均粒
子径３００人のＣａＣＯ３を１μｍ×１μｍに約５ケ、
ポリエステル樹脂で塗布固定した。
子径３００人のＣａＣＯ３を１μｍ×１μｍに約５ケ、
ポリエステル樹脂で塗布固定した。
これを基板として、軟磁性層を形成し、その上にＣｏ−
Ｘ膜を配したものと、軟磁性層なしでＣｏ −ｘｇ＼を
配したものを製造した。
Ｘ膜を配したものと、軟磁性層なしでＣｏ −ｘｇ＼を
配したものを製造した。
製法でＳＰと表示したものは、高周波スパッタリング、
去で、放電ガスがアルゴンで、高周波電源は１３．５
ｓ ＭＨｚ最大出力ｓＫＷのものを用いた場合で、ＥＢ
と表示したのは、直径１ｍの円筒キャンに治って基板を
移動させて、斜め蒸着したことを示している。
去で、放電ガスがアルゴンで、高周波電源は１３．５
ｓ ＭＨｚ最大出力ｓＫＷのものを用いた場合で、ＥＢ
と表示したのは、直径１ｍの円筒キャンに治って基板を
移動させて、斜め蒸着したことを示している。
媒体のＳ／Ｎは、トランク幅９μｍの非晶質合金ヘッド
（ヘッドギャップ長Ｑ、２４μｍ）で、記録波長０．５
５μｍで淋ｊ定した。△θ５ｏはＸ線回折より求めた（
０００．２）面のロッキング曲線の半値幅で、六方稠密
結晶のＣ軸の分散の目安となる数値である。
（ヘッドギャップ長Ｑ、２４μｍ）で、記録波長０．５
５μｍで淋ｊ定した。△θ５ｏはＸ線回折より求めた（
０００．２）面のロッキング曲線の半値幅で、六方稠密
結晶のＣ軸の分散の目安となる数値である。
媒体条件と特性についてまとめて表に示した。
上表より明らかなように、本発明品は、実用水準とみな
せるＳ／Ｎの目安である４５ｄ Ｂ以上のＳ／Ｎを全て
確保できておることから、高密度磁気記録に適している
ことが理解される。
せるＳ／Ｎの目安である４５ｄ Ｂ以上のＳ／Ｎを全て
確保できておることから、高密度磁気記録に適している
ことが理解される。
尚本発明は磁気テープ、磁気ディスクのいずれの形態で
実施してもよく、実施例で上述した組み合わせ以外のい
ずれでも本発明の効果はみられるが１ｏ原子係以下では
、Ｓ／Ｎ改良効果がなく、３０原子係以上では磁束密度
が低すぎてＳが小さくなりすぎるだめやはりＳ／Ｎが改
良できないので、１０〜３０原子係の範囲で目的により
最適化すれば、磁化容易軸の方向にかかわらず、Ｓ／Ｎ
の改良された磁気記録媒体が得られる。
実施してもよく、実施例で上述した組み合わせ以外のい
ずれでも本発明の効果はみられるが１ｏ原子係以下では
、Ｓ／Ｎ改良効果がなく、３０原子係以上では磁束密度
が低すぎてＳが小さくなりすぎるだめやはりＳ／Ｎが改
良できないので、１０〜３０原子係の範囲で目的により
最適化すれば、磁化容易軸の方向にかかわらず、Ｓ／Ｎ
の改良された磁気記録媒体が得られる。
発明の効果
以上のように、本発明はＣＯにＬａ 、 Ｐｒ ＋ Ｎ
ｄのいずれかの元素を１０原子係〜３０原子係の範囲で
添加し、結晶性を改良することで、Ｓ／Ｈの改良された
高密度磁気記録媒体を得ることができるもので、その実
用的効果は大きい。
ｄのいずれかの元素を１０原子係〜３０原子係の範囲で
添加し、結晶性を改良することで、Ｓ／Ｈの改良された
高密度磁気記録媒体を得ることができるもので、その実
用的効果は大きい。
第１図、第２図共に本発明の磁気記録媒体の拡大断面図
である。 １．４・・・・・・高分子フィルム、２，５・・・・・
・微小突起を有する下塗り１ｇ、３．７・・・・・Ｃｏ
−Ｘ薄膜（Ｘ＝：Ｌａ、Ｐｒ、Ｎｄ） 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図
である。 １．４・・・・・・高分子フィルム、２，５・・・・・
・微小突起を有する下塗り１ｇ、３．７・・・・・Ｃｏ
−Ｘ薄膜（Ｘ＝：Ｌａ、Ｐｒ、Ｎｄ） 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図
Claims (1)
- 微小突起を有する基板上に配されたＣｏに対して１０〜
３０原子％のＸ元素を含む強磁性金属薄膜にあって、Ｘ
元素がＬａ、Ｐｒ、Ｎｄのいずれかであることを特徴と
する磁気記録層を有する磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59196048A JPS6174130A (ja) | 1984-09-19 | 1984-09-19 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59196048A JPS6174130A (ja) | 1984-09-19 | 1984-09-19 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6174130A true JPS6174130A (ja) | 1986-04-16 |
Family
ID=16351324
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59196048A Pending JPS6174130A (ja) | 1984-09-19 | 1984-09-19 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6174130A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03246626A (ja) * | 1990-02-23 | 1991-11-05 | Nec Corp | 関数のプログラム構造図自動作成ツール |
-
1984
- 1984-09-19 JP JP59196048A patent/JPS6174130A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03246626A (ja) * | 1990-02-23 | 1991-11-05 | Nec Corp | 関数のプログラム構造図自動作成ツール |
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