JPS6179764A - 真空蒸着装置 - Google Patents

真空蒸着装置

Info

Publication number
JPS6179764A
JPS6179764A JP20205284A JP20205284A JPS6179764A JP S6179764 A JPS6179764 A JP S6179764A JP 20205284 A JP20205284 A JP 20205284A JP 20205284 A JP20205284 A JP 20205284A JP S6179764 A JPS6179764 A JP S6179764A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
vapor deposition
substrate
shutters
shutter
deposited
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP20205284A
Other languages
English (en)
Inventor
Koji Tsukada
浩司 塚田
Masahiro Hagio
萩尾 正博
Kazuhide Goda
郷田 和秀
Masahiro Nishiuma
西馬 正博
Masaru Kazumura
数村 勝
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electronics Corp filed Critical Matsushita Electronics Corp
Priority to JP20205284A priority Critical patent/JPS6179764A/ja
Publication of JPS6179764A publication Critical patent/JPS6179764A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は真空蒸着装置に関するものである。
(従来例の構成とその問題点) 近年、半導体や新材料分野の開発は目ざましいものであ
る。これらの製作において真空蒸着装置が多く用いられ
ている。蒸着は、その名のとおり、固体を真空中で熱し
て、蒸発させて被蒸着物質に着けることであるので、蒸
着物質は、非常に高温になる。このため、被蒸着物質に
選択的に蒸着させるためのマスクとして用いるレジスト
が、熱のために損傷したり、膨張あるいは収縮する問題
があった。第1図は従来の真空蒸着装置で、蒸着物質1
1.抵抗加熱や電子ビーム等で加熱して溶かすものであ
る。所望の量を蒸着させるため、蒸着物質1の飛翔を防
ぐシャッター2の開閉によシ、被蒸着物質3に蒸着させ
る。蒸着は本質的に高温にならざるを得ないが、シャッ
ター2を開けるまでの蒸着物質1を加熱している間に既
に温度が上がってしまったシ、蒸着後も、熱輻射によ多
温度が下がらない問題があり念。
(発明の目的) 本発明は上記問題に鑑み、蒸着開始まで、また、蒸着後
の温度上昇を少なくすることのできる真空蒸着装置を提
供するものである。
(発明の構成) この目的を達成するために、本発明の真空蒸着装置は、
シャッターが複数枚、空間を隔てて、積み重ねて構成し
である。この構成によって、シャッターから被蒸着物質
への熱の輻射を非常に小さくすることができる。
(実施例の説明) 以下本発明の一実施例について第2図を参照しながら説
明する。蒸着物質1としてAu 、 Pt tl−使用
した。シャッター2はステンレス製の厚さ2 wms直
径120のものを2枚、5ctn離してとりつけた。
被蒸着物質3としてPMMAレジストを塗布した半導体
基板を用いた。被蒸着物質3に蒸着を開始するまでの間
には、蒸着物質1が下のシャツ“ターに直接蒸着され、
このシャッターは非常に高温となるが、このシャッター
からの輻射熱は、上のシャッターによシ、直接被蒸着物
質3には到達しないの−で、被蒸着物質3の温度上昇を
小さく抑えることができる。なお、本実施例では、シャ
ッターを金属としたがセラミックでもよい。また2重に
したが、3重でも4重でもよい。
(発明の効果) 以上のように本発明は、蒸着物質またはシャッターから
被蒸着物質への熱輻射を小さくすることができ、その実
用的効果は犬なるものがある。
【図面の簡単な説明】 第1図は従来の真空蒸着装置の要部の概略図、第2図は
本発明の一実施例における真空蒸着装置の要部の概略図
である。 1・・・蒸着物質、2・・・シャッター、3・・・被蒸
着物質。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 蒸着物質の飛翔を遮るためのシャッターが多重になって
    いることを特徴とする真空蒸着装置。
JP20205284A 1984-09-28 1984-09-28 真空蒸着装置 Pending JPS6179764A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20205284A JPS6179764A (ja) 1984-09-28 1984-09-28 真空蒸着装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20205284A JPS6179764A (ja) 1984-09-28 1984-09-28 真空蒸着装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6179764A true JPS6179764A (ja) 1986-04-23

Family

ID=16451138

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP20205284A Pending JPS6179764A (ja) 1984-09-28 1984-09-28 真空蒸着装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6179764A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3186880A (en) Method of producing unsupported epitaxial films of germanium by evaporating the substrate
US3401055A (en) Vapor depositing solder
GB2146046A (en) Evaporation cell
JPS5943873A (ja) 蒸発材料収容器
JPS6043913B2 (ja) 蒸発源用るつぼ
Bradner The Production of Thin Be Foils
US3248256A (en) Vacuum evaporation method to obtain silicon dioxide film
US20040014314A1 (en) Evaporative deposition with enhanced film uniformity and stoichiometry
JP3323522B2 (ja) 分子線セル
JPS61221747A (ja) 感光性樹脂膜の形成方法
TW574398B (en) Evaporation method and equipment for evaporation
JPS5943871A (ja) 蒸発材料収容器
JPS5557246A (en) Electron-ray contracting apparatus and its manufacturing method
JPS6476606A (en) Dielectric material
JPS60181265A (ja) 真空蒸着装置
JPH06158301A (ja) スパッタリング装置
JPS6267164A (ja) 蒸着装置
JPS62160461A (ja) 電子写真感光体製造用加熱源
DE10341914A1 (de) Einrichtung zur Herstellung dünner Schichten und Verfahren zum Betreiben der Einrichtung
JPS57210972A (en) Formation of film
KR20070051602A (ko) 유기물 진공 증착 장치
JPS62118517A (ja) 溶融物質の蒸気噴出装置
JPS5827980A (ja) 真空蒸着法
JPS58225633A (ja) 薄膜の製造方法
JPS58136774A (ja) 電子線加熱蒸着用蒸発源