JPS6177844A - 新規な光重合性積層体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、新規な光重合性積層体、さらに詳しくは、印
刷回路板の作成に適した光重合性積層体に関する。

（従来の技術） 従来、印刷回路板作成用のレジストとして、支持層と光
重合性層からなる、いわゆるドライフィルムレジスト（
以下、ＤＦＲと称する）が用いられている。ＤＦＲは、
一般に支持フィルム上に光重合性組成物を積層し、多く
の場合、さらに該組成物上に保護用のフィルムを積層す
ることにより調製される。ＤＦＲ’ｉ用いてプリント回
路板を作成するには、保護フィルムを剥離しｔ後、銅張
積層板等の永久画像形成用基板上Ｋ　ＤＦＲｔ−積層し
、マスクフィルム等を通して露光全行なう。次に、必要
に応じて支持フィルムを剥離し、現像液によシ赤露光部
分の光重合性組成物全溶解もしくは分散除去し、基板上
に硬化レジスト画像を形成せしめる。

以下、回路を形成させるプロセスとしては、大きく二つ
の方法に分かれる。第一の方法は、硬化レジストによっ
て覆われていない銅面をエツチング除去した後、レジス
トをさらに除去するものであり、第二の方法は、同上の
銅面にハンダ等のメッキ処理を行なった後、レジストの
除去、さらに現われ念鋼面をエツチングするものである
。

最近、ＤＦＲ’ｉ用いて炸裂される印刷回路板の中で、
スルーホールの内周面に付設した導電性回路形成物質層
、例えば、銅薄膜層によって恒久的画像形成用基板の一
方の面と他方の面とを電気的に接続した形成ものが増加
している。この種の印刷回路板の製造方法としては、銅
スルーホール法とハンダスルーホール法が一般的であっ
て、銅スルーホール法の中では、テンティング法が広く
採用されるようになってきている。このテンティング法
では、露光硬化し九配線画像の形成と同時Ｋ。

スルーホールの両開口部を光硬化層で完全く閉塞し、配
線を形成させるために銅薄膜等をエツチングするに際し
ては、該光硬化層がスルーホールの内周面の導電層を保
護する几め、ヌル−ホールを通じて両面間が導通してい
る印刷回路を得ることができる。

前記のスルーホールの内周面の導電性回路形成物質層は
、回路設計の制約から限られ比重しか許されない。した
がって、前記テンティング法においては、スルーホール
の両側開口部をテント状に閉塞する露光し次光重合性層
は、極めて狭い巾の帯状部分によって支持されているこ
とになる。このテント状に支持され九露光した光重合性
層は、現像時およびエツチング時に、それぞれの処理液
をシャワー状に浴びる几め、しばしば露光し次光重合性
層の破れや恒久的画像形成用基板からの剥離を生じるこ
とがらる几め、テンティング法に用いられるＤＦＨの光
重合性層は、露光後の機械的強度と恒久的画像形成用基
板との接着性や耐薬品性などが要求される。

ところで、現在広く用いられているＤＦＨの光重合性層
は、＋１）少なくとも１個のエチレン性基を有し、光重
合開始剤によって重合体を形成できる不飽和化合物（以
下、モノマーと称する）　、　（２）熱可塑性有機重合
体結合剤゛〈以下、バインダーと称する）、（３１光重
合開始剤および（Ａ）その他の添加剤から成っている（
Ｉ＃公昭５０−９１７７号公報、特公昭５７−２１６９
７号公報）。

前記モノマーとしては、エチレン性二重結合を２個以上
有するトリメチロールプロパントリアクリレートやペン
タエリトリトールトリアクリレートなどが挙げられてお
り、また分子鎖中にエーテル結合を有するポリエチレン
グリコールジアクリレートなども示されている。一方、
バインダーとしては、モノマーと相溶性のあるものが選
ばれており、例えばポリメタクリル酸メチル、メタクリ
ル酸エステル、アクリル酸エステル、アクリル酸、メタ
クリル酸、スチレン等の共重合体などが用いられている
。

しかしながら、露光した光重合性層の機械的強度および
基板との接着性は、使用するモノマーおよびバインダー
の種類や量比に影響を受けるが、特にモノマーの影響が
大きく、前記のモノマーを用い次光重合性層の露光後の
機械的強度、耐薬品性および基板との接着性は、光重合
性層が薄い場合必ずしも十分でなく、特にテンティング
法に使用する場合には光重合性層を厚くする必要がある
。

一方、電子部品および素子を高密度（実装化して製品全
体を小型化し友−という要求は、ますます強くなってき
てシシ、それに伴って印刷回路板の回路の高密度化や細
線化が強く求められている。

この高密度印刷回路形成の几めＫは、使用するＤＦＨの
解像力が高くなければならないが、光重合性層を厚くす
ると解像力は低下する。したがって、前記に示されてい
るような光重合性層から成るＤＦＲｔ−テンティング法
に用いて画像形成を行う場合には、極めて精密でかつ高
密度の回路画像會得ることが困難である。

一方、印刷回路を形成するために現在でも広く用いられ
ているハンダスルーホール法は、スルーホールの内周面
の導電性回路構成物質層、例えば銅薄膜層を保護する耐
エツチング金属、例えばハンダでレジストし、次いで恒
久的画像形成用基板表面の不要個所をエツチングするも
のである。このハンダスルーホール法九おいては、画像
形成されｔ硬化レジスト層で覆われた基板は、まず約処
理としてアルカリ洗浄による脱脂、界面活性剤水溶液洗
浄による脱脂、電解研磨などを受は比のち、無電屏銅メ
ッキを受け、さらに銅メッキおよびハンダメッキを受け
る。

高密度の印刷回路板においては、当然回路間隙は狭く設
計されるので、メッキ前処理や、メッキ時の、処理液や
メッキ液のレジストおよびレジストと基板間への滲み込
み、およびレジストの小さな浮きが大きな問題となり、
Ｌ７ｔがって、耐前処理薬品性、耐銅メッキ性訃よび耐
ハンダメッキ性に優れたＤＦＲが要求される。−２次、
露光された光重合性層の耐銅メツキ性、耐ハンダメッキ
性シよび耐前処理薬品性も光重合性層のモノマーおよび
バインダーの種類に影４＃を受け、特にモノマーの種類
および量が支配的な影響を及ぼす。モノマーとして、前
記に示されているトリメチロールプロパントリアクリレ
ート、ポリエチレングリコールジアクリレートのような
エステル結合ま九はエステル結合とエーテル結合のみを
有しているアクリル酸エステルま九はメタクリル酸エス
テルを用い次光重合性層は、特に耐銅メツキ性、耐ハン
ダメッキ性および耐前処理薬品性が不十分である。

ま九、ＤＦＲを用いた印刷回路板の改良された作成法と
して、支持層が光重合性層の現像液に溶解もしくは分散
するフィルムから成るＤＦＲｉ用い、露光後に支持フィ
ルムを剥離することなく、現像処理で同時に除去する方
法が知られている（特開昭５４−１１３７５２号）。こ
の方法では、支持フィルム全機械的に剥離する際に起シ
うる画像の部分的破壊が回避できることや、工程が短縮
され７ｔシ、連続自動プロセスが可能になる等の大きな
利点を有している。

（発明が解決しようとする問題点） 前記したように、トリメチロールプロバンドリアクリレ
ート、ポリエチレングリコールジアクリレートのような
エステル結合またはエステル結合とエーテル結合のみを
有しているアクリル酸エステルまたはメタクリル酸エス
テル金柑い次光重合性層は、％に耐銅メツキ性、耐ハン
ダメッキ性シよび耐約処理薬品性が不十分である。そし
て、前記印刷回路板の改良され九作成法Ｋｉ？いても、
光重合性層中の七ツマ−として、上記のモノマーを用い
、基板へのＤＦＲの積層を過度に高い温度で張力を強く
かけて行なうと、積層され九〇ＦＲの支持フィルムに微
細な亀裂が発生するこ七があシ好ましくない。

（問題点を解決するための手段） 以上のような背景を踏まえて、露光後に良好な機械的強
度と優れ友耐メッキ性にすぐれた銅スルーホール法、ハ
ンダスルーホール法、いずれの方法でも極めて精密な印
刷回路板の作製を可能ならしめる光重合性積層体の開発
に努めた結果、本発明の積層体を見出すに至つｔｏ 本発明は、光重合性層と支持層とからな〕、必要に応じ
て該光重合性層の他表面に保護層ｄ（存在する光重合性
積層体において、該光重合性層や工（１）ビニル重合体
もしくはビニル共重合体〃）らなるパイ／グー　５〜９
５重量％ （２）下記の一般式（Ａ）または（Ｂ）　’！たは（Ｃ
）で示される分子量／含有二重結合数の値が１０００以
下である光重合性化合物を主成分とする光重合可能な不
飽和化合物　９５〜５重量− （３）光重合開始剤　０．０１〜３０重量％を含有して
成ることｔ−特徴とする光重合性積層体である。

（Ｃ） 〔式中、ｎは０以上の整数、ｍＦｉｓないし１０の整数
、Ｒｓは水素またはメチル基、又は炭素数１ないし８の
２価の脂肪族炭化水素基ま１７′ｃは（ここで％　Ｒ３
は炭素ａ１ないし４のアルキル基、ｐは１ないし１０の
整数、ｑｌ’はそれぞれ１ないし４の整数）、Ｒ３は炭
素数１ないし６のアルキル基ま友は　Ｃ）Ｉ、−０−Ｒ
４（Ｒ，はフェニル基、アリル基、炭素数１ないし６の
アルキル基）、Ｙは炭素数２ないし１６の二価の炭化水
素基、２はＲｓ し１０の整数、Ｘは１ないし３゛０の整数）、（ここで
、舅は炭素数３ないし１０の三価の炭化水素基、Ｓは１
ないし５の整数）を表わす。〕次に、本発明の積層体く
ついて詳細に説明する。

バインダーとしては、ビニルモノマーの重合体もしくは
共重合体からなる熱可塑性高分子を用いるが、その中で
も、下記の構造式（ロ）で示される七ツマ−の重合体、
もしくはそれらからなる共重合体が好ましい。

〔式中、ｖｌは水素ま九はメチル基、■、はフェニル、
炭素数１ないし１０のアルキル基、ビニル基）ｔ−表わ
す。〕 さらに好ましくは、メタクリル酸メチル、アクリル酸メ
チル、アクリル酸ブチル、スチレン、ブタジェン等の重
合体もしくは共重合体で、／・αゲン化炭化水素に良好
な溶解性を有するものが好ましい。

バインダーの分子量は、重量平均分子量で２０．０００
ないし５００，０００のものが好ましく、さらＫはｓ　
ｏ、ｏ　ｏ　ｏな１．ｎｌ、３００．ＯＯＱのもＯが好
ましい。分子量が過大であると、現像時間が長くなシ好
ましくない。ま九、分子量が小さすぎると、硬化レジス
トの機械的強度の低下をみるため好ましくない。

モノマーとしてＦｉ、分子量を含有二重結合の数で除し
た値が１０００以下であることが必要であるが、好まし
くは１００以上７００以下である。

そして、前記し九構造式（Ａ）、ω）ま几はＣ）で示さ
れるものから選ばれるが、複数の七ツマ−を組合わせる
ことも可能である。

構造式（ト）Ｋついて説明するならば、ｎの上限は、上
記のモノマーの二重結合当〕の分子量で自ら定まる。Ｒ
１は水素ま友はメチル基であるが、重合性の点から水素
の方が好ましい、Ｘとしては、等が好ましく、特に−〇
Ｈ，−が好ましい。Ｒ３としては、炭素数１ないし４の
アルキル基が好ましく、さらに−はメチル基、エチル基
が好ましｌ／に＠ｙとしては、次の一群のものから選ば
れたものが好ましい。

（ただし、Ｕは４ないし８の整数全表わす。）この中で
も、ヘキサメチレン基、トリレン基がさらに好ましい。

２としては、÷ｃＨ惰ｏ−を比は（−ＣＨＩ　−（ｊ’
Ｈ−０＋ｘのものが好ましく、ここで、ｔはＲ電 ２ないし１０の整数、Ｘは１ないし３ｏの整数であるが
、ｔ、ｘＯ値もモノマーの分子量の限定から自ら制限が
ある。Ｒ１としては、ここではメチルが好ましい。

構造式の）における馬としては、次の構造式ｇ１〜Ｅ４
で示されるものが好ましい。

（ここで、ｗｆ…聯激３ないし１ｏの三価の炭化水素基
、ｍＦｉ５ないし１０の整数を表わす。゛）この中でも
、Ｗｌが構造式（龜）でＹがへキサメチレフ基のもの、
鶴が下記の構造式（Ｅ、）で示され、Ｙがへキサメチレ
ンｔｅはトリレン基であるものが％に好ましい。

構造式（Ａ）、ω）、（Ｃ）の中で、モノマーとしては
、構造式（Ａ）で示されるものが好ましく、ｎがＯから
２ないし３１でのものの混合物のものが好ましい。

次に、これらのモノマーの製法の１例を簡単に述べる。

構造式囚で示されるモノマーのうちｎ＝００ものは、下
記の構造式（Ｆ、）で示される原料モノマーと、構造式
（Ｆ、）で示されるジイソシアナートを反応させること
によシ得られる。

０ＣＮ−Ｙ−ＮＣＯ（Ｆ、　） ここで、さらに下記の構造式（Ｆ、）で示されるジオー
ルを共存させると、ｎが１以上の構造式（Ａ）で示され
る七ツマ−が生成するが、この時ｎ＝００ものも同時忙
生成する。

ＨＯＺ＝Ｈ（ＦＡ） さらに構造式（Ｂ）で示されるモノマーは、構造式（Ｆ
ｌ）で示されるモノマーと、下記の構造式（Ｆ、）で示
さ些るポリイソシアナートの反応生成物であシ、 Ｗ（−ＮＣＯ）　　　　　（Ｆ４） ここで、構造式（Ｆｌ）で示されるジオールを共存させ
ると、構造式（Ｃ）で示されるモノマーも生成する。ジ
オール（Ｆｓ）ｔ−原料として吊込る場合は、まず、ジ
オール（Ｆ、）とインシアナートを反応させて、インシ
アナートオリゴ−ｒ　−ｆ形成させてから、モノマー（
ｒ＋）を加えることが好ましい。

モノマー（Ｆｌ）の好ましい具体例としては、２−ヒド
ロキシブチルアクリレート、２−ヒドロキシブチルアク
リレート、２−ヒドロキシブチルアクリレート、２−ヒ
ドロキシ−３−フェノキシアクリレート、ポリプロピレ
ングリコールモノアクリレート、ポリプロピレングリコ
ールモノメタクリレート、アクリロキシエチル−２−ヒ
ドロキシプロピル−フタレート、メタクリロキシエチル
−２−ヒドロキシプロピル−フタレート等が挙げられる
。

ジイソシアナー）（ｐ、）の好ましい例としては、ヘキ
サメチレンジイソシアナート、トリレンジイソシアナー
）、４．４’−ジフェニルメタンジインシアナート、キ
シリレンジイソシアナート、インホロンジイソシアナー
ト、２，２．５−）リメチルヘキサメチレンジイソシア
ナート等がある。

ジオール（Ｆｌ）の代表例としては、エチレングリコー
ル、プロピレングリコール、メタンジオール、ヘキサン
ジオール、さらに、下記の構造式（Ｆｓ）で示されるジ
オールがある。

ここで、Ｒ１は水素またはメチル、ｚｌとしては、＋Ｃ
Ｈ！−）ｔＯ−１＋ＣＨ，−Ｃ’Ｈ−０＋ｘが好ましい
。

（ただし、ｔおよびＸは１ないし１０の整数）ポリイソ
シアナー）’（Ｆａ）の代表例は、ヘキサメチレンジイ
ソシアナート、インホロンジイソシアナート、トリレン
ジイソシアナートそれぞれの水アダクト、トリメチロー
ルプロパンアダクトがある。反応は溶媒中で行なうこと
が望ましく、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素、
酢酸エチル、プロピオン酸ブチル等のエステル類、アセ
トン、メチルエチルケトン、メチルイノブチルケトン等
のケトンが好ましい。

反応は無触媒下まｔは触媒存在下いずれでも可能である
が、反応を速やかく行わせるため九は、触媒を用いるこ
とが望ましい。この触媒としては、例エバトリエチルア
ミン、トリエチレンジアミンのような第三級アミン、ス
タナスオクトエート、ジブチルチンジラウレートのよう
なスズ化合物が用いられる。

ま友、反応は化合物（Ｆ、）や（Ｆｓ）の炭素−炭素二
重結合が重合しない条件で行うことが望ましく、そのた
めには反応温度ＦｉａｏＣ以下、好ましくは５０Ｃ以下
である。また、活性光を遮断して反応を行うことが望ま
しい。

さらに、反応はイソシアナート基１当量に対し活性水素
基１当量以上で反応させ、遊離のインシアナート基をな
くすことが好まし一〇 構造式（Ａ）〜（Ｃ）から明らかなように、本発明で開
示された、いわゆるウレタン（メタ）アクリレートは、
イソシアナート七二級アルコールから生成しｔ型のウレ
タン化合物であることが必須である。

例えば特開昭４７−１３９１２号、同５〇−９２１２４
、同５４−１５３６２４号等に開示されているモノマー
のように、Ｒ，が水素である場合には、ＤＦＲによる画
像形成時に汎用される現像液、例えば１　、１　、１−
）リクロルエタン、トリクロロエチレン等や、硬化レジ
ストの剥離液である塩化メチレン等に著しく溶解しに＜
＜、未硬化レジストもしくは硬化レジストヲ剥離しても
微量のモノマーが基板上に残存し、後に続くメッキ、エ
ツチング等の工程が均一または完全には進まないという
問題点を有するのみでなく、汎用のバインダーに相溶性
が悪いことが多く、光重合性層が白化する現象もみられ
、透明性全生命とするフォトレジストとしては好ましく
ない。

本発明の光重合性層には、他の光重合性化合物を、好ま
しくはそれが主成分とならない量加えることができる。

その光重合性化合物としては、式（Ｆ・）ないしくＦ＋
ｓ）で示される七ツマ−である。

式中、ｚ、は水素、メチルま次はハロゲン、ｚ。

はフェニル、ビニルフェニル、シアノ、ハロゲン、ピリ
ジル、イミダゾリルまｔは−Ｃ−Ｏ−Ｚ４（ここで、ｚ
４は炭素数１ないし１２のアルキル基、炭素数６ないし
１０のシクロアルキル基、アリル基、ベンジル基、炭素
２ないし６のヒドロキシアルキル基、炭素数３ないし８
のジアルキルアミノアルキル基、炭素数１ないし６のハ
ロアルキル基、テトラヒドロフルフリル基、ハロフェニ
ル基、カルピトール基ま九は水素）であり、例えば、ス
チレン、ジビニルベンゼン、アクリロニトリル、メタク
リロニトリル、α−クロロアクリロニトリル、およびア
クリル酸エチル、アクリル酸イングロビル、アクリル酸
ブチル、アクリル酸シクロヘキシル、アクリル酸ベンジ
ル、アクリル酸２−エチルヘキシル、アクリル酸ラウリ
ル、アクリル酸カルピトール、アクリル酸メトキシエチ
レングリコール、アクリル酸ジメチルアミノエチル、ア
クリル酸ジエチルアミノエチル、アクリル酸テトラヒド
ロフルフリル、アクリル酸２−クロロエチル、アクリル
酸２，３−ジブロモプロビル、アクリル酸トリブロモフ
ェニル、アクリル酸アリル等のアクリル酸エステル、も
しくは相当するメタクリル酸エステル１．ビニルピリジ
ン、ビニルイミダゾール等である。

式中、ｚ、は炭素数２ないし１ｏの２価のアルキｔは１
ないし２０の！数、Ｒ６は水素またはメチル）であり、
モノマー（Ｆ、）の例としては、ベンタンジオール、ヘ
キサ／ジオール、エチレングリコール、テトラエチレン
グリコール、ノナエチレングリコール、ポリエチレング
リコール、ネオベンタンジオール、ポリプロピレングリ
コール等のジオールのジアクリレートやジメタクリレー
トが挙げられる。

式中、ｚ６は炭素数３ないし１２の三価のアルキル基、
炭素数６ないし１４の三価のフルコキシアルキル基また
は υ で、鳥はすでに定義されたものである。

モノマー（Ｆ８）の例としては、トリメチロールプロパ
ントリアクリレート、トリ（アクリロキシプロポキシ）
ヘキサン、トリ（アクリロキシプロポキシ）プロパ／、
トリ（ヒドロキシエチル）トリアジンアクリレート、お
よび相当するメタクリル酸エステルである。

式中、Ｚ？からｚｌ！のうち少なくとも３が残りがヒド
ロキシ基であり、ｉは０ま几は１である。

七ツマ−（Ｆ、）の例としては、ペンタエリスリトール
トリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリ
レート、ジペンタエリスリトールへキサアクリレート、
ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、ジペンタ
エリスリトールテトラアクリレートおよびジペンタエリ
スリトールトリアクリレート等がある。

式中％　ｚｔｓは炭素数１ないし８の二価のアルキル基
、しては、東亜合成化学工業株式会社Ｍｗアロニツクス
”が挙げられる。

式中、ｚ１４は炭素数１ないし１０のアルキル基、炭素
数１ないし６のヒドロキシアルキル基ま友はである。

モノマー（Ｆｕ）の例としては、アクリルアミド、メチ
レンビスアクリルアミド、Ｎ−ｔ−ブチルアクリルアミ
ド、Ｎ−ｔ−オクチルアクリルアミド、Ｎ−メチロール
アクリルアミド、Ｎ−ブトキシメチルアクリルアミド、
および対応するメタクリルアミドが挙げられる。

式中、Ｒ１は水素ま九はメチルである。

式中、ｚｔｓは水素ｔ７ｔは炭素数１ないし１０のアル
キル基でありモノマー（Ｆｒｓ）の例としては、ケイと
酸、ケイヒ酸エチル、ケイと酸プロピル等がある。

：１ 式中、２１．は水素、フェニルま友は （ＦＩ４）　（Ｄ例トしてハ、マレイミド、フェニルマ
レイミド、ジフェニルメタンビスマレイミド等があ（Ｆ
４） 式中ｓ　Ｒ１＋ｚｌはすでに定義されたものである。

（Ｆｕ） Ｒ，は水スま友はメチル、ｎは１ないし４の整数である
。

本発明に使用できる光重合開始剤または光増感剤として
は、例えばベンゾイン、ベンゾインアルキルエーテル、
アンスラキノンなどの多核キノン類、ベンゾフェノン、
クロルベンゾフェノ／、ミヒラーケトン、フレオノン、
チオ中サントン、ジアルキルチオキサントン、ハロゲン
化チオキサントン、ジメチルアミノ安息香酸イソアミル
、ジメｆｊ’安息香ａエチル、ナフタレンスルホニルク
ロリド−アゾビスイソブチロニトリル、１−７ゾビスー
１−シクロヘキサンカルボニ）　、！Ｊ　”、２ｅ　’
−ジクロルベンゾイルパーオキシド、ジフェニルジスル
フィド、ジペンゾチアゾール、１−（Ａ−イングロビル
フェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１
−オン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプ
ロパン−１−オン；エリスロシンなどの色素と電子供与
物質、トリエチルアミン、ｐ−アミノ安息香酸エステル
類、トリフェニルホスフィン、２−２−ジメトキシ−２
−７二二ルアセトフエノｙなどが挙げられる。これらの
光重合開始剤または光増感剤は、それぞれ単独で用いて
もよいし、２種以上組合わせて用いてもより０これらの
必須成分の全光重合性層に対する重量分率は、バインダ
ーが５ないし９５チであり、好ましく＃ｉ２０ないし８
０％、さらに好ましくは３０なりし７０チである。全モ
ノマー量は９５ないし５％であり、好ましくは８０ない
し２０％、さらに好ましくは７０ないし５０％でちる。

かつ、このモノマーの９１で最も含有量の多いモノマー
が構造式（Ａ）、（ｎ）ｋｔは（Ｃ）で示されるモノマ
ーでなければならない。光重合開始剤の含量は０，０１
ないし５０チであり、好ましくは０．１ないし１５チ、
さらに好ましくは１ないし１０チである。

さらに、本発明の光重合性層には、必要に応じて染料、
安定剤、銅面密着剤、可塑剤などの添加剤を加えること
もできる。

光重合性層の厚みは用途に応じて異なるが、印刷回路板
作製用（は５〜１５０μ、好ましくは５〜７０μであシ
、薄いほど解像力は向上する。

本発明の光重合性積層体に用いる支持層は、活性光に対
して透明であっても、ま几不透明であってもよいが、画
像形成工程の手間および露光時のゴミの付着防止などを
考慮すると活性光を透過する透明なものが望ましい。

活性光を透過する支持層としては、ポリエチレンテレフ
タレートフィルム、ポリビニルアルコールフィルム、ポ
リ塩化ビニルフィルム、塩化ヒニル共重合体フィルム、
ポリ塩化ビニリデンフィルム、塩化ビニリデン共重合体
フィルム、ポリメタクリル酸メチルフィルム、メタクリ
ル酸メチル共重合体フィルム、ポリスチレンフィルム、
ポリアクリロニトリルフィルム、スチレン共重合体フィ
ルム、ポリアミドフィルム、セルロース誘導体フィルム
などが誉げられる。

なお、すでに述べたように、支持層を光重合性層から剥
離することなく、そのまま支持層と光重合性層の未露光
部を共に現像除去してレジスト画像を形成させる方法は
、プロセスの簡略化、画像の安定等、の利点を有してい
るが、本発明の光重合性層を適用すれば、過酷なラミネ
ート条件で本、支持フィルムに亀裂を生じさせることな
く使用することができる。この場合、支持体が光重合性
贋金溶解または分散でき・る溶媒疋、溶解ま几は分散す
る材料である必要がある。

支持体としては、現像用液体が有機溶剤の場合は、その
溶解性の点でポリメタクリル酸メチルフィルム、メタク
リル酸メチル共重合体フィルム、ポリスチレンフィルム
、スチレン共重合体フィルムなどが特に好ましく、現像
用液体が水系の場合には、アミノ基、アンモニウム基、
水酸基、カルボキシル基およびこれらの塩を含む重合体
フィルム、例えばポリビニルアルコールフィルム、セル
ロース誘導体などが好ましい。

保換層は必須構成体ではないが、光重合性層から剥離し
やすい必要があり、その九め好ましくハポリエチレンフ
イルム、ポリプロピレンフィルム、セロファン、剥離剤
処理をし九ボリエチレンテレフタレート、剥離紙等があ
る。

本発明の光重合性層は、活性光線の照射により硬化する
が、ここで活性光線とは、可視光、紫外線、電子線を指
し、光源としては、太陽、アーク灯、水銀灯、高圧水銀
灯、超高圧水銀灯、殺菌灯、キセノン灯、螢光灯等があ
る。

（発明の効果） 本発明の光重合積層体は、特に印刷回路板形成用途に有
用であり、すでに述べ友テンティング法による銅スルー
ホール法およびメッキによるハンダスルーホール法の両
方の場合に、本光重合積層体を用い、従来公知の方法に
よって、極めて良好な成績でプリント配線板を作成する
ことができる。

テンティング法においては、硬化膜の高い機械的強度、
基板との接着性を反映して、現像時もしくはエツチング
時のスルーホール閉塞膜の破損が著しく少ない。ま九、
ハンダスルーホール法においては、メッキ時にメッキ液
等のレジストと基板の界面ＫＢみ込むこともなく、良好
な耐メッキ性を示した。また、現像により未硬化の光重
合性層を完全に除去することができるため、エツチング
やメッキを極めて均一に行なうことができる。また、本
光重合性層は高い光感度を有し、露光時間の短縮化もも
たらす。

すなわち、本発明の光重合性積層体を用いることによシ
、高密度、高精密な印刷回路板の作製が容易であり、そ
の上印刷回路板炸裂工程の簡略化もできるという利点が
ある。

また、本発明の光重合性積層体は、ソルダーレジストフ
ィルムとして使用することもでき、さらに、化粧板や印
刷版の作成、銘板、模様板等のエツチング工程等に応用
することもできる。

（実施例） 次に、実施例によって本発明をさらに詳細に説明するが
、本発明は、これらの例に限定されるものではない。

参考例１ 滴下漏斗、温度計およびかきまぜ機ｔ−備え九２を容の
四ツロフラスコに、化合物（Ｆ、）としてヘキサメチレ
ンジイソシアナー）１４８Ｐと、溶媒１として乾燥メチ
ルエチルケトン８０？、および触媒としてジブチルスズ
ジラウレー）０．４ｐｉ加えかきまぜながら、化合物（
Ｆ＋）として２８６ｆの２−ヒドロキシプロピルアクリ
レートと、溶媒２として６５１のメチルエチルケトンの
混合液を、内温か５５Ｃｆ超えないように滴下し友。滴
下後も４０Ｃで５０時間かきまぜを続け、赤外吸収スペ
クトルで２２７０ｃｒＩＩ−１付近のインシアネート基
の特性吸収がほぼ消失し友ことを確認した。次に溶媒３
として５０？のメチルエチルケトンを加え次。この反応
生成物１ｃ−１とする。

参考例２ 参考例１と同じフラスコｉ’（２，４−）リレンジイソ
シアナート５ｓａｙとアセトン８０ｔおよびジブチルス
ズジラウレート０．６４９ｆ加え、かきまぜなから２−
ヒドロキシプロピルアクリレート３３６２と２１５ｆの
アセトンの混合溶液を滴下し、２５時間かきまぜ続は友
。この間、内温か４０Ｃを超えないように調節し友。反
応混合物を一部サンプリングして、等量のエタノールを
加え５０Ｃで１時間放置し次サンプルをゲルパーミェー
ションクロマトグラフィーで分析し九ところ、トリレン
ジイソシアナートとエタノールの付加体は認められず、
トリレンジイノシアナートは反応で消費され九ことが確
認された。この反応混合物をＣ−２とする。

参考例３ １１容の三ツロフラスコに、プロピレングリコールジグ
リシジルエーテルジアクリレート（長瀬産業株式会社裂
デナコールアクリレー）ＤＡ−９１１：水酸基当量２２
２　）　９７，７　ｒと前記Ｃ−２２１３０１１ジブチ
ルスズジラウレー）０．３？、アセトン７５１を加え、
磁気攪拌しながら３０Ｃで４時間、さらに４５Ｃで１２
時間反応を続け、赤外吸収スペクトルによシ反応の終了
を確認し友。この生成物ｔ−Ｃ−３とする。

参考例４ 参考例１で用いた四ツロフラスコに、化合物（Ｆ）溶媒
１として昨鈑エテルｚｏｙ２刀口え、ρ為さＩぞながら
化合物（Ｆ、）として２００？のポリエチレングリコー
ル（平均分子量２００のもの）全２時間かけて滴下し九
。この間水浴の温度と滴下速度全調節することによシ、
内温が４０Ｃｔ−超えないよう和した。さらに４０Ｃで
１時間かきまぜたのち、化合物（Ｆ、）としてアクリル
酸２−ヒドロキシプロピル１５４９！ｆ、内温か４０Ｃ
１−超えないように滴下した。その後、４０Ｃで４８時
間かきまぜたのち、溶媒２として１００？の酢酸エチル
を加え均一溶液とじ几。これをＣ−４とする。

参考例５〜１３ 参考例１と同様の装置および方法で徨々の七ツマ−〔反
応物（、Ｃ）〕ｋ調裂した仕込みの原料の種類と量を第
１表に示す。なお、触媒としてはいずれの場合も、ジブ
チルスズジラウレートヲ用い友。ま九、各側の生成物を
それぞれＣ−４〜Ｃ−１５とする。

第１表の註釈 ※１）ＩＰＤＩ；インフオロンジインシアナート※２）
ＨＰＡ　　；２−ヒドロキシグロビルアクリレート※３
）ＤＮＴ　　：ＨＭＤＩアダクト（旭化成工業株式会社
製デュラネート２４Ａ−１００） ※４）ＭＥＫ　　：メチルエチルケトン※５）Ｂ−，１
；２−ヒドロキシ−５−フェノキシプロピルアクリレー
ト〔東亜合成化学工業株式会社製　アロエックス（ＡＲ
ＯＮＩＸ）５７００）※６）ＨＭＤＩ；ヘキサメチレン
ジイソシアナート※７）ＣＨＬ　　：ＨＭＤＩ　　トリ
メチロールプロパンアダクト（日本ポリウレタン工業株
式会社製 コロネートＨＬ、ＮＧＯ含有量１２．８％。

７５％酢酸エチル溶液） ※１３）ＣＬ　　　；）リレンジインシアナートトリメ
チロールプロパンアダクト（日本ポリウレタン工業株式
会社製コロネートＬ、ＮＧＯ含有量１３．２％、７５％
酢酸エチル溶液） 余９）Ｂ−２；ポリプロピレングリコールモノメタクリ
レート（日本油脂製プレンマーｐ−１０００゜平均分子
量３７０） ※１０）ＴＤＩ　　：）リレンジイソシアナート※１１
）ＭＤＩ　　ニジフェニルメタンジイソシアナート※１
２）ＴＭＨＭＤＩ：　）リメチルへキサメチレンジイン
シアナート 参考例１４ 化合物（６）としてＤＮＴ　（第１表※３　）　９６　
ｆ。

溶媒１としてメチルエチルケトン８０ｔ、化合物（Ｆｓ
）として２０ｆのポリエチレングリコール（平均分子量
２００）、化合物（Ｆ、）としてアクリル酸２−ヒドロ
キシプロピル５２ｔ１溶媒２として５２ｔのメチルエチ
ルケトン、反応容器として１を容のセパラブルフラスコ
を用いる以外は、参考例４と同様に反応させ、生成物Ｃ
−１４を得た。

参考例１５ かきまぜ器、還流冷却器を備えた５を容のモノくラブル
フラスコに、イオン交換水２０００Ｆを入れ、メチルセ
ルロース（信越化学製メトローズ５Ｈ−１００）１０ｐ
、塩化ナトリウム５ｆを溶解し、７５Ｃでかきまぜなか
らモノマーとしてメタクリル酸メチル４８０？とアクリ
ル酸ブチル２０ｆ１アゾビスインブチロニトリル２．５
ｆ、　　ドデシルメルカプタン１２の均一混合物を投入
した。

約１時間後に内温か上昇しはじめ９０Ｃｔで達した。８
０Ｃまで内温か下った時点で、水浴を８００にあげ２時
間、さらに９０Ｃで１時間かきまぜたのち、内容物を３
００メツシユの金プルイにあけ、十分量の水で洗浄した
。その結果、１００〜４００ミクロンの粒径のビーズ状
のポリマーが得られ乾燥した。このポリマーを８−１５
とｆる。

このＢ−１５をゲルパーミェーションクロマトグラフィ
ーで分析したところ、重量平均分子量１７６．０００で
あった。

実施例１ かきまぜ器を備えた３０ロー容のセパラブルフラスコに
バインダーとしてＢ−１５４９９，モノマーとしてＣ−
１５５７と開始剤としてベンゾフェノン２ｆとミヒラー
スケトン０．２ｆ、染料としてダイアレジンブルーＰ（
三菱化成工業株式会社製）、添加剤としてベンゾトリア
ゾール０．２？、Ｉ）−メト′キシフェノール５０ｍｇ
、溶媒として酢酸エチル８４２を加え、１５時間かきま
ぜた。

次に支持層としての２０μのポリエチレンテレフタレー
トフィルム上にブレード・コーターを用いて、前記混合
物を塗布し、５０分間風乾したのち、１５分間６０Ｃの
オープンで乾燥した。得られた光重合性層の厚みＦｉ３
５μであった。次に、この感光層に保護層としての２５
μのポリエチレンフィルムを加圧ロールで積層させたの
ち、前記ポリエチレンフィルムを剥離しながら、銅張り
、ガラスエポキシ積層板に８０Ｃの加圧ロールで圧着し
た。この積層体にネガマスクフィルムを通して超高圧水
銀ランプ（オーク製作所フェニックス３０００型）によ
り１ｃ＋＋ｆ当り１００　ｍＪの照射量で露光を行なっ
た。次いで、ポリエチレンテレフタレートフィルムを剥
離し、スプレーノズルを用い１，１．１−トリクミルエ
タンを１２０秒［１させ、未露光部分を溶解除去せしめ
たところ、良好な画像（これをレジスト画像と称する）
を得た。４０μの解偉力を示すことを確認した。次に５
０Ｃの塩化第２鉄溶液を２分間噴射し、露出銅面をエツ
チングしたが、画像の流れはみられなかった。

、　実施例２ かきまぜ器と還流冷却器を備えた１０ｔのセパラブルフ
ラスコに、バインダーとしてメタクリル樹脂（旭化成工
業株式会社製デルペツ）７０Ｈ）１９６０　ｆ、溶媒と
してメチルエチルケトン５０００１を入れ、７０Ｃでか
きまぜて溶解したのち、モノマーとしてＣ−４１８８０
？とジペンタエリスリトールペンタアクリレート（日本
化薬株式会社製ＤＰＨＡ）３５２ｆ、開始剤としてベン
ゾフェノン８０２、ミヒラーズケトン８１、染料として
ダイアレジンブルーＰ２０ｆ、ベンゾトリアゾール８１
、ｐ−メトキシフェノール１．３１を加え、６時間かき
まぜたのち、この溶液を塗工機を用いて保護層としての
２０μのポリエチレンフィルム上に塗布し、溶媒を乾燥
させることＫより、４０μの厚みの感光層を形成させた
のち、支持体となる１５μの延伸ポリスチレンフィルム
でカバーしながらロール状に積層体を巻きとった。この
積層体をＬ−２と称する。次に、このロール状積層体を
２本用い、プリント基板用ラミネーターを用い、スルー
ホール基板（Ａ，０龍径の孔が４．０１ｔ１間隔で１０
６４個穿孔された銅張りガラスエポキシ基板で、スルー
ホール部も銅メツキ処理したもの）の両面にポリエチレ
ンフィルムを剥離しながら、ポリスチレンに支持された
感光層を接着積層し、ラミネート基板を得た。この時ラ
ミネーターの加熱ロールは８０ＣＫ設定した。このラミ
ネート基板に超高圧水銀灯を用いて１２０　ｍＪ／Ｃｒ
／Ｉ量の照射を行ったのち、　　１，１．１−　）リク
ロルエタンを１２０秒間噴射させ、現像操作を行いスル
ーホール上の硬化膜の破れ数を数えたが、破れは見られ
なかった（この試験をテンティング−Ｉとする）。

次に、現像処理をした前記基板をｓａＣの塩化第二鉄溶
液を噴射し、２分間エツチング操作を行なったが、破れ
は認められなかった（この試験をテンティング−■とす
る）。次に、別のラミネート基板を用い、両面からラン
ドマスクを通し、前記条件で露光し、各スルーホールの
両面に４．６龍径の硬化膜を形成させ、テンティング■
、■と同様の試験を行なった。それぞれの試験をランド
Ｉ。

ランド■とするが、いずれも孔の破れはみられなかった
。

実施例３ 染料を用いない以外は、実施例１と同様の処方で感光性
組成物を調製し、３８μ厚みのポリエチレンテレフタレ
ートフィルムに、塗工機を用イて１２０μの感光層を形
成させ、ポリエチレンフィルムでカバーしたものをロー
ル状に巻き取った。

この積層体をポリエチレンフィルムを剥離しながら、合
板上にゴムロールでラミネーター、高圧水銀灯を用い４
００　ｍＪ／ｄの露光を行なったのち、ポリエチレンテ
レフタレートフィルムを剥離したところ、合板上に強靭
な塗膜が形成された。この膜の鉛蓬硬度＃ｉ４Ｈであっ
た。さらにウェザ−Ｏ−メーターを用いて５００時間露
光テストを行なったが、外観および表面硬度、合板への
密着性などの変化はなかった。

実施例４〜１７ 実施例２と同様の装置を用い、同様の方法でドライフィ
ルムレジスト積層体を形成させた。用いた原料および量
、レジスト層の厚み、保護層、支持体を第２表Ｋまとめ
て示した。なお、６例について、モノマーとバインダー
を合わせ九重量の０．２％のベンゾトリアゾールおよび
０．０５　％のｐ−メトキシフェノールを加えて、レジ
スト溶液を調整した。得られた積層体をそれぞれＬ−４
〜Ｌ−１７と称する。

なお、実施例６，１２．１５，１４．１７にお　・いて
は、実施例２と異なり、支持層上に感光層を形成させた
後、保護層フィルムを積層してロール状積層体を形成さ
せた。また、これらの場合、実施例１のように、支持フ
ィルムを現像前に手で剥離した。また、テンティングお
よびランド試ＭＯ結果を第３表に示す。

（七ツマ−） Ｍ−１；東亜合成化学工業株式会社（以下、東亜合成と
略）製「アロニツクスＭ−３０５Ｊ（主成分：ペンタエ
リトリトールトリアク　リ　レー　ト　） Ｍ−２：日本化薬株式会社製１’−Ｄ−１３０Ｊ（主成
分；ジペンタエリトリトールトリアクリ　レー　ト　） Ｍ−５；共栄社油脂化学工業株式会社（以下、共栄社油
脂と略）製「エポキシエステル ７０ＰＡＪ（主成分；プロピレングリコールジグリシジ
ルエーテル・アクリル酸付加物） Ｍ−４；大阪有機化学工業株式会社（以下、大阪有機化
学と略）製「ビスコート３７００Ｊ〔主成分、ビス（１
，５−ベンタンジオール）無水フタル酸−アクリル酸エ
ステル〕Ｍ−５：共栄社油脂裂［エポキシエステルＢ　
Ｐ　−４ＰＡＪＭ−６；東亜合成部「アロニツクスａ１
ｏＯＪ（多官能アクリル酸エステル） Ｍ−７；大阪有機化字表「ビスコート８２５Ｊ（無黄変
タイプウレタンアクリレート平均分子量１３５Ｇ）Ｍ−
８；共栄社油脂製１’−Ｒ−５２６Ｊ（ポリエステルタ
イプジアクリレート） Ｍ−９；東亜合成部「アロニツクスＭ−１２００Ｊ（無
黄変型ウレタンアクリレート） Ｍ−１０：昭和高分子株式会社製ｒｓｐ−４ｏ１ｏ」（
特殊エポキシアクリレート） （バインダー） Ｂ−１；旭化成工業株式会社製　デルベット８ＯＮＢ−
２：同社製　　　　　　　　スタイロンＰ６８５ Ｂ−５；三菱レーヨン株式会社製　アクリベットＢ−４
；旭化成工業株式会社製　デルベラ）ＣＲ−ＩＢ−５＝
同社製　　　　　　　　　デルペット７０ＨＢ−６＝同
社製　　　　　　　　アサフレックスＡＦＸ−８ＩＱ （開始剤） ニー１；２，４−ジイングロビルチオキサントンＩ−２
：４−（ジメチルアミノ）安息香酸イソプロピル ■−３：ペンゾ７二ノン Ｉ−４；　４，４’−（ジメチルアミノ）ベンゾフェノ
ン エー５；フルオレイン １−ｂ；ジメチルベンジルケタール Ｉ−７；トリフェニルホスフィン Ｉ−８：４−クロルチオキサントン ■−９：４−（ジメチルアミノ）安息香酸エチルＩ　−
１０：　４−クロルベンゾフェノン（染　料） Ｄ−１：三菱化成工業株式会社製”Ｂｌｕｅ−Ｐ”Ｄ−
２：同社輿″Ｇｒｅｅｎ−Ｃ” Ｄ−３；同社製”Ｂｌｕｅ−に″ Ｄ−４；同社製”　Ｂｌｕｅ−Ｇ” （保護層）　　　　　　　　　（支持体）Ｐ　配向ポリ
プロピレン（２０μ）Ｓ　配向ポリスチレン（１５μ）
Ｅ　ポリエチレン　　　　（３８μ）Ｔ　　ポリエチレ
ンテレフタレート　（２０μ） 第３表 実施例１Ｂ 実施例１で得られ几感光層をラミネートし九銅張積層板
に、ポジマスクフィルムを通して１００ｍＪ／ａｌｌの
照射量で露光を行り友。次いで１，１．１−トリクロル
エタンで現像を行い、次［４０Ｃのニュートラクリーン
Ｃ（シラプレー・ファーイースト社製）Ｋ３分浸漬→水
洗→２０チ過硫酸アンモニウム水溶液１分浸漬→水洗→
２０チ硫酸アンモニウム水溶液２分浸漬→水洗の順に前
処理を行つ九のち、硫酸鋼メッキ液で第４表の注釈の条
件りで銅メッキを行ない、次に、同条件Ｆにし九がって
ハンダメッキを行なつ次。この結果、細線の流れはまつ
次〈見られなかつ次画像上にセロテープを貼〕、十分圧
着したのち、テープを剥離し次が、レジストの剥離は皆
無であった。また、前記前処理を行った別の基板を条件
ＥおよびＦにし九がって鋼メッキ、さらにハンダメッキ
を行なつ九。

このものもセロテープ剥離試験では、レジストの剥離は
みられなかった。

比較例１ 以下の組成で調製し几溶液を用い、実施例１と同様な方
法で積層体を得九（光重合性層厚ミ４０μ）。

Ｂ−１４（参考例１６で調製したもの）　　　２００？
トリメチロールプロパントリアクリレート　　　２２０
　ｔべ／シフエノン　　　　　　　　　　　８ｔミヒラ
ーズケトン　　　　　　　　　０．８ｔベンゾトリアゾ
ール　　　　　　　　０．８ｔｐ−メトキシフェノール
　　　　　０．１３　？ダイアレジンブルーｐ　　　　
　　　　　２９酢酸エチル　　　　　　　　　　　５０
０？実施例２と同様の方法で、スルーホール基板にラミ
ネートシ、テンティング　ランド試験を行なり光が、結
果は次のとおシで８つ７ｔ−。

テンティングＩ　　　　　８個 テンティング「　　　１５個 ラ　　／　　ド　　　　　Ｉ　　　　　　　　４０　　
個う　　ン　　ド　　　　　ｌ　　　　　　　　　５２
　　　個さらに、実施例１８と同様のメッキ試験を行な
ったが、メッキし次画像の両側の硬化感光層が０．１〜
Ｑ、５ｍｉの巾で剥離し几。

実施例１９ トリメチロールプロパントリアクリレート２２０？のう
ち１４０ｔを同量のＣ−１に置き換え九以外は、比較例
１と同様に積層体を得７ｔ、これｔ−Ｌ−１９と称する
。

実施例２０〜３５ 実施例２および４ないし１７および１９で得られ几ドラ
イフィルムレジスト積層体を用い、実施例１８と同様の
メッキ操作およびレジストの耐メッキ性の試験を行なっ
た。結果を第４表に示す。

なお、表中のメッキ前処理、メッキ条件およびテープ剥
離試験の結果は、第４表の註釈に記され九とシシである
。

第　　４　　表 Ａ−Ｃ−Ｅ　Ｂ−Ｃ−Ｅ　Ａ−Ｄ−Ｅ ２０Ｌ−２ａａｂ ２１Ｌ−４ｂａａ ２２Ｌ−５ａａｂ ２３Ｌ−６ｂｂｂ ２４Ｌ−７ａａａ ２５Ｌ−＋１ａｂａ ２４Ｌ−９ａａａ ２７Ｌ−１０ａａｂ ２８Ｌ−１１ａａｂ ２９　　Ｌ−１２ｂ　　ｂ　　ｂ ５０Ｌ−１３ａ　　ａ　　Ｈ ３１Ｌ−１４ａ　　ａ　　ｂ ３２　　Ｌ−１５ａ　　ｂ　　ｂ ３３　　Ｌ−１６ｂ　　ａ　　１） Ｓ４Ｌ−１７ａａｂ ３５Ｌ−１８ａｂｂ （注） くメッキ前処理条件〉 条件Ａ；マクダミツド社製［Ｌｓｎｊ　５Ｇ％水溶液［
４０Ｃ３分間浸漬後、１５チ過 硫酸ア／モニクム水溶液に１分間、さ らに２チ希硫酸に２分間浸漬 条件Ｂ；ダイヤフロック社袈「オーカイト９０」５チ水
溶液中で５０Ｇで２分間、４Ａ ／ｄｍ’の電流密度で電解脱脂後、１５％過硫酸アンモ
ニウム水溶液に１分、さ らに２０％希硫酸ＶＣ２分間浸漬 くメッキ条件〉 条件Ｃ；ジャパンメタルフイニツシング社裂「硫酸銅コ
ンク」を１９％硫酸で３．６倍に希釈したメッキ液中で
２．５７Ｌ／ｄｍ’の電流密度で室温下、３０分メッキ
を 行なう。

条件Ｄ；バーショー・封圧社製「ピロドンコ／り」の５
０チ水溶液中で５５Ｃで５０ 分間２．５　Ａ／ｄゴの電流密度でメッキを行なう。

条件Ｅ；マクダメツド社裏の）為ンダメツキ液（錫／鉛
＝４／６）ｔ−用い、２Ａ／ｄイの電流密度で１０分間
メッキを行なう。

くテープ剥離試験評価） ａ；レジストはまつ几く剥離しない。

ｂ；画像の両側に１００μ以下の巾でＩ　１ｍ以下の長
さの部分が処々剥離し次。

比較例２ 比較例１で調製した積層体を用い、実施例１８と同様な
方法で耐メツキ試験を行なり九。メッキ条件とテープ剥
離試験の結果を次′に示す。

メッキ条件　　　　テープ剥離試験結果Ａ−Ｃ−Ｅ　　
　画線の両側に１００〜２００μの巾で３〜５菖霞長さ
でレジストが剥離し几。

Ｂ−Ｃ−Ｅ　　　画線の両側ＶＣｌ５０〜２５０７！Ｏ
巾で４〜１０■■長さでレジストが剥離し友。

Ａ−Ｄ−Ｅ　　　画線の両側に５Ｇ〜１８０μの巾で３
〜５ｍ＋１１長さでレジストが剥離し九。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 光重合性層と支持層とからなり、必要に応じて該光重合
   性層の他表面に保護層が存在する光重合性積層体におい
   て、該光重合性層が （１）ビニル重合体もしくはビニル共重合体からなるバ
   インダー５〜９５重量％ （２）下記の一般式（Ａ）または（Ｂ）または（Ｃ）で
   示される分子量／含有二重結合数の値が１０００以下で
   ある光重合性化合物を主成分とする光重合可能な不飽和
   化合物９５〜５重量％ （３）光重合開始剤０．０１〜３０重量％ を含有して成ることを特徴とする光重合性積層体。 ▲数式、化学式、表等があります▼（Ａ） ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｂ） ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｃ） 〔式中、ｎは０以上の整数、ｍは３ないし１０の整数、
   Ｒ＿１は水素またはメチル基、Ｘは炭素数１ないし８の
   ２価の脂肪族炭化水素基または ▲数式、化学式、表等があります▼ （ここで、Ｒ＿３は炭素数１ないし４のアルキル基、ｐ
   は１ないし１０の整数、ｑ、ｒはそれぞれ１ないし４の
   整数）、Ｒ＿２は炭素数１ないし６のアルキル基または
   ＣＨ＿２−Ｏ−Ｒ＿４（ここで、Ｒ＿４はフェニル基、
   アリール基、または炭素数１ないし６のアルキル基）、
   Ｙは炭素数２ないし１６の二価の炭化水素基、Ｚは−（
   ＣＨ＿２）＿ｔ−Ｏ−、▲数式、化学式、表等がありま
   す▼（ここで、ｔは２ないし１０の整数、ｘは１ないし
   ３０の整数）、▲数式、化学式、表等があります▼また
   は ▲数式、化学式、表等があります▼ （ここで、Ｚ＿１は−（ＣＨ＿２）＿ｔ−Ｏ−、▲数式
   、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等が
   あります▼、▲数式、化学式、表等があります▼または ▲数式、化学式、表等があります▼）、 Ｗは▲数式、化学式、表等があります▼で、Ｗ＿１は▲
   数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼または ▲数式、化学式、表等があります▼ （ここで、Ｗ＿２は炭素数３ないし１０の三価の炭化水
   素基、ｓは１ないし５の整数）を表わす。〕