JPS6178193A - テレビジヨンチユ−ナの高周波増巾回路 - Google Patents

テレビジヨンチユ−ナの高周波増巾回路

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Publication number
JPS6178193A
JPS6178193A JP59200044A JP20004484A JPS6178193A JP S6178193 A JPS6178193 A JP S6178193A JP 59200044 A JP59200044 A JP 59200044A JP 20004484 A JP20004484 A JP 20004484A JP S6178193 A JPS6178193 A JP S6178193A
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JP
Japan
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gate
high frequency
amplification circuit
frequency amplification
chip
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JP59200044A
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English (en)
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JPH0147034B2 (ja
Inventor
岩瀬 彰男
有可 功
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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  • Amplifiers (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 に 〔発明の目的〕本発明はプリント基板!面付けされたチ
ップ型デュアルゲートMO8FZTを増巾素子とするテ
レビジ1ンチー−すの高周波増巾回路に関するものであ
る。
近年、高周波回路素子部品のチップ化が急速に進行して
おり、テレビジ1ンチ−ナにおいても、小型、高密度実
装および高性能化のために大巾に導入されている。しか
し、部品の小型化により、その実装上の高周波特性にお
ける欠点も次第に明らかになシつ\ある。以下第2図に
よって従来例の欠点を説明する。
第2図(イ)はチップ型デュアルゲートMO8FKT1
の従来の実装例で、2はドレイン、3は第1ゲート、4
は第2ゲート、5はソースのそれぞれの電極を示してい
る。この従来例は50 MHz以下の比較的低い周波数
帯における実装例であるが、以下述べるような問題がお
る。すなわち、チップ部品であるため、信号入力側の第
1ゲート3と出力側のドレイン2との空間距離が非常に
小さいので空間や基板を介して不要な伝送量が発生し、
その値が無視できない程度の値になる。特にテレビジョ
ンチューナにおいては、高周波増巾回路はテレビセット
の利得制御ループを構成するため、この問題は最大利得
制御量を大巾に減少させ、強電界地域での画像の乱れ等
、画質劣化の原因になる。
第2図(ロ)はこの問題を改善することを意図した従来
例で、6.7はアースラウンド、8.9は接地用のチッ
プコンデンサである。しかしこの従来例の接地用コンデ
ンサ8.9の接地効果はVHPのローバンドからVHP
帯までを満足させるには不充分である。したがってチッ
プ型デュアルゲー) MOSFET 1の下面に配線さ
れた導電パターンは、第3図(α)の等価回路が示すよ
うに完全なアース電位にはなり得ず、第1ゲート5とド
レイン2との間に結合が残る。以上述べたように、従来
例第2図(ロ)のパターン配置ではアイソレージ1ンの
良好な特性かえられず、かつ最大利得制御量の大巾な改
善は期待することができない。
本発明はこの問題を解決することを意図するものであっ
て、チップ型デュアルゲー) MO8I’ETを高周波
増巾回路の増巾素子とするテレビジランチューナにおい
て、強電界地域におけるAGC動作が完壁に行なわれ、
画質の良好な映像をうろことのできる高周波増巾回路を
提供することを目的とするものである。
〔発明の構成〕本発明のテレビジ1ンチェ一すの高周波
増巾回路は、チップ型デエアルゲー) MO8FI!i
Tを高周波増巾回路の増巾素子とするテレビジランチ為
−すにおいて、プリント基板に面付けされた前記チップ
F MO8F1!:Tの相対向する第1ゲートとドレイ
ンの2電極関に導電パターンを設け、この導電パターン
を前記チップ型MO81’l!:Tの電極のない両側面
の方向に延長し、これをその延長方向に設けたアースラ
ウンドに接続したことを特徴とする。
本発明の実施例を第1図について説明する。
同図において1はチップ型デエアルゲートMO8FET
、2はドレイン、5は第1ゲート、4は第2ゲート、5
はソースである。10は第1ゲート3および第2ゲート
4と、相対向するドレイン2およびソー75との間に設
けた導電パターンで、チップ型MO日FICT 1の電
極のない両側面の方向に延長され、配線基板に設けたア
ースラウンド11.12に接続されている。
〔発明の効果〕以上述べたように、本発明においては、
第1ゲート5および第2ゲート4と相対向するドレイン
2およびソース5との間に導電パターン10を設け、そ
の両端をアースラウンド11.121C接続することK
よって第1ゲート3とドレイン2との間を第5図Cb)
の等価回路が示すように完全に接地した状態にすること
ができる。したがって第1ゲートのラウンドからドレイ
ンのラウンドへの伝送量および高周波増巾回路の利得制
御量を第4図および第5図に示すように大巾に改善する
ことができる。なお、第4図および第5図において、(
イ)は第2図(イ)の従来例、(ロ)は第2図(ロ)の
従来例、(ハ)は本発明の特性をそれぞれ示している。
さらに本発明はチップ型デ為アルゲー) 14087F
iτをプリント基板に面付けするに当ってラウンド間の
電気的接合を大巾に減少させる利点をも有する。
【図面の簡単な説明】
第1図:本発明のチップ型デュアルゲートMO8FKT
のプリント基板への実装の実施例 第2図: (4140)ti従来のチップ型デエアルゲ
ートMO87に’rのプリント基板への実装例第3図:
チップ型デエアルゲートMOEI?]!:Tの第1ゲー
トとドレイン間の等価回路図で (α)は従来例、Cb)は本発明 第4図二チップ型デエアルゲートMO1liFKTの第
1ゲートのラウンドからドレインのラ ウンドへの伝送f(相対値)を示すグ ラフ 第4図二チップ型デエアルゲー) MO81’FXTに
よる高周波増巾回路の利得制御量(300MHz)を示
すグラフ ト・・チップ型デエアルゲートMO8PICT 。 2・・・ドレイン、3・・・第1ゲート、4・・・第2
ゲート、5・−・ソース、6.7・・・アースラウンド
、8.9・・・接地コンデンサ、10・・・導電パター
ン、第1図        第2図  (0)(MHz
) 手続補 正 書(方式) 昭和60年2月グ日 t 事件の表示 昭和59年特許願第200044号 2 発明の名称 テレビジ璽ンチューナの高周波増巾回路五 抽圧をする
者 事件との関係  特ト出願人 582松下電器産業株式会社 4、代理人

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. チップ型デュアルゲートMOSFETを高周波増巾回路
    の増巾素子とするテレビジョンチューナにおいて、プリ
    ント基板に面付けされた前記チップ型MOSFETの相
    対向する第1ゲートとドレインの2電極間に導電パター
    ンを設け、この導電パターンを前記チップ型MOSFE
    Tの電極のない両側面の方向に延長し、これをその延長
    方向に設けたアースラウンドを接続したことを特徴とす
    るテレビジョンチューナの高周波増巾回路
JP59200044A 1984-09-25 1984-09-25 テレビジヨンチユ−ナの高周波増巾回路 Granted JPS6178193A (ja)

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JP59200044A JPS6178193A (ja) 1984-09-25 1984-09-25 テレビジヨンチユ−ナの高周波増巾回路

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JPS6178193A true JPS6178193A (ja) 1986-04-21
JPH0147034B2 JPH0147034B2 (ja) 1989-10-12

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