JPS6174338A - 縮小投影露光装置およびその方法 - Google Patents
縮小投影露光装置およびその方法Info
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- JPS6174338A JPS6174338A JP59195728A JP19572884A JPS6174338A JP S6174338 A JPS6174338 A JP S6174338A JP 59195728 A JP59195728 A JP 59195728A JP 19572884 A JP19572884 A JP 19572884A JP S6174338 A JPS6174338 A JP S6174338A
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- light
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- optical alignment
- slit
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は光学的位置合せ装置に関し、特に半導体ウェハ
上にＬＳＩ等の回路パターンを焼付けるのに使用される
縮小投影形露光装置の縮小レンズのウェハに対する焦点
検出およびそれによる焦点合せに好適な光学的位置合せ
装置に関する。
上にＬＳＩ等の回路パターンを焼付けるのに使用される
縮小投影形露光装置の縮小レンズのウェハに対する焦点
検出およびそれによる焦点合せに好適な光学的位置合せ
装置に関する。
従来より、半導体ウェハ上のＬＳＩパターンなど、被観
察物の表面の焦点位置に対する位置ずれを検出して位置
合せを行なう方法においては、被観察物表面に断面が例
えば３ ｍｍ Ｘ Ｏ，１＋ｕ＋程度の細長い形状をし
た単一の光束を斜めに照射し、被観察物表面からのその
反射光を光電変換して反射光の光軸位置を検出している
。しかしながらこのように小さな断面形状の光束を用い
て被観察物表面を検出すると、被ｗｔ祭物の表面形状に
凹凸があったり、或いは、表面の反射率が微小な領域内
で異なってし−たすすると、その表面状態の影響で正確
な位置検出および位置合せが困難になるという欠点があ
った。
察物の表面の焦点位置に対する位置ずれを検出して位置
合せを行なう方法においては、被観察物表面に断面が例
えば３ ｍｍ Ｘ Ｏ，１＋ｕ＋程度の細長い形状をし
た単一の光束を斜めに照射し、被観察物表面からのその
反射光を光電変換して反射光の光軸位置を検出している
。しかしながらこのように小さな断面形状の光束を用い
て被観察物表面を検出すると、被ｗｔ祭物の表面形状に
凹凸があったり、或いは、表面の反射率が微小な領域内
で異なってし−たすすると、その表面状態の影響で正確
な位置検出および位置合せが困難になるという欠点があ
った。
特開昭５６−４２２０５号公報にはその解決策のひとつ
として、被観察物表面上での光束断面の細長い方向が、
被観察物表面の表面形状に影響されない方向を向くよう
に光束を照射する方法が開示それているが、未だ十分な
解決策とはなっていないのが実情であり、検出領域が小
さいと、被観察物表面の反り、うねり、傾きなどの検出
が困難で、また被観察物が透光性の場合、その表面で反
射する光束と、内部に進入して下の層との境で反射して
再び出てくる光束とがあるが、これらが混じり合うと検
出光として一様のもとはならず、検出精度が劣化すると
いう問題も未解決のままである。
として、被観察物表面上での光束断面の細長い方向が、
被観察物表面の表面形状に影響されない方向を向くよう
に光束を照射する方法が開示それているが、未だ十分な
解決策とはなっていないのが実情であり、検出領域が小
さいと、被観察物表面の反り、うねり、傾きなどの検出
が困難で、また被観察物が透光性の場合、その表面で反
射する光束と、内部に進入して下の層との境で反射して
再び出てくる光束とがあるが、これらが混じり合うと検
出光として一様のもとはならず、検出精度が劣化すると
いう問題も未解決のままである。
本発明の目的は、前述の従来技術の問題点を解決し、被
Ｉｉｌ！祭物の表面形状にかかわらず、高精度の位置検
出と位置合せの可能な光学的位置合せ装置を提供するこ
とである。
Ｉｉｌ！祭物の表面形状にかかわらず、高精度の位置検
出と位置合せの可能な光学的位置合せ装置を提供するこ
とである。
前述の目的を達成するための本発明の光学的位置合せ装
置は、被＊察物の表面上に広がる限定された面領域に所
定断面形状の複数の光束を並べて照射する照射光学系と
、前記面領域上の各照射光の反射光を受光する光電変換
手段と、この光電変換手段によって受光された各反射光
の光軸の位置を検出する位置検出手段と、この位置検出
手段によって検出された各反射光の光軸の位置に応じて
被観察物を移動させる変位手段とを備えており。
置は、被＊察物の表面上に広がる限定された面領域に所
定断面形状の複数の光束を並べて照射する照射光学系と
、前記面領域上の各照射光の反射光を受光する光電変換
手段と、この光電変換手段によって受光された各反射光
の光軸の位置を検出する位置検出手段と、この位置検出
手段によって検出された各反射光の光軸の位置に応じて
被観察物を移動させる変位手段とを備えており。
複数のスリット像による位置検出によって被ｌｌ！察物
の表面形状に例えば凹凸や反りなどがあってもその平均
的な位置の検出が果されるようにしであるものである。
の表面形状に例えば凹凸や反りなどがあってもその平均
的な位置の検出が果されるようにしであるものである。
本発明を縮小投影形露光装置の焦点合せ装置に適用した
実施例について以下に図面と共に説明する。
実施例について以下に図面と共に説明する。
第１図は焦点合せ装置の実施例を示す全体構成図で縮小
レンズ１の焦点位置にウェハ２を位置合せするための光
学・機械系を示している。
レンズ１の焦点位置にウェハ２を位置合せするための光
学・機械系を示している。
第１図において、レーザ光源３からのレーザ光束をビー
ムエキスパンダ４により図の紙面表裏方向に拡げて偏平
な光束にし、スリット５に入射させる。スリット５を通
過した断面が細長い形状の光を第２レンズ９を介して第
１反射ミラー７に入射させ、ミラー７で前記光束断面の
細長い方向と直交する方向に光路を曲げて、ウェハ２上
に斜め上方から照射することによりウェハ２上にスリッ
ト５の像５′を投影結像させる。このスリット像５′は
第２反射ミラー８で光路を曲げて第２レンズ９により対
物レンズ１０の手前に結像させる。この位置におけるス
リット像はスリット５の位置の像と同形状である。対物
レンズ１０はこのスリット像をさらに拡大するためのも
のであるが、対物レンズ１０の視野には限界があるため
、スリット像の長手方向を圧縮するためにこの例では第
１円筒レンズ１１を配置しである。対物レンズ１０で拡
大したスリット像をＣＣＤの如きリニアイメージセンサ
Ｉ２上に投影結像させるが、この場合もセンサ１２の受
光部は細幅の窓であるため、第２円筒レンズ１３を配置
し、スリット像の全てを圧縮してセンサ１２の受光画素
列上に投影結像させている。
ムエキスパンダ４により図の紙面表裏方向に拡げて偏平
な光束にし、スリット５に入射させる。スリット５を通
過した断面が細長い形状の光を第２レンズ９を介して第
１反射ミラー７に入射させ、ミラー７で前記光束断面の
細長い方向と直交する方向に光路を曲げて、ウェハ２上
に斜め上方から照射することによりウェハ２上にスリッ
ト５の像５′を投影結像させる。このスリット像５′は
第２反射ミラー８で光路を曲げて第２レンズ９により対
物レンズ１０の手前に結像させる。この位置におけるス
リット像はスリット５の位置の像と同形状である。対物
レンズ１０はこのスリット像をさらに拡大するためのも
のであるが、対物レンズ１０の視野には限界があるため
、スリット像の長手方向を圧縮するためにこの例では第
１円筒レンズ１１を配置しである。対物レンズ１０で拡
大したスリット像をＣＣＤの如きリニアイメージセンサ
Ｉ２上に投影結像させるが、この場合もセンサ１２の受
光部は細幅の窓であるため、第２円筒レンズ１３を配置
し、スリット像の全てを圧縮してセンサ１２の受光画素
列上に投影結像させている。
第２図は第１図の例においてスリットが各結像位置でど
の様な形状になるかを示しており１図の紙面表裏方向に
細長い一本のスリット５の像が、ウェハ２上では、（′
Ｄで示すように幅方向に拡大されたスリット像５ａとし
て、投影結像され、対物レンズ１０の手前では、■で示
す如く円筒レンズ１１によって長手方向が圧縮されたス
リット像５’ａとして結像され、またリニアイメージセ
ンサ１２上では、■に示すように対物レンズ１０で拡大
されたスリット像５’ａの筑手方向を円筒レンズ１３に
よって圧縮したスリット像５’ａとして投影結像されて
いる。
の様な形状になるかを示しており１図の紙面表裏方向に
細長い一本のスリット５の像が、ウェハ２上では、（′
Ｄで示すように幅方向に拡大されたスリット像５ａとし
て、投影結像され、対物レンズ１０の手前では、■で示
す如く円筒レンズ１１によって長手方向が圧縮されたス
リット像５’ａとして結像され、またリニアイメージセ
ンサ１２上では、■に示すように対物レンズ１０で拡大
されたスリット像５’ａの筑手方向を円筒レンズ１３に
よって圧縮したスリット像５’ａとして投影結像されて
いる。
第３図にウェハ２上に結像される一本のスリット像５ａ
の照射位置の違いによる検出位置の差を示す。例えばウ
ェハ２の表面形状が第３図に示すような凹凸形状となっ
ているものとすると、その上に塗布されたフォトレジス
ト１４もその凹凸形状にならった表面形状になる。この
レジスト１４の表面を検出する際、スリット像５ａが小
さと、実線で示す光束で凹部を検出して縮小レンズ１の
焦点位置に合せ、これによって露光を行なった場合に、
表面部（凸部）は焦点位置からずれることにるので、部
分的に解像状態が悪いというような事態が生じる恐れが
あり、また逆に一点鎖線で示す光束で凸部を検出すれば
凹部で焦点ずれを起こすことになる。さらにウェハ２が
縮小レンズ１の光軸に対して傾斜していると、焦点検出
位置では高解像度で露光できるが、その他の箇所は焦点
ずれを起こし、解像しないという問題すら生じる恐れが
ある。
の照射位置の違いによる検出位置の差を示す。例えばウ
ェハ２の表面形状が第３図に示すような凹凸形状となっ
ているものとすると、その上に塗布されたフォトレジス
ト１４もその凹凸形状にならった表面形状になる。この
レジスト１４の表面を検出する際、スリット像５ａが小
さと、実線で示す光束で凹部を検出して縮小レンズ１の
焦点位置に合せ、これによって露光を行なった場合に、
表面部（凸部）は焦点位置からずれることにるので、部
分的に解像状態が悪いというような事態が生じる恐れが
あり、また逆に一点鎖線で示す光束で凸部を検出すれば
凹部で焦点ずれを起こすことになる。さらにウェハ２が
縮小レンズ１の光軸に対して傾斜していると、焦点検出
位置では高解像度で露光できるが、その他の箇所は焦点
ずれを起こし、解像しないという問題すら生じる恐れが
ある。
本発明に従えば、第４図に示すように、ウェハ２の表面
にスリット像５ａを複数同時に投影結像させ、各々のス
リット像の平均位置を合焦位置とすることにより前述の
焦点ずれが解消される。
にスリット像５ａを複数同時に投影結像させ、各々のス
リット像の平均位置を合焦位置とすることにより前述の
焦点ずれが解消される。
第５図は、第１図の装置においてスリット５を複数値べ
て本発明を適用した場合の要部の構成を示している。こ
のようにスリット５を複数平行に並べた多重スリット１
５を配置すると、第２レンズ９によってウェハ２上には
スリット５の幅方向が拡大された平行スリット像５ｂが
投影結像される。
て本発明を適用した場合の要部の構成を示している。こ
のようにスリット５を複数平行に並べた多重スリット１
５を配置すると、第２レンズ９によってウェハ２上には
スリット５の幅方向が拡大された平行スリット像５ｂが
投影結像される。
この平行スリット像５ｂは、第２レンズ９で対物レンズ
の手前にスリット長手方向に縮小された像５’ｂとして
結像される。前述と同様に対物レンズ１０により拡大さ
れ第２円筒レンズ１３でスリット長さ方向に圧縮された
スリット像５’ｂは、第６図上部に示すようにリニアイ
メージセンサ１２上に平行なスリット像５’ｂの列とし
て投影結像され、そのときのセンサ１２の出力は第６図
下部に示す様になる。
の手前にスリット長手方向に縮小された像５’ｂとして
結像される。前述と同様に対物レンズ１０により拡大さ
れ第２円筒レンズ１３でスリット長さ方向に圧縮された
スリット像５’ｂは、第６図上部に示すようにリニアイ
メージセンサ１２上に平行なスリット像５’ｂの列とし
て投影結像され、そのときのセンサ１２の出力は第６図
下部に示す様になる。
ここで一般に縮小投影露光装置における焦点合せは、試
し焼きを行なって合焦位置を求めておき。
し焼きを行なって合焦位置を求めておき。
これを基準位置としてウェハ２を位置決めすることによ
り行なわれる。即ち、ウェハ２を微小距離（０，５μｍ
程度）ずつ上下させて試し焼きを行ない、最も解像状態
が良い時のウェハ２の位置をセンサ１２上のスリット像
５“ｂの位置Ｘｉ、 Ｘ２． Ｘ３・・・Ｘｎのデータ
と（て、適当な記憶装置に記憶させておく。次いで新た
にセットしたウェハ２上にスリット像５ｂを投影結像し
、それによってセンサ１２上に結像されるスリット像５
”ｂが前記記憶装置内の位置データＸＩ、 Ｘ２． Ｘ
３．・・・Ｘｎで表わされる位置に来るようにウェハス
テージ１６を上下させ、焦点合せを行なう。尚、スリッ
ト像５″ｂの位置は、第７図に拡大して示すように、セ
ンサ１２の出力に対して閾値Ｔｈを設定し、その閾値に
相当するセンサ１２の画素２０を求め、その中央値をス
リット像５“ｂの位置と設定するようにしてもよし１゜ 第５図の例では複数のスリット５がＸ方向のみに並んで
いたが、第８図はＸＹの２方向に複数のスリット５が並
んでいる多重スリット１７を用いた例をしめしている。
り行なわれる。即ち、ウェハ２を微小距離（０，５μｍ
程度）ずつ上下させて試し焼きを行ない、最も解像状態
が良い時のウェハ２の位置をセンサ１２上のスリット像
５“ｂの位置Ｘｉ、 Ｘ２． Ｘ３・・・Ｘｎのデータ
と（て、適当な記憶装置に記憶させておく。次いで新た
にセットしたウェハ２上にスリット像５ｂを投影結像し
、それによってセンサ１２上に結像されるスリット像５
”ｂが前記記憶装置内の位置データＸＩ、 Ｘ２． Ｘ
３．・・・Ｘｎで表わされる位置に来るようにウェハス
テージ１６を上下させ、焦点合せを行なう。尚、スリッ
ト像５″ｂの位置は、第７図に拡大して示すように、セ
ンサ１２の出力に対して閾値Ｔｈを設定し、その閾値に
相当するセンサ１２の画素２０を求め、その中央値をス
リット像５“ｂの位置と設定するようにしてもよし１゜ 第５図の例では複数のスリット５がＸ方向のみに並んで
いたが、第８図はＸＹの２方向に複数のスリット５が並
んでいる多重スリット１７を用いた例をしめしている。
この場合、光電変換器としてはエリアイメージセンサ１
８を用いる。このように。
８を用いる。このように。
ＸＹ方向にスリット５を設けると、ウェハ２の傾きまで
も検出し位置合せできるようになる。この場合において
も前述と同様に合焦位置を予め試し焼きによって求めて
おき、そのときのエリアイメ″−ジセンサ１８上のスリ
ット像５’ｂの位置をメモリーに記憶しておく。このよ
うにすれば、第９図（ａ）〜（ｂ）に示すように、ウェ
ハ２に投影結像されたスリット像５ｂの位置（これはセ
ンサ１８上に投影結像されたスリット像５’ｂの位置と
同等）により、ウェハ２の傾き即ち姿勢も検出すること
ができる。第９図において、（ａ）は合焦位置にある時
、（ｂ）はＸ方向に上下の傾きがあり。
も検出し位置合せできるようになる。この場合において
も前述と同様に合焦位置を予め試し焼きによって求めて
おき、そのときのエリアイメ″−ジセンサ１８上のスリ
ット像５’ｂの位置をメモリーに記憶しておく。このよ
うにすれば、第９図（ａ）〜（ｂ）に示すように、ウェ
ハ２に投影結像されたスリット像５ｂの位置（これはセ
ンサ１８上に投影結像されたスリット像５’ｂの位置と
同等）により、ウェハ２の傾き即ち姿勢も検出すること
ができる。第９図において、（ａ）は合焦位置にある時
、（ｂ）はＸ方向に上下の傾きがあり。
Ｙ方向について合焦している時、（Ｃ）はＸ方向につい
て合焦しており、Ｙ方向について上下の傾きがある時、
（ｄ）はＸＹ両方向について上下の傾きがある場合をし
めしている。
て合焦しており、Ｙ方向について上下の傾きがある時、
（ｄ）はＸＹ両方向について上下の傾きがある場合をし
めしている。
以上のような検出系に加えてウェハを傾き調整自在なホ
ルダー付きのステージ相載置すれば、極めて高精度の焦
点検出と焦点合せを実現し得るものである。
ルダー付きのステージ相載置すれば、極めて高精度の焦
点検出と焦点合せを実現し得るものである。
次にウェハ２上へ照射する光束の入射角と偏光方向につ
いて第１０図と第１１図によって説明する。
いて第１０図と第１１図によって説明する。
ウェハ２にフォトレジスト１４を塗布した場合の光の進
行方向は、第１０図に示すように、レジスト１４の表面
で反射するものと、レジスト１４の中に入り込んで下地
Ｍ１９で反射して再び出てくる光、レジスト１４内で反
射する光、下地層１９に入り込む光などがある。レジス
ト１４表面だけで光が反射すれば、リニアイメージセン
サ１２やエリアイメージセンサ１８でそのレジスト表面
の合焦位置検出が可能となる。しかしながら、下地層１
９からの反射光があると、前記センサ上ではどこの位置
を検出しているのか正確に判断できない場合が生じる６
そこで出来るだけレジスト１４表面での反射率を高くす
る必要があり、このため好ましくはウェハ２への光束の
入射角を７０°以上に大きくシ、また入射光束をＳ偏光
とするのがよい。
行方向は、第１０図に示すように、レジスト１４の表面
で反射するものと、レジスト１４の中に入り込んで下地
Ｍ１９で反射して再び出てくる光、レジスト１４内で反
射する光、下地層１９に入り込む光などがある。レジス
ト１４表面だけで光が反射すれば、リニアイメージセン
サ１２やエリアイメージセンサ１８でそのレジスト表面
の合焦位置検出が可能となる。しかしながら、下地層１
９からの反射光があると、前記センサ上ではどこの位置
を検出しているのか正確に判断できない場合が生じる６
そこで出来るだけレジスト１４表面での反射率を高くす
る必要があり、このため好ましくはウェハ２への光束の
入射角を７０°以上に大きくシ、また入射光束をＳ偏光
とするのがよい。
（発明の効果〕
以上の述べたように本発明によれば、被観察物表面上比
較的広い範囲の位置検出を行なっているので、被観察物
の表面形状に凹凸や反り、うねり等があったとしてもそ
の平均的位置を検出することができるものである。また
前記広範囲の平均的位置を検出する方法として細長い光
束スリットを複数波べて被観察物表面上に結像させ、こ
のスリット像を光学的に光電変換素子の受光面上に導い
て検出する方式をとっているので、受光面上のスリット
像位置から被観察物の位置や姿勢を検出することが可能
となり、縮小投影形露光装置の縮小レンズの焦点検出及
び焦点合せに利用してウェハへのレチクル像の高精度の
焼付が達成でき、ＬＳＩ製品歩留りの向上と高集積化と
が果せるものである。
較的広い範囲の位置検出を行なっているので、被観察物
の表面形状に凹凸や反り、うねり等があったとしてもそ
の平均的位置を検出することができるものである。また
前記広範囲の平均的位置を検出する方法として細長い光
束スリットを複数波べて被観察物表面上に結像させ、こ
のスリット像を光学的に光電変換素子の受光面上に導い
て検出する方式をとっているので、受光面上のスリット
像位置から被観察物の位置や姿勢を検出することが可能
となり、縮小投影形露光装置の縮小レンズの焦点検出及
び焦点合せに利用してウェハへのレチクル像の高精度の
焼付が達成でき、ＬＳＩ製品歩留りの向上と高集積化と
が果せるものである。
第１図は本発明を縮小投影形露光装置の焦点検出・焦点
合せ装置に適用する場合の実施例を示す光学・機械系の
全体構成図、第２図は第１図における各部スリット像の
形状を示す構成図、第３図は検出領域が微小な場合の焦
点検出位置のずれを示す概念図、第４図は本発明に従っ
て複数のスリット像を用いた平均的焦点位置の検出を示
す概念図、第５図は本発明にかかる多重スリット方式を
示す要部の構成図、第６図はリニアイメージセンサの受
光面上に投影結像されたスリット像を添画したセンサ画
素位置に対する出力の分布を示す線図、第７図は第６図
の１スリット分を幅方向に拡大して同様に受光面上のス
リット像を添画したセンサ画素位置に対する出力の分布
を拡大して示す線図、第８図はスリットをＸＹの二方向
に設けた焦点合せ装置の全体構成図、第９図（ａ）〜（
ｄ）は第８図の方式による被ｌ１ｌｔ祭物の姿勢状態を
示す゛概念図、第１０図はウェハに塗布したフォトレジ
ストに照射した光束の進行方向とセンサの出力を示す概
念図、第１１図は入射角と偏光の違いによるレジスト上
での反射率の変化を示す線図である。 １・・・縮小レンズ、２・・・ウェハ、３・・・レーザ
光源、５・・・スリット、６・・・第ルンズ、９・・・
第２レンズ、１０・・・対物レンズ、１２・・・リニア
イメージセンサ、１３・・・第２円筒レンズ、１４・・
・フォトレジスト、１５・・・多重スリット、１６・・
・ウェハステージ、１７・・・多重スリット、１８・・
・エリアイメージセンサ。 代理人 弁理士 秋 本 正 実第１図 第２図 第３図 第５図 第６図 第７図 マオ轟木江丁 第８図 第９図 （ａ） （ｂ）（ｃ）
（ｄ）≧＝ど 一妊 第１０図 第１１図 入射角（′ン
合せ装置に適用する場合の実施例を示す光学・機械系の
全体構成図、第２図は第１図における各部スリット像の
形状を示す構成図、第３図は検出領域が微小な場合の焦
点検出位置のずれを示す概念図、第４図は本発明に従っ
て複数のスリット像を用いた平均的焦点位置の検出を示
す概念図、第５図は本発明にかかる多重スリット方式を
示す要部の構成図、第６図はリニアイメージセンサの受
光面上に投影結像されたスリット像を添画したセンサ画
素位置に対する出力の分布を示す線図、第７図は第６図
の１スリット分を幅方向に拡大して同様に受光面上のス
リット像を添画したセンサ画素位置に対する出力の分布
を拡大して示す線図、第８図はスリットをＸＹの二方向
に設けた焦点合せ装置の全体構成図、第９図（ａ）〜（
ｄ）は第８図の方式による被ｌ１ｌｔ祭物の姿勢状態を
示す゛概念図、第１０図はウェハに塗布したフォトレジ
ストに照射した光束の進行方向とセンサの出力を示す概
念図、第１１図は入射角と偏光の違いによるレジスト上
での反射率の変化を示す線図である。 １・・・縮小レンズ、２・・・ウェハ、３・・・レーザ
光源、５・・・スリット、６・・・第ルンズ、９・・・
第２レンズ、１０・・・対物レンズ、１２・・・リニア
イメージセンサ、１３・・・第２円筒レンズ、１４・・
・フォトレジスト、１５・・・多重スリット、１６・・
・ウェハステージ、１７・・・多重スリット、１８・・
・エリアイメージセンサ。 代理人 弁理士 秋 本 正 実第１図 第２図 第３図 第５図 第６図 第７図 マオ轟木江丁 第８図 第９図 （ａ） （ｂ）（ｃ）
（ｄ）≧＝ど 一妊 第１０図 第１１図 入射角（′ン
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、限定された断面形状の光束を被観察物の表明に照射
し、その反射光の光軸位置を検出して被観察物の焦点位
置に対する相対的な位置合せを行なう光学的位置合せ装
置において、被観察物の表面上に広がる面領域に複数の
光束を並べて照射する照射光学系と、前記面領域上の各
照射光束の反射光を受光する光電変換手段と、前記光電
変換手段によって受光された各反射光の光軸の位置を検
出する位置検出手段と、前記位置検出手段によって検出
された各反射光の光軸の位置に応じて被観察物を移動さ
せる変位手段とを備えたことを特徴とする光学的位置合
せ装置。 ２、照射光学系が少なくとも二本の細長い平行スリット
を有し、平行スリットの並んだ像が被観察物の表面に結
像するようにした特許請求の範囲第１項に記載の光学的
位置合せ装置。 ３、光電変換手段が、被観察物表面上の光束を拡大して
受光するために受光面の前方に拡大投影レンズを有する
特許請求の範囲第１項に記載の光学的位置合せ装置。 ４、照射光学系が一方向に並んだ少なくとも二本の細長
い平行スリットを有し、光電変換手段が前記方向と対応
した一方向の走査を行なうリニアイメージセンサを有す
る特許請求の範囲第１項に記載の光学的位置合せ装置。 ５、照射光学系が一方向に並んだ少なくとも二本の細長
い平行スリットと、前記方向に直交する方向に並んだ少
なくとも二本の別の平行スリットとを有し、光電変換手
段が前記直交する二方向を含む平面と対応した受光面の
エリアイメージセンサを有する特許請求の範囲第一項に
記載の光学的位置合せ装置。 ６、位置検出手段が検出結果を記憶する記憶手段を備え
、記憶手段に記憶された過去の検出結果を基準値として
位置検出結果の相対変位置を変位手段に与えるようにし
た特許請求の範囲第一項に記載の光学的位置合せ装置。 ７、照射光学系から照射される光束がＳ偏光であって、
その被観察物表面への入射角が７０°以上である特許請
求の範囲第一項に記載の光学的位置合せ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59195728A JPS6174338A (ja) | 1984-09-20 | 1984-09-20 | 縮小投影露光装置およびその方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59195728A JPS6174338A (ja) | 1984-09-20 | 1984-09-20 | 縮小投影露光装置およびその方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6211247A Division JP2728368B2 (ja) | 1994-09-05 | 1994-09-05 | 露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6174338A true JPS6174338A (ja) | 1986-04-16 |
| JPH0564450B2 JPH0564450B2 (ja) | 1993-09-14 |
Family
ID=16345973
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59195728A Granted JPS6174338A (ja) | 1984-09-20 | 1984-09-20 | 縮小投影露光装置およびその方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6174338A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6336526A (ja) * | 1986-07-30 | 1988-02-17 | Oki Electric Ind Co Ltd | ウエハ露光装置 |
| JPS63161616A (ja) * | 1986-12-25 | 1988-07-05 | Nikon Corp | 位置ずれ検出装置 |
| US6094268A (en) * | 1989-04-21 | 2000-07-25 | Hitachi, Ltd. | Projection exposure apparatus and projection exposure method |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS5696203A (en) * | 1979-12-27 | 1981-08-04 | Fujitsu Ltd | Detection device for optical position |
| JPS56101112A (en) * | 1980-01-16 | 1981-08-13 | Fujitsu Ltd | Exposure method |
| JPS58156937A (ja) * | 1982-03-12 | 1983-09-19 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
| JPS5947731A (ja) * | 1982-09-10 | 1984-03-17 | Hitachi Ltd | 投影露光装置におけるオ−トフオ−カス機構 |
| JPS5999216A (ja) * | 1982-11-27 | 1984-06-07 | Jeol Ltd | 物体の表面高さ測定装置 |
| JPS5999215A (ja) * | 1982-11-27 | 1984-06-07 | Jeol Ltd | 物体の表面高さ測定装置 |
| JPS59121932A (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-14 | Fujitsu Ltd | 自動焦点制御装置 |
-
1984
- 1984-09-20 JP JP59195728A patent/JPS6174338A/ja active Granted
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| JPS5999215A (ja) * | 1982-11-27 | 1984-06-07 | Jeol Ltd | 物体の表面高さ測定装置 |
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| US6094268A (en) * | 1989-04-21 | 2000-07-25 | Hitachi, Ltd. | Projection exposure apparatus and projection exposure method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0564450B2 (ja) | 1993-09-14 |
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