JPS6178005A - 高周波用誘電体磁器組成物 - Google Patents
高周波用誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPS6178005A JPS6178005A JP59200776A JP20077684A JPS6178005A JP S6178005 A JPS6178005 A JP S6178005A JP 59200776 A JP59200776 A JP 59200776A JP 20077684 A JP20077684 A JP 20077684A JP S6178005 A JPS6178005 A JP S6178005A
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- JP
- Japan
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- high frequency
- dielectric ceramic
- ceramic composition
- dielectric
- porcelain
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- Granted
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 5
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 9
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- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L barium carbonate Chemical compound [Ba+2].[O-]C([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Waveguides (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
・て産業上の利用分野〉
この発明（ユマイクロ波、ミリ波などの高周波領１戎に
おいて、：島いＱ餡を有する一＾電体磁器組成物に関す
るｂのである。
おいて、：島いＱ餡を有する一＾電体磁器組成物に関す
るｂのである。
く従来の；支１も１〉
マイクロ波やミリ波などの高周波領域において、誘電体
磁器はにスミ体賎振器や〜１１Ｃ用；々電体基板などに
広く利用されている。
磁器はにスミ体賎振器や〜１１Ｃ用；々電体基板などに
広く利用されている。
従来、この種の誘電体磁器としては、例えばＺｒ ０２
− Ｓｎ ０２− ＴＬ０２系材料、８ａＯ−ＴＬＯ２
系材料、＜Ｂａ、 Ｓｒ） （’ｌｒ、 ハ） ０１
系材料、Ｂａ （ＺＴＩ、 Ｔａ） Ｏｔ系材料などが
知られている。
− Ｓｎ ０２− ＴＬ０２系材料、８ａＯ−ＴＬＯ２
系材料、＜Ｂａ、 Ｓｒ） （’ｌｒ、 ハ） ０１
系材料、Ｂａ （ＺＴＩ、 Ｔａ） Ｏｔ系材料などが
知られている。
しかして、これらの各種材料は、何れも周波数＋ＯＧ
ＨＺにおいて誘Ｔｉ率（ε）が２０〜４０、Ｑが３００
０〜６０００、共振周波数の温度係数（τｆ）が○ｐｐ
ｍ／”Ｃ付近の特性を有するすぐれた材料であることも
知られている。
ＨＺにおいて誘Ｔｉ率（ε）が２０〜４０、Ｑが３００
０〜６０００、共振周波数の温度係数（τｆ）が○ｐｐ
ｍ／”Ｃ付近の特性を有するすぐれた材料であることも
知られている。
〈発明が解決しようとする問題点〉
ところが最近では使用する周波ｙＩｌ順＋４がさらに高
くなってきており、これに対応してさらに高いＱを有す
る材料が要求されている。
くなってきており、これに対応してさらに高いＱを有す
る材料が要求されている。
く問題点を解決するための手段〉
本発明者らは上記の点に蟲みて研究の結果、長時間にお
よぶ焼成を要することなく、高周波領Ｈにおいて高い誘
電率を有するとともにＱ１′１０が（ｎく、共振周波数
の温度係数もＯ＋ｏ＋ｍ／℃を中心に任Ｇの鞘を（ｑる
ことので♂る高周波用誘電体磁器組成物を見出したもの
である。
よぶ焼成を要することなく、高周波領Ｈにおいて高い誘
電率を有するとともにＱ１′１０が（ｎく、共振周波数
の温度係数もＯ＋ｏ＋ｍ／℃を中心に任Ｇの鞘を（ｑる
ことので♂る高周波用誘電体磁器組成物を見出したもの
である。
叩ら、この発明の要旨とするところは、ＢａＯ１Ｓｎ０
２ 、 ｉ’ｓｇｏ 、 Ｔａ ２０ｙからなり、これ
を一般式Ｂａ （Ｓｎ、ｌ’に＋、ＴａＬ）０％−ｇ−
スと表わしたとき、Ｘ、ｌ／、Ｚが夫々０．０４≦×≦
０．２６．０．２３≦ｙ≦０．３１．０．５１４ｚ≦
０．６５ （但、ｘ＋ｙ＋ｚ−１）の範囲にあり、かつ
−の７０原子％以下がＮしまたは／およびらにより置換
されている高周波用誘電体磁器組成物である。
２ 、 ｉ’ｓｇｏ 、 Ｔａ ２０ｙからなり、これ
を一般式Ｂａ （Ｓｎ、ｌ’に＋、ＴａＬ）０％−ｇ−
スと表わしたとき、Ｘ、ｌ／、Ｚが夫々０．０４≦×≦
０．２６．０．２３≦ｙ≦０．３１．０．５１４ｚ≦
０．６５ （但、ｘ＋ｙ＋ｚ−１）の範囲にあり、かつ
−の７０原子％以下がＮしまたは／およびらにより置換
されている高周波用誘電体磁器組成物である。
く作 用〉
ここでＢａ （Ｓｎ、Ｍａ、ＴａＬ）０％−％−’５に
おいて、ｘ、ｙ、ｚを夫々０．０４≦ｘ≦０．２６．０
．２３≦ｙ≦０．３１．０．５１ ≦ｌ≦ ０．６５の
範囲に限定したのは次のような理由からである。
おいて、ｘ、ｙ、ｚを夫々０．０４≦ｘ≦０．２６．０
．２３≦ｙ≦０．３１．０．５１ ≦ｌ≦ ０．６５の
範囲に限定したのは次のような理由からである。
即ち、Ｘを０．０４〜０．２６の範囲としたのは、Ｘが
０．０４未満あるいは０．２６を超えると、何れらＱが
低下するからであり、ｙを０．２３〜０．３１としたの
は０．２３未満ではＱが低下するとともに共唱周波数の
温度係、！！（τｔ）が正の方向に大きくなりすぎるか
らであり、また０、３１を超えると焼結が国難となるか
らである。
０．０４未満あるいは０．２６を超えると、何れらＱが
低下するからであり、ｙを０．２３〜０．３１としたの
は０．２３未満ではＱが低下するとともに共唱周波数の
温度係、！！（τｔ）が正の方向に大きくなりすぎるか
らであり、また０、３１を超えると焼結が国難となるか
らである。
さらにｌを０．５１〜０．６５の範囲とするのは、０．
５１未満では焼結が困難となるか、あるいはＱが低下し
、また０、６５を超えるとＱが低下するためである。
５１未満では焼結が困難となるか、あるいはＱが低下し
、また０、６５を超えるとＱが低下するためである。
またＦ３ａ （５ｎｖｌ’ｂｙＴａＪ 裏−％−”Ａの
１をＮ（またはあまたはその双方で置換する目的は、共
振周波数の温度係数（τｆ）を負側に移動させ、そのと
き置換量を適宜変更することにより、簡単に磁器組成物
のτｒを微調整することができ、００１）ＩＩ／”Ｃを
中心に任意の値をとり得るため、温度補ｊと用として有
用な磁器を得ることにある。
１をＮ（またはあまたはその双方で置換する目的は、共
振周波数の温度係数（τｆ）を負側に移動させ、そのと
き置換量を適宜変更することにより、簡単に磁器組成物
のτｒを微調整することができ、００１）ＩＩ／”Ｃを
中心に任意の値をとり得るため、温度補ｊと用として有
用な磁器を得ることにある。
ざらに８ａ （Ｓｔ＋ｙＭＱｙＴａｌ） ０１／Ｊ−％
−’Ｘの〜のＮｉまたは／６よびらへの置換■を７０原
子％以下とするのは、 ７０原子％を超えると焼結が困
難となるか、Ｑが低下するか、あるいはτ［が負側で大
きくなりすぎるためである。
−’Ｘの〜のＮｉまたは／６よびらへの置換■を７０原
子％以下とするのは、 ７０原子％を超えると焼結が困
難となるか、Ｑが低下するか、あるいはτ［が負側で大
きくなりすぎるためである。
く実 施 例〉
以下この発明を実施例にて詳細に説明する。
原料として高純度のＢａＣＯ３、５ｎｏ１ 、 ｌ’ｂ
ｃｏ）、Ｔａ ２０ｇ、ＺｎＯを用い、第１表に示す組
成比率の磁器が１９られるように秤通し、秤量原料をゴ
ムで内張すしたボールミルに水とともに入れ、２時間湿
式湿合した。次いでこの混合物を脱水、乾燥したのら、
１２００℃で２時間仮焼し、この仮焼物をボールミルに
水、有園バインダーとともに入れて２時間湿式粉砕した
。
ｃｏ）、Ｔａ ２０ｇ、ＺｎＯを用い、第１表に示す組
成比率の磁器が１９られるように秤通し、秤量原料をゴ
ムで内張すしたボールミルに水とともに入れ、２時間湿
式湿合した。次いでこの混合物を脱水、乾燥したのら、
１２００℃で２時間仮焼し、この仮焼物をボールミルに
水、有園バインダーとともに入れて２時間湿式粉砕した
。
次いで、この粉砕物を乾燥したのち、５０メツシユの網
を通して造粒し、得られた粉末を２０００ｋ１４の圧力
で＋ＯｍｍφＸ５ｎ＋ｍｔの寸法からなる円板に成形し
たつざらにこの円板を１５００℃、４１間の条件でダ克
成して磁器試事斗を得た。
を通して造粒し、得られた粉末を２０００ｋ１４の圧力
で＋ＯｍｍφＸ５ｎ＋ｍｔの寸法からなる円板に成形し
たつざらにこの円板を１５００℃、４１間の条件でダ克
成して磁器試事斗を得た。
かくして１ｑられた磁器試料について、周波数１０ＧＨ
ｚにおける誘電率（ε）、Ｑを誘電体共振器法にて、１
１１定し、また２５℃から８５℃の温度範囲における共
振周波数の温度変化率から共振周波数の温度係数（τｔ
）を計算した。
ｚにおける誘電率（ε）、Ｑを誘電体共振器法にて、１
１１定し、また２５℃から８５℃の温度範囲における共
振周波数の温度変化率から共振周波数の温度係数（τｔ
）を計算した。
それらの結果は第１表に示した。
なお第１表中」；印のものはこの発明の特許請求の範囲
外のものである。
外のものである。
第１表
工記第１表において、試料番＠５０〜６７はＢａ （Ｓ
ｎ、ＭａｙＴａｚ） ０ｑ−ｚ−５のｘ、ｙ、ｚの何れ
かの値がこの発明の節回から外れているものであり、焼
結が困ｎか、または特性が低下しているものである。
ｎ、ＭａｙＴａｚ） ０ｑ−ｚ−５のｘ、ｙ、ｚの何れ
かの値がこの発明の節回から外れているものであり、焼
結が困ｎか、または特性が低下しているものである。
試事斗ｔｉ号１，８，１５，２２，２９，３６．４３は
−をＮｉまたはらまたはその双方で置換していないもの
であり、また試料番号４，７．１１，１４，１８，２１
，２５，２８，３２．３５，３９，４２．４６．１９は
〜の陳またはらまたはその双方での置換εが７０原子％
を超えた例であり、何れもこの発明の範囲外である。
−をＮｉまたはらまたはその双方で置換していないもの
であり、また試料番号４，７．１１，１４，１８，２１
，２５，２８，３２．３５，３９，４２．４６．１９は
〜の陳またはらまたはその双方での置換εが７０原子％
を超えた例であり、何れもこの発明の範囲外である。
＜’ｊ））１ 県〉
以上詳述したように、この発明によれば１島講電ｒを有
するとと５に、従来１稈られなかった高いＱ禎を示す：
高周波用誘電体磁器組成物を得ることができ、またその
組成を適当に選び、かつ９ａ （Ｓｎｖｊ％ｙＴａｔ
） Ｏｙ、−％−ＩＸの−をＮｉまたは／およびもで置
換するωを適宜変更することにより簡単に磁器組成抛の
共振周波数の温度係数（τ［）を微調整ブることができ
、Ｏｐｐｍ／’Ｃを中心に（ｆＱに調節することがでさ
るため温度補償用として有用な効果を奏するのである。
するとと５に、従来１稈られなかった高いＱ禎を示す：
高周波用誘電体磁器組成物を得ることができ、またその
組成を適当に選び、かつ９ａ （Ｓｎｖｊ％ｙＴａｔ
） Ｏｙ、−％−ＩＸの−をＮｉまたは／およびもで置
換するωを適宜変更することにより簡単に磁器組成抛の
共振周波数の温度係数（τ［）を微調整ブることができ
、Ｏｐｐｍ／’Ｃを中心に（ｆＱに調節することがでさ
るため温度補償用として有用な効果を奏するのである。
従って、この発明によれば誘電体共振器、誘電体調整棒
、誘電体基板などの用途に有用な高周波用誘電体磁器組
成物を提供することができるのである。
、誘電体基板などの用途に有用な高周波用誘電体磁器組
成物を提供することができるのである。
Claims (1)
- ＢａＯ、ＳｎＯ＿２、ＭｏＯ、Ｔａ＿２Ｏ＿５からなり
、これを一般式Ｂａ（Ｓｎ＿ｘＭｇ＿ｙＴａ＿ｚ）Ｏ＿
ｎ＿／＿２＿−＿ｘ＿／＿２＿−＿３＿ｙ＿／＿２と表
わしたとき、ｘ、ｙ、ｚが夫々０．０４≦ｘ≦０．２６
、０．２３≦ｖ≦０．３１、０．５１≦ｚ≦０．６５（
但し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）の範囲にあり、かつＭｇの７０
原子％以下がＮｉまたは／およびＣｏにより置換されて
いることを特徴とする高周波用誘電体磁器組成物。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59200776A JPS6178005A (ja) | 1984-09-26 | 1984-09-26 | 高周波用誘電体磁器組成物 |
| DE19843444340 DE3444340A1 (de) | 1983-12-06 | 1984-12-05 | Dielektrische keramische zusammensetzung fuer mikrowellen-frequenzen |
| US06/678,651 US4585744A (en) | 1983-12-06 | 1984-12-06 | Dielectric ceramic composition for microwave frequencies |
| FR8418666A FR2555983B1 (fr) | 1983-12-06 | 1984-12-06 | Composition ceramique dielectrique pour frequences de micro-ondes |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59200776A JPS6178005A (ja) | 1984-09-26 | 1984-09-26 | 高周波用誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6178005A true JPS6178005A (ja) | 1986-04-21 |
| JPH0447922B2 JPH0447922B2 (ja) | 1992-08-05 |
Family
ID=16429988
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59200776A Granted JPS6178005A (ja) | 1983-12-06 | 1984-09-26 | 高周波用誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6178005A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63152815A (ja) * | 1986-07-09 | 1988-06-25 | 住友金属鉱山株式会社 | 誘電体磁器 |
| JPH0297453A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-10 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 誘電体磁器組成物 |
| JPH07254766A (ja) * | 1994-07-21 | 1995-10-03 | Akai Electric Co Ltd | 印刷配線基板 |
-
1984
- 1984-09-26 JP JP59200776A patent/JPS6178005A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63152815A (ja) * | 1986-07-09 | 1988-06-25 | 住友金属鉱山株式会社 | 誘電体磁器 |
| JPH0297453A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-10 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 誘電体磁器組成物 |
| JPH07254766A (ja) * | 1994-07-21 | 1995-10-03 | Akai Electric Co Ltd | 印刷配線基板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0447922B2 (ja) | 1992-08-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |