JPS6174336A - ウエハチヤツク - Google Patents
ウエハチヤツクInfo
- Publication number
- JPS6174336A JPS6174336A JP59195685A JP19568584A JPS6174336A JP S6174336 A JPS6174336 A JP S6174336A JP 59195685 A JP59195685 A JP 59195685A JP 19568584 A JP19568584 A JP 19568584A JP S6174336 A JPS6174336 A JP S6174336A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- holding part
- wafer chuck
- dust
- chuck
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の分野］
本発明は、半導体露光装置において半導体つ１八を吸着
保持するウェハチャックに関する。
保持するウェハチャックに関する。
［発明の背景１
従来のウェハチャックは、第３図に示すように構成され
ていた。すなわち、ウェハチャック本体２の吸着面にＷ
４４が形成されており、各溝４は管路５によりニップル
３に通じている。このウェハチャックはウェハチャック
本体２の上にウェハ１が載置され、ニップル３から真空
引きされて、ウェハ１が吸着され平面矯正される。
ていた。すなわち、ウェハチャック本体２の吸着面にＷ
４４が形成されており、各溝４は管路５によりニップル
３に通じている。このウェハチャックはウェハチャック
本体２の上にウェハ１が載置され、ニップル３から真空
引きされて、ウェハ１が吸着され平面矯正される。
このように構成される従来のウェハチャックは、ウェハ
との接触面積が大きいために、ウェハ１とウェハチャッ
ク本体２との間に塵埃１００を挾み込む確率が高く、塵
埃を挾み込むと、ウェハが局所的に変形して、焼付露光
時にデフォーカスやディストーションを生じるという欠
点があった。
との接触面積が大きいために、ウェハ１とウェハチャッ
ク本体２との間に塵埃１００を挾み込む確率が高く、塵
埃を挾み込むと、ウェハが局所的に変形して、焼付露光
時にデフォーカスやディストーションを生じるという欠
点があった。
［発明の目的１
本発明の目的は、上述従来例の欠点を除去し、ウェハの
有効領域内で塵埃を挾み込むことなく、平面保持するこ
とができるウェハチャックを提供することにある。
有効領域内で塵埃を挾み込むことなく、平面保持するこ
とができるウェハチャックを提供することにある。
［実施例の説明］
第１図は、本発明の一実施例に係るウェハチャックの構
成を示す。同図において、１はウェハ、２はウニハチセ
ック本体、３はニップル、５は排気口、６はウェハチャ
ック本体２と一体に形成された輪帯状の第１保持部、７
は輪帯状の第２保持部、８は輪帯状のピエゾスタック、
９はピエゾスタック８の配線、１０は非接触ギャップセ
ンサ、１１はセンサ配線、１２は開孔である。
成を示す。同図において、１はウェハ、２はウニハチセ
ック本体、３はニップル、５は排気口、６はウェハチャ
ック本体２と一体に形成された輪帯状の第１保持部、７
は輪帯状の第２保持部、８は輪帯状のピエゾスタック、
９はピエゾスタック８の配線、１０は非接触ギャップセ
ンサ、１１はセンサ配線、１２は開孔である。
上記の構成において、ニップル３から真空引きすると、
第１保持分６と第２保持部７との間の環状の溝空間１４
が負圧となり、この部分でウェハ１が吸着される。第２
保持部７の内側の中央部空間１３は開孔１２によって大
気に開放されているので、第２保持部７の内側ではウェ
ハに作用する外力は重力のみである。従って、帯空間１
４を負圧にしてウェハ１を吸着した状態でピエゾスタッ
ク８を伸縮させることにより第２保持部を上下させれば
、ウェハ１を凹または凸に変形させることができる。
第１保持分６と第２保持部７との間の環状の溝空間１４
が負圧となり、この部分でウェハ１が吸着される。第２
保持部７の内側の中央部空間１３は開孔１２によって大
気に開放されているので、第２保持部７の内側ではウェ
ハに作用する外力は重力のみである。従って、帯空間１
４を負圧にしてウェハ１を吸着した状態でピエゾスタッ
ク８を伸縮させることにより第２保持部を上下させれば
、ウェハ１を凹または凸に変形させることができる。
このとき、非接触ギャップセンサ１０で、このセンサ１
０とウェハ１との間のすき間Ｘを計測し、すき間Ｘが基
準値ＸＯになるようにピエゾスタック８の伸縮量を制御
することにより、第２保持部７の内側の＠域においては
塵埃の影響を受けることなくウェハ１を平面保持するこ
とができる。
０とウェハ１との間のすき間Ｘを計測し、すき間Ｘが基
準値ＸＯになるようにピエゾスタック８の伸縮量を制御
することにより、第２保持部７の内側の＠域においては
塵埃の影響を受けることなくウェハ１を平面保持するこ
とができる。
［実施例の変形例１
な−お、本発明は上述の実施例に限定されることなく適
宜変形して実施することができる。例えば、前記の実施
例においては、第１保持部６を固定し第２保持部７を上
下動させるようにしているが、第２図に示すように、内
側の第２保持部７を固定し外側の第１保持部６をとニジ
スタック８で上下駆動する構成にしても良い。
宜変形して実施することができる。例えば、前記の実施
例においては、第１保持部６を固定し第２保持部７を上
下動させるようにしているが、第２図に示すように、内
側の第２保持部７を固定し外側の第１保持部６をとニジ
スタック８で上下駆動する構成にしても良い。
また、前記実施例中で、上下駆動手段としては、ピエゾ
スタックを用いているが、この上下駆動は、例えば磁歪
素子や、空気圧によるベロー７ラムや、熱膨張を利用す
るものなど、他のいかなる方法で行なっても良い。
スタックを用いているが、この上下駆動は、例えば磁歪
素子や、空気圧によるベロー７ラムや、熱膨張を利用す
るものなど、他のいかなる方法で行なっても良い。
また、前記実施例中、非接触ギャップセンサは中央部に
１個を設けているが、中央部空間１３の各所に複数個の
センサを取付けて、それら各センサの情報をもとに上下
駆動手段を駆動することも可能である。さらに、前記の
実施例において、輪帯状の第１または第２保持部６．７
に、ゴム等の軟質の材料を用いても良く、この場合、こ
れらの保持部とウェハ副に介在する塵埃の影響をさらに
少なくすることができる。
１個を設けているが、中央部空間１３の各所に複数個の
センサを取付けて、それら各センサの情報をもとに上下
駆動手段を駆動することも可能である。さらに、前記の
実施例において、輪帯状の第１または第２保持部６．７
に、ゴム等の軟質の材料を用いても良く、この場合、こ
れらの保持部とウェハ副に介在する塵埃の影響をさらに
少なくすることができる。
［発明の効果］
以上説明したように本発明によれば、輪帯状の２つの保
持部の間の溝でウェハを吸着し、チーツク中央部の大部
分はウェハに接触させずに大気に開放し、チＶツク中心
部の非接触ギャップセンサでウェハの凹凸を計測しつつ
、該２つの保持部のうち一方を上下させるようにしてい
るため、ウェハの有効領域内ではウェハとチャックの間
に塵埃を介在させることなくウェハを平面保持すること
ができ、塵埃介在によるウェハの局所変形をなくするこ
とが可能となる。
持部の間の溝でウェハを吸着し、チーツク中央部の大部
分はウェハに接触させずに大気に開放し、チＶツク中心
部の非接触ギャップセンサでウェハの凹凸を計測しつつ
、該２つの保持部のうち一方を上下させるようにしてい
るため、ウェハの有効領域内ではウェハとチャックの間
に塵埃を介在させることなくウェハを平面保持すること
ができ、塵埃介在によるウェハの局所変形をなくするこ
とが可能となる。
第１図は本発明の一実施例に係るウェハチャックの断面
図、第２図は本発明の他の実１７１例に係るウェハチャ
ックの断面図、第３図は従来のウェハチャックの断面図
である。 １・・・ウェハ、２・・・ウェハチャック本体、５・・
・排気口、６・・・第１保ｖｆ部、７・・・第２保持部
、８・・・ピエゾスタック、１０・・・非接触ギャップ
センサ、１２・・・開孔、１３・・・中央部空間、１４
・・・溝空間。
図、第２図は本発明の他の実１７１例に係るウェハチャ
ックの断面図、第３図は従来のウェハチャックの断面図
である。 １・・・ウェハ、２・・・ウェハチャック本体、５・・
・排気口、６・・・第１保ｖｆ部、７・・・第２保持部
、８・・・ピエゾスタック、１０・・・非接触ギャップ
センサ、１２・・・開孔、１３・・・中央部空間、１４
・・・溝空間。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ウェハを吸着保持するウェハチャックにおいて、ウ
ェハと接触する輪帯状の第１保持部と、該第１保持部に
対して同心円状内側に配置された輪帯状の第２保持部と
、該第１保持部と該第２保持部の間の溝空間を排気する
排気孔と、該第２保持部の内側の空間を大気に開放する
開孔と、該第１または第２保持部のどちらか一方の高さ
を上下させる上下駆動手段と、該第２保持部の内側に配
置された少なくとも１個の非接触ギャップセンサを有す
ることを特徴とするウェハチャック。 ２、前記上下駆動手段が、電歪素子もしくは磁歪素子ま
たはこれらの組合わせからなる特許請求の範囲第１項記
載のウェハチャック。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59195685A JPS6174336A (ja) | 1984-09-20 | 1984-09-20 | ウエハチヤツク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59195685A JPS6174336A (ja) | 1984-09-20 | 1984-09-20 | ウエハチヤツク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6174336A true JPS6174336A (ja) | 1986-04-16 |
Family
ID=16345293
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59195685A Pending JPS6174336A (ja) | 1984-09-20 | 1984-09-20 | ウエハチヤツク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6174336A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02102523A (ja) * | 1988-10-11 | 1990-04-16 | Nec Corp | ウェハーボート |
-
1984
- 1984-09-20 JP JP59195685A patent/JPS6174336A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02102523A (ja) * | 1988-10-11 | 1990-04-16 | Nec Corp | ウェハーボート |
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