JPH02102523A - ウェハーボート - Google Patents
ウェハーボートInfo
- Publication number
- JPH02102523A JPH02102523A JP25613788A JP25613788A JPH02102523A JP H02102523 A JPH02102523 A JP H02102523A JP 25613788 A JP25613788 A JP 25613788A JP 25613788 A JP25613788 A JP 25613788A JP H02102523 A JPH02102523 A JP H02102523A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- port
- contact
- boat
- holders
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は縦型熱処理装置に具備するポートに関して、特
に縦型気相成長装置に具備する縦型ウェハーボートに関
するものである。
に縦型気相成長装置に具備する縦型ウェハーボートに関
するものである。
従来、縦型気相成長装置に具備する縦型ウェハーボート
は、ウェハーと接する保持部分の面積が大きいために、
ウェハーとポートの支持部との熱伝導の差に伴ってウェ
ハーに熱歪が加わり、結晶欠陥を生じさせていた。これ
を避けるために、３点または４点でウェハーを保持し、
ウェハーを保持する部分は、ポート支持棒から棒状に突
き出ており、且つウェハーの端部、及びウェハー周辺裏
面がそれぞれボート支持棒と保持部とで面接触するポー
トが使用されている（例えば特公昭６１−１９１０１５
号公報）。あるいは、ウェハーの厚みより若干厚い矩形
の溝がポート支持棒に形成され、その溝部でウェハ一端
部及びウェハー裏面周辺が面接触するポートが使用され
ている。
は、ウェハーと接する保持部分の面積が大きいために、
ウェハーとポートの支持部との熱伝導の差に伴ってウェ
ハーに熱歪が加わり、結晶欠陥を生じさせていた。これ
を避けるために、３点または４点でウェハーを保持し、
ウェハーを保持する部分は、ポート支持棒から棒状に突
き出ており、且つウェハーの端部、及びウェハー周辺裏
面がそれぞれボート支持棒と保持部とで面接触するポー
トが使用されている（例えば特公昭６１−１９１０１５
号公報）。あるいは、ウェハーの厚みより若干厚い矩形
の溝がポート支持棒に形成され、その溝部でウェハ一端
部及びウェハー裏面周辺が面接触するポートが使用され
ている。
上述したように、従来の縦型気相反応装置に具備するポ
ートにおいて、ポートへウェハーを出し入れする際、ポ
ートの支持部とウェハー周辺部の接触面積が大きいため
に、ウェハー周辺部に微小な傷が入り、それらかもとで
スリップが入るという欠点がある。またウェハ一端部で
は引張応力が働いており、そのため、ウェハ一端部にお
いてのポートのウェハー保持部との接触は、引張応力に
加わえ、さらにウェハー裏面端部とポートのウェハー保
持部との熱容量の差異から生じる熱応力が加わり、スリ
ップ等の欠陥が入り易いという欠点がある。
ートにおいて、ポートへウェハーを出し入れする際、ポ
ートの支持部とウェハー周辺部の接触面積が大きいため
に、ウェハー周辺部に微小な傷が入り、それらかもとで
スリップが入るという欠点がある。またウェハ一端部で
は引張応力が働いており、そのため、ウェハ一端部にお
いてのポートのウェハー保持部との接触は、引張応力に
加わえ、さらにウェハー裏面端部とポートのウェハー保
持部との熱容量の差異から生じる熱応力が加わり、スリ
ップ等の欠陥が入り易いという欠点がある。
本発明のポートは、ウェハー主面をほぼ水平とし、且つ
複数枚のウェハーをほぼ一定の間隔で保持する縦型ウェ
ハーポートにおいて、ウェハーの端部がポートの支持棒
と接触せず、ウェハー保持部に、表面に丸みをつけた突
起部または、ウェハーポートのロッド間を結びつけたリ
ングを付け、ウェハー裏面をウェハー保持部で線接触し
て保持する構成になっている。
複数枚のウェハーをほぼ一定の間隔で保持する縦型ウェ
ハーポートにおいて、ウェハーの端部がポートの支持棒
と接触せず、ウェハー保持部に、表面に丸みをつけた突
起部または、ウェハーポートのロッド間を結びつけたリ
ングを付け、ウェハー裏面をウェハー保持部で線接触し
て保持する構成になっている。
本発明は、ウェハーを保持する部分において、ウェハ一
端部とウェハーを保持する部分が接触せず、ウェハー裏
面と保持部が面接触せず、線接触している。本発明は従
来に比べ、ウェハ一端部とウェハー保持部との接触がな
いこと、かつウェハー裏面とウェハー保持部との線接触
するため、引張応力および熱応力を緩和させ、スリップ
等の欠陥の発生を抑制する。
端部とウェハーを保持する部分が接触せず、ウェハー裏
面と保持部が面接触せず、線接触している。本発明は従
来に比べ、ウェハ一端部とウェハー保持部との接触がな
いこと、かつウェハー裏面とウェハー保持部との線接触
するため、引張応力および熱応力を緩和させ、スリップ
等の欠陥の発生を抑制する。
また、本発明は従来に比ベウェハー裏面と線接触してウ
ェハー裏面を保持するため微小傷が入りにくい。
ェハー裏面を保持するため微小傷が入りにくい。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図である。
縦型の抵抗加熱炉ｌ内に設置された反応管は外管２及び
内管３で構成されており、架台４で保持されている。内
管３には反応ガス供給のためのノズル５が設けられてい
る。ウェハー７は回転可能なポート６に任意の間隔をお
いて保持されている。
内管３で構成されており、架台４で保持されている。内
管３には反応ガス供給のためのノズル５が設けられてい
る。ウェハー７は回転可能なポート６に任意の間隔をお
いて保持されている。
第２図（ａ）（ｂ）は、それぞれ第１図中破線で囲まれ
た領域Ａを拡大した縦断面図及び平面図であり、ポート
の支持部の構成をより詳細に説明するものである。ウェ
ハー８を保持するポート１１には錠状の支持部９が構成
され、ウェハーの端部１２がポート１１と接触せず、ウ
ェハーの端部１２から約１ｃｍ離れたウェハー裏面１３
を錠状の支持部９の突起部１０で線接触して保持してい
る。
た領域Ａを拡大した縦断面図及び平面図であり、ポート
の支持部の構成をより詳細に説明するものである。ウェ
ハー８を保持するポート１１には錠状の支持部９が構成
され、ウェハーの端部１２がポート１１と接触せず、ウ
ェハーの端部１２から約１ｃｍ離れたウェハー裏面１３
を錠状の支持部９の突起部１０で線接触して保持してい
る。
本ポートを用いて直径６インチのウェハー５０枚を充填
して１１００℃で熱処理を実施した。従来のポートを用
いた場合、ウェハーのポートに保持された部分において
、１〜２ｃｍのスリップが多数みられたが、本発明のポ
ートを用いた場合、ウェハーのポートに保持された部分
において、スリップの発生は見られず、本発明の優位性
が確認された。
して１１００℃で熱処理を実施した。従来のポートを用
いた場合、ウェハーのポートに保持された部分において
、１〜２ｃｍのスリップが多数みられたが、本発明のポ
ートを用いた場合、ウェハーのポートに保持された部分
において、スリップの発生は見られず、本発明の優位性
が確認された。
第３図（ａ） 、 （ｂ）はそれぞれ本発明の他の実施
例の断面図及び平面図であり、第２図と同様、ウェハー
保持部の構成したものである。ウェハー１４を保持する
ボート支持棒１５にはウェハー保持部としてウェハーポ
ート支持棒１５間を結びっけたリング１６が構成され、
ウェハ一端部１７がポート１８を接触せず、ウェハ一端
部１７から約１ｃｍ離れたウェハー裏面１９をリング１
６の上部で線接触して保持する。
例の断面図及び平面図であり、第２図と同様、ウェハー
保持部の構成したものである。ウェハー１４を保持する
ボート支持棒１５にはウェハー保持部としてウェハーポ
ート支持棒１５間を結びっけたリング１６が構成され、
ウェハ一端部１７がポート１８を接触せず、ウェハ一端
部１７から約１ｃｍ離れたウェハー裏面１９をリング１
６の上部で線接触して保持する。
本ボートを用いて６″φウ工ハー５０枚を充填して、１
１００℃で熱処理を行った。従来のポートを用いた場合
、ウェハーのポートに保持された部分において、１〜２
ｃｍのスリップが多数みられたが、本発明のポートを用
いた場合、ウェハーのポートに保持された部分において
、スリップの発生は見られず、本発明の優位性が確認さ
れた。
１００℃で熱処理を行った。従来のポートを用いた場合
、ウェハーのポートに保持された部分において、１〜２
ｃｍのスリップが多数みられたが、本発明のポートを用
いた場合、ウェハーのポートに保持された部分において
、スリップの発生は見られず、本発明の優位性が確認さ
れた。
以上説明したように、本発明はウェハーの端部をポート
に接触させず、且つウェハー裏面とウェハーを保持する
部分との接触面積を小さくするため、ウェハー裏面と線
接触するウェハー保持部を有するポートを用いることに
より、ポートがらウェハーの出し入れ時におけるウェハ
ー表面への微小な傷に起因するスリップの発生をおさえ
るため、良質な熱処理が施され、欠陥によるデバイスの
電気的特性へ及ぼす影響が削減されるため、デバイスの
歩留りに著しい向上効果をもたらす。
に接触させず、且つウェハー裏面とウェハーを保持する
部分との接触面積を小さくするため、ウェハー裏面と線
接触するウェハー保持部を有するポートを用いることに
より、ポートがらウェハーの出し入れ時におけるウェハ
ー表面への微小な傷に起因するスリップの発生をおさえ
るため、良質な熱処理が施され、欠陥によるデバイスの
電気的特性へ及ぼす影響が削減されるため、デバイスの
歩留りに著しい向上効果をもたらす。
第１図は本発明の一実施例の縦型気相成長装置の縦断面
図、第２図（ａ） 、 （ｂ）はそれぞれ第１図の破線
で囲まれた部分Ａの拡大縦断面図および平面図、第３図
は本発明の他の実施例の縦断面図および平面図である。 １・・・抵抗加熱炉、２・・・・・・外管、３・・・・
・・内管、４・・・・・・架台、５・・・・・・ノズル
、６・・・・・・ポート、７・・・・・ウェハー ８・
・・・・・ウェハー ９・・・・・・錠状支持部、１０
・・・・・・突起部、１１・・・・・・ポート、１２・
・・・・・ウェハ一端部、１３・・・・・・ウェハー裏
面、１４・・・・・・ウェハー １５・・・・・・ポー
ト支持棒、１６・・・・・・リング、１７・・・・・・
ウェハ一端部、１８・・・・・・ポート、１９・・・・
・・ウェハー裏面。 代理人 弁理士 内 原 晋 第１
図、第２図（ａ） 、 （ｂ）はそれぞれ第１図の破線
で囲まれた部分Ａの拡大縦断面図および平面図、第３図
は本発明の他の実施例の縦断面図および平面図である。 １・・・抵抗加熱炉、２・・・・・・外管、３・・・・
・・内管、４・・・・・・架台、５・・・・・・ノズル
、６・・・・・・ポート、７・・・・・ウェハー ８・
・・・・・ウェハー ９・・・・・・錠状支持部、１０
・・・・・・突起部、１１・・・・・・ポート、１２・
・・・・・ウェハ一端部、１３・・・・・・ウェハー裏
面、１４・・・・・・ウェハー １５・・・・・・ポー
ト支持棒、１６・・・・・・リング、１７・・・・・・
ウェハ一端部、１８・・・・・・ポート、１９・・・・
・・ウェハー裏面。 代理人 弁理士 内 原 晋 第１
Claims (1)
- ウェハー主面をほぼ水平とし、且つ複数枚の前記ウェハ
ーをほぼ一定の間隔で保持する縦型ウェハーボートにお
いて、前記ウェハー主面にほぼ垂直にたてられた複数本
の支持棒につけられたウェハー保持部が前記ウェハーの
裏面の前記ウェハーの端部より所定の間隔をもって内側
に入った部分において、部分的に、また円状に線接触す
ることによってウェハーを保持することを特徴とするウ
ェハーポート
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25613788A JPH02102523A (ja) | 1988-10-11 | 1988-10-11 | ウェハーボート |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25613788A JPH02102523A (ja) | 1988-10-11 | 1988-10-11 | ウェハーボート |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02102523A true JPH02102523A (ja) | 1990-04-16 |
Family
ID=17288417
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25613788A Pending JPH02102523A (ja) | 1988-10-11 | 1988-10-11 | ウェハーボート |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02102523A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5779797A (en) * | 1995-11-15 | 1998-07-14 | Nec Corporation | Wafer boat for vertical diffusion and vapor growth furnace |
| EP0982761A1 (de) * | 1998-08-27 | 2000-03-01 | Wacker Siltronic Gesellschaft für Halbleitermaterialien Aktiengesellschaft | Verfahren und Vorrichtung für die Wärmebehandlung von Halbleiterplatten |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51140569A (en) * | 1975-05-30 | 1976-12-03 | Hitachi Ltd | Method for mutually connecting semiconductor pellets to ceramics distr ibuting base plate |
| JPS6062250A (ja) * | 1983-09-14 | 1985-04-10 | Hitachi Ltd | Ｐｃｍ変換装置 |
| JPS6174336A (ja) * | 1984-09-20 | 1986-04-16 | Canon Inc | ウエハチヤツク |
| JPH01272112A (ja) * | 1988-04-25 | 1989-10-31 | Hitachi Ltd | ウエハ保持治具 |
| JPH0218929A (ja) * | 1988-07-07 | 1990-01-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 基板保持具 |
-
1988
- 1988-10-11 JP JP25613788A patent/JPH02102523A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51140569A (en) * | 1975-05-30 | 1976-12-03 | Hitachi Ltd | Method for mutually connecting semiconductor pellets to ceramics distr ibuting base plate |
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| JPS6174336A (ja) * | 1984-09-20 | 1986-04-16 | Canon Inc | ウエハチヤツク |
| JPH01272112A (ja) * | 1988-04-25 | 1989-10-31 | Hitachi Ltd | ウエハ保持治具 |
| JPH0218929A (ja) * | 1988-07-07 | 1990-01-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 基板保持具 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5779797A (en) * | 1995-11-15 | 1998-07-14 | Nec Corporation | Wafer boat for vertical diffusion and vapor growth furnace |
| EP0982761A1 (de) * | 1998-08-27 | 2000-03-01 | Wacker Siltronic Gesellschaft für Halbleitermaterialien Aktiengesellschaft | Verfahren und Vorrichtung für die Wärmebehandlung von Halbleiterplatten |
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