JPS617631A - 半導体薄膜の分解装置 - Google Patents
半導体薄膜の分解装置Info
- Publication number
- JPS617631A JPS617631A JP12850684A JP12850684A JPS617631A JP S617631 A JPS617631 A JP S617631A JP 12850684 A JP12850684 A JP 12850684A JP 12850684 A JP12850684 A JP 12850684A JP S617631 A JPS617631 A JP S617631A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- port
- semiconductor thin
- thin film
- wafer
- container
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、半導体薄膜の分解装置に関する。
半導体装置を構成する８１０２ 膜や８ｔ３Ｎ４膜等
の半導体薄膜中に、Ｎａ 、 Ｋ 、 Ｆｅ等の不純物
が存在すると、その量が超微量のものであっても、素子
の電気特性沈火きな影響を与える。従って。
の半導体薄膜中に、Ｎａ 、 Ｋ 、 Ｆｅ等の不純物
が存在すると、その量が超微量のものであっても、素子
の電気特性沈火きな影響を与える。従って。
素子特性を向上させるためＫは、半導体薄膜中のこのよ
うな不純物の含有量を極力抑える必要がある。而して、
半導体薄膜中の不純物の量を知るために、従来、第４図
に示すような半導体薄膜の分解装置が使用されている。
うな不純物の含有量を極力抑える必要がある。而して、
半導体薄膜中の不純物の量を知るために、従来、第４図
に示すような半導体薄膜の分解装置が使用されている。
図中１は、密閉容器である。密閉容器！内には、作用液
２である超高純度の弗化水素酸を収容した容器３が設定
されている。また、密閉容器！内には。
２である超高純度の弗化水素酸を収容した容器３が設定
されている。また、密閉容器！内には。
複数枚のウェハ４を垂下した状態で保持したウェハキャ
リア５が設置されている。ウェハ４の表面には、半導体
薄膜６が形成されている。ウェハ４の直下には、各々の
ウェハ４に対応して仕切板で隔壁した分解液受容器７が
設置されている。分解液受容器７は、キャリア保持台８
によって固定されている。
リア５が設置されている。ウェハ４の表面には、半導体
薄膜６が形成されている。ウェハ４の直下には、各々の
ウェハ４に対応して仕切板で隔壁した分解液受容器７が
設置されている。分解液受容器７は、キャリア保持台８
によって固定されている。
而して、ウェハ４をウェハキャリア５に設定して密閉容
器Ｉ内で常温で所定時間放置すると、ん用液２の蒸気９
が半導体薄膜６の表面に接触し、半導体薄膜６は分解す
る。得られた分解液１０は、半導体薄膜６０表面を伝っ
て落下し、分解液受容器７内に溜る。このようにして得
た分解液１０を回収し、攪拌、計量した後、フレームレ
ス原子吸光分析装置にかけて不純物の定性、定量を行う
。
器Ｉ内で常温で所定時間放置すると、ん用液２の蒸気９
が半導体薄膜６の表面に接触し、半導体薄膜６は分解す
る。得られた分解液１０は、半導体薄膜６０表面を伝っ
て落下し、分解液受容器７内に溜る。このようにして得
た分解液１０を回収し、攪拌、計量した後、フレームレ
ス原子吸光分析装置にかけて不純物の定性、定量を行う
。
このような半導体薄膜の分解装置では、ウェハキャリア
５へのポートからのウェハ４の移し替えは、密閉容器１
の外部でテフロン製のピンセットを用いて一枚づつウェ
ハ４を手作業で移し替えることにより行っている。この
ため、ウェハ４の移し替え作業中にウェハ４が作業者や
空気によって汚染され易い。また、当然クリーンベンチ
等の清浄な室内で移し替え作業を行っているが、移し替
え作業中に密閉容器ｌ内に汚染されて清浄度が低下する
。その結果、半導体薄膜６中の微量不純物の分析精度が
低下する問題があった。
５へのポートからのウェハ４の移し替えは、密閉容器１
の外部でテフロン製のピンセットを用いて一枚づつウェ
ハ４を手作業で移し替えることにより行っている。この
ため、ウェハ４の移し替え作業中にウェハ４が作業者や
空気によって汚染され易い。また、当然クリーンベンチ
等の清浄な室内で移し替え作業を行っているが、移し替
え作業中に密閉容器ｌ内に汚染されて清浄度が低下する
。その結果、半導体薄膜６中の微量不純物の分析精度が
低下する問題があった。
〔発明の目的〕
本発明は、ウェハの移し替え作業中に作業者等によって
ウェハを汚染するのを防止すると共に、密閉容器内の清
浄度を高めて、分析精度の向上を達成した半導体薄膜の
分解装置を提供することをその目的とするものである。
ウェハを汚染するのを防止すると共に、密閉容器内の清
浄度を高めて、分析精度の向上を達成した半導体薄膜の
分解装置を提供することをその目的とするものである。
本発明は、ポートからウェハキャリアへのウェハの移し
替え作業を不活性ガス雰囲気に保たれた密閉容器内で行
なえるようにして、ウェハの移し替え作業中に作業者に
よってウェハな汚染するのを防止すると共に、密閉容器
内の清浄度を高めて、分析精度の向上を達成した半導体
薄膜の分解装置である。
替え作業を不活性ガス雰囲気に保たれた密閉容器内で行
なえるようにして、ウェハの移し替え作業中に作業者に
よってウェハな汚染するのを防止すると共に、密閉容器
内の清浄度を高めて、分析精度の向上を達成した半導体
薄膜の分解装置である。
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は、本発明の一実施例の概略構成を示す説明図で
ある。図中２０は、密閉容器である。
ある。図中２０は、密閉容器である。
密閉容器２０の床部２１には、キャリア保持台２２が装
着されている。キャリア保持台２０上には、複数枚のウ
ェハ２３を垂下した状態で保持したウェハキャリア２４
が保持されるように女っている。このウェハ２３の表面
には酸化膜等からなる半導体薄膜２５が形成されている
。
着されている。キャリア保持台２０上には、複数枚のウ
ェハ２３を垂下した状態で保持したウェハキャリア２４
が保持されるように女っている。このウェハ２３の表面
には酸化膜等からなる半導体薄膜２５が形成されている
。
キャリア保持台２０にシ、分解液受容器２６が取付けら
れている。分解液受容器２６は、ウェハ２Ｓの配置に対
応して仕切板で隔壁されている。また、床部２ノ上には
、超高純度の弗化水素酸等の作用液２７を満した作用液
収容容器２８が設置されるようになっている。キャリア
保持台２２に対向した密閉容器２０の天井面２９には、
ポート保持溝３０が穿設されている。
れている。分解液受容器２６は、ウェハ２Ｓの配置に対
応して仕切板で隔壁されている。また、床部２ノ上には
、超高純度の弗化水素酸等の作用液２７を満した作用液
収容容器２８が設置されるようになっている。キャリア
保持台２２に対向した密閉容器２０の天井面２９には、
ポート保持溝３０が穿設されている。
密閉容器２０の側壁部には、ポート保持溝３０に対応し
てポート３１を密閉容器２０内に出入するためのポート
出入扉３２が設けられている。
てポート３１を密閉容器２０内に出入するためのポート
出入扉３２が設けられている。
また、側壁部には、アルゴンガス等の不活性ガスからな
る雰囲気ガスを密閉容器２０内に導入するための雰囲気
ガス供給口３３と、この雰囲気ガスを外部に排気するた
めの雰囲気ガス排気口３４が開口されている。
る雰囲気ガスを密閉容器２０内に導入するための雰囲気
ガス供給口３３と、この雰囲気ガスを外部に排気するた
めの雰囲気ガス排気口３４が開口されている。
このように構成された半導体薄膜の分解装置（０によれ
ば、第２図に示す如く、密閉容器２０をその上下を反転
した状態で所定位置に設置すると共に、ポート出入扉３
２を開放する。
ば、第２図に示す如く、密閉容器２０をその上下を反転
した状態で所定位置に設置すると共に、ポート出入扉３
２を開放する。
次いで、雰囲気ガス供給口３３及び雰囲気ガス排気口３
４を開放し、密閉容器２０の内部がアルゴンガス等の不
活性ガスで常時満されるように不活性ガスの導入及び排
気を連続して行う。
４を開放し、密閉容器２０の内部がアルゴンガス等の不
活性ガスで常時満されるように不活性ガスの導入及び排
気を連続して行う。
次いで、熱処理炉等で所定の半導体薄膜２５の形成され
たウェハ２３をポート３１に載置された状態で引き出し
、ポートローダ４１及びポート運搬用石英管４２を利用
してポート３Ｉをポート保持溝３０に案内させながら密
閉容器２０内に挿入する。次いで、ポート３Ｉからポー
トローダ４１等を離して密閉容器２０をその上下が逆に
なるように反転し、ポート３Ｉ上のウェハ２３を予めキ
ャリア保持台２２上に保持させておいたウェハキャリア
２４に移す。
たウェハ２３をポート３１に載置された状態で引き出し
、ポートローダ４１及びポート運搬用石英管４２を利用
してポート３Ｉをポート保持溝３０に案内させながら密
閉容器２０内に挿入する。次いで、ポート３Ｉからポー
トローダ４１等を離して密閉容器２０をその上下が逆に
なるように反転し、ポート３Ｉ上のウェハ２３を予めキ
ャリア保持台２２上に保持させておいたウェハキャリア
２４に移す。
次に、ポート出入扉３２を開き、ポート保持溝３０に沿
って空になったポート３１を引き出すと共に、超高純度
の作用液２７である弗化水素酸を満した作用液収容容器
２６を密閉容器２０内に挿入して所定位置に設置する。
って空になったポート３１を引き出すと共に、超高純度
の作用液２７である弗化水素酸を満した作用液収容容器
２６を密閉容器２０内に挿入して所定位置に設置する。
次いで。
ポート出入扉３０を閉じこの状態で所定時間放置する。
ウェハ２３の表面に形成された半導体薄膜２５は、作用
液２゛７の蒸気３５と接触して分解する。その際に発生
ｉ−た分解液４３は、ウェハ２３を伝って落下し、分解
液受容器２６内に収容される。このようにして得た分解
液４３をマイクロピペットで回収し、攪拌して計量した
後、直接フレームレス原子吸光分析装置にかけて微量不
純物の定性、定量分析を行う。
液２゛７の蒸気３５と接触して分解する。その際に発生
ｉ−た分解液４３は、ウェハ２３を伝って落下し、分解
液受容器２６内に収容される。このようにして得た分解
液４３をマイクロピペットで回収し、攪拌して計量した
後、直接フレームレス原子吸光分析装置にかけて微量不
純物の定性、定量分析を行う。
このようにして測定された微量不純物の濃度を、熱処理
炉等で異なる厚さの半導体薄膜２５を形成したウェハ２
３ごとに調べたところ、第３図にΔ印にて示す結果を得
た。同様の試験を従来の半導体薄膜の分解装置で行った
ところ同図に○印で併記する結果を得た。この結果から
明らかなように実施例の半導体薄膜の分解装置では、ウ
ェハ２３及び密閉容器２０が汚染されていないため、微
量不純物の濃度は低く、シかも、その測定値のばらつき
は±２０％と小さくなっていることが判る。一方、従来
の装置では。
炉等で異なる厚さの半導体薄膜２５を形成したウェハ２
３ごとに調べたところ、第３図にΔ印にて示す結果を得
た。同様の試験を従来の半導体薄膜の分解装置で行った
ところ同図に○印で併記する結果を得た。この結果から
明らかなように実施例の半導体薄膜の分解装置では、ウ
ェハ２３及び密閉容器２０が汚染されていないため、微
量不純物の濃度は低く、シかも、その測定値のばらつき
は±２０％と小さくなっていることが判る。一方、従来
の装置では。
測定値の値そのものも大きく、しかも測定値のばらつき
も±５０％と極めて大きい。これは、ウェハを密閉容器
内へ挿入する際にウェハが汚染されたり、或は密閉容器
内の清浄度が低下するためと考えられる。
も±５０％と極めて大きい。これは、ウェハを密閉容器
内へ挿入する際にウェハが汚染されたり、或は密閉容器
内の清浄度が低下するためと考えられる。
以上説明した如く、本発明に係る半導体薄膜の分解装置
によれば、ウェハの移し替え作業中に作業者によってウ
ェハを汚染するのを防止すると共に、密閉容器内の清浄
度を高めて、分析精度を向上させることができるもので
ある。
によれば、ウェハの移し替え作業中に作業者によってウ
ェハを汚染するのを防止すると共に、密閉容器内の清浄
度を高めて、分析精度を向上させることができるもので
ある。
第１図は、本発明の一実施例の半導体薄膜の分解装置の
概略構成を示す説明図、第２図は、同半導体薄膜の分解
装置内にウェハな挿入する状態を示す説明図、第３図は
、半導体薄膜の膜厚と微量不純物の濃度との関係を示す
特性図、第４図は、従来の半導体薄膜の分解装置の概略
構成を示す説明図である。 ２０・・・密閉容器、２１・・・床部、２２・・・キャ
リア保持台、 ２３・・・ウェハ、２４・・・ウェハキ
ャリア、２５・・・半導体薄膜、２６・・・分解液受容
器、２７・・・作用液、２８・・・作用液収容容器、２
９・・・天井面、３０・・・ポート保持溝、３Ｉ・・・
ポート。 ３２・・・ポート出入扉、３３・・・雰囲気ガス供給口
３４・・・雰囲気ガス排気口、３５・・・蒸気％ ４−
０・・・半導体薄膜の分解装置％ ４Ｉ・・・ポートロ
ーダ、４２・・・ポート運搬用石英管、４３・・・分解
液。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第３図 ４６４イ４弘看Ｒ艶ｄ）暁ノを 第４図
概略構成を示す説明図、第２図は、同半導体薄膜の分解
装置内にウェハな挿入する状態を示す説明図、第３図は
、半導体薄膜の膜厚と微量不純物の濃度との関係を示す
特性図、第４図は、従来の半導体薄膜の分解装置の概略
構成を示す説明図である。 ２０・・・密閉容器、２１・・・床部、２２・・・キャ
リア保持台、 ２３・・・ウェハ、２４・・・ウェハキ
ャリア、２５・・・半導体薄膜、２６・・・分解液受容
器、２７・・・作用液、２８・・・作用液収容容器、２
９・・・天井面、３０・・・ポート保持溝、３Ｉ・・・
ポート。 ３２・・・ポート出入扉、３３・・・雰囲気ガス供給口
３４・・・雰囲気ガス排気口、３５・・・蒸気％ ４−
０・・・半導体薄膜の分解装置％ ４Ｉ・・・ポートロ
ーダ、４２・・・ポート運搬用石英管、４３・・・分解
液。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第３図 ４６４イ４弘看Ｒ艶ｄ）暁ノを 第４図
Claims (1)
- 床部にキャリア保持台を装着し、該キャリア保持台に対
向する天井面にポート保持溝を穿設した密閉容器と、該
密閉容器の側壁部に前記ポート保持溝に対応して設けら
れたポート出入扉と、該密閉容器に形成された雰囲気ガ
スの供給口及び排気口と、該密閉容器内に収容される作
用液収容容器と、前記キャリア保持台に取付けられた分
解液受容器とを具備することを特徴とする半導体薄膜の
分解装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12850684A JPS617631A (ja) | 1984-06-22 | 1984-06-22 | 半導体薄膜の分解装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12850684A JPS617631A (ja) | 1984-06-22 | 1984-06-22 | 半導体薄膜の分解装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS617631A true JPS617631A (ja) | 1986-01-14 |
Family
ID=14986426
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12850684A Pending JPS617631A (ja) | 1984-06-22 | 1984-06-22 | 半導体薄膜の分解装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS617631A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5658417A (en) * | 1992-12-08 | 1997-08-19 | Nec Corporation | HF vapor selective etching method and apparatus |
| EP1953259A1 (en) * | 2007-02-02 | 2008-08-06 | Applied Materials, Inc. | Process chamber, inline coating installation and method for treating a substrate |
-
1984
- 1984-06-22 JP JP12850684A patent/JPS617631A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5658417A (en) * | 1992-12-08 | 1997-08-19 | Nec Corporation | HF vapor selective etching method and apparatus |
| US6024888A (en) * | 1992-12-08 | 2000-02-15 | Nec Corporation | Vapor selective etching method and apparatus |
| EP1953259A1 (en) * | 2007-02-02 | 2008-08-06 | Applied Materials, Inc. | Process chamber, inline coating installation and method for treating a substrate |
| US7837796B2 (en) | 2007-02-02 | 2010-11-23 | Applied Materials, Inc. | Process chamber, inline coating installation and method for treating a substrate |
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