JPS6175524A - 選択処理装置 - Google Patents
選択処理装置Info
- Publication number
- JPS6175524A JPS6175524A JP60184198A JP18419885A JPS6175524A JP S6175524 A JPS6175524 A JP S6175524A JP 60184198 A JP60184198 A JP 60184198A JP 18419885 A JP18419885 A JP 18419885A JP S6175524 A JPS6175524 A JP S6175524A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photomask
- aperture
- processing
- processed
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は局部的に高エネルギーを照射することにより微
少部分を高精度に選択的に処理する仕イ装置に関する。
少部分を高精度に選択的に処理する仕イ装置に関する。
微少部分の選択処理方法としては、半導体基板上のアル
ミ配線と選択的に除去する方法、セラミック基板上の導
体配線のトリミング方法、半導体装置製造用ホトマスク
の修正方法等がありそれに用いられる装置として加工装
置、露光装置、トリミング装置、ホトマスク修正装置等
種々あるが、本発明は特にホトマスクの処理方法及びそ
れに用いる装置に関する。 従来半導体集積回路の製造
においては、ホトマスクの使用によりシリコンウェーハ
等の被処理体に微細な回路パターンの遮蔽膜を形成し、
これをマスクとして選択酸化、選択不純物拡散、選択エ
ツチングを行っている。ホ１−マスクには、透明なガラ
ス基板の表面にクロム等の金属を蒸着し、選択エツチン
グによって、回路パターン部の金属膜 以下余白 を除去するか、あるいは、パターン部を残して他の部分
の金属膜を除去するかして、微細で精密なパターンが形
成されている。
ミ配線と選択的に除去する方法、セラミック基板上の導
体配線のトリミング方法、半導体装置製造用ホトマスク
の修正方法等がありそれに用いられる装置として加工装
置、露光装置、トリミング装置、ホトマスク修正装置等
種々あるが、本発明は特にホトマスクの処理方法及びそ
れに用いる装置に関する。 従来半導体集積回路の製造
においては、ホトマスクの使用によりシリコンウェーハ
等の被処理体に微細な回路パターンの遮蔽膜を形成し、
これをマスクとして選択酸化、選択不純物拡散、選択エ
ツチングを行っている。ホ１−マスクには、透明なガラ
ス基板の表面にクロム等の金属を蒸着し、選択エツチン
グによって、回路パターン部の金属膜 以下余白 を除去するか、あるいは、パターン部を残して他の部分
の金属膜を除去するかして、微細で精密なパターンが形
成されている。
従って、絶対的に正しいことが要求されるこれらのホト
マスクの回路パターンにおいて、必要な部分の金属膜が
欠落していたり、逆に、不要な部分に金属膜が残留して
いたりする部分即ち、欠陥部分が存在すると、これをも
とに製造される半導体はたちまち不良品となってしまう
。それゆえ、ホトホスクには欠陥部分のないことが強く
要請されるが、実際には最辺から欠陥のないホトマスク
をつくるのは非常に困刀であり、欠陥が発生したならば
、修正できるものは、これを行い良品化しようとするの
が現在の一般的なホトマスク製造プロセスである。
マスクの回路パターンにおいて、必要な部分の金属膜が
欠落していたり、逆に、不要な部分に金属膜が残留して
いたりする部分即ち、欠陥部分が存在すると、これをも
とに製造される半導体はたちまち不良品となってしまう
。それゆえ、ホトホスクには欠陥部分のないことが強く
要請されるが、実際には最辺から欠陥のないホトマスク
をつくるのは非常に困刀であり、欠陥が発生したならば
、修正できるものは、これを行い良品化しようとするの
が現在の一般的なホトマスク製造プロセスである。
一方、欠陥は２つの型に分けられる。１つは余分な金属
膜がガラス基板上に残留しているものであり、他は、必
要な部分の金属膜が欠落したものである。後者はリフト
オフ法にて修正されるのが一般的な処理法であシ、前者
は部分エツチング法、あるいはレーザー等の高エネルギ
ーを部分的に照射する方法により修正を行なうのが一般
的な処理法である。以下に、本発明に関する従来技術と
して一般的なレーザーによるホトマスク処理方法及びそ
れに用いる装置について説明する。
膜がガラス基板上に残留しているものであり、他は、必
要な部分の金属膜が欠落したものである。後者はリフト
オフ法にて修正されるのが一般的な処理法であシ、前者
は部分エツチング法、あるいはレーザー等の高エネルギ
ーを部分的に照射する方法により修正を行なうのが一般
的な処理法である。以下に、本発明に関する従来技術と
して一般的なレーザーによるホトマスク処理方法及びそ
れに用いる装置について説明する。
第１図及び第２図に一般的なレーザ応用マスク処理装置
の概略図を示す。第１図に示すように被処理体としての
ホトマスク１の上に対物レンズ２が配置され、第２図に
示すような４枚の板９からなる開孔部１９を有するマス
ク（即ちしぼり機構に相当するものであり、以下開口板
３１と称す）の後にレーデ１１がおかれている。一方、
対物レンズ２の上方（では目視観察のため、プリズム１
６を介して接眼レンズ１５が配置されている。１７は開
孔部１９を照明するための光源でちゃ、５゜１８はハー
フミラ−である。開孔部１９は光源１７によって照明さ
れ、開孔部１９に対応した像（以下開孔像と称す）がホ
トマスク上に結ばれる。
の概略図を示す。第１図に示すように被処理体としての
ホトマスク１の上に対物レンズ２が配置され、第２図に
示すような４枚の板９からなる開孔部１９を有するマス
ク（即ちしぼり機構に相当するものであり、以下開口板
３１と称す）の後にレーデ１１がおかれている。一方、
対物レンズ２の上方（では目視観察のため、プリズム１
６を介して接眼レンズ１５が配置されている。１７は開
孔部１９を照明するための光源でちゃ、５゜１８はハー
フミラ−である。開孔部１９は光源１７によって照明さ
れ、開孔部１９に対応した像（以下開孔像と称す）がホ
トマスク上に結ばれる。
上記した装置によりホトマスクを処理する場合、まず被
処理体の被処理部つまりホトマスク上の欠陥パターンを
接眼レンズ１５にて観察しながら上記ホトマスク上に投
影される開孔像が上記欠陥・Ｚターン上に位置合せされ
るように上記開孔板３１の板９を移動させる。この場合
各板９の移動法としては手動あるいは、駆動モータ１０
による方法等があるが、いづれも作業者によって行なわ
れる。
処理体の被処理部つまりホトマスク上の欠陥パターンを
接眼レンズ１５にて観察しながら上記ホトマスク上に投
影される開孔像が上記欠陥・Ｚターン上に位置合せされ
るように上記開孔板３１の板９を移動させる。この場合
各板９の移動法としては手動あるいは、駆動モータ１０
による方法等があるが、いづれも作業者によって行なわ
れる。
その後レーザ光を開孔像の部分のみに照射して欠陥パタ
ーンを除去するのである。
ーンを除去するのである。
上記のような方法では開孔ｆ象を用いたホトマスク上の
欠陥パターンと開孔板３１との位置合せつまり処理する
範囲の決定は作業者によって行なわれるため第３図に示
すように、欠陥パターン２１と開孔板３１とを精度よく
位置合せすることができずＥＸなパターン部２０にもレ
ーザ光を照射してしまい精度良い処理ができない。特に
近年の半導体集積回路の如く、パターン寸法が微細にな
ればなるほど精度良い位置合せは困難になる。
欠陥パターンと開孔板３１との位置合せつまり処理する
範囲の決定は作業者によって行なわれるため第３図に示
すように、欠陥パターン２１と開孔板３１とを精度よく
位置合せすることができずＥＸなパターン部２０にもレ
ーザ光を照射してしまい精度良い処理ができない。特に
近年の半導体集積回路の如く、パターン寸法が微細にな
ればなるほど精度良い位置合せは困難になる。
本発明の目的は、前述の如き従来の欠点を解決した高精
度なホトマスクの処理方法及びそれに用いる装置を提供
するものである。
度なホトマスクの処理方法及びそれに用いる装置を提供
するものである。
本発明の特徴は、開孔部を有するマスク、被処理体の被
処理部の寸法又はパターンを測定する撮像装置を有する
測定機構、上記測定機構の測定結果に基づきマスクの開
孔部を自動的に調整する調整機構、上記マスクを用いて
上記被処理部を処理する処理機構とから成ることを特徴
とする選択処理装置にある。
処理部の寸法又はパターンを測定する撮像装置を有する
測定機構、上記測定機構の測定結果に基づきマスクの開
孔部を自動的に調整する調整機構、上記マスクを用いて
上記被処理部を処理する処理機構とから成ることを特徴
とする選択処理装置にある。
次に本発明の一実施例を第４図及び第５図をもとシζ説
明する。まず本発明に従った装置は第４図に示すように
被処理体としてのホトマスク１の上に対物レンズ２が配
置されこのレンズ２上には中間レンズ６及びテレビカメ
ラ７が配置されている。
明する。まず本発明に従った装置は第４図に示すように
被処理体としてのホトマスク１の上に対物レンズ２が配
置されこのレンズ２上には中間レンズ６及びテレビカメ
ラ７が配置されている。
上記テレビカメラ７はホトマスクの被処理部の寸法を一
１１定する測定回路２５全通してモニターテレビジョン
８に接続されている。上記測定回路２５以下余白 は比較及び調整回路２６に接続されている。４枚の板９
からなる開孔部１９を有するマスク（即ちしぼり機構に
相当するもので以下開孔板３１と称す）には該板３１の
板９を駆動するパルスモータ１０が付けられ上記マスク
２０の後に上記ホトマスク１を処理するレーザ１１がお
かれているっ５は・・−フミラーである。上記のような
装置を用いて、被処理体の被処理部を処理する方法は、
以下のとうりであるうまず、ホトマスク１の（象を対物
レンズ２で拡大し、中間レンズ６を介してテレビカメラ
７の撮像面に結ぶ。この画像の欠陥部（以下被処理部と
称す）は測定回路２５により寸法測定が行なわれる。測
定回路２５によって得られた寸法値を比較及び調整回路
２６へ送る。ここでは、人力された寸法値に対して開孔
部１９を形成する板９を駆動するパルスモータ１０を励
磁し、そのパルス数を計数することによシ移動距離を対
応させ、両者を比較させ一致したところで上記パルスモ
ータ１０を停止させる。それにより上記開孔部１９がホ
トマスク１の被処理部の寸法に精度良く対応する。そし
て上記開孔部１９を通して処理部であるレーザ１１から
のレーザ光により被処理部を高精度に処理するのである
。
１１定する測定回路２５全通してモニターテレビジョン
８に接続されている。上記測定回路２５以下余白 は比較及び調整回路２６に接続されている。４枚の板９
からなる開孔部１９を有するマスク（即ちしぼり機構に
相当するもので以下開孔板３１と称す）には該板３１の
板９を駆動するパルスモータ１０が付けられ上記マスク
２０の後に上記ホトマスク１を処理するレーザ１１がお
かれているっ５は・・−フミラーである。上記のような
装置を用いて、被処理体の被処理部を処理する方法は、
以下のとうりであるうまず、ホトマスク１の（象を対物
レンズ２で拡大し、中間レンズ６を介してテレビカメラ
７の撮像面に結ぶ。この画像の欠陥部（以下被処理部と
称す）は測定回路２５により寸法測定が行なわれる。測
定回路２５によって得られた寸法値を比較及び調整回路
２６へ送る。ここでは、人力された寸法値に対して開孔
部１９を形成する板９を駆動するパルスモータ１０を励
磁し、そのパルス数を計数することによシ移動距離を対
応させ、両者を比較させ一致したところで上記パルスモ
ータ１０を停止させる。それにより上記開孔部１９がホ
トマスク１の被処理部の寸法に精度良く対応する。そし
て上記開孔部１９を通して処理部であるレーザ１１から
のレーザ光により被処理部を高精度に処理するのである
。
また、被処理部の寸法ｆ１１１定の一例を第５図に示す
。同図（Δ）はモニターテレビジョン８の画面ニオいて
、ホトマスク１の正常なパターン１３と被処理部つまり
欠陥部１４を例示したものである。このようなパターン
は、第６図（Ａ）に示すように欠陥部１４を囲む位置に
ある適当なテレビジョンの走査線１２のビデオ信号３０
を取り出し、さらに同図（Ｂ）のようにこれをある閾値
２７で二喧化信号２８に変換する。それにより、被処理
部の寸法りを求めるのである。そしてこの寸法直りは上
記したように比較及び調整回路２６に送られ以下上記し
たような処理が行なわれる。
。同図（Δ）はモニターテレビジョン８の画面ニオいて
、ホトマスク１の正常なパターン１３と被処理部つまり
欠陥部１４を例示したものである。このようなパターン
は、第６図（Ａ）に示すように欠陥部１４を囲む位置に
ある適当なテレビジョンの走査線１２のビデオ信号３０
を取り出し、さらに同図（Ｂ）のようにこれをある閾値
２７で二喧化信号２８に変換する。それにより、被処理
部の寸法りを求めるのである。そしてこの寸法直りは上
記したように比較及び調整回路２６に送られ以下上記し
たような処理が行なわれる。
上記のような方法によれば被処理部と開孔板より成るマ
スクとの位置合せは人間の判断に依存することはないた
め高精度の位置合せを行うことができレーザ光によりフ
ォトマスクの被処理部つまり欠陥部を高精度に処理する
ことができる。
スクとの位置合せは人間の判断に依存することはないた
め高精度の位置合せを行うことができレーザ光によりフ
ォトマスクの被処理部つまり欠陥部を高精度に処理する
ことができる。
さらに、測定寸法値と開孔板の移動叶との相対位置の誤
差をできるだけ小さくするために、測定寸法性と、開孔
板移動距離との関係を、例えば次式の如く設定するとよ
い。
差をできるだけ小さくするために、測定寸法性と、開孔
板移動距離との関係を、例えば次式の如く設定するとよ
い。
ここで、ａは対物レンズの倍率、ｂ、 Ｃはある変換定
数、Ｌは測定寸法値、Ｗは開孔板移動生雅である。上式
においてす、ｃを適切に選ぶことにより最も高精度な修
正処理が実現できる。これらの眞はｂがＯ〜２ ＋ Ｃ
が０．５〜１．５程度が望ましい。上記直はレーザ光の
強度の変化に応じて任意に変えると良い。
数、Ｌは測定寸法値、Ｗは開孔板移動生雅である。上式
においてす、ｃを適切に選ぶことにより最も高精度な修
正処理が実現できる。これらの眞はｂがＯ〜２ ＋ Ｃ
が０．５〜１．５程度が望ましい。上記直はレーザ光の
強度の変化に応じて任意に変えると良い。
以上、本発明をテレビカメラを用いた寸法測定方式につ
いて説明してきたが、本発明は上記した例に限定される
ものではなく、撮像体として、池の固体撮像素子、例え
ば、ホトダイオードアレイＣＯＤ等を用いてもよい。ま
た、各種の現在知られている寸法測定技術を利用しても
よい。さらに被処理体としてセラミック、半導体基板２
等も応用できる。上記した本発明の方法は半導体基板上
の導体配Ｍ（アルミ配線等）を選択的に除去する場合、
セラミック基板上の導体配線をトリミングする場合等に
も応用することができる。
いて説明してきたが、本発明は上記した例に限定される
ものではなく、撮像体として、池の固体撮像素子、例え
ば、ホトダイオードアレイＣＯＤ等を用いてもよい。ま
た、各種の現在知られている寸法測定技術を利用しても
よい。さらに被処理体としてセラミック、半導体基板２
等も応用できる。上記した本発明の方法は半導体基板上
の導体配Ｍ（アルミ配線等）を選択的に除去する場合、
セラミック基板上の導体配線をトリミングする場合等に
も応用することができる。
本発明はホトマスク上の欠陥部分の寸法自動的に測定し
、これに基づき修正処理領域が自動的に設定されるので
、修正処理部分以外にレーザビームがはみ出すことなく
高精度な（σ正処理作業が実現できる。
、これに基づき修正処理領域が自動的に設定されるので
、修正処理部分以外にレーザビームがはみ出すことなく
高精度な（σ正処理作業が実現できる。
第１図は従来のホトマスク処理装置を説明するたのの概
略図、第２図は第１図の装置におけるレーザ光のマスク
となる開孔板の斜視図、第３図は第１図の装置により欠
陥部に開孔部が投影されたホトマスクの部分上面図、第
４図は本発明に従ったホトマスク処理装置の要部を説明
するための概略図、第５図は第４図の装置のテレビ画面
図、第６図（Ａ） 、 ＣＢ）は電圧波形図である。 １・・・ホトマスク、２・・・対物レンズ、３・・・コ
ンデンサーレンズ、４．１７・・・照明ランプ、５・・
・・・−フミラー、６・−中間レンズ、７−・−テレビ
カメラ、８−・−モニタテレビジョン、９・−・板、１
０−・・工動パルスモータ、１１− レーザ発振器、１
２・・−走査線、１３．２０・−ホトマスクパターン、
１４．２１・−欠陥部、１５・−・接眼レンズ、１６・
−・プリズム、１８・・・ミラー、１９・・−開孔部、
２２−・・開孔偉、２５・・−測定回路、２６・・−比
較及び調整回路、２８・・−二値化信号、３０・・−ビ
デオ店号、３１・−・開孔板。 第 １ 図 σ 第３図 ｔ／ ２’と 第 ４ 図 ／２′
略図、第２図は第１図の装置におけるレーザ光のマスク
となる開孔板の斜視図、第３図は第１図の装置により欠
陥部に開孔部が投影されたホトマスクの部分上面図、第
４図は本発明に従ったホトマスク処理装置の要部を説明
するための概略図、第５図は第４図の装置のテレビ画面
図、第６図（Ａ） 、 ＣＢ）は電圧波形図である。 １・・・ホトマスク、２・・・対物レンズ、３・・・コ
ンデンサーレンズ、４．１７・・・照明ランプ、５・・
・・・−フミラー、６・−中間レンズ、７−・−テレビ
カメラ、８−・−モニタテレビジョン、９・−・板、１
０−・・工動パルスモータ、１１− レーザ発振器、１
２・・−走査線、１３．２０・−ホトマスクパターン、
１４．２１・−欠陥部、１５・−・接眼レンズ、１６・
−・プリズム、１８・・・ミラー、１９・・−開孔部、
２２−・・開孔偉、２５・・−測定回路、２６・・−比
較及び調整回路、２８・・−二値化信号、３０・・−ビ
デオ店号、３１・−・開孔板。 第 １ 図 σ 第３図 ｔ／ ２’と 第 ４ 図 ／２′
Claims (1)
- １、開孔部を有するマスク、被処理体の被処理部の寸法
又は、パターンを測定する撮像装置を有する測定機構、
上記測定機構の測定結果に基づきマスクの開孔部を自動
的に調整する調整機構、上記マスクを用いて上記被処理
部を処理する処理機構とから成ることを特徴とする選択
処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60184198A JPS6175524A (ja) | 1985-08-23 | 1985-08-23 | 選択処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60184198A JPS6175524A (ja) | 1985-08-23 | 1985-08-23 | 選択処理装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP617879A Division JPS5598829A (en) | 1978-01-05 | 1979-01-24 | Method and device for selective treatment |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6175524A true JPS6175524A (ja) | 1986-04-17 |
Family
ID=16149069
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60184198A Pending JPS6175524A (ja) | 1985-08-23 | 1985-08-23 | 選択処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6175524A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0313946A (ja) * | 1989-06-12 | 1991-01-22 | Dainippon Printing Co Ltd | エマルジョンマスク等の欠陥修正装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52125269A (en) * | 1976-04-14 | 1977-10-20 | Nec Corp | Removing device for projecting defects from wafer |
| JPS53120377A (en) * | 1977-03-30 | 1978-10-20 | Nec Corp | Laser machining apparatus for correction of photo masks |
| JPS5598829A (en) * | 1978-01-05 | 1980-07-28 | Hitachi Ltd | Method and device for selective treatment |
-
1985
- 1985-08-23 JP JP60184198A patent/JPS6175524A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52125269A (en) * | 1976-04-14 | 1977-10-20 | Nec Corp | Removing device for projecting defects from wafer |
| JPS53120377A (en) * | 1977-03-30 | 1978-10-20 | Nec Corp | Laser machining apparatus for correction of photo masks |
| JPS5598829A (en) * | 1978-01-05 | 1980-07-28 | Hitachi Ltd | Method and device for selective treatment |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0313946A (ja) * | 1989-06-12 | 1991-01-22 | Dainippon Printing Co Ltd | エマルジョンマスク等の欠陥修正装置 |
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