JPS6180188A - 表示装置用駆動回路基板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明はＡ［スイッチング素子をマトリックス状に配列
してなる表示装置の駆動回路基板およびその製造方法に
関する。

〔発明の技術的背景とその問題点〕

エレクトロルミネッセンス、発光ダイオード。

プラズマ、蛍光表示管、液晶等の表示デバイスは、表示
部の薄型化が可能であり計測戦器、事務慎器やコンピュ
ータ等の端末表示装置あるいは特殊な表示装置への用途
として要求が高まっている。これらの中で薄膜トランジ
スのスイッチング素子マトリックスアレイを用いたエレ
クトロルミネッセンスや液晶表示装置は、低消費電力化
や低コスト化が可能であるために表示デバイスとして注
目され、近年各所で開発されている（例えばＩＥＥＥＴ
ｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ　ｏｎ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｄ
ｅｖｉｃｅｓ　Ｖｏｌ　ＥＤ−２０、Ｎｏ、　１１　、
　Ｎｏｖｅｒｎｂｅｒ　１９７３　、　ＰＰ　９９５−
１００１　＃照）。

このようなスイッチングトランジスタの材料としては結
晶、多結晶、アモルファス状態のＳｔ＋ＣｄＳｅ　、　
Ｔｅ　、　ＣｄＳ等が用いられる。この中でも多結晶半
導体やアモルファス半導体の薄膜技術は、低温プロセス
が可能なためにガラス基板等の比較的低温で取扱うこと
の必要な基板上にもスイッチングトランジスタのアクテ
ィブマトリックス素子を形成することができ、低価格で
大面積の表示装置を実用段階にした。

第５図は一般的な薄膜トランジスタアレイを用いた表示
装置の等１曲回路である。アドレス配＋ｂ４ｕｌ）（１
１，、１１□、・・・１１ｎ）は横方１ｉ」に並ぶ薄膜
トランジスタ（ｌりのゲート屯極を共通にドライブし、
データ配縁ａり（１２，、１２□・・・１２．）は縦方
回に並ぶｉＪ＋摸トランジスタμりのンース猷極に面１
象１西号を与える。薄膜トランジスタ（１謙の各々はア
ドレス配線１υとデータ配＠０の各交点に対応した画系
毎に用いられ、谷ドレイン電極は表示素子ｕ９と共にキ
ャパシタζ［滲にも接続されている。表示素子１ｉ□□
□は、例えば液晶やエレクトロルミネッセンス素子であ
る。具体的に液晶表示装置を例にとると、アドレス配ｅ
ｎ　（ｌυ。

データ配＋ＪｔｌＪ、トランジスタｕ四およびキャバ７
りＩを集積形成した駆動回′＃５基板とこれに対向する
透明屯憾を全面に形成した基板との聞にｆ夜晶層を挾持
すること６二より構成される。また戚近ではここで使わ
れている薄膜トランジスタのｏＮ−ｏＦＦ特性等が改善
され補助各社となるヤヤバンタ（ｌがなくでも実質的（
：は表示素子叫となる液晶自体のもつ容量だけで書込ん
だ画像情報の保持タイムを光分長くとれるようになった
。

このようにアクティブマトリックス屋の表示装置はアド
レス配線の走査毎（ニーライン分の画像データを書込む
線順次走査方式で採用すること口より表示素子住９をデ
ユーティ比はぼ１００％で駆動することができるために
見易い画像が得られる。

ところで薄膜トランジスタを構成する半導体薄膜として
例えばａ−８Ｌ　　（アモルファスシリコン）やＰ−３
ｉ（ポリシリコン）、絶縁膜として５ｉ０２膜（シリコ
ン配化膜）やＳｉＮｘ膜（シリコン窒化膜入画素電極と
してＩＴＯ等の透明導颯膜、このＩＴＯとオーミック接
触が可能な金属としてＭｏ等が使われている。これらの
４膜の加工は従来のウェットな化学薬品を用いたパター
ン化技術に対し、最近では０２．ＣＦ、等のガス分囲気
中のプラズマ）二よるＣＤＥ　　（ケミカル、ドライ、
エツチング）技術が多く用いられるようになり、工程の
簡易化はか９でなく加工種度が改善されている。このよ
うな構造をもつ薄膜トランジスタのマトリックスアレイ
を形成する際には、次のような工程上の問題がちる。

すなわち、下層のアドレス配、諷としてＭｏを用い、こ
のアドレス配線の所定箇所に絶縁膜としてＳｉＮｘ膜を
介して付着したａｓｉ＋ｄを島状パターン形状とするた
めｉ：　ＣＤＥでエツチングを行なうとこのａ−８１膜
のエツチング終了直後には下層のＳＩＮ、膜もエツチン
グされてしまう。このＳ　ＬＮＩＩ膜のわずかなエツチ
ングはＳ　ＬＮＸ　ｍ　ｌ＝ピンホール欠陥を発生させ
るばかりでなく膜厚が薄くなることによって後工程で形
成するデータ配置と、下層アドレス配置、ｓとの父差部
の浮遊容量が増し４気信号の相互関渉が犬さくなってし
まう。

このような間＠に対処し特開昭５８−１９００４２号の
薄膜半導体装置や特開昭５９−４３５８４号のマトリッ
クス型液晶表示装置あるいはテレビジョン学金誌ＶｏＩ
　、　３８　、　Ｎｏ、　４　、　１９８４　、　ＰＰ
３６６−３７０で記載のアモルファスシリコンＴＰＴア
クティブマトリックスを用いたプルカラー液晶テレビで
は絶縁膜を介して直交するＸ醋酸とＹ配線との交点にお
ける絶縁膜のピンホールによる配線相互の短絡を防ぐた
めに、半導体薄膜層があるｔ床では絶縁膜であることを
利用してこれらの交点部の絶縁膜上に手導体薄膜を漬み
重ねる構造をとっている。しかしながら、これらの薄膜
トランジスタの構造は、第６図Ｈ１ｌおよびそのＡ−Ａ
’祈而面で示すように、例えば絶縁膜（２シを介して互
いに直交するアドレス配ｄ　（２１ａ）およびデータ部
域（２５ａ）のそれぞれ所定箇所からゲート電極パター
ン（２１ｂ）とソース電極パターン（２５ｂ）が６設さ
れていて、この部分にはトランジスタのチャンネル部と
なるパターン（２３ａ）と、アト−レス配Ｊ　（２１ａ
）とデータ配＃１（２５ａ）の交点部分には絶＝＋　Ｉ
ＡＣａととも（１中間層となるパターン（ｐｂ）の半４
本薄膜のパターンが形成されるなど複雑な配置パターン
となっている。また凹パターンや曲設パターンがあるた
めに、透過型液晶表示装置に於いては画素類・也−４の
面積が減り明るく見やすい宍示′Ｊｊｃ装置としての電
化が失なわれる。

更にこれらの複雑なパターンを用いて例えば加Ｃｍ　Ｘ
　１５　ｃ７７Ｌ程の犬面積内を二Ｘ＝２０００　、　
Ｙ＝１５ｕＯといつた超高密度のアクティブマトリック
ス欣晶聚示装置を構成しようとするとマスクパターンの
作画が困難となるばかりでなく上記した画素の開孔率の
削減されることや、マスク合せを精度よく行うことは困
醋となる。

〔発明の目的〕

この発明は上述した問題（１鑑みなされたもので、多層
配線相互の鷹気的短絡を防止し得る構造であるとともに
、大面積で高密度の表示装置（１汝けるマスクパターン
作画の闇路化を図るばかりでなく表示部の開孔率を高め
て見やすい画像を作９出す堀示装置用駆動回路基板およ
びその製造方法を提供することを目的とする。

〔発明の概要〕

すなわち本発明は、表示装置用７駆動回路奉板の基臼と
なる透明ガラス基板の一王ｌ１ｉＩｉに接するアドレス
配線と画素１に極が形成されている。このアドレス配線
は所定のくり返し間隔で複数本設けられており、その両
端部のすくなくとも一方では幅の広いアドレス醋酸Ｉ１
０パターンを具備している。

この谷アドレス配５ｔＩ１０ハターン上の一部および谷
−索電極上乞除く表面全体には絶縁膜がル成されている
。各アドレス配縁上（；はこの絶縁膜を介して半導体薄
膜の島状パターンが複数個形成されている。各半導体薄
膜島状パターン上には下層アドレス配線と直交するデー
タ配線とこのデータ配線に平行する短ざく状のドレイン
電−が形成されている。このデータ起重は所定のくり返
し間隔で複数本設けられておシその両端部のすくなくと
も一方では幅の広いデータ配ｒｖｉ　Ｉ１０パターンを
有している。又、ドレイン電極の各々は一端部で画素９
他に接触して一気的に接続をなしている。又、上記半導
体薄膜の島状パターンは下層のアドレス配線の延設方間
１ユ沿って形成されておｐ、このアドレス配線の幅もし
くはこのアドレス配線〇幅よりわずかに広く、かつデー
タ配線のくり返し間隔よりも実質的に短かい所定の長さ
を有している。

さらにこの表示装置用駆動回路基板とは、周辺部の配線
Ｉ１０パターンを除く表示部内マトリックスプレイを構
成するアドレス配線、データ配線。

ドレインル極１画素電極、薄膜半導体島状パターンおよ
び絶縁膜の開孔パターンの各々が匝−ノくターンのみで
形成されている。

〔発明の効果〕

本発明によれば、大面積でかつ超高密鹿のアクティブマ
トリックス表示装置を作るためのマスクパターンの作画
が大幅に簡略で粘るばかりでなく表示部の画素セルの開
孔率を高めることが出来る。

又、アドレス配線と画素電極パターンを同一マスクで作
るためこ工゛程の短縮が図れるととも但相互短絡を防ぐ
ことが出来る。巣には液晶セル注入前の配向処理に際し
てもデータラインおよびドレイン電極が一方回菟二作ら
れているので、このノ（ターン（；沿ってラビング処理
すれば欠陥が発生しない。

〔発明の実施例〕

以下本発明の実施例を第１図ｔａｒ　ｔｂｌを用いて説
明する。

まず第１の実施例では第３図Ｈａｌの平面図および第３
図ｔｂｌの断面図において厚さ約２朋のガラス基板から
なる透明絶縁基板（至）上に約１００ＯＡのＩＴＯｉ＝
υと約２０００　人のＭｏ膜シ４を真空蒸着法やスパッ
タリング法により連続的に付着する。

次にこのＭｏ膜（２ツ上にホトレジスト　（図示せず）
を形成して〜Ｉｏ膜Ｉ２４および工ＴＯ膜（２幻を連続
的にエツチングし約冗μｍ幅のアドレス配線Ｃ２３＆）
とこのアドレス配線〇端部でマトリックスアレイ表示部
周辺に延役し約２００μｍのＩ１０パターン（２３ｂ）
および画素電極Ｖ滲をル成する。

次にこのホトレジストを除去したのちこれらの表−一体
にシリコン窒化膜・）四をＣＶＤ法により約２０００λ
付着させ、ホトレジストのパターンを形成して上記画累
心住（至）上およびアドレス配線Ｉ１０パターン（ｘｂ
）上のシリコン屋化模（至）を除去してそれぞれのＭｏ
膜四を露出させる。このレジストを除去したのち、次（
１約３０００＾のａ−８ｉ腺をＣＶＤ法によシ付看させ
、同様のホトレジスト（ｌＡ示せず）を用いてａ−３ｔ
膜の島状パターンシηを形成する。

次にこのホトレジストを除去したのち真空蒸着法あるい
はスパッタリング法によυ厚さ１０００　ＡのＭＯ膜１
２Ｑと厚さ１μｍのアルミニウム膜ｅ■を連続して付着
し再びホトレジストのパターンを施こし上記ａ−８ｔ膜
島状パターン１ｊｒＩ上を通るデータ配線（３０ａ）お
よびこのデータ配線のＩ１０パターン（２８ｂ）と、こ
のデータ配ｒｇ　＜３０ｈ）と平行しａ−８ｉ膜島状パ
ターン（２７）上通り画素電へＩ２υへ延びる短ぎく状
のドレイン電極−と、上記アドレス配にＪｉＩ１０パタ
ーン（２３ｂ）上のアドレス配ｍｌ１０竜・占（乙Ｃ）
を形成する。

このアルミニウム膜（５）およびＭｏｇ四〇連続エツチ
ングのｖＡに画素電極シ脅上のＭｏ　Ｉ屓（２４が除去
され、下層のＩＴＯ膜（２１）が４出するまで行なりで
ａ過形１夜晶表示装置用駆動回路基板を完成する。この
あと、こ・れらの表面にポリイミド鴎脂等を形成し次い
でその表面をラビング処理を施こし、この基板と対問す
る側の基板に透明４屯膜を形成し、２枚の基板のすき間
に液晶を挟持して液晶説示装置を完成する。

次に、本発明の第２の実施例について説明する。

まず、上述した方法と同様にアドレス配ｆ、、メ（２３
ａ）とアドレス配線の工１０パターン（２３ｂ）および
画素電極Ｑ４）を形成する。次に約２０００＾厚のシリ
コン窒化膜７均と約３００ＯＡ厚のａ−８ｌ膜をＣＶＤ
法により連続的に付着する。そうしてホトレジストを形
成し画素１１滲上およびアドレス配ｒｆＭ　Ｉ１０パタ
ーン（２３ｂ）上のａ−８ｌ膜およびシリコン窒化膜（
至）をＯＤＥ　によシエッチングする。

次いでホトレジストを除去して再び異なるホトレジスト
を形成してａ−８１膜をエツチングして下層アドレス配
ｒｄ　Ｃ２３＆）上セ位置するところにａ−８Ｌ袂の島
状パターン（ハ）を形成する。この後は第２図１ａｊ　
ｔｂ）と同様にＭｏ膜とアルミニウム膜の多層膜からな
るデータ配線、データ配線Ｉ１０４毬、ドレイン奄愼、
アドレス配艇Ｉ１０１Ｅ極を形成して表示装置用駆動回
路基板を完成する。

尚、上記実施例で用いているゲート絶縁膜はシリコン窒
化膜に限らず低温ＣＶＤ法で付ける５ｉ０１やスパッタ
リング法で付けるＴａ０ｚ＋　５ｌｉｔ等の絶縁膜を用
いてもよい。又、アドレス配線として用いているＩＴＯ
膜上の金属膜はＭｏ　ｉ＝磯らずＣｒやＴｉを用いても
よい。

さらセ、画素電極の大きさはアドレス配線と電気的隔離
の可能は１．、］隔を保てばデータ配線直下にはみ出す
ようなパターンであっても支１１ない。また、アドレス
配腺上に形成される半導体＃膜の島状パターンの長さは
、延設上の／４島状パターン相互が接触しない間隔を保
てば、４実上データ配藤のくシ返し間隔に近い長さを有
していてもかまわない。

い。

従って多少のマスク合せズレが生じても支障なくアクテ
ィブマトリックスアレイを構成することができる。

さらに次に本発明の第３の実施例を第２図（ａ）ｔｂ）
。

第３図１ａ）（ｂ）＋および第２図１ａｊ　ｆｂ）（ｃ
ｌ　（ｄｉ　ｔｅｌの変形例を用いて説Ｅ３Ａｒる。

まず第２図１ａｊの平面図および第２１ｔｂｌの断面図
Ｃ二おいて、厚さ約１趨のガラス板からなる透明絶縁性
基板５Ｇ上に例えばＩＴＯ（インジウム・チン・オキナ
イド）の透明４屯膜を真空蒸涜法により約２００ＯＡ付
層し、この膜上にホトレジストパターンを形成してアド
レス配ｒｇ用透明導電膜パターン６υおよび画素電極ｏ
３を落成する。ホトレジストパターンを除去したのちこ
れらの表面上に例えばΔ１０からなる不透明金属を真空
蒸着法あるいはスパッタリング法により約１ｔＪＯＯＡ
付着し、新たなホトレジストパターンを形成して化学的
エツチング処理を施こしてアドレス配、、ｊ５１用不透
明金属パターンい国を作り上げる。再びホトレジストパ
ターンを除去したのち、次に例えばＳｉｎ：からなる絶
縁膜１５４１をスパッタリング法やＣＶＤ　（ケミカル
・ペーパー・デポジション）法により約２（ＪＯＩＪ　
Ａの膜厚で表面上を後う。そうして３度目のホトレジス
トパターンを形成して画素電極（、）ｌＪ上の絶縁膜６
荀に絶縁膜の開孔の□□□を施こす。次にホトレジスト
パターンを除去したのち例えばａ−３ｔ（アモルファス
・シリコンン膜からなる半纏体薄膜をＣＶＤ法により付
着し、同様に４度目のホトレジストパターンなル成して
半導体薄膜島状パターン６１Ａを作る。次にこのホトレ
ジストパターンを除去したのちＡ空蒸着法あるいはスパ
ッタリング法により＃さ約１０００人のＡＶＩＯ膜と厚
さ約１μｍのアルミニウム膜馨連就して付着し、５度目
のホトレジストパターンを施こしデータ配４１．５７）
と、このデータ配＋Ｊ　＋ｊ７）の凸段部となるソース
眠愼鏝と、半導体薄膜島状パターンリｅと画素電極り望
を結ぶドレイン電極（５１を形成して、アクティブマト
リックス鳳弄示装置用駆動回路基板を作υ上げることが
できる。

このあとこれらの表面にポリイミド１封月旨等を被覆し
その表ａｆｆｉｔ＝ラビング処理を施こしこの基板と対
向する側の基板に透明導電膜を形して２枚の基板の隙間
に夜晶を挟持すれば透過形の液晶表示装置が完成する。

次に本発明の第４の実施例について第２図１ａｊ　ｔｂ
）を用いて説明する。まず上述した方法と同様に絶縁性
基板６０上ロ透明導也楓を付）ｇする。欠にホトレジス
トによりアドレス配艇用透明導−族ハターンＯυを形成
する。次に表面にＭＯｊ摸を付着してアドレス配味用不
透明金属パターン、、）りをル成し欠いで絶縁膜曽を付
着する。次に手導体薄膜を付着しホトレジストにより半
導体薄膜島状バメーンリ６）を形成する。この後透明感
磁膜を付着し、同様にホトレジストを用いて画素電極Ｑ
シを絶縁膜（２）上（ニル成する。そうして次にへｉｏ
とアルミニウムを連続して付着しホトレジストによシデ
ータ配置４Ｍｔ５７）、ンース屯、四〇會、ドレイン電
極い９）を形成して薄膜トランジスタのマトリックスプ
レイを完成する。尚、この第３図ｉａｌおよび第３図（
ｂ）４＝おいて画素電４１５２はアドレス耐酸用込−！
Ａ導磁膜パターンかυ上に絶縁膜Ｑ荀を介して正な９部
分を有している。このようにアドレス配線を幅の広い透
明導磁膜パターンとこれより幅の狭い不透明尋磁膜パタ
ーンとで構成することによって絶縁膜の段切れを防ぐた
めに効果的な膜厚の薄いアドレス配線を得ることができ
、大画面の成木装置においても実質的にこのアドレス配
係の抵抗成分を少なくしかつ画累砥憔ｌ］Ｉｉ積すなわ
ち画素セルの開孔率を大きくすることができるものであ
る。

ものである。

次に本発明の変形例について第４図；ａ）〜＋ｅｌを用
いて説明する。第４図ｔａｌは表示装置用駆動回路基板
の平面図を示すもので、アドレス配鍼用透明導屯膜パタ
ーンリυが短さく状となっておフこの上にアドレス配線
用不透明金属パターン６地が走っている。

そうして絶縁膜（図示せず）を介してこのアドレス配＋
尿と直交するデータ配、−〇〇は幅のせばい不透明金槌
パターンいｊ上のみを交差する。この為に、アドレス配
置尿とデーメ配球との交点における浮遊容量を小さくす
ることができる。

第４図ｔｂ＋はアドレス配、−用透明４亀膜〕くターン
φυ上に短ざく状の不透明金属パターン１５濠が走って
いる。このアドレス配線と直交するデータ配球は透明導
電膜パターン上のみを交差している。この場合第４図：
ａ）とは異なり透明尋屯狭の厚さを薄くすることにより
絶縁膜およびデータ耐酸６０の取切れをなくすことがで
きる。第４図ｔｅｌおよび第４図（ｄ）に示すようにア
ドレス配扉用不透明雀属）（ターン−〇アドレス配線用
透明４−課パターンのりに対する位置はかならずしも中
心にかさらす揚甘しよっては食み出して形成されていて
もかまわない。

また、第４図ｔｅｌの断面図に示すように不込明金属パ
ターンー上に透明４転膜バメーン・−υが構成されても
同じ効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施クリを示す表示装置用駆動
回路基板の平面図およびそのＡ−Ａ’、Ｂ＝Ｂ’断直図
、第２図は本発明の第３の実施列を示す表示装置用駆動
回路基板の平面図およびそのＡ　−Ａ’断面図、第３図
は本発明の第４の実施例を示す平面図とそのｘ　−ｘ’
およびＹ−、Ｙ所−図、第４図は本発明の変形例を示す
平面図およびｌＯ″ｒ−図、第５図及び第６図は従来例
を示す図である。 加、５０・・・透明絶縁性基板、 ２１、５１・・・透明４峨莫パターン、２２、２８．５
３・・・不透明金槌パターン、冴、５２・・・画素電極
、 ６．５４・・・絶縁膜、 ２６、５５・・・絶縁膜の開孔、 ２７、５６・・・半導体薄膜の島状パターン、３０ａ、
５７・・・データ配球、 ３１、５９・・・ドレイン砥極、 代理人　弁理士　則　近　恩　右　　（ほか１名）第　
２　図 、！５０　　、ｊ／　　、ｕ ′Ｗ、３　　図 ｘ−ｘ’ｔｌｉａ回　　　　Ｙ−Ｙ”斯由団第４図 第　　５　　図

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. （１）絶縁性基板の一主面上に形成した複数のアドレス
   配線と、このアドレス配線上に絶縁膜を介して形成した
   複数の半導体薄膜島状パターンと、この半導体薄膜島状
   パターンの一方側端部上に形成した前記アドレス配線と
   は絶縁膜を介して直交する複数のデータ配線と他方側端
   部上に形成した複数のドレイン電極と、このドレイン電
   極に電気的接続をなして形成した複数の透明画素電極パ
   ターンとにより構成するアクティブマトリックス型の表
   示装置用駆動回路基板に於いて、前記アドレス配線は前
   記絶縁性基板面上に接する透明導電膜とこの透明導電膜
   上に重なる不透明金属膜との二層構造からなることを特
   徴とする表示装置用駆動回路基板。
2. （２）前記複数の透明画素電極パターンは、前記絶縁性
   基板面上に接して設けられており、且つこの透明画素電
   極パターンの表面上の一部に不透明金属膜と、この不透
   明金属膜を介して前記ドレイン電極が設けられているこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の表示装置用
   駆動回路基板。
3. （３）前記半導体薄膜島状パターンは、前記アドレス配
   線上に絶縁膜を介して形成されており、このアドレス配
   線の線幅若しくはこのアドレス配線の線幅よりわずかに
   広い幅で且つ前記複数のデータ配線のくり返し間隔より
   実質的に短かい長さをもつことを特徴とする特許請求の
   範囲第１項記載の表示装置用駆動回路基板。
4. （４）前記画素電極と、前記ドレイン電極と、前記半導
   体薄膜島状パターンは四角形パターンのみで構成されて
   おり、且つ少なくとも前記駆動回路基板の周囲に具備さ
   れる電極端子を除く表示部マトリックスアレイ内におけ
   る前記アドレス配線およびデータ配線が凹凸状パターン
   を持たない直線パターンであることを特徴とする特許請
   求の範囲第１項記載の表示装置用駆動回路基板。
5. （５）前記アドレス配線は透明導電膜のパターンとこの
   透明導電膜のパターンよりも幅の狭い不透明金属膜のパ
   ターンとの二重構造を有していることを特徴とする特許
   請求の範囲第１項記載の表示装置用駆動回路基板。
6. （６）前記透明導電膜パターン及び不透明金属膜のパタ
   ーンは所定の長さのパターンを複数個組合せて一本のア
   ドレス配線を構成していることを特徴とする特許請求の
   範囲第１項記載の表示装置用駆動回路基板。
7. （７）絶縁性基板の一主面上に透明導電膜及び第１の金
   属膜を順次付着する工程と、この金属膜及び透明導電膜
   を写真食刻技術により画素部電極パターンとマトリック
   スアレイの内部アドレス配線及びこのアドレス配線から
   延設され前記基板上の周辺に具備する電極端子部とを形
   成する工程と、これらの表面全体を覆う絶縁膜を付着す
   る工程と、この絶縁膜を写真食刻技術により前記画素電
   極パターン上および前記アドレス配線の電極端子部上に
   開孔を施す工程と、これらパターン表面上に半導体薄膜
   を付着する工程と、この半導体薄膜を写真食刻技術によ
   り前記アドレス配線の上に位置する複数の島状パターン
   とする工程と、この表面上に第２の金属膜を付着する工
   程と、この第２の金属膜を写真食刻技術により前記アド
   レスラインとは絶縁膜を介して直交し、且つ前記半導体
   薄膜の島状パターン上を通るデータ配線及びその取出し
   電極と、前記画素電極パターン上の一部より延設され前
   記半導体薄膜島状パターンに達するドレイン電極及び前
   記アドレス配線の電極端子部の前記絶縁膜の開孔部を覆
   う配線パターン形成工程と、この第２の金属膜パターン
   をマスクとして前記画素電極パターンの第１の金属膜を
   除去し、この画素電極の透明導電膜を露出する工程とか
   ら成ることを特徴とする表示装置用駆動回路基板の製造
   方法。