JPS6174891A - 光記録方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ■　発明の背景 技術分野 本発明は、光記録方法、特にヒートモードの光記録媒体
に対する光記録方法に関する。

先行技術 光記Ｑ媒体は、媒体と書き込みないし読み出しヘントが
非接触であるので、記Ｑ媒体が摩耗劣化しないという特
徴をもち、このため、種々の光記録媒体の開発研究が行
われている。

このような光記ｔ２媒体のうち、暗室による現像処理が
不要である等の点で、ヒートモード光記録媒体の開発が
活発になっている。

このヒートモードの光記録媒体は、記録光を熱として利
用する光記録媒体であり、その１例として、レーザー等
の記録光で媒体の一部を融ＩＷ、除去等して、ビットと
称される小穴を形成して１！ｊき込みを行い、このビッ
トにより情報を記録し、このビットを読み出し光で検出
して読み出しを行うビット形成タイプのものがある。

このようなど７ト形成タイプの媒体、特にそのうち、装
置を小型化できる半導体レーザーを光源とするものにお
いては、これまで、Ｔｅを下体とする材料を記録層とす
るものが大半をしめている。

しかじ、近年、Ｔｅ系材料が有害であること、そ１〜で
より高感度化する必要があること、より製造コストを安
価にする必要があることから、Ｔｅ系にかえ、色素を主
とした有機材料系の記録層を用いる媒体についての提案
や報告が増加している。

１列えば　Ｈｅ−Ｎｅレーザー用としては。

スクヴリリウム色素〔特開昭５６−４６２２１号　Ｖ。

Ｂ、　Ｊｉｐｓｏｎ　　ａｎｄ　　Ｃ，Ｒ，Ｊｏｎｅｓ
、Ｊ、Ｖａｃ、　　Ｓｃｉ。

Ｔｅｃｈｎｏｌ、、　１８　（１）　１０５　（１，９
８１）　）や、金属フタコシアニン色素（特開昭５７−
８２０９４号、同５７−８２０９５号）などを用いるも
のがある。

また、金属フタロンアニン色素を半導体レーザー用とし
て使用した例（特開昭５８−８６７９５号）もめる。

これらは、いずれも色素を蒸着により記録層薄膜とした
ものであり、媒体製造上、Ｔｅ系と大差はない。

しかし、色素蒸着膜のレーザーに対する反射率は一般に
小さく、反射光量のビットによる変化（減少）によって
読み出し信号をうる、現在針われている通常の方式では
、大きなＳ／Ｎ比をうることができない。

また、記録層を担持した透明基体を、記録層が対向する
ようにして一体化した、いわゆるエアーサンドインチ構
造の媒体とし、基体をとおして書き込みおよび読み出し
を行うと、書き込み感度を下げずに記録層の保護ができ
、かつ記録密度も大きくなる点で有利であるが、このよ
うな記録再生方式も、色素蒸着膜では困難である。

これは、通常の透明樹脂製基体では、屈折率がある程度
の値をもち（ポリメチルメタクリレートで１　、５）　
、記録層の基体をとおしての反射率が、例えばポリメチ
ルメタクリレートでは半導体レーザーの波長に対して２
５％程度以下になるため、低い反射率しか示さない記録
層では検出できないからである。

色素蒸着膜からなる記録層の、読み出しのＳ／Ｎ比を向
上させるためには１通常、基体と記録層との間に、Ａ１
等の仄着反射膜を介在させている。

この場合、蒸着反射膜は、反射率を上げてＳ／Ｎ比を向
上させるためのものであり、ビット形成により反射膜が
露出して反射率が増大するものであるが、当然のことな
から、基体をとおしての記録再生はできない。

同様に、特開昭５５−１６１Ｅｉ９０号には、ＩＲ−１
３２色＞’Ｋ　（コシツク社製）とポリ酢酸ビニルとか
らなる記録層、また、特開昭５７−７４８４５号には、
ｌ、１′−ジエチル−２，２’−１リカルボシアニンイ
オタイトと゛ニトロセルロースとからなる記録層、さら
にはに、Ｙ、Ｌａｗ、　ｅｔ　ａｌ、、　Ａｐｐｌ、　
Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、　３９　（９）　７１８　（１９
８１）には、　３．３′−ジエチル−１２−７セチルチ
アテトラカルポシアニンとポリ酢酸ビニルとからなる記
録層など、色素と樹脂とからなる記録層を塗布法によっ
て設層した媒体が開示されている。

しかし、これらの場合にも、基体と記録層との間に反射
膜を必要としており、基体裏面側からの記録再生ができ
ない点で、色素蒸着膜の場合と同様の欠点をもつ。

このように、基体をとおしての記録再生が可能である有
機材料系の記録層をもつ媒体を実現するには、有機材料
自身が大きな反射率を示す必要がある。

しかし、従来、反射層を積層せずに、有機材料の単層に
て高い反射率を示す例はきわめて少ない。

わずかに、バナジルフタロシアニンの蒸着膜が高反射率
を示す旨が報告（Ｐ、Ｋ１７０ｓ、　　ａｔａｌ、、Ａ
ｐｐｌ、　Ｐｈｙｓ、　Ｐａｒｔ　Ａ　２Ｇ　（２）　
＋０１　（１９８１）、特開昭５５−９７０３３号〕さ
れているが、おそらく昇華温度が高いためであろうと思
われるが、書き込み感度が低い。

また、チアゾール系やキノリン系等のシアニン色素やメ
ロシアニン色素か報告〔山木他、第７７回＋５川物理学
会予稿集　ＩＰ−Ｐ−９（１９ａｏ）　）されており、
これにもとづく提案が特開昭５８−１１２７３０号にな
されているが、これら色素は、特に塗ｊ漠として設層し
たときに、溶剤に対する溶解度が小さく、また結晶化し
ゃすぐ、さらには読み出し光に対してきわめて不安定で
ただちに脱色してしまい、実用に供しえない。

このような実状に鑑み、本発明者らは、先に、溶剤に対
する溶解度が高く、結晶化も少なく、かつ熱的に安定で
あって、塗膜の反射率が高いインドレニン系のシアニン
色素を単層１１ｇとして用いる旨を提案している（特願
昭　５７−１３４３９７号、同　５７−１３４１７０号
〕。

また、インドレニン系、あるいはチアゾール系、キノ゛
リン系、セレナゾール系等の他のシアニン色素において
も、長鎖アルキル基を分子中に導入して、溶解性の改善
と結晶化の防止かはかられることを提案している（特願
昭５７−１８２５８９号、同　５７−１７７７７８号等
）、。

さらに、光安定性をまし、特に読み出し光による脱色（
再生劣化）を防止するために、シアニン色素に遷移金属
化合物クエンチャ−を添加する旨の提案を行っている（
特願昭５７−１６１３８３２号、同５７−１８８０４８
号等）。

さらには１色素とクエンチャ−とのイオン結合体を形成
し、これにより再生劣化をより減少し、かつ安定性を高
める旨の提案も行っている（特願昭５８−１４８４８号
、同５９−１８８７８号、回５９−１９７１５号）。

ところで、色素または色素組成物からなる光記録膜は光
照射と同時に照射光の中央部からビットの形成が始まり
、照射光パルスの後半では最もエネルギーの集中してい
る照射光の中央部で吸収されなくなる。　従って、エネ
ルギーの利用効率が低く感度がある値以上に向上しない
原因となっている。

そこで、本発明者らは、先に、ケイ素系縮合物のコロイ
ド粒子分散液の塗膜などの高融点の膜を表面層として設
層する旨を提案している（特願昭５９−６２３８６号等
）。

この提案によれば、ビットは一定時間の照射光によって
は形成されず、その間温度上昇がおこり、十分な温度に
なったのち一気にビットを形成するので、感度はきわめ
て高いものとなる。

しかし、このようなビット形成を行うので、得られるコ
ントラスに比較して、Ｂき込み光強度が高く、媒体走行
速度も低くせざるをえないという欠点がある。

また、このような場合、通常の状態では、ビット形成に
際し、同時にビット部で表面層の新製ないし破砕も生じ
、これが他のトランクに飛散し、Ｓ／Ｎ比を低下させた
り、エラーレートを大きくしたりする不都合がある。

■１　　発明の目的 本発明の目的は、色素または色素組成物からなる記録層
を有する光記録媒体を用いた光記録方法において、その
表面層を改良して、感度が高く、シかもＳ／Ｎ比が高く
、かつエラーレートの少ないものとすることにある。

■　発明の開示 このような目的は下記の本発明によって達成される。

すなわち本発明は、基体上に、色素または色素組成物か
らなる記録層を有し、この記録層上に表面層を有する光
記録媒体に、害き込み光を照射してビットを形成して光
記録を行うにあたり、ビットが、表面層が実質的に破断
しない状ＩＥ、にて四部として形成されることを特徴と
する光記録方法である。

■　発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。

本発明に用いる光記録媒体の記録層中には色素が含有さ
れる。

用いる色素には特に制限はなく、シアニン系、フタロシ
アニン系、ナフタロシアニン系、テトラデヒドロコリン
ないしテトラデヒドロコロール系、アントラ午ノン系、
アゾ系、トリフェニルメタン系、ビリリウムないしチア
ピリリウム塩素系等の色素はいずれも使用可能である。

このような中で、本発明による効果が大きいのは、第１
にシアニン色素である。

シアニン色素の中では下記式（１）で示されるものが好
ましい。

式（Ｉ〕 Φ−Ｌ＝ψ　　（Ｘ−）ｍ 上記式（Ｉ）において、！およびΦは、芳香族環、例え
ばベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環等が綿
合してもよいインドール環、ナアンール環、オキサゾー
ル環、セレナゾール環、イミダゾール環、ピリジン環等
をあられす。

これらΦおよびψは、同一でも異なっていてもよいが１
通常は同一のものであり、これらの環には１種々の置換
基が結合していてもよい。

なお、Φは、環中の窒素原子が十電荷をもち。

重は、環中の窒素原子が中性のものである。

これらのΦおよびψの骨格環としては、下記式〔ΦＩ〕
〜〔Φ店〕で示されるものであることが好ましい。

なお、下記においては、構造はΦの形で示される。

（Ｒ４）　ｑ 〔Φ■〕（Ｒ４）Ｑ （Ｒａ　）　ｑ 〔Φ”）　　　　　　　　　　　　　　　　　（Ｒ４）
を揚 〔Φ潤〕 このような各種層において、環中の窒素原子（イミダツ
ール環では２個の窒素原子）に結合する基Ｒ＋　　（Ｒ
＋　　、Ｒ＋　　′）は、置換または非置換のアルキル
基またはアリール基である。

このような環中の、窒素原子に結合する基Ｒ，，Ｒ，′
の炭素原子数には、特に制限はない。　また、この基が
さらに置換基を有するものである場合、置換基としては
、スルホン酸基、アルキルカルボニルオキシ基、アルキ
ルアミド基、アルキルスルホンアミド基、アルコキシカ
ルボニル基、アルキルアミノ靭、アルキルカルバモイル 水酸基、カルボキシ基、ハロゲン原子等いずれであって
もよい。

なお、後述のｍが０である場合、Φ中の窒素原子に結合
する基Ｒ１は、置換アルキルまたはアリール基であり、
かつ−電荷をもつ。

さらに、Φおよびψの垣が、縮合ないし非縮合のインド
ール環（式〔Φ工〕〜〔ΦＩＶ））である場合、その３
位には，２つの置換基Ｒ２　　。

Ｒ３が結合することが好ましい。　この場合、３位に結
合する２つの置換基Ｒ２，Ｒ３としては、アルキル基ま
たはアリール基であることが好ましい。　そして、これ
らのうちでは、炭素原子数１または２、特に１の非置換
アルキル基であることが好ましい。

一方、Φおよびψで表わされる環中の所定の位置には、
さらに他の置換基Ｒ４が結合していてもよい。　このよ
うな置換基としては、アルキル基、アリール基、複素環
残基、ハロゲン原子、アルコキシ基、アリーロキシ基、
アルキルチオ基、アリールチオ基、アルキルカルボニル
基、アリールカルボニル基、アルキルオキシカルボニル
基、アリーロキシカルボニル基、アルキルカルボニルオ
キシ基、アリールカルボニルオキシ基、アルキルアミド
基，アリールアミド基、アルキルカルバモイル イル 基，カルボン酸基、アルキルスルホニル基、アリールス
ルホニル基、アルキルスルホンアミド基，アリールスル
ホンアミド基、アルキルスルファモイル基，アリールス
ルファモイル基、シアン基、ニトロ基等、種々の置換基
であってよい。

七して、これらの置換基の数（ｐ．ｑ．ｒ。

ｓ，ｔ）は、通常，０または１〜４程度とされる。　な
お、ｐ，ｑ，ｒ，ｓ，ｔが２以上であるとき、複数のＲ
４は互いに異なるものであってよい。

なお、これらのうちでは、式〔Φ工〕〜〔Φ■〕の縮合
ないし非縮合のインドール環を有するものが好ましい。

これらは溶剤に対する溶解度，塗膜性，安定性にすぐれ
、きわめて高い反射率を示し、読み出しのＳ／Ｎ非がき
わめて高くなるのである。

他方，Ｌは、モノ、シ，トリまたはテトラカルボシアニ
ン色素を形成するだめの連結基を表わすが，特に式（Ｌ
Ｉ）〜〔Ｌ■〕のいずれかであることが好ましい。

式（ＬＩ） ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−Ｃ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ
エ 式〔Ｌτ）　　　　ＣＨ＝Ｃ−ＣＨ 式ＣＩ、　ＩＸ）　　　　Ｃ ここに、Ｙは、水素原子または１価の基を表わす。　こ
の場合、１価の基としては、メチル基等の低級アルキル
基、メトキシ基等の低級アルコキシ基、ジメチルアミノ
基、ジフェニルアミノ基、メチルフェニルアミノ基、モ
ルホリノ基、イミグソリジン基、エトキシカルボニルピ
ペラジン基などのジ置換アミン基、アセトキシ基等のフ
ルキルカルボニルオキシ オ基等のアルキルチオ基、シアン基、ニトロ基，Ｂｒ，
ＣＪＩ等のハロゲン原子などであることが奸ましい。

なお、これら式（ＬＩ”ｌ〜〔Ｌ■〕の中では，トリカ
ルボシアニン連結基、特に式％式％ さらに、Ｘ−は陰イオンであり、その好ましい例として
は、 １−、Ｂｒ−、Ｃｕ０４−、ＢＦ４−。

ＣＨ３　＜＞　ＳＯ３　−　、Ｃｌ−Ｃ＞　Ｓ０３　−
等を挙げることができる。

なお、ｍはＯまたは１であるが、ｍがＯであるときには
、通常，ΦのＲ１が一電荷をもち、分子内塩となる。

次に、本発明のシアニン色素の具体例を挙げるか，本発
明はこれらのみに限定されるものではない。

匹五か　　免＝！　　　ｌＬ工Ｊ上′　　　　　　シ、
」ユＤＩ　　　　（ΦＩ）　　　　　　ＣＨ３（Ｈ２Ｏ
２ＣΦＩ）　　　　　ＣＨ３ＣＨ２ Ｏ３（ＯＩ　）　　　　　　Ｃ２Ｈａ　　ＯＨＣＨ３Ｏ
４（Φ　Ｉ）　　　　（（ＣＨ２）　　３　　ＳＯ３二
　　　　　　　　ＣＨ３（ＣＨ２）３　５０３　　　Ｎ
ａ４ Ｄ５　　　　（ΦＩＩ）　　　　　　ＣＨ３ＣＨ３Ｏ６
（００１）　　　　（ＣＨ２＞３５０３−　　　　　　
ＣＨ３’　（ＣＨ２）３５０３−　Ｎａ” Ｄ７　　　　（９丁）　　　　　　ＣＨ２ＣＨ２０ＨＣ
Ｈ：ＩＤ　８　　　　（ＯＩＩＩ）　　　　　（ＣＨ２
）２０ＣＯＣＨ３ＣＨ２Ｏ９（ＯＩＩＩ）　　　　　（
ＣＨ２）２　０ＣＯＣＨ３ＣＨ３０１４ＣΦＩＩＩ）　
　　　　　ＣＨ３ＣＨ３Ｏ１１〔Φ０１）　　　　　　
ＣＨ３ＣＨ３Ｏ１２（ΦＩ）　　　　Ｃ，８Ｈａ７　　
　　　　　　　ＣＨ３Ｏ１３〔ΦＩ）　　　　　　Ｃ４
Ｈ９ＣＨ３０１４（ＯＩ）　　　　Ｃ８Ｈ，８０ＣＯＣ
Ｈ５ＣＨ３Ｏ１５〔ΦＩ）　　　Ｃ７Ｈ，、ＣＨ，、Ｏ
ＨＣＨ３ＦＬＬＬ　　　　　　　　ｙ　　　　　　　ｘ
　　　　ｘ−−（ＬＩＩ）　　　　　　　　ＨＩ −（Ｌｌｌ）　　　　　　　　ＨＣｌ０４−　　　　（
Ｌ［［［）　　　　　　　　ＨＩ　　　　　Ｂｒ−（Ｌ
ｌｌ）　　　　　　　　　Ｈ− −ＣＬＩＩ）　　　　　　　ＨＣｌ０４−　　　　（Ｌ
ＩＩ）　　　　　　　　　Ｈ−−（ＬＳＩ）　　　　　
　　ＨＣｌ０ａ−（Ｌｌｌ）　　　　　　　ＨＢｒ −（Ｌｍ）　　　−Ｎ　（Ｃｓ　Ｈｓ　）　２　　　１
　　　　Ｃ９，０４−（Ｌｌｌ）　　　　　　　１（０
文０４−　　　　（Ｌｍ）　　　−Ｎ　（Ｃｓ　Ｈｓ　
）　２　　　１　　　０文０４−　　　　（Ｌ■）　　
　　　　　　ＨＩ−（Ｌｌｌ）　　　　　　　　ＨＣｌ
０４−　　　　（ＬＩ［＋）　　　−Ｎ（ＣａＨｓ）２
　　　１　　　　Ｃｕ０４−　　　　（Ｌｍ）　　　　
　　　Ｈ７匹１轡　先−’ｌ’　　　ＲＬＬｉＬ’　　
　　　　　　　　ＬＬ工１工　ＬＬＤ１８　　（ΦＩＩ
）　　　Ｃ８Ｈ１７０Ｈ３−ＤＩ７　　（Φｍ）　　　
Ｃ８Ｈ１７ＣＨ３−０１８〔Φｍ）　　、Ｃ７Ｈ，ＣＯ
Ｏ−ＣＨ３−Ｃ７ＨＩ４ＣＯＯＨ Ｄ１９　　（ＯＩＩＩ）　　　Ｃ７Ｈ，４ＣＯＯＣ２Ｈ
５ＣＨ３−Ｄ２０　〔９丁）　　　Ｃ４Ｈ９ＣＨ：ｔ　
　　　−０２１（ＯＩＩＩ）　　　Ｃ，８Ｈ３□ＣＨ３
−Ｄ２２　〔Φ０］：Ｉ　　　Ｃ４Ｈ９ＣＨ３−Ｄ２３
　〔ΦＩ）　　　　ＣＨＣＯＯＣＨ３ＣＨ３−Ｄ２４　
〔ΦＩ）　　　　ＣＨＯＣＯＣＨ３ＣＨ３−８ｌ５ Ｄ２５　（ΦＩ）　　　Ｃ８Ｈ，Ｃ２Ｈ５−Ｄ２６　〔
ΦＩ）　　　Ｃ７Ｈ１５Ｃ２Ｈｓ　　　−Ｄ２７　〔Φ
ＩＩ）　　　ＣＨＣＯＯＣＨ３ＣＨ３−Ｄ２８　〔ΦＩ
ｌ）　　　　ＣＨＣＨＯＣＯＣＨ３ＣＨ３Ｄ２９　〔Φ
ＩＩ）　　　Ｃ，□Ｈ３５ＣＨ３−Ｌ　　　　　　　　
　　Ｙ−且　−五一（Ｌ　ＩＩ　）　　　　　　　　　
　Ｈ０文０４（Ｌ　ＩＩ　）　　　　　　　　　　　Ｈ
−〔Ｌｍ〕　−Ｎ　　Ｎ−ＣＯＯＣ２Ｈａ　　１〔Ｌ■
）　　　　　　　　　ＨＢＦ４ ＣＬＩＩＩ）　　　　　−Ｎ（Ｃ８Ｈ５）２　　　１　
　Ｃｌ０４〔Ｌ■）　　　　　　　　　　Ｈ０文０４Ｃ
ＬＩＩ）　　　　　　　　　　ＨＣｌ０４（Ｌ　ＩＩ　
）　　　　　　　　　　ＨＩ（ＬＩＩ＋）　　　　　−
Ｎ（Ｃ８Ｈ５）２　　　１　　　　Ｉ（Ｌ　ＩＩ　）　
　　　　　　　　　Ｈｒ（ＬＩＴ）　　　　　　　　　
　Ｈｒ （ＬＩＩ）　　　　　　　　　　ＨＣＣｌ０ａＣＬ〕−
Ｎ　　Ｎ−ＣＯＯＣ２Ｈａ　　１　　　Ｉ””〕−Ｎ　
　Ｎ−ＣＯＯＣ２Ｈａ　　１　　””匹１轡　先−呈　
　１Ｌ−１上’　　　　　　　　　　Ｌｗ−七＝ＬＬＤ
３０　〔ΦＩＩ）　　　ＣＨＣＯＯＣＨ３Ｃ２Ｈ５−Ｃ
３１（Φ［ＩＩ］　　　Ｃ７Ｈ，、ＣＨ２０ＨＣＨ３へ
Ｃ３２（Ｏｍ）　　　ＣＨＣＨ０ＣＯＣ２Ｈ５ＣＨ３−
Ｃ３３Ｃ０ＩＩＩ）　　　Ｃ１７Ｈ３４ＣＯＯＣ２Ｈ５
ＣＨ３−Ｃ３４（ＯＨ）　　　Ｃ，Ｈ２Ｓ　　　　　　
　　　　ＣＨ３−Ｃ３５〔ΦＩＩＩ）　　　Ｃ７Ｈ１５
Ｃ２Ｈ５−Ｃ３６〔ΦｒＶ　）　　　　ＣＨ３ＣＨａ　
　　　　−Ｃ３７〔Φｆｆ）　　　　ＣＨ３ＣＨ３−Ｃ
３８〔ΦＩＶ）　　　　Ｃ４Ｈｇ　　　　　　　　　　
　　　　　（：）１３　　　−Ｃ３９〔ΦＩＶ）　　　
（ＣＨ２）２０ＣＯＣＨ３ＣＨ３−Ｃ４０〔ΦＶ）　　
　　Ｃｚ　Ｈｓ　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　４−ＣＨ５Ｄ４１　　　（（＞Ｖ〕　　　ＣＨ３−４
−ＣＨｓＤ４２　　〔Φ■〕　　　　Ｃ２Ｈ５−−Ｃ４
３〔ΦＶ’ｌ）　　　　Ｃ２Ｈ５−５−ＣＩＤ４４　　
〔ΦＶＴ）　　　　Ｃ２Ｈ５−５−０ＣＨ３Ｄ４５　〔
Φ■）　　　　Ｃ２Ｈ５−５−ＯＣＲ３Ｌ−−ヱ一　　
　−ｌ−ｘ− 〔Ｌ■）　　　　　　　ＨＣ見０４ （Ｌ　ＩＩ　）　　　　　　　ＨＣ交０４（Ｌ　ＩＩ　
）　　　　　　　Ｈ１ （Ｌ［（［）　　　−Ｎ　（Ｃ８Ｈ５）２　　１　　　
　　Ｉ（ＬＩＶ）　　　　　　　ＨＩ　　　　　Ｉ（Ｌ
　ＩＩ　）　　　　　　　ＨＩ （Ｌ　ＩＩ　）　　　　　　　ＨＩ 〔Ｌ■）　　　　　　　ＨＣ文０４ （Ｌｒｌ）　　　　　　　ＨＣ見０４ （Ｌ　ＩＩ　）　　　　　　　Ｈ１ （Ｌ　Ｈ）　　　　　　　）（Ｉ （Ｌ　ＩＩ　）　　　　　　　ＨＩ （Ｌｌｌ）　　　　　　　　ＨＢｒ （ＬＩ［Ｉ）　　　−Ｎ（ＣａＨｓ）ｚ　　　Ｉ　　　
　　Ｂｒ〔Ｌ■）　　　　　　　ＨＣＨ３Ｃ６Ｈ，５Ｏ
３（Ｌｌｌ）　　　　　　　ＨＢｒ 色１掬　免よ！　　　１Ｌ−１工′　　　　ＬＬ工１工
　ＬＬＬ−Ｃ４６〔ΦＶｌ）　　　Ｃ，、Ｈ５−−（Ｌ
ＩＴ）Ｃ４７〔ΦＶＴ）　　　Ｃ２Ｈ５−−（ＬＩＩ）
Ｃ４８〔Φ■）　　　Ｃ２Ｈ５−−（ＬＩ）Ｃ４９〔Φ
ＶＤ　　　Ｃ２Ｈ５−−（Ｌ■〕−−（Ｌ’Ｖ） Ｃ５０〔ΦＶＴ）　　　Ｃ２Ｈ５ −−（ＬＶ） Ｃ５１〔Φ■〕　　　Ｃ２Ｈ５ −−（ＬＶＴ） Ｃ５２〔Φ’１ｌＴ）　　　　Ｃ２Ｈ３Ｄ５３　　（Ｏ
ＶＩＩ）　　　ＣＣＨ）ＯＣＯＣＨ３−−（Ｌｍ）Ｃ５
４〔ΦＶＴ）　　　ＣＨ２ＣＨ２０Ｈ−５−ＣＩ　　（
ＬＩＴ）−−（Ｌｌｌ） Ｃ５５〔Φ■〕　　　Ｃ２Ｈ５ −−（Ｌｌｌ） Ｃ５６〔ΦＩＸ）　　　　Ｃ２Ｈ５ −−（Ｌｌｌｌ） Ｃ５７〔Φ■〕　　　Ｃ２Ｈ５ −−（Ｌ［［Ｉ） Ｃ５８〔Φ［Ｘ）　　　Ｃ２Ｈ５ −−（Ｌｌｌ） Ｃ５３〔ΦＸ）　　　Ｃ２Ｈ５ −−（ＬＩＩ） Ｃ６０（Φ℃）　　　　ＣＨ２ＣＨ，、ＯＨ−ヱ一　　
　　　ｆＸ− −Ｉ　　　　　　Ｂｒ ＨＢｒ ＨＢｒ ＣＨ３Ｅｒ １（Ｉ　　　　　　Ｂｒ ＨＩ　　　　　　Ｂｒ −Ｉ　　　　　　Ｂｒ −Ｎ　（Ｃｓ　Ｈ５）　２　　　　１　　　Ｃ８３Ｇ、
）Ｉ、５ｏ３ＨＣ）１３Ｃ６Ｈ，５Ｏ３ ＨＢｒ ＨＢｒ ＯＣＨ３１Ｉ ）（Ｉ ＨＢｒ 匹り迷　ｅ’Ｐ　　　ｊｌ工」二′　　　　　　七−」
ユ　江ＤＳＬ　　（Φ刈）　　　　Ｃ２Ｈ５−−Ｄ６２
　〔Φ■）　　　（ＣＨ２）３０ＣＯＣＨ３−−Ｄ６３
　〔Φに）　　　　Ｃ２Ｈ５−−Ｄ６４　〔ΦＸｌ）　
　　ＣＨ２Ｃ：Ｈ２ＣＨ２Ｓｏ３Ｈ−−Ｄ６５　〔Φに
）　　　Ｃ２Ｈ５−− Ｄ６６　〔Φｍ〕　　　Ｃ２Ｈ３ Ｄ６７　〔Φ双）　　　Ｃ２Ｈ５−− Ｄ６８〔ΦＶＴ）　　　Ｃ８Ｈ，□　　　　　　　　−
４−ＣＨ５Ｄ６９　〔ΦＶ’ｌ）　　　Ｃ，８Ｈ３□　
　　　　　　　　　−−Ｄ７０　〔Φｌ　　　　Ｃ８Ｈ
，□　　　　　　　　　　−−Ｄ７１〔ΦＷ）　　　Ｃ
８Ｈ，□　　　　　　　　−５−Ｃ又Ｄ７２　〔Φ■〕
Ｃｌ８Ｈ３□　　　　　　　　−５−Ｃ交Ｄ７３　〔Φ
■）　　　　Ｃ８Ｈ，□　　　　　　　　　　−（＝二
ｇ３旧Ｄ７４　（ΦＶＴ）　　　Ｃ８Ｈ，□　　　　　
　　　−５−０ＣＨ３Ｄ７５　〔Φ■）　　　Ｃ８Ｈ，
７−５−Ｃ見Ｌ　　　　土　　　　工　工 （Ｌ　ＩＩ　）　　　　　　ＨＩ （ＬＩＩ）　　　　　　Ｈ，Ｉ （ＬＤＩ）　　−Ｎ　（Ｃａ　Ｈｓ　）　２　　１　　
　Ｃ９，０４（ＬＩＩＩ）　　−Ｎ　（Ｃａｌ　Ｈ５）
２　　　１　　　１〔ＬＨ）　　　　　ＨＢｒ （Ｌｌｌ）　　　　　Ｈ、Ｂｒ （Ｌｌｌ）　　　　　Ｈ、Ｉ （Ｌｍ）　　−Ｎ（ＣａＨｓ）ｚ　　　　ｌ　　　　Ｂ
ｒ（ＬＨ）　　　　　ＨＣｌ０ａ （ＬＩＩＩ：ｌ　　−Ｎ（Ｃ８Ｈ５）２　　　１　　　
Ｃ交０４（ＬＩＩ）　　　　　Ｈ１ （ＬＩＩ）　　　　　ＨＩ 〔Ｌ■〕　　　　−ｌ　　　Ｉ （ＬＩＩ［）　　−Ｎ　（Ｃ６Ｈ５）２　　　１　　　
　Ｂｒ山　　Ｏ’ｌ’　　七−」工′シー」ユ　紅Ｄ７
６〔ΦＶｌ　）　　　ｃ　１８　Ｈ３７Ｓ　　Ｃ文Ｄ７
７　　〔ΦＶｌ）　　　　Ｃ８Ｈ，。　　　　　−Ｄ７
８　　〔ΦＶｌ）　　　　Ｃ８Ｈ，□　　　　　−Ｄ７
９〔ΦＶｌ）　　　Ｃ，８Ｈ３□　　　　−５−Ｃ愛Ｄ
８０〔Φ■）　　’Ｃ，８Ｈ３７−５−Ｃ交Ｄ８１　　
　（Φ■〕　　　Ｃ８Ｈ１７−ＤＢＰ　　〔Φ■〕　　
　Ｃ８Ｈ１７−Ｄ８３　　〔ΦＶｌ）　　　　Ｃ８Ｈ，
−Ｄ８４　　〔Φ冗）　　　　Ｃ３Ｈ１□　　　　　−
−Ｄ８５　　〔Φ■〕Ｃ１１ｌＨ３７− Ｄ８６　　〔Φ■）　　　　Ｃ１３Ｈ２□　　　　　−
Ｄ８７　　〔Φ■〕Ｃ１３Ｈ２７−− Ｄ８８　　〔Φ■）　　　Ｃ８Ｈ１７−Ｄ８９　　（Φ
■）　　　　Ｃ８Ｈ１７−Ｄ３０　　〔Φ■）　　　　
Ｃｌ８Ｈ３□　　　　　−−Ｌ　　　　工　　　　　ｆ
ＬＸ （Ｌｍ）　　　−Ｎ　（Ｃ６Ｈｓ　）　２　　　１　　
　　Ｂ　ｒ（Ｌｌｌ に〕ＨＩ （Ｌ　ＩＩ　）　　　　　ＨＣ１（３Ｃ：６）１４Ｓｏ
３（Ｌ　ＩＩ　）　　　　　ＨＣ見Ｃ３）１４ＳＯ３（
ＬＶ）　　　　　Ｈｔ　　　　Ｔ （Ｌｍ）　　　　　ＨＩ　　　　Ｂｒ 工 〔Ｌ■〕　　　　　　　− （Ｌ［ＩＩ）　　　−Ｎ（Ｃ８Ｈ５）２　　　１　　、
　　　ＢｒＣＬ　ＩＩ　）　　　　　Ｈ、ｃｏ３ｃ６ｎ
４ｓｏ３（ＬＩＩ）　　　　　　ＨＢｒ （Ｌｌｌ）　　　　　　ＨＢｒ （Ｌｎｌ）−Ｎ○ｃ　ｏ　ｏ　ｃ　２Ｈ５１，ＣＩ　Ｏ
４（ＬＩＩＩ）　　　　　ＯＣＨ３１Ｉ （Ｌ　ＩＩ　）　　　　　　ＨｃＨ３ｃ６ｎ、ｓｏ３山
　ＬΔ　Ｌユ几−′　　　　　シ、」ニジ−０９１（Φ
■）　　　Ｃ８Ｈ１７−− Ｄ３２　　〔Φ■〕　　Ｃｌ８Ｈ３□　　　　　　　　
　　−−Ｄ３３　　〔Φ尺）　　　Ｃ３ＨＩ７　　　　
　　　　　−　　−Ｄ３４　　〔Φ■）　　　Ｃ３Ｈ１
□　　　　　　　　　　−−Ｄ９５　　〔Φ刈）　　　
Ｃ８Ｈ１７−−Ｄ３６〔ΦＸ１ｌ）　　　ＣＨＨ２７−
５−Ｃ旦Ｄ９７　　〔Φ店）　　　Ｃ８Ｈ，□　　　　
　　　　　　　−Ｄ９８　　〔Φ■）　　　Ｃｌ８Ｈ３
７−−Ｄ３９　　〔ΦＷ）　　　Ｃ８Ｈ１７−−Ｄｌｏ
ｏ　　　（Φ双）　　　Ｃ８Ｈ１７−−ＤＩＯＩ　　　
（Φｖ）　　　Ｃ８Ｈ１７−−０１０２（Φ−）　　　
　Ｃ８Ｈ，□ ０１０３　　　（Φに）　　　Ｃ８Ｈ，□　　　　　　
　　　　−−Ｄ１０４　　（ΦＩ）　　　ＣＨ２ＣＨ，
、ＯＣＯＣＨ３ＣＨ３−０＋０５　　（ΦＩ）　　　Ｃ
Ｈ２ＣＨ２０ＨＣＨ３−０１０８（ＯｔｌＩ）　　　Ｃ
Ｈ３ＣＨ３−Ｌ　　　工Ｌ　　　　文　　　Ｘ （Ｌ　ＩＩ　）　　　　　Ｈｃｔｔ３ｃ６）Ｉ４ｓｏ３
（Ｌｍ）　　−Ｎ　（Ｃａ　Ｈｓ　）　２　１ＣＨ３Ｃ
６Ｈ４ＳＯ３（Ｌｌｌ）　　　　　ＨＢｒ ＣＬ　ＩＩ　）　　　　　Ｉ（Ｉ ＣＬＩＩ）　　　　　ＨＩ （ＬＩＩＩ）　　−Ｎ　（ＣＯＨｓ）２　１　　　　　
Ｂｒ（ＬＩＩＩ）　　−Ｎ（Ｃ８Ｈ５）２　１　　　　
　Ｂｒ（ＬＩＩ）　　　　　ＨＢｒ （Ｌｌｌ）　　　　　ＨＢｒ ＣＬＵ）　　　　ＨＢｒ （ＬＬＩ）　　　　　ＨＢｒ （ＬＩＩ）　　　　　ＨＢｒ （Ｌ　ｎ）　　　　　Ｈ０文０４ 〔Ｌ■〕ＨＢｒ （ＬｖＩ）　　　　　Ｂｒ　　　　　　ｌ　　　　Ｃｌ
Ｏ２山　Ｌ」　Ｌ工」二′　　　シ、」上　　上Ｄ＋０
７　　　ＣΦＩ）　　　　ＣＨ３ＣＨ３−ＤＩＱ８　　
　（Φ口）　　　　ＣＨ３ｃ）＋３　　　　−Ｄ１０９
　　（ΦＶｌ）　　　Ｃ２Ｈ５’　　　　　　　−６−
Ｃ文ＤＩＩＯ（Φｌ）　　　ＣａＨ１７”　−Ｃ免ｏ＋
ｒ＋　　　（Φ扇）　　　Ｃ２Ｈｓ　　　　　　　　−
ＤＩ１２　　　（ΦＶｌ　）　　　　（Ｈ３ＣＨ３−Ｄ
Ｉ１３　　　（Φ■）　　　　ＣＨ３（：Ｈ３−１−−
ニー　　」二　　−Ｘ− （ＬＶ［［）　　　　Ｈ−Ｃ１０４ 〔Ｌ■）　　　　　Ｈ−Ｃｌ０ａ （ＬＩＩ［）　　Ｎ（Ｇ、）＋５）２１　　　０文０４
（ＬＩＩ）　　　　Ｈ−Ｃ交０４ 〔Ｌ■）　　　　　Ｈ−Ｃｕ０４ （Ｌｌｎ）　　Ｎ（Ｃ６Ｈ５）２０　　　Ｃｕ０４（Ｌ
　！ｒ　）　　　　Ｈ−ＣＩ　Ｏ４さらに、本発明によ
る効果が大きいのは、第２にフタロンアニン色素である
。

用いるフタロシアニンには、特に制限はなく、中心原子
としては、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｃｏ。

Ｎ、Ｉｎ、Ｇａ、ＡＭ、Ｉｎ（：Ｊｌ、ＩｎＢｒ。

Ｉ　ｎＩ　、ＧａＣ１，ＧａＢｒ、ＧａＩ　。

ＡＭＣＭ、ＡＱＢｒ、Ｔｉ、ＴｉＯ，Ｓｉ。

Ｇｅ、Ｈ，Ｈ２、Ｐｂ、Ｖｏ、Ｍｎ、Ｓｎ等が＋１丁能
である。

また、フタロシアニンのヘンゼン環には、直接または適
当な連結基を介して、−ＯＨ，ハロケア、−ＣＯＯＨ，
ＮＨ２、−Ｃｏｃｕ、−Ｃｏ○Ｒ′、−０ＣＯＲ′　（
ただし、Ｒ′は各種アルキルないしアリール等）、 −５０２Ｃ１，−５０３Ｈ，−ＣＯＮＨ２、−ＣＮ、−
ＮＯ２、−３ＣＮ、−５Ｈ１−ＣＨ２Ｃ旦等の種々の置
換基が結合したものであってよい。

次に、本発明の光吸収色素の具体例を挙げるが、本発明
はこれらのみに限定されるものではない。

このような色素は、大有機化学（朝食書店）含窒素複素
環化合物Ｉ４３２ページ等に記載された方法に準じて容
易に合成することができる。

すなわち、まず対応するΦ′−ＣＨ３（Φ′は前記Φに
対応する環を表わす。）を、過剰のＲ，Ｉ　（Ｒ，はア
ルキル基またはアリール基）とともに加熱して、Ｒ，を
Φ′中の窒素原子に導入してΦ−ＣＨ５ｒ−を得る。　
次いで、これを、不飽和ジアルデヒド、不飽和とドロキ
シアルデヒド、ペンタジェンジアリルまたはイソホロン
などと、ピペリジン、トリアルキルアミンなどアルカリ
触媒または無水酢酸等を用いて脱水縮合すればよい。

このような色素は、単独で記録層を形成することもでき
る。

あるいは樹脂とともに記録層を形成する。

用いる樹脂としては、自己酸化性のもの、あるいは熱可
塑性樹脂が好適である。

記録層に含有される自己酸化性の樹脂は、昇温したとき
、醇化的な分解を生じるものであるが、これらのうち、
特にニトロセルロースが好適である。

また、熱可塑性樹脂は、記録光を吸収した色素の昇温に
より軟化するものであり、熱可塑性樹脂としては、公知
の種々のものを用いることができる。

これらのうち、特に好適に用いることができる熱可塑性
樹脂には、以下のようなものがある。

１）ポリオレフィン ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ４−メチルペンテ
ン−１など。

白）ポリオレフィン共重合体 例えば、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−ア
クリル酸エステル共七合体、エチレン−アクリル酸共重
合体、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−ブテ
ン−１共東合体、エチレン−無水マレイン酸共用合体、
エチレンプロピレンターホリマー（ＥＦＴ）など。

この場合、コモノマーの重合比は任意のものとすること
ができる。

１ｉｉ）塩化ビニル共重合体 例えば、酢酸ビニル−塩化ビニル共重合体、塩化ビニル
−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−無水マレイン
酸共重合体、アクリル酸エステルないしメタアクリル酸
エステルと１！化ビニルとの共重合体、アクリロニトリ
ル−塩化ビニル共重合体、塩化ビニルエーテル共重合体
、エチレンないしプロピレン−塩化ビニル共重合体、エ
チレン−酢酸ビニル共重合体に塩化ビニルをグラフトｉ
合したものなど。

この場合、共重合比は任意のものとすることができる。

ｉマ）塩化ビニリデン共重合体 塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合体、塩化ビニリデン
−塩化ビニル−７クリロニトリル共爪合体、塩化ビニリ
デン−ブタジェン−ハロゲン化ビニル共東合体など。

この場合、共重合比は、任意のものとすることかできる
。

Ｖ）ポリスチレン ｖｉ）スチレン共重合体 ４列えば、スチレン−アクリロニトリル共重合（４（Ａ
Ｓ樹脂）、スチレン−アクリロニトリル−ブタジェン共
重合体（ＡＢＳ樹脂）、スチレン−無水マレイン酸共重
合体（ＳＭＡ樹脂）、スチレン−アクリル酸エステル−
アクリルアミド共重合体、スチレン−ブタジェン共重合
体（ＳＢＲ）、スチレン−塩化ビニリデン共重合体、ス
チレン−メチルメタアクリレート共重合体など。

この場合、共重合比は任意のものとすることかできる。

ｖｌｌ）スチレン型重合体 例えば、α−メチルスチレン、Ｐ−メチルスチレン、２
，５−ジグロルスチレン、α。

β−ビニルナフタレン、α−ビニルピリジン、アセナフ
テン、ビニルアントラセンなど、あるいはこれらの共重
合体、例えば、α−メチルスチレンとメタクリル酸エス
テルとの共重合体。

ｖｉｉｉ）クマロン−インデン樹脂 クマロン−インデン−スチレンの共重合体。

ｉｘ）テルペン樹脂ないしピコライト 例えば、α−ピネンから得られるリモネンの重合体であ
るテルペン樹脂や、β−ピネンから得られるピコライト
。

Ｘ）アクリル樹脂 特に下記式で示される原子団を含むものが好ましい。

式　　　　　　　　　ＲＩｎ 「 ＣＨ−Ｃ− 「 −０Ｒ２０ 上記式において、Ｒ１０は、水素原子またはアルキル基
を表わし、Ｒ２０は、置換または非置換のアルキル基を
表わす。　この場合、上記式において、ＲＩｆｌは、水
素原子または炭素原子３１〜４の低級アルキル基、特に
水素原子またはメチル基であることが好ましい。

また、Ｒ２［Ｉは、置換、非置換いずれのアルキル基で
あってもよいが、アルキル基の炭素原子数は１〜８であ
ることが好ましく、また、Ｒ２＋］が置換アルキル基で
あるときには、アルキル基を置換する置換基は、水酸基
、ハロゲン原子またはアミ７基（特に、ジアルキルアミ
ノ基）であることが好ましい。

このような上記式で示される原子団は、他のくりかえし
原子団とともに、共重合体を形成して各種アクリル樹脂
を構成してもよいが、通常は、上記式で示される原子団
の１種または２種以上をくりかえし単位とする単独重合
体または共重合体を形成してアクリル樹脂を構成するこ
とになる。

ｘｉ）ポリアクリロニトリル １１１）アクリロニトリル共重合体 例えば、アクリロニトリル−酢酸ビニル共重合体、アク
リロニトリル−塩化ビニル共重合体、アクリロニトリル
−スチレン共重合体、アクリロニトリル−塩化ビニリデ
ン共重合体、アクリロニトリル−ビニルピリジン共重合
体、アクリロニトリル−メタクリル酸メチル共重合体、
アクリロニトリル−ブタジェン共重合体、アクリロニト
リルニアクリル酸ブチル共重合体など。

この場合、共重合比は任意のものとすることができる。

ｘｉｉｉ）ダイア七トンアクリルアミドポリマーアクリ
ロニトリルにア七トンを作用させたダイア七トンアクリ
ルアミドポリマー。

ｘｉマ）ポリ酢酸ビニル ｘｖ）酢酸ビニル共重合体 例えば、アクリル酸エステル、ビニルエーテル、エチレ
ン、塩化ビ°ニル等との共重合体など。

共重合比は任意のものであってよい。

２マ１）ポリビニルエーテル 例えば、ポリビニルメチルエーテル、ポリビニルエチル
エーテル、ポリビニルブチルエーテルなど。

！マｉｉ）ポリアミド この場合、ポリアミドとしては、ナイロン６、ナイロン
６−６、ナイロン６−１０、ナイロン６−１２．ナイロ
ン９．ナイロン１１、ナイロン１２、ナイロン１３等の
通常のホモナイロンの他、ナイロン６／６−６７６−１
０、ナイロン６／６−６／１２、ナイロン６／６−６／
１１等の重合体や、場合によっては変性ナイロンであっ
てもよい。

ｘｖｉ目）ポリエステル 例えば、シュウ酸、コハク酸、マレイン酸、アジピン酸
、セバステン酸等の脂肪族二塩基酸、あるいはイソフタ
ル酸、テレフタル酸などの芳香族二塩基酸などの各種二
塩基酸と、エチレングリコール、テトラメチレングリコ
ール、ヘキサメチレングリコール等のグリコール類との
縮合物や、共縮合物が好適である。

そして、これらのうちでは、特に脂肪族二塩基酸とグリ
コール類との縮合物や、グリコール類と脂肪族二塩基酸
との共縮合物は、特に好適である。

さらに、例えば、無水フタル酸とグリセリンとの縮合物
であるグリプタル樹脂を、脂肪酸、天然樹脂等でエステ
ル化変性した変性グリブタル樹脂等も好適に使用される
。

ｘｉｘ）ポリビニルアセタール系樹脂 ポリビニルアルコールを、アセタール化して得られるポ
リビニルホルマール、ポリビニルアセクール系樹脂はい
ずれも好適に使用される。

この場合、ポリビニルアセタール系樹脂のアセタール化
度は任意のものとすることができる。

ｘｘ）ポリウレタン樹脂 ウレタン結合をもつ熱可塑性ポリウレタン樹脂。

特に、グリコール類とジイソシアナート類との縮合によ
って得られるポリウレタン樹脂、とりわけ、アルキレン
グリコールとアル槃レンジイソシアナートとの縮合によ
って得られるポリウレタン樹脂が好適である。

ｚｘｉ）ポリエーテル スチレンホルマリン樹脂、環状アセタールの開環重合物
、−ポリエチレンオキサイドおよびグリコール、ポリエ
チレンオキサイドおよびグリコール、プロピレンオキサ
イド−エチレンオキサイド共重合体、ポリフェニレンオ
キサイドなど。

ｘｘｉｉ）セルロース誘導体 例えば、ニトロセルロース、アセチルセルロース、エチ
ルセルロース、アセチルブチルセルロース、とドロキシ
エチルセルロース。

ヒドロキシプロピルセルロース、メチルセルロース、エ
チルヒドロキシエチルセルロースなど、セルロースの各
種エステル、エーテルないしこれらの混合体。

ｘｚｉｉｉ）ポリカーボネート 例えば、ポリジオキシジフェニルメタンカーボネート、
ジオキシジフェニルプロパンカーポネート等の各種ポリ
カーボネート。

ｚｘｉマ）アイオノマー メタクリル酸、アクリル酸などのＮａ。

Ｌｉ、Ｚｎ、Ｍｇ塩など。

！Ｘマ）ケトン樹脂 例エバ、シクロヘキサノンやアセトフェノン等の環状ケ
トンとホルムアルデヒドとの縮合物。

！！マｌ）キシレン樹脂 例えば、ｍ−キシレンまたはメシチレンとホルマリンと
の縮合物、あるいはその変性体。

ｘｘマ目）石油樹脂 Ｃ５系、Ｃ９系、Ｃ５−Ｃｑ、共重合系、ジシクロペン
タジェン系、あるいは、これらの共重合体ないし変性体
など。

ｘｘｖｉｉｉ）上記ｉ）　〜ｘｒｖｉｉ）の２種以上の
ブレンド体、またはその他の熱可塑性樹脂とのブレンド
体。

なお、自己酸化性または熱可塑性の樹脂の分子ψ等は種
々のものであってよい・ このような自己酸化性化合物または熱可塑性樹脂樹脂と
、前記の色素とは、通常、正量比で１対０．１〜１００
の広範な量比にて設層される。

このような記録層中には、さらに、クエンチャ−が含有
されることが好ましい。

これにより、再生劣化が減少し、耐光性が向上する。

クエンチャ−としては、種々のものを用いることができ
るが、特に、色素が励起して一重項酸素が生じたとき、
−重積酸素から電子移動ないしエネルギー移動をうけて
励起状態となり、自ら基底状態にもどるとともに、−重
積酸素を三重項状態に変換する一重項酸素クエンチャー
であることが好ましい。

一重項酸素クエンチャーとしても、種々のものを用いる
ことができるが、特に、酸性劣化が減少すること、そし
て色素との相溶性が良好であることなどから、遷移金属
キレート化合物であることが好ましい。　この場合、中
心金属としては、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｐｄ、Ｐｔ
等が好ましく、特に下記の化合物が好適である。

１）　アセチルアセトナートキレート系Ｑｌ−Ｉ　　Ｎ
１（ＩＩ）アセチルアセトナートＱｌ−２Ｃｕ（ＩＩ）
アセチルアセトナートＱｌ−３Ｍｎ（ＩＩＩ）アセチル
アセトナートＱｌ−４Ｃｏ（ＩＩ）アセチルアセトナー
ト２）　下記式で示されるビスジチオ−α−ジケトン系 ここに、Ｒ−Ｒは、置換ないし非置 換のアルキル基またはアリール基を表わし、Ｍは、Ｎｉ
、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ等のＭ移金屈原子を表わす。

この場合１Ｍは一電荷をもち、４級アンモニウムイオン
等のカチオン（Ｃａｔ）と塩を形成してもよい。

なお、以下の記載において、ｐｈはフェニル基、φは１
．４−フェニレン基、φ′は１．２−フェニレン基、ｂ
ｅｎｚは環上にてとなりあう基が互いに結合して縮合ベ
ンゼン環を形成することを表わすものである。

Ｒ１Ｒ２Ｒ３ Ｑ２−１　　　　ｐｈ　　　　　　　　Ｐｈ　　　　　
　　ｐｈＱ２−２　　　　Ｃ８３ＣＯＣ）１３（１：Ｏ
ＣＨ３Ｃ０Ｑ２−３　　φＮ（Ｃ２Ｈ５）２ｐｈ　　　
　　φＮ（Ｃ２Ｈ５）２Ｑ２−４　　φＮ（Ｃ）ｌ　）
　　　　ｐ　ｈ　　　　　φＮ（Ｃ）１３）２Ｑ　２−
５　　　　ｐ　ｈ　　　　　　　　ｐ　ｈ　　　　　　
　ｐ　ｈＲ４Ｍ　　　　Ｃａ　ｔ ｐｈ　　　　　　Ｎｉ　　　　　　− ＣＨ５ＣＯＮｉ　　　　　　− ｐｈ　　　　　　Ｎｉ　　　　　　− ｐｈ　　　　　　Ｎｉ　　　　　　＝ ｐ　ｈ　　　　Ｎ　ｉＮ　”　（ｆｌｌ：＜８３）４３
）　下記式で示されるビスフェニルジチオール系 ここに、ＲないしＲ８は、水素またはメチル基、エチル
基などのアルキル基、ＣｆＬなどのハロゲン原子、ある
いはジメチルアミノ基、ジエチルアミ／基などの７ミノ
基を表わし、Ｍは、Ｎｉ　、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ等
ノａ移金属原子を表わす。

また、上記構造のＭは一電荷をもって、４級アンモニウ
ムイオン等のカチオン（Ｃａｔ）と塩を形成してもよく
、さらにはＭの上下には、さらに他の配位子が結合して
もよい。

このようなものとしては、下記のものかある。

Ｒ５Ｒ８Ｒ７Ｒ８ Ｑ３−Ｉ　　　ＨＨＨＨ Ｑ３−２’　　　ＨＣＨ３ＨＨ Ｑ３−３　　　ＨＣ２Ｃ交　　　　Ｈ Ｑ３−４　　　　ＣＨ３ＨＨＣＨ３ Ｑ３−５　　　　ＣＨ３ＣＨ３ＣＨ３ＣＨ３Ｑ３−６　
　　　Ｈ０文　　　　ＨＨ Ｑ３−７　　　　Ｃ立　　　Ｃ！；Ｌ　　　　０文　　
　　Ｃ立Ｑ３−８　　　　ＨＣ交　　　　Ｃ立　　　　
ｃ９゜Ｑ３−９　　　　ＨＨＨＨ Ｑ３−１０　　　ＨＣＨ３ＣＨ３Ｈ Ｍ　　　　　　Ｃａ　ｔ Ｎｊ　　　　Ｎ”（Ｃ２Ｈ５）４ Ｎｉ　　　　Ｎ”　　（ｎ−Ｃ４Ｈｇ）４Ｎｉ　　　　
Ｎ÷　（ｎ−ＣａＲ９）４Ｎ　Ｉ　　　Ｎ”　　（ＣＲ
３）３Ｃ１８Ｈ３３Ｎｉ　　　　Ｎ”　　（ｎ−Ｃ４Ｈ
ｇ）４Ｎｉ　　　　Ｎ”　　（ｎ−Ｃ４Ｈｇ）４Ｎｉ　
　　　Ｎ”　　（ｎ−Ｃ４Ｈｇ）４Ｎｉ　　　　Ｎ÷　
（ｎ−ＣａＲ９）４Ｃｏ　　　　Ｎ”　　（ｎ−Ｃ４Ｈ
９）４Ｃｏ　　　　Ｎ”　　（ｎ−Ｃ４Ｒ９）４Ｒ５Ｒ
６Ｒ７Ｒ８ Ｑ３−１１　　　ＨＣＨ３ＣＨ３Ｈ Ｑ３−１２　　　ＨＣＨ３ｃ）（３Ｈ Ｑ３−１３　　　Ｃ見　　Ｃ又　　　　０文　　　　Ｃ
文Ｑ３−１４　　　Ｈ０文　　　　Ｃ又　　　　Ｃ立Ｑ
３−１５　　　ＨＮ（ＣＨ３）　２　　　　ＨＨＱ３−
ＩＳ　　　ＨＮ（ＣＨ３）　２　　Ｎ（ＣＨ３）　２　
　　ＨＱ３−１？　　　ＨＮ（ＣＨ３）　２　　　ＣＨ
３ＨＱ３−１８　　　ＨＮ（Ｃ：Ｒ３）２　　　　ＨＨ
Ｑ３−＋９　　　ＨＮ（ＣＨ３）　２　　　　Ｃ見　　
　　ＨＱ３−２０　　　ＨＮ（ＣＨ３）２　　　　ＨＨ
Ｍ　　　　　　Ｃａ　ｔ Ｎｉ　　　　Ｎ”　　（ｎ−Ｃ４Ｈｇ）４ＮｉＮ＋（ｃ
　Ｒ３）３ｃ　１６Ｈ３３Ｎｔ　　　Ｎ＋（ｃ　Ｒ３）
３ｃ　１６Ｈ３３Ｎ　ｉＮ　”　　（ＣＨ３）３Ｃｔｓ
Ｈ３３Ｎｉ　　　　Ｎ”　　（ｎ−Ｃ４Ｈｇ）４Ｎ　ｉ
　　　　Ｎ”　　（ｎ−Ｃ７Ｈｔｓ）　４Ｎｉ　　　Ｎ
◆　（Ｃ８Ｈ１７）（Ｃ２Ｈ５）３Ｎｉ　　　　　　　
　　　− Ｎｉ　　　　Ｎ÷　（ｎ−Ｃ４Ｈ９）４Ｎｉ　　　Ｎ”
　　（ＣＨ）（ＣＨ３）３この他、特開昭５０−４５０
２７号や特願昭５８−１６３０８０号に記載したものな
ど。

４）　下記式で示されるジチオカル、＜　ミン酸キレー
ト系 ここに　Ｒ９およびＲ１０はアルキル基を表わす。

また、ＭはＮｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ等の遷移金属
を表わす。

５）　下記式で示されるもの ここに、Ｍは、遷移金属原子を表わし。

Ｑｌは、 を表わし、Ｃａｔは、カチオンを表わす。

性−λ−Ｃａｔ Ｑ５−Ｉ　　　Ｎｉ　　　　Ｑｌ２　　　２ＣＨＮ→　
（ＣＨ３）３Ｑ　５−２　　Ｎ　ｉ　　　Ｑ　１２　　
２Ｃ（０４Ｈ９）４Ｎ”Ｑ　５−３　　　ＣＯＱ　１２
　　　２Ｃ（Ｃ４Ｈａ）４Ｎ÷Ｑ　５−４　　　Ｃｕ　
　　　Ｑ　１２　　　２Ｃ：（Ｃ：４Ｈ９）４Ｎ”Ｑ　
５−５　　　Ｐ　ｄ　　　　Ｑ　１２　　　２Ｃ（０２
Ｈ８）４Ｎ”この他、特願昭５８−１２５６５４号に記
載したもの。

６）　下記式で示されるもの ここに、 Ｍは遷移金原子を表わし、 ＲＩＩおよびＲ１２は、それぞれｃＮ、ｃｏＲ”７ｃ　
ｏ　ＯＲ’９ｃ　ＯＮ　Ｒ”ＨＥ１１または５Ｏ２Ｒ１
７を表わし、 Ｒ１３ないしＲ１７は、それぞれ水素原子または置換も
しくは非置換のアールキル基も°しくはアリール基を表
わし、 Ｑ２は、５員または６員環を形成するのに必要な原子群
を表わし。

Ｃａｔは、カチオンを表わし、 ｎは１または２である。

Ｍ　　　　　　　　　　　　Ａ Ｑ　６−　Ｉ　　　　　　Ｎ　ｉ　　　　　　　５Ｑ６
−２ＮｉＳ Ｑ６−４　　　　　Ｎｉ　　　　　　　Ｃ（ＣＮ）２Ｑ
６−５　　　　　Ｎｉ　　　　　　　Ｃ（ＣＮ）　２ａ
ｔ ２　　（ｎ−Ｃ４Ｒ９）　４　　Ｎ ２　（ｎ　　Ｃ１６Ｈ３３（ＣＲ３３）　　Ｎ）Ｎａ ２　　（（ｎ−Ｃ４Ｒ９）　４　　Ｎ）２　　（（ｎ−
ｃ１ｏＨ２、ｏ（ｃＨ，、）３）（ＣＨ３）３Ｎ）２（
ｎ−ＣＨ（ＣＨ）　　　Ｎ） ＋１３３３３３ この他、特願昭５８−１２７０７４号に記載したもの。

７）　下記式で示される化合物 ここに、Ｍは遷移金属原子を表わし、 Ｃａｔは、カチオンを表わし。

ｎｌま１または２である。

Ｍ　　　　　　　Ｃａ　ｔ Ｑ　７　　１　　　　Ｎ　＋　　　　２　（（ｎ−Ｃ４
Ｈｇ）３Ｎ）Ｑ　７−２　　　Ｎ　ｉ　　　　２　（ｎ
−ｃ、５ｕ３ａ（ｃＨａ）３Ｎ）この他、特願昭５８−
１２７０７５号に記載したもの。

８）　　ビスフェニルチオール系 Ｑ　８−　Ｉ　　　Ｎ　ｉ−ビス（オクチルフェニル）
サルファイド ９）　下記式で示されるチオカテコールキレート系 ここに、Ｍは、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐ等の遷移金
属原子を表わす。

また、Ｍは一電荷をもち、カチオン　（Ｃａｔ）と塩を
形成してもよく、ベンゼン環は置換基を有していてもよ
い。

Ｍ　　　　Ｃａ　ｔ Ｑ９　１　　　Ｎ　ｉ　　　Ｎ”　　（Ｃ４Ｈ９）　４
１０）　下記式で示される化合物 ここに、Ｒ１８は、１価の基を表わし、文は、Ｏ〜６で
あり、 Ｍは、遷移金属原子を表わし、 Ｃａｔは、カチオンな表わす。

１日 ＭＲ父　　　　Ｃａｔ Ｑ　ｌＯｉ　　　　Ｎ　ｉＨＯ５（ｎ−ｃ４Ｈｑ）ａＱ
　ｔｏ−２Ｎ　ｉ　　　ＣＨ３１Ｎ（ｎ−Ｃ４Ｈ９）４
特願昭５８−１４３５３１号に記載したもの。

１１）　下記の両式で示される化合物 ここに、上記式において、 Ｒ、Ｒ、ＲおよびＲ２３は、それぞれの水素原子または
１価の基を表わし、 Ｒ、Ｒ、ＲおよびＲ２７は、水素原子ま２４　　　　２
５　　　　２Ｂ たは１価の基を表わすが、 ＲとＲ、ＲとＲ、Ｒ２６とＲ２７ ２４２５２５２Ｂ は、互いに結合して６員環を形成してもよい。

また、Ｍは、遷移全屈原子を表わす。

一式−１Ｌ　　亡　亡 Ｑｌｌ−１ＣＩ）　ｎ−ＣＨ４８Ｈｎ　−Ｃ４Ｈ３Ｑ　
１１−２　　（Ｉ　）　　Ｃ２Ｈ５ＣＯＯＣ２Ｈ５ＣＯ
ＯＣ２Ｈ３ＣＯＯＬ　　旦２４　旦２５　旦２８　旦２
７　￥ＨＨＨＨＨＮｉ Ｃ２Ｈ３Ｃｏｏ　　ＨＨＨＨＮｉ この他、特願昭５８−１４５２９４号に記載したもの。

１２）　　下記式で示される化合物 ここに１Ｍは、Ｐｔ、ＮｉまたはＰｄを表わし、Ｘ＋　
　、Ｎ２　　、Ｘ：ｌ　　、Ｎ４は、Ｊ：れぞれ０また
はＳを表わす。

Ｌ　　各」−Ｘ」−人工　各」− Ｑ１２−１　　　Ｎｉ　　　ＯＯＯ０ Ｑ１２−２　　　Ｎｉ　　　Ｓ　　　Ｓ　　　Ｓ　　　
Ｓこの他、特願昭５８−１４５２９５号に記載したもの
。

１３）　　下記式で示される化合物 ここに、　３１は、置換もしくは非置換のアルキル基ま
たはアリール基であり。

Ｒ、Ｒ、ＲおよびＲ３５は、水素原子 または１価の基を表わすが、　３２とＲ３３、Ｒ３３と
Ｒ３４、Ｒ３４とＲ３５は、互いに結合して６員環を形
成してもよい。

また、Ｍは、遷移金属原子を表わす。

ＲＲＲＲＰ！　　　　　Ｍ Ｑ１３−１　　ｎＣ４Ｈ３ＨＨＨＨＮ１ＨＣＨＨＮｉ Ｑ１３−２　　Ｃ６）１５Ｈ２５ Ｑ１３−３　　ｎ（：４Ｈ９ＨＨ，ｂｅｎｚ　　　　Ｘ
ｉこの他、特願昭５８−１５１９２８号に記載したもの
。

１４）　　下記両式で示される化合物 Ｒ４１，Ｒ４１，Ｒ４３およびＲ４４は、それぞれ水素
原子または１価の基を表わすが、 ＲとＲ４２、Ｒ４２とＲ４３、Ｒ４３とＲ４４は、互い
に結合して６員環を形成してもよい。

また、Ｒ４５およびＲ４８は、水素原子または１価の基
を表わす。

ざらに、Ｍは、遷移金属原子を表わす。　　　　−Ｂ　
　ＲＲＲ”Ｒ””　　Ｒ”’Ｍ Ｑ１４−ＩＨＨＨＨＨ−Ｎ１ Ｑ１４−２　　ＨＨＣ；ＨＯＣＯＨＩ（−Ｎｉこの他、
特願昭５８−１５１９２９号に記載したもの。

１５）　　下記式で示される化合物 、５１ ここに、Ｒ、Ｒ、Ｒ、Ｒ、Ｒ。

Ｒ、Ｒ、およびＲ５８は、それぞれ、水素原子または１
価の基を表わすが。

ＲとＲ、ＲとＲ、ＲとＲ、 ＲとＲ、ＲとＲおよびＲ５７とＲ５８はｑいに結合して
６員環を形成してもよい。

Ｘは、ハロゲンを表わす。

Ｍは、遷移金属原子を表わす。

Ｒ５１Ｒ５２Ｒ５３Ｒ５４ Ｑ＋５−Ｉ　　　ＨｎＣ４Ｈ９ＨＨ Ｑ１５−２　　　ＨＨｎＣ４Ｈ３０Ｇ０　　ＨＥ１１　
Ｒ５６Ｒ５７Ｒ５８Ｒ５９Ｘ　　ＭＨＨＨＨＨＣ文　　
Ｎ１ ＨＨＨＨＨＣ文　　Ｎｉ この他、特願昭５８−１５３３９２号に記載したもの。

１６）　　下記式で示されるサリチルアルデヒドオキシ
ム系 ここに、ＲおよびＲ６１は、アルキル基を表わし、Ｍは
、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｐｄ。

Ｐｔ等の遷移金属原子を表わす。

Ｒ６０Ｒ６１Ｍ Ｑ　Ｌ　６−１　１−Ｃ３Ｈ７１−Ｃ３Ｎ７　　　Ｎ　
１Ｑ１６−２　　（ＯＨ）　　ＯＨ（Ｃ）ｌ）　　ＣＨ
Ｎｉ２１１３　　　２＋１３ Ｑ　Ｌ　６−３　　（Ｃ［）　　ＯＨ（ＯＨ２）、、０
Ｈ３Ｃ。

Ｑ　ｌ　６−４　　（ＣＨ）　　ＯＨ（ＯＨ２）、、Ｃ
Ｎ３Ｃ０Ｑｌ６−５　　Ｃ６Ｎ５　　　　Ｃ６Ｎ５　　
　　Ｎ１Ｑ１６−８　　Ｃ６Ｎ５　　　　Ｃ６Ｎ５　　
　　Ｃ。

Ｑｌ　　６−７　　　Ｃ６Ｎ５　　　　　　　Ｃｓ　　
Ｎ５　　　　　　ＣｕＱ　　１　６−８　　　ＮＨＣｓ
　　Ｈら　　　ＮＨＣ６Ｈ５Ｎ１Ｑ１６−９　　０ＨＯ
ＨＮｉ １７）　　下記式で示されるチオヒスフェルレートキレ
ート系 ハｑ ここに１Ｍは前記と同じであり、Ｒ６５およびＲ６６は
、アルキル基を表わす。　また、Ｍは一電荷をもち、カ
チオン（Ｃａｔ）と塩とを形成していてもよい。

ＲＭ □　□　　　Ｃａｔ Ｑ　ｌ　７−１　　ｔ−ＣＨＮ　ｉ　　Ｎ”Ｎ３（Ｃ：
４Ｈ３）Ｑ　１７−２　　ｔ−ＣＨＣＯＮ”Ｎ３（０４
Ｈ９）Ｑｌ７−３　　ｔ−ＣＨＮｉ　　　− １８）　　下記式で示される亜ホスホン酩キレート系 ここに、Ｍは前記と同じであり、Ｒ７１およびＲ７２は
、アルキル基、水酸基等の置換基を表わす。

ＲＲｘｖｉ Ｑ　１８−１　　３−ｔ−（：　Ｈ、５−ｊ−Ｃ：４Ｈ
９，６−ＯＨＮｉ；３）　　下記名式で示される氾合物 ここに、Ｒ、Ｒ、ＲおよびＲ８４は、水素原子または１
価の基を表わすが。

Ｒ、！−Ｒ、ＲとＲ、ＲとＲは、互 いに結合して、６ｄ環を形成してもよい。

ＲおよびＲ２Ｏは、それぞれ、水素原子または置換もし
くは非置換のアルキル基もしくはアリール基を表わす。

Ｒ８６は、水素原子、水酸基または置換もしくは非置換
のアルキル基もしくはアリール基を表わす。

Ｒ８７は、置換または非置換のアルキル基または７リー
ル基を表わす。

Ｚは　５員または６員の環を形成するのに必要な非金属
原子群を表わす。

Ｍは、遷移金属原子を表わす。

Ｒ８１８２８３ ＲＲＲ” Ｑ１９−Ｉ　　　　ＨＯＨＨＨ ＱＩ９−２ＨＯＨｔｃ４ＨｇＨ Ｑ１８−２　　　　ｔｃ４Ｈ９０ＨＨ０ＨＲ８５８８ ＲＺＭ ｎｃ５Ｈ１Ｈ−Ｎ１ ｎｃ９Ｈ１９Ｈ−Ｎｉ ＣＮ３　　　　　　　０　ＨＮ　ｉ この他、特願昭５８−１５３３９３号に記載したもの。

２０）　　下記式で示される化合物 ここに、Ｒ８１およびＲ９２は、それぞれ、水素原子、
置換または非置換のアルキル基、アリール基、アシル基
、Ｎ−フルキルカル八モイル基、Ｎ−７リールカルパモ
イル基、Ｎ−フルキルスルファモイル基、Ｎ−７リール
スルフアモイル基、アルコキシカルボニル基またはアリ
ーロキン力ルポニル基を表わし、 Ｍは、遷移金属原子を表わす。

Ｑ２０−１　　　ｎＣ４Ｒ９ＣＨ３Ｎ　１Ｑ２（１２Ｃ
Ｒ３（Ｒ３０−φ−ＮＨＣＯＮｉこの他、特願昭５８−
１５５３５９号に記載したもの。

この他、他のクエンチャ−としては、下記のようなもの
がある。

２１）ベンゾエート系 Ｑ２１１　　既存化学物質３−３０４０　（チヌビン−
１２０（チバガイギー社製）〕 ２２）ヒンダードアミン系 Ｑ２２−１　　既存化学物質５−３７３２（ＳＡＮＯＬ
ＩＳ−７７０（三共製 薬社製）〕 これら各クエンチャ−は、色素１モルあたり０．０１〜
１２モル、特に０．０５〜１．２モル程度含有される。

なお、クエンチャ−の極大吸収波長は、用いる色素の極
大吸収波長以上であることが好ましｌ／）。

これにより、再生および劣化はきわめて小さくなる。

この場合、両者の差はＯか、３５０ｎｍ以下であること
が好ましい。

なお、装置を小型化するためには、書き込みおよび読み
出しの光源として、好ましくは７５０．７８０．８３０
ｎｍの半導体レーザーあるいは６３３ｎｍのＨｅ−ＮＥ
レーザー等オニ用いることが好ましいので、−重項酸素
クエンチャーの吸収極大波長は６８０ｎｍ以上、特に６
８０〜１５００．より一層好ましくは、８００　＝　１
５００　ｎ　ｍにあることが好ましい。

さらに、読み出し光の波長における用いる色素（２種以
上用いるときにはその実効値）および−重項酸素クエン
チャーの吸収係数をそれぞれεＤおよびεＱとしたとき
、εＤ／εＱは３以上であることが好ましい。

なお、色素を２種以上併用して用いることには１色素の
吸収極大波長とεＤとは、濃度に応じた相加平均実効値
である。

このような値となることにより、読み出し光の照射時の
クエンチャ−の励起がきわめて小さくなり、−重項酸素
による再生劣化はきわめて小さくなる。

さらに、クエンチャ−は、色素とイオン結合体を形成し
てもよい。

クエンチャ−色素イオン結合体としては、特願昭５９−
１４８４８号に記載したものを用いてもよい。

ただ、より好適に用いることのできるのは、特願昭５９
−１８８７８号、同５９−１９７１５号に記載したシア
ニン色素カチオンとクエンチャ−アニオンとの結合体で
ある。

用いるシアニン色素カチオンとしては、上記したものの
カチオン体いずれであってもよい。

また、クエンチャ−アニオンは、上記３）、５）、６）
、７）、９）、１０）、１７）のうちのいずれのアニオ
ン体であってもよい。

以下にその具体例をあげる。

なお、下記において、Ｄ÷は対応するＤのカチオン、ま
た、Ｑ−は対応するクエンチャ−のアニオンである。

Ｄ＋　　　　　　　　　灸ニー− ３ＤＬ　　　　　　　　　　　Ｄ”　　　　ｌ　　　　
　　　Ｑ−３−８３Ｄ２　　　　　　　　　　　Ｄ”　
　　　ｌ　　　　　　　Ｑ−３−１５ＳＤ３　　　　　
　　　　　　Ｄ”　　　　ｌ　　　　　　　Ｑ’−３−
１５３Ｄ４　　　　　　　　　　　Ｄ”　　　　１０　
　　　　　Ｑ−３−３ＳＤ５　　　　　　　　　　Ｄ”
　　　　１０　　　　　　Ｑ−３−１５５Ｄ６　　　　
　　　　　　　Ｄ　　＋　　　１７　　　　　　Ｑ−３
−８３Ｄ７　　　　　　　　　　Ｄ”　　　　２１　　
　　　　Ｑ−３−８３Ｄ８　　　　　　　　　　Ｄ”　
　　　１１　　　　　　Ｑ−３−８ＳＤ９　　　　　　
　　　　Ｄ　÷　　　８　　　　　　Ｑ−３−８ＳＤＩ
ＯＤ”　　　　８　　　　　　　Ｑ−３−２５０１１０
”　　　　９　　　　　　　Ｑ−３−１５ＳＤＩ２　　
　　　　　　　　　　　　　　Ｄ”、　　　　１０６　
　　　　　　　　　Ｑ−３−１５ＳＤＩ３　　　　　　
　　　０”　　　　１０　　　　’　　Ｑ−３−１５５
Ｄ　１４　　　　　　　　　Ｄ　＋　　　５　　　　　
　　Ｑ−３−１５ＳＤ１５　　　　　　　　　’Ｄ＋　
　　　ｔｏ　　　　　　Ｑ−３−７Ｓ０１８　　　　　
、　　　　０”、　　　２２　　　　　　Ｑ−３−１５
ＳＤＬ？　　　　　　　　　　　　　　　　Ｄ”　　　
　１０５　　　　　　　　　Ｑ−３−１１３Ｓ　　Ｄ　
　１８　　　　　　　　　　Ｄ　＋　　　７　　　　　
　　Ｑ−３−１７ＳＤ１９　　　　　　　　　　Ｄ”　
　　　２０　　　　　　Ｑ−３−１８ＳＤ２０　　　　
　　　　　　　Ｄ　“　　　ｌ　　　　　　　Ｑ−３−
ＩＳＤ２１　　　　　　　　　　　Ｄ　　◆　　　ｌ　
　　　　　　−Ｑ−３−２ＳＤ２２　　　　　　　　　
　　Ｄ”　　　　ｌ　　　　　　　Ｑ−３−１８ＳＤ２
３　　　　　　　　　　　Ｄ”　　　　ｌ　　　　　　
　Ｑ−３−１７ＳＤ２４　　　　　　　　　　　Ｄ”　
　　　１０　　　　　　Ｑ−３−７ＳＤ２５　　　　　
　　　　　　Ｄ”　　　１０６　　　　　　　Ｑ−３−
８ＳＤ　　２６　　　　　　　　　　Ｄ”　　　１０８
　　　　　　　Ｑ−３−７３Ｄ２７　　　　　　　　　
　　Ｄ”　　　＋０８　　　　　　　Ｑ−３−２ＳＤ２
８　　　　　　　　　　　Ｄ　　＋　　１ＯＥｉ　　　
　　　　Ｑ−３−１６３Ｄ２！］　　　　　　　　　　
Ｄ　÷　　　５　　　　　　　Ｑ−３−８３Ｄ３０　　
　　　　　　　　Ｄ”　　　　５　　　　　　　Ｑ−３
−２５Ｄ　３１　　　　　　　　　　　Ｄ　　÷　　　
５　　　　　　　Ｑ”−３−７ＳＤ３２　　　　　　　
　　　　Ｄ”　　　　５　　　　　　　Ｑ−３−１［１
ＳＤ３４　　　　　　　　　　　Ｄ”　　　　ｌ　　　
　　　　Ｑ−３−８ＳＤ３５　　　　　　　　　　Ｄ”
　　　　Ｉ　　　　　　　Ｑ−３−３ＳＤ３Ｓ　　　　
　　　　　　　　　　　　Ｄ”　　　　　　１０　　　
　　　　　　　Ｑ−３−ＬＳＤ３７　　　　　　　　　
　　Ｄ”　　　　１７　　　　　　　Ｑ−１７−ＩＳＤ
３８　　　　Ｄ噌　１１　　　Ｑ−１０−ｌ５Ｄ３９　
　　　　　　　　　Ｄ”　　　　２１　　　　　　Ｑ−
７−２５Ｄ４０　　　　　　　　　　　　　　　　Ｄ”
　　　　　　９　　　　　　　　　　　Ｑ−１０−ＬＳ
　　Ｄ４１　　　　　　　　　　Ｄ”、　　１０１　　
　　　Ｑ−６−ｌ５Ｄ４２　　　　　　　　　　Ｄ、＋
　　　　５　　　　　　　Ｑ−ｊ−３Ｓ　０４３　　　
　　　　　　　Ｄ”　　　　４２　　　　　　Ｑ−３−
８ＳＤ４４　　　　　　　　　　Ｄ”　　　１０９　　
　　　　　Ｑ−３−８Ｓ　Ｄ　４５　　　　　　　　　
Ｄ　１　７０　　　　　Ｑ″　３−８Ｓ　Ｄ　４８　　
　　　　　　　　Ｄ”　　　１１０　　　　　　Ｑ−３
−８５Ｄ　４７　　　　　　　　　Ｄ　“　　　７０　
　　　　　Ｑ−３−１５ＳＤ４８　　　　　　　　　　
Ｄ”　　　４２　　　　　　Ｑ−３−１？Ｓ　０４９　
　　　　　　　　　Ｄ”　　　４３　　　　　　Ｑ−３
−７ＳＤ５０　　　　　　　　　　Ｄ　“　　　！３１
　　　　　　Ｑ−３−８Ｓ　Ｄ　５１　　　　　　　　
　　Ｄ　”　　　１１１　　　　　　Ｑ−３−８ＳＤ５
２　　　　　　　　　　Ｄ　“　　１１２　　　　　　
Ｑ−３−２ＳＤ５３　　　　　　　　　　Ｄ”　　　１
１３　　　　　　Ｑ−３−８５Ｄ５４　　　　　　　　
　　Ｄ　　＋　　　７ＱＱ−２−３このような吸収特性
をもつクエンチャ−は、用いる光源および色素に応じ、
適宜選択して使用される。

このような記録層を設層するには、一般に常法に従い塗
設すればよい。

そして、記録層の厚さは、通常、０．０３〜２ｇ、ｍ程
度とされる。　あるいは色素とクエンチャ−のみで記録
層を形成するとくには、蒸着、スパフタリング等によっ
てもよい。

記録層の厚みは、０．０４〜Ｏ，１２ｇｍ、特に０．０
５〜０．０８ｇｍであることが好ましい。

０．０４ｇｍ、特に０．０３ｐｍ以下では吸収着反射昔
とも小さく書き込み感度、再生感度とも大きく取ること
ができない。

０．１２４ｍ以上では、プリグループが埋没してしまい
、トラッキング信号を得ることが困炸となる。　また、
ビット形成が容易でなき、書き込み感度が低下する。

なお、このような記Ｑ層には、この他、他の色素や、他
のポリマーないしオリゴマー、各種可塑剤、界面活性剤
、帯電防止剤、滑剤、難燃剤、安定剤、分散剤、酸化防
止剤、そして架橋剤等が含有されていてもよい。

このような記録層を設層するには、基体上に、所定の溶
媒を用いて塗布、乾燥すればよい。

なお、塗布に用いる溶媒としては、例えばメチルエチル
ケトン、メチルインブチルケトン、シクロヘキサノン等
のケトン系、酢酸ブチル、酢酸エチル、カルピトールア
セテート、ブチルカルピトールアセテート等のエステル
系、メチルセロソルブ、メチルセロソルブ等のエーテル
系、ないしトルエン、キシレン等の芳香族系、ジクロロ
エタン等のハロゲン化アルキル系、アルコール系などを
用いればよい。

このような記録層を設層する基体は樹脂製である。

樹脂の材質としては、種々のものが可能である。

ただ、このような樹脂中、特に上記したような各種塗布
用の溶媒、特にケトン系、エステル系、ハロゲン化アル
キル等におかされやすく、本発明の下地層による効果が
特に大きいのは、アクリル樹脂またはポリカーボネート
樹脂である。

そして、これらでは、書き込みおよび読み出し光に対し
、実質的に透明であるので、書き込みおよび読み出しを
基体裏面側から行うことができ１感度、Ｓ／Ｎ比等の点
で有利であり、またホコリ対策等の実装上の点でも有利
である。

さらに、成形性も良好であるので、トラッキング用の溝
の形成も容易である。

アクリル樹脂としては、ポリメチルメタクリレート等、
炭票原子数１〜８の鎖状ないし環状のアルキル基をもつ
メタクリル酸エステルを主体とするコポリマーないしホ
モポリマーが好ましい。

また、ポリカーボネート樹口旨としては、ビスフェノー
ルＡタイプが好ましい。

そして、これらアクリル樹脂またはポリカーボネート樹
脂は、射出成形によって形成されたものであるとき、本
発明の下地層の効果はより大きなものとなる。

なお、これらアクリル樹脂またはボッカーボネート樹脂
の数平均重合度は、８００〜６０００程度であることが
好ましい。

記録層ヒに設層される表面層は、高融点で硬度の高い膜
であればよい。

従って、各種酸化物系、窒化物系、炭化物系等の無機物
質、例えば酸化ケイ素、酸化チタン、酸化アルミニウム
、酸化マクネシウム、酸化ジルコン、窒化ケイ素、炭化
ケイＸｈ４の気相被着１１見であってもよい。

あるいは、いわゆる架橋剤として知られるキレート化合
物等から形成される酸化ケイ素、酸化チタン、酸ジルコ
ン、酸化アルミニウム等から主として形成される加水分
解塗膜であってもよい。

ただ、これらの中で、もつとも右動なのは、ケイ素系縮
合物のコロイド粒子分散液の塗膜である。

ケイ素系縮合物のコロイド粒子は、／＼ロゲン化ケイ素
、特に四塩化ケイ素、ないレアルキルケイ酸、特に四低
級アルキル（メチル、エチル）ケイ酸の加水分解縮合物
が好適である。

そして、コロイド粒子径は、３０〜１００人、特に５０
〜８０人程度とされる。

また、分散媒としては、アルコール、特に１個の脂肪族
アルコール、あるいは酢酸アルキル、あるいはこれらと
芳香族炭化水素との混合溶媒等が用いられる。

また、加水分解のためには、必要に応じ鉱酸が添加され
る。

そして、必要に応じエチレングリコール等の安定剤や界
面活性剤等が添加される。

このようなコロイド粒子分散液の１例としては、特公昭
３１−８５３３号に記載された四塩化ケイ素（Ｓｉ０Ｍ
４）と１価の脂肪族アルコールとを酢酸アルキルエステ
ル中に溶解させたものがある。

また、特公昭３Ｅｉ−４７４０号に記載された四アルキ
ルケイ酸と１価の脂肪族アルコール、酢酸アルキルおよ
び鉱酸よりなる溶液に、１〜２０ｗｔ％のエチレングリ
コールを添加したものでもよい。

さらには、特公昭４５−３５４３５号に記載された四低
級アルキルケイ酸のアルコール溶液でもよい。

このような場合、使用する１価の脂肪族アルコールとし
ては、メチルアルコール、エチルアルコール、変性アル
コール、イソプロピルアルコール、ブチルアルコールあ
るいはそれらの混合物。

酢酸アルキルとしては、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸
アミル、酢酸ブチルあるいはこれら゛の混合物を用い、 鉱酸としては、塩酸、硫酸の水溶液等で、普通工業的に
用いられているものを用いればよい。

なお、これらの分散液の塗布は、常法に従い、スピンナ
ーコート等の塗布にすればよい。

この場合、希釈溶媒としては１例えば炭化水素系とアル
コール系との混合溶媒がある。

そして、乾燥は、４０〜８０℃にて、２０分〜２時間程
度行えばよい。

このようにして形成される塗膜は、水酸基を含む酸化ケ
イ素塗膜である。

以上の第１表面層の厚さは、０．００５〜０．０３ｐｍ
である。　特に好ましくは、０．００８〜０．０１２ｇ
ｍであることが好ましい。

第１表面層が、０．００３牌ｍ未満であれば、光記録媒
体としての書き込み読み出しの感度向上の効果が得られ
ない。

第１表面層が０．０３ＩＬｍを超えると、光記録媒体と
しての書き込み読み出しの感度は、かえって、低下して
しまう。

色素組成物からなる光記録膜は光照射と同時にビットが
形成されてしまい、その後の照射光は最もエネルギーの
集中している中央部で吸収されなくなる。　従ってエネ
ルギーの利用効率が低く、感度がある値以上向上しない
原因となっている。

本発明の表面層は高融点の固い膜で、一定時間以下の照
射光に対してビットを形成しないようにしている。

そして、高融点の表面層を設けるときでも、書き込み光
の強度、パルス巾、回転速度等を調整することにより、
表面層が実質的に連続した状態で、かつ実質的に破断す
ることなく、ビット四部が形成されることになる。

従って、高い感度を維持した上で、表面層破砕片の飛散
にもとづ＜　Ｓ／Ｎ比の低下やエラーレートの上昇が防
止される。

なお、このような書き込み条件は、容易に実験的に求め
ることができる。

なお、実質的に表面層が連続しかつ破断しないとは、ビ
ット径に対し無視しうるピンホールの発生は許容するも
のである。

また、このような表面層は複合積層膜であってもよい。

さらに、このような表面層には、上層として高分子膜が
積層されていてもよい。

そして、このような高分子膜の設層によっても１表面層
の破断が防止されるのである。

用いる高分子としては種々のものが適用できるが、特に
上記の表面層を侵して色素を溶解しないこと、密着性の
よいこと、均一性のよいこと、塗布性のよいこと、低粘
度のあること等の点で、水または水−アルコール混合溶
媒に可溶で、かつ水酸基を含有する高分子化合物の塗膜
からなるものが好ましいに の場合、水または水−アルコール混合溶媒に可溶である
とは、水あるいは後述のような水−アルコール混合溶媒
に１％程度以上溶解するものであればよい。

このような高分子化合物としては、アラビアゴム、アル
ギン酸、トラガントガム等の多糖類であってもよいが、
特に下記のようなセルロース誘導体や、ビニルアルコー
ル単位含有樹脂が好適である。

１）セルロース誘導体 ニトロレルロース、アセチルセルロース、エチルセルロ
ース、アセチルブチルセルロース、ヒドロキシエチルセ
ルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、メチルセル
ロース、エチルヒドロキシエチルセルロースなど。

この場合、水酸基は、くりかえし単位あたり、平均１以
上含有されることが好ましい。

２）ビニルアルコール単位含有樹脂 ポリビニルアルコール、 ポリ酢酸ビニル、エチレン−酢酸ビニル共重合体などの
完全ないし部分加水分解物。

この場合、ビニルアルコール単位は、７０モル％以上、
好ましくは、８０モル％以上含有されるものが好ましい
。

なお、このような高分子化合物の数平均分子量について
は、特に制限はない。

このような高分子化合物は、通常、水−アルコール混合
溶媒に溶解されて塗布設層される。

この場合、アルコールとしては、メタノール、エタノー
ル、プロパツール、ブタノール等の単独または複合系が
好適である。　そして、水とアルコールとの混合比は、
１：０．５〜３程度とする。

なお、塗布溶媒としては、水を単独、で用いることもで
きるが、樹脂製の基体に対する塗布性の点では、水−ア
ルコール混合溶媒がすぐれている。

このような下地層の塗設に際しては、塗布液中に架橋剤
を添加して、塗膜中の高分子化合物を架橋することもで
きる。

このとき、耐溶剤性、耐水性、耐熱性が改良され、記録
層の安定性が向上する。

、この場合、下地層の塗布液中には、ピンホールの発生
を防止し、脱泡を完全に行い、しかも粘度を下げるため
に、界面活性剤、消泡剤、帯電防止剤等を添加してもよ
い。

用いる架橋剤としては、チタン、ジルコニウムもしくは
アルミニウムの有機化合物もしくはキレート化物、ある
いは、アルデヒド、オキシカルボン酸またはメチロール
含有オリゴマーであることが好ましい。

このような高分子膜は、０．００２〜０．８Ｂｍより好
ましくは０．００５〜０．５ｐｍ（７）厚さとすること
が好ましい。

０．００２ｐｍ未満では、飛散防止の実効がなく、０．
８Ｂｍをこえると逆に感度が減少するからである。

さらに本発明の表面層を有する記録層は、基体上に直接
形成されてもよく、あるいは、下地層を介して設層され
てもよい。

下地層としては、公知の種々のものであってよいか、す
でに述べた第１表面層ないし高分子膜と全く同様にして
作製されたものであることが好ましい。

下地層の厚みはｏ　、ｏｏｓ〜０．０５牌ｍである。　
特にｏ　、ｏｏａ〜０．０３ルｍであることが好ましい
。

下地層が０．００５給ｍ未満となると、基体への耐溶剤
性付与効果および耐熱性付与効果が不充分である。　　
０．０５ｐｍを超えると、感度が低下する。

以上のような下地層を設置することによって、光記録媒
体としての感度がさらにあがり、Ｓ／Ｎ比がさらに向上
する。

下地層上には、通常直接記録層が設層されるものである
が、必要に応じ場合によっては、下地層と記録層との間
に、他の中間層を設層することもできる。

同様に表面層上に、さらに各種最上層保護層、ハーフミ
ラ一層などを設けることもできる。　ただし反射層は積
層しないことが望ましい。

本発明の媒体は、このような基体の一面上に下地層を介
して、上記の記録層を有するものであってもよく、その
両面に下地層を介して記録層を有するものであってもよ
い。

また基体の一面上に下地層を介して記録層を塗設したも
のを２つ用い、それらを記録層が向かいあうようにし゛
Ｃ１所定の間隙をもって対向させ、それを密閉し、ホコ
リやキズがつかないようにすることもできる。

なお、記録層には反射層を積層しないことが好まし、い
。

本発明の記録方法においては、媒体に対し。

その走行ないし回転下において、記録光をパルス状に照
射する。

このとき、記録層中の色素の発熱により、自己酸化性の
樹脂が分解するか、あるいは熱可塑性樹脂や色素が融解
し、ピ、ントが形成される。

この場合、書き込みは気体裏面側から行うことが好まし
い。

特に、トリないしテトラカルボシアニン色素を用いると
きには、７５０．７８０．８３０ｎｍ波長の記録半導体
レーザーダイオードなどを用いたとき、きわめて良好な
書き込みを行うことができる。

また、フタロシアニン色素を用いるときには、７３０〜
７６０ｎｍ、波長の記録半導体レーザーダイオードなど
を用いたときに、非常に良好な書き込みを行うことがで
きる。

このようにして形成されたビットは、やはり媒体の走行
ないし回転下、上記の波長の読み出し光の反射光ないし
透過光、特に反射光を検出することにより読み出される
。

この場合、読み出し光は、やはり基体裏面側から照射し
て、その反射光を検知するようにすることが好ましい。

なお、記録層に熱可塑性樹脂を用いるときには、一旦記
録層に形成したビットを光ないし熱で消去し、再書さ込
みを行うこともできる。

また、記録ないし読み出し光としては　Ｈｅ−Ｎ　ｅレ
ーザー等を用いることもできる。

このような場合において、本発明に従い、表面層を実質
的に破断しない状態でビットの形成を行うには、上記し
たように、通常の高融点の表面層を形成するときには、
書き込み条件を調整する。　すなわち、光強度を若干低
くシ、かつ記録媒体の照射光に対する通過速度を速くす
ればよい。　このとき同時に高速の記録ができることに
なる。

また、表面層上に高分子膜を形成して、ビット部の表面
層の破断を防１トしてもよい。

■　発明の具体的効果 本発明は、色素または色素組成物からなる記録層に、高
融点の表面層を有する光記録媒体を用い、これに対し表
面層が破断しないような状態でビットを形成するので、
同一コントラストをうるための書き込み光の強度が低下
し、媒体走行速度を上げることができる。

そして、高分子膜の設層や書き込み条件の設定により、
ビット形成の際の表面層の破断とそれにともなう飛散が
防ＩＦされるので、Ｓ／Ｎ比が向上し、エラーレートが
減少する。

■　発明の具体的実施例 以下、本発明の°実施例を挙げ、本発明をさらに詳細に
説明する。

実施例 基体直径３０ｃｍのＰＭＭＡ　（ＭＦ　Ｉ　＝　２）射
出成形基板に、 四エチル塩酸　　　　　４．２部 エチルアルコール　　　　４３部 酢酸エチル　　　　　　　４２都 濃塩酸　　　　　　　　５，４部 エチレングリコール　　５．４部 を混和し、５０〜８０人のコロイド分散液とし、ｎ−プ
ロパツールで希釈して塗布液とした。

これをスピンニートしたのち、６０℃、３０分間処理し
た。　膜厚は０　、０１　ｐｍである。

次いで、色素Ｄ−１０およびクエンチェーＱ３−８　（
５：　２）の色素１％溶液（ジクロロエタン、ジクロヘ
キサノン（６：　５）　）かうする記録層をスピンナー
で設層した。

さらに、この記録層上に上記コロイド分散液をｎ−へキ
サンで希釈した溶液をスピンナー塗布によって表面層を
設層した。　膜厚は約０．０部６用ｍであった。

以上を試料１とする。

そして、試料１において、表面層のないものを試料２と
する。

さらに、試料１において、表面層の上に、ポリビニルア
ルコールＰＶＡ　（クラレ社製２０５加水分散率８８％
）をメタノール−水（１゜１）中に１部濃度にて溶解し
たものを塗布、設層して、約０　、　ＯＬ　８部ｍ厚と
したものを試料３とする。

以上の試料について、８３０ｎｍ半導体レーザを用い、
集光部強度８　ｍＷ〜１０１−、パルス幅１００ｎｓで
、所定の媒体速度にて基板裏面側から書き込み、信号の
コントラストを測定した。

また、電子顕微鏡にて、ビット部での表面層の破断の有
無および表面層の飛散の有無を観察した。

結果を表１に示す。

表１に示される結果から本発明の効果があきらかである
。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）基体上に、色素または色素組成物からなる記録層
   を有し、この記録層上に表面層を有する光記録媒体に、
   書き込み光を照射してビットを形成して光記録を行うに
   あたり、ビットか、表面層が実質的に破断しない状態に
   て凹部として形成されることを特徴とする光記録方法。