JPS6180512A - 磁気ヘッドコアの製造方法 - Google Patents
磁気ヘッドコアの製造方法Info
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- JPS6180512A JPS6180512A JP20308284A JP20308284A JPS6180512A JP S6180512 A JPS6180512 A JP S6180512A JP 20308284 A JP20308284 A JP 20308284A JP 20308284 A JP20308284 A JP 20308284A JP S6180512 A JPS6180512 A JP S6180512A
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- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/147—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive with cores being composed of metal sheets, i.e. laminated cores with cores composed of isolated magnetic layers, e.g. sheets
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- G—PHYSICS
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明はスパッタリング法、真空蒸着法等の薄膜形成技
術？用いて形成された軟磁性金属薄膜ｔコアとして用い
た磁気ヘッドに関するものである。
術？用いて形成された軟磁性金属薄膜ｔコアとして用い
た磁気ヘッドに関するものである。
〈従来技術〉
磁気記録の分野において、最近の記録密度の向上は著し
く、電磁変換素子としての磁気ヘッドに対しても、狭ト
ラツク化、コア材料の飽和磁化の増大化あるいは高周波
領域における透磁力の増大化等の要求が高まっている。
く、電磁変換素子としての磁気ヘッドに対しても、狭ト
ラツク化、コア材料の飽和磁化の増大化あるいは高周波
領域における透磁力の増大化等の要求が高まっている。
狭トラツクヘッドを得るために従来磁気ヘッドのコア部
材は第５図にポス様なフェライトあるいはセンダストか
う成るブロックにダインングブレード、マルチワイヤー
ソー等でトラック幅規制の為の溝１ｉ形成する加工を施
していたが、３０μｍ以下の狭トラツクを形成する際Ｋ
ｒｒｉダインング装置の送り精度や切り込み部分のチッ
ピング等の理由によって、形状、寸法及び精度の不良が
発生するという問題があった。
材は第５図にポス様なフェライトあるいはセンダストか
う成るブロックにダインングブレード、マルチワイヤー
ソー等でトラック幅規制の為の溝１ｉ形成する加工を施
していたが、３０μｍ以下の狭トラツクを形成する際Ｋ
ｒｒｉダインング装置の送り精度や切り込み部分のチッ
ピング等の理由によって、形状、寸法及び精度の不良が
発生するという問題があった。
一方、センダスト薄帯やアモルファス合金薄帯全コア材
として使用する場合には超急冷薄帯全樹脂接着材を用い
て非磁性基板ではさみ込んでコア全形成する方法や非磁
性基板上にこれらの金属の薄膜をスパッタリング法、真
空蒸着法等の薄膜形成技術を用いて形成した後にさらに
樹脂接着剤を用いてもう一枚の非磁性基板ではさみ込ん
でコア全形成する方法が採用されている。これらの方法
によれば準備する薄帯または薄膜の厚さ全所望のトラッ
ク幅に制御することによって上記トラック幅加工時の問
題点は除外されるが新たに次の様な問照点が生ずる。
として使用する場合には超急冷薄帯全樹脂接着材を用い
て非磁性基板ではさみ込んでコア全形成する方法や非磁
性基板上にこれらの金属の薄膜をスパッタリング法、真
空蒸着法等の薄膜形成技術を用いて形成した後にさらに
樹脂接着剤を用いてもう一枚の非磁性基板ではさみ込ん
でコア全形成する方法が採用されている。これらの方法
によれば準備する薄帯または薄膜の厚さ全所望のトラッ
ク幅に制御することによって上記トラック幅加工時の問
題点は除外されるが新たに次の様な問照点が生ずる。
（１）超急冷薄帯の場合には表面に凹凸がありまた平坦
性も悪く一様な接合が困難である。
性も悪く一様な接合が困難である。
（２） スパッタリング法、真空蒸着法等の薄膜形成
法に工って形成された薄膜の場合には表面の凹凸の問題
は基板の表面粗度を管理することで解決されるが、薄膜
自身の持つ内部応力に１って基板に反りを生ずるので接
合面全面での一様な接合か困難である。
法に工って形成された薄膜の場合には表面の凹凸の問題
は基板の表面粗度を管理することで解決されるが、薄膜
自身の持つ内部応力に１って基板に反りを生ずるので接
合面全面での一様な接合か困難である。
１３）樹脂接着剤の接着層が０．５μｍ以上の有限な幅
を有するとコアのギャップ対向面の精密研磨や磁気ヘッ
ド形成後の記録媒体摺動に対して接着層が異常に凹にな
る。
を有するとコアのギャップ対向面の精密研磨や磁気ヘッ
ド形成後の記録媒体摺動に対して接着層が異常に凹にな
る。
（４）樹脂接着剤を用いるのでギャップ対向面の精密研
磨加工後、コアのアニール処理を行なうことができず、
加工変質層に＝って実効的な磁気的ギャップ長が太き（
なる。
磨加工後、コアのアニール処理を行なうことができず、
加工変質層に＝って実効的な磁気的ギャップ長が太き（
なる。
（５）樹脂接着剤の吸湿性や薄膜の持つ内部応力によっ
て、時間の経過と共に剥離を生ずる。
て、時間の経過と共に剥離を生ずる。
１６） コアの形成に樹脂接着材を用いるので磁気的
なギャップを形成する突合せも樹脂接着材によるボンデ
ィング全採用しなければならす（ガラスボンディングに
要する温度領域では樹脂接着材が炭化してしまう。）上
記（５）と同様に磁気ヘッド形成後時間経過に対して磁
気的なギヤツブが一定に維持されなくなる。
なギャップを形成する突合せも樹脂接着材によるボンデ
ィング全採用しなければならす（ガラスボンディングに
要する温度領域では樹脂接着材が炭化してしまう。）上
記（５）と同様に磁気ヘッド形成後時間経過に対して磁
気的なギヤツブが一定に維持されなくなる。
特に（６）の問題点は磁気ヘッドの耐久性に大きく係わ
るものであり機械的に強固な磁気的ギヤツブ金得る為の
方法を開発する必要があった。又軟磁性金属薄膜全コア
としてヘッドを形成した場合には形の上での狭トラツク
化は容易に実現できるが、トラック幅全決定しているこ
の軟磁性金属の膜厚がコア全体の厚みとなっているため
、狭トラツク化が進んだ際にコアの体積が小さいことよ
り、再生感度か著しく低下してしまうという問題があっ
た０ く発明の目的〉 本発明は上記従来技術の欠点を解消するためになされた
ものであり、軟磁性金属薄膜をコアとして使用する磁気
ヘッドにおいて機械的に強固なギャップを実現ししかも
狭トラツク化に対して再生感度を著しく低下させること
のない狭トラツク磁気ヘツド全提供することを目的とす
る。
るものであり機械的に強固な磁気的ギヤツブ金得る為の
方法を開発する必要があった。又軟磁性金属薄膜全コア
としてヘッドを形成した場合には形の上での狭トラツク
化は容易に実現できるが、トラック幅全決定しているこ
の軟磁性金属の膜厚がコア全体の厚みとなっているため
、狭トラツク化が進んだ際にコアの体積が小さいことよ
り、再生感度か著しく低下してしまうという問題があっ
た０ く発明の目的〉 本発明は上記従来技術の欠点を解消するためになされた
ものであり、軟磁性金属薄膜をコアとして使用する磁気
ヘッドにおいて機械的に強固なギャップを実現ししかも
狭トラツク化に対して再生感度を著しく低下させること
のない狭トラツク磁気ヘツド全提供することを目的とす
る。
〈実施例〉
以下本発明の１実施例として電子ビーム蒸着法全利用し
て作製された鉄（Ｆｅ）−硅素（Ｓｉ）−アルミニウム
（Ａｔ）系の高透磁率合金膜？用いた磁気ヘッドについ
て説明スル。
て作製された鉄（Ｆｅ）−硅素（Ｓｉ）−アルミニウム
（Ａｔ）系の高透磁率合金膜？用いた磁気ヘッドについ
て説明スル。
第１図乃至第４図は本発明の１実施例である磁気ヘッド
全製造工程順に示す要部斜視図である。
全製造工程順に示す要部斜視図である。
第１図けＦｅ−Ａ７−５ｉ膜を下地基板に形成した状態
ヲ示す。まずガラス、セラミック、ステンレス等工す選
択された非磁性基板４上に電子ビーム蒸着法にエリ、鉄
、硅素及びアルミニウム合金膜以下Ｆｅ−Ａｔ−５ｉ膜
と称す）２全磁気″ヘツドのトランク幅に相当する厚さ
に形成する。この際、高周波領域における渦電流損失に
起因する透磁率の低下？防ぐために電気的絶縁性を有す
る材料例えば５ＩＯ２，Ａｔ２０３等の酸化物や窒化物
を中間層として介層し、ラミネート構造の薄膜コアとし
ても良い。本実施例ではＦｅＡｔＳｉ膜２ｆｅ約５μｍ
。
ヲ示す。まずガラス、セラミック、ステンレス等工す選
択された非磁性基板４上に電子ビーム蒸着法にエリ、鉄
、硅素及びアルミニウム合金膜以下Ｆｅ−Ａｔ−５ｉ膜
と称す）２全磁気″ヘツドのトランク幅に相当する厚さ
に形成する。この際、高周波領域における渦電流損失に
起因する透磁率の低下？防ぐために電気的絶縁性を有す
る材料例えば５ＩＯ２，Ａｔ２０３等の酸化物や窒化物
を中間層として介層し、ラミネート構造の薄膜コアとし
ても良い。本実施例ではＦｅＡｔＳｉ膜２ｆｅ約５μｍ
。
５ＩＯ２膜３全約０．１５μｍに設定し２Ｎラミネート
得造の薄膜コアとした。次に三角形の突起部全中央に有
する帯状のマスク５ｔ−準備してフロントコアになる部
分をマ哀キングし、更にＦｅＡｔＳｉ膜２の蒸着？続行
する。本実施例では第２図に示す如＜ＦｅＡｔＳｉ ｆ
更に２０μｍ堆積してＦｅＡｔＳｉ膜９とした。また非
磁性基板材料としてばＦｅ−Ａｔ−５ｉ膜２．９との熱
膨張係数αの整合を考慮してα）＋３０ＸＩＯ／ｄｅｇ
の結晶化ガラスを用いた。Ｆｅ−Ａｔ−３ｉ膜９上には
酸化等の防止、耐摩耗性の向上、後述する低融点ガラス
シートとの相互拡散による熱融合での接合強度向上の目
的でＳ ｉＯ２あるいはＡｔ２０３の薄膜１３全形成し
た。
得造の薄膜コアとした。次に三角形の突起部全中央に有
する帯状のマスク５ｔ−準備してフロントコアになる部
分をマ哀キングし、更にＦｅＡｔＳｉ膜２の蒸着？続行
する。本実施例では第２図に示す如＜ＦｅＡｔＳｉ ｆ
更に２０μｍ堆積してＦｅＡｔＳｉ膜９とした。また非
磁性基板材料としてばＦｅ−Ａｔ−５ｉ膜２．９との熱
膨張係数αの整合を考慮してα）＋３０ＸＩＯ／ｄｅｇ
の結晶化ガラスを用いた。Ｆｅ−Ａｔ−３ｉ膜９上には
酸化等の防止、耐摩耗性の向上、後述する低融点ガラス
シートとの相互拡散による熱融合での接合強度向上の目
的でＳ ｉＯ２あるいはＡｔ２０３の薄膜１３全形成し
た。
該ＳｉＯ□あるいはＡｔ２０３の薄膜上には低融点ガラ
ス基板とのなじみをよくするために、スパッタリング法
によってＰｂＯ，ＳｉＯ□を主成分とする低融点ガラス
の薄膜８を形成してもよい。Ｆｅ−Ａｔ−５ｉ 膜９ｔ
ｒｉ成膜後真空中あるいに不活性ガス雰囲気中６００℃
で熱処理を施すと磁気特性が向上することが判明して
いるので接合材としてのガラス特性において屈伏点の温
度が熱処理温度６００℃より低い５００〜５４０℃、軟
化点の温度が熱処理温度６００℃より高い６２０〜６５
０℃、αが１３０〜１５０ｘ １ｏ” ／ａ ｅ ｇの
ガラス材料を低融点ガラス基板８として利用する。この
ようなガラス材料としては５ｉ０２．Ａｌ２Ｏ２に主成
分としアルカリ金属の酸化物を添加物として含むものが
知られている。薄膜１３の上に低融点ガラス基板８、非
磁性基板７を順次載置し、両非磁性基板４．７金加圧冶
具６の中で外方ｚ５圧力Ｐ１でコア部材全体全加圧支持
する。この状態で窒素ガスを流し、窒素ガス雰囲気中に
おいて６００℃の温度で３０分以上の加熱処理を施す。
ス基板とのなじみをよくするために、スパッタリング法
によってＰｂＯ，ＳｉＯ□を主成分とする低融点ガラス
の薄膜８を形成してもよい。Ｆｅ−Ａｔ−５ｉ 膜９ｔ
ｒｉ成膜後真空中あるいに不活性ガス雰囲気中６００℃
で熱処理を施すと磁気特性が向上することが判明して
いるので接合材としてのガラス特性において屈伏点の温
度が熱処理温度６００℃より低い５００〜５４０℃、軟
化点の温度が熱処理温度６００℃より高い６２０〜６５
０℃、αが１３０〜１５０ｘ １ｏ” ／ａ ｅ ｇの
ガラス材料を低融点ガラス基板８として利用する。この
ようなガラス材料としては５ｉ０２．Ａｌ２Ｏ２に主成
分としアルカリ金属の酸化物を添加物として含むものが
知られている。薄膜１３の上に低融点ガラス基板８、非
磁性基板７を順次載置し、両非磁性基板４．７金加圧冶
具６の中で外方ｚ５圧力Ｐ１でコア部材全体全加圧支持
する。この状態で窒素ガスを流し、窒素ガス雰囲気中に
おいて６００℃の温度で３０分以上の加熱処理を施す。
この際熱処理時間が長すぎると接合面から低融点ガラス
基板８内に気泡が発生するので処理時間全適当に選択す
る必要がある。低融点ガラス板８の屈伏点の温度以上で
熱処理を行っているのでガラスの粘性流動によってマス
ク蒸着で生じたマスク５に対応する凹部１２ｉ完全にモ
ールドされ、又ＦｅＡｔＳｉ膜の保護薄膜１３と低融点
ガラス基板８、非磁性基板７と低融点ガラス基板８の界
面は材料の相互拡散によって均一に接合される。前述し
た如くこの熱処理に、ｃってＦ ｅＡｔｓ ｉ 膜９の
アニール処理を兼ねることができる。以上の工程によっ
てＦｅ−Ａｔ−５ｉ膜９が非磁性基板４．７によっては
さみ込まれた構造をもつ磁気コア全作製することができ
る。
基板８内に気泡が発生するので処理時間全適当に選択す
る必要がある。低融点ガラス板８の屈伏点の温度以上で
熱処理を行っているのでガラスの粘性流動によってマス
ク蒸着で生じたマスク５に対応する凹部１２ｉ完全にモ
ールドされ、又ＦｅＡｔＳｉ膜の保護薄膜１３と低融点
ガラス基板８、非磁性基板７と低融点ガラス基板８の界
面は材料の相互拡散によって均一に接合される。前述し
た如くこの熱処理に、ｃってＦ ｅＡｔｓ ｉ 膜９の
アニール処理を兼ねることができる。以上の工程によっ
てＦｅ−Ａｔ−５ｉ膜９が非磁性基板４．７によっては
さみ込まれた構造をもつ磁気コア全作製することができ
る。
次に第２図のＡＢＣＤ、ＥＦＧＨで囲まれる平面でこの
コアを切断しＡＢＣＤ面で切断しｔ面についてその一方
にコイル巻線の為の溝を入れ、さらに表面全精密研磨し
ギャップ突合せ前のコア部材とする。こ７″Ｌを第３図
に示す。次に点線で囲まれた立体Ａ−Ｂ−Ｃ−Ｄ−Ｅ−
Ｆ−Ｇ−Ｈ及びＩ−Ｊ −に−Ｌ −Ｍ−Ｎ部分内にあ
るＦｅＡｔＳｉ膜ａ １０μｍ（５μｍＸ２層）でその
他の部分ｔ／′ｉｌＯμｍ＋マスク蒸着時の膜厚２０μ
ｍで計３０μｍの厚さとなっている。このマスク蒸着に
よるバックコア部形成に際しては、用いる周波数帯域に
よっては表皮深さを考慮して、ＳｉＯ３等の絶縁膜を介
挿したラミネート積層構造としてもよい。
コアを切断しＡＢＣＤ面で切断しｔ面についてその一方
にコイル巻線の為の溝を入れ、さらに表面全精密研磨し
ギャップ突合せ前のコア部材とする。こ７″Ｌを第３図
に示す。次に点線で囲まれた立体Ａ−Ｂ−Ｃ−Ｄ−Ｅ−
Ｆ−Ｇ−Ｈ及びＩ−Ｊ −に−Ｌ −Ｍ−Ｎ部分内にあ
るＦｅＡｔＳｉ膜ａ １０μｍ（５μｍＸ２層）でその
他の部分ｔ／′ｉｌＯμｍ＋マスク蒸着時の膜厚２０μ
ｍで計３０μｍの厚さとなっている。このマスク蒸着に
よるバックコア部形成に際しては、用いる周波数帯域に
よっては表皮深さを考慮して、ＳｉＯ３等の絶縁膜を介
挿したラミネート積層構造としてもよい。
次に、磁気的なギャップ用スペーサー（Ｓ ｔｏ ２膜
Ａｔ２０３膜などの非磁性膜）を介してギヤツブ形成上
行なうことになるが、一対の磁気コアを相互に突き合わ
せる方法としては第４図（ａ）に示す様に低融点ガラス
層８が互いに対向する配置と同（ｂ）に示す様にＦ ｅ
Ａｔｓ ｉ膜層９全はさんで低融点ガラス層８と非磁性
基板１７が対向する配置の２種類がある。第４図（ａ）
タイプの配置の場合にはｉ３図に示す対向面Ｍ−Ｎ−０
−Ｐ、Ｅ−Ｆ−Ｇ−Ｈ及びＱ−Ｒ−５−Ｔ面に磁気的な
ギャップで形成するスペーサーとしてＳ ＩＯ２膜など
全スパッタ法で形成した後に対向面後方からＰ２なる圧
力で保持し窒素雰囲気中で低融点ガラス基板８の屈伏点
温度とガラス転移温度の間（本実施例では５００ｔｌ：
）で熱処理することで、低融点ガラス基板８が相互に拡
散して良好なボンディング状態を得ることができる。第
４図（ｂ）の様な配置の場合でも同（ａ）と同様のプロ
セスでボンディングが可能である。同（ｂ）の場合には
低融点ガラス基板８が非磁性基板７に拡散して接合が行
われるがこの接合がＦｅＡｔＳｉ膜９ｔはさんで両側で
行われるので機械的な強度の点から同（ａ）に比してよ
り強固なボンディングが得られる。
Ａｔ２０３膜などの非磁性膜）を介してギヤツブ形成上
行なうことになるが、一対の磁気コアを相互に突き合わ
せる方法としては第４図（ａ）に示す様に低融点ガラス
層８が互いに対向する配置と同（ｂ）に示す様にＦ ｅ
Ａｔｓ ｉ膜層９全はさんで低融点ガラス層８と非磁性
基板１７が対向する配置の２種類がある。第４図（ａ）
タイプの配置の場合にはｉ３図に示す対向面Ｍ−Ｎ−０
−Ｐ、Ｅ−Ｆ−Ｇ−Ｈ及びＱ−Ｒ−５−Ｔ面に磁気的な
ギャップで形成するスペーサーとしてＳ ＩＯ２膜など
全スパッタ法で形成した後に対向面後方からＰ２なる圧
力で保持し窒素雰囲気中で低融点ガラス基板８の屈伏点
温度とガラス転移温度の間（本実施例では５００ｔｌ：
）で熱処理することで、低融点ガラス基板８が相互に拡
散して良好なボンディング状態を得ることができる。第
４図（ｂ）の様な配置の場合でも同（ａ）と同様のプロ
セスでボンディングが可能である。同（ｂ）の場合には
低融点ガラス基板８が非磁性基板７に拡散して接合が行
われるがこの接合がＦｅＡｔＳｉ膜９ｔはさんで両側で
行われるので機械的な強度の点から同（ａ）に比してよ
り強固なボンディングが得られる。
又強度全増加させるという意味においては突合せ対向面
に低融点ガラスを必要ギャップ長に応じた厚さに全面ス
パッタするか第３図おいてＭ −Ｎ −０−２面には低
融点ガラス七、又Ｅ−Ｆ−Ｇ−Ｈ，Ｑ−Ｒ−５−Ｔ面に
はＳ ＩＯ２膜をあるいはその反対の組み合わせでスパ
ッタした後ボンディングすることも考えられる。
に低融点ガラスを必要ギャップ長に応じた厚さに全面ス
パッタするか第３図おいてＭ −Ｎ −０−２面には低
融点ガラス七、又Ｅ−Ｆ−Ｇ−Ｈ，Ｑ−Ｒ−５−Ｔ面に
はＳ ＩＯ２膜をあるいはその反対の組み合わせでスパ
ッタした後ボンディングすることも考えられる。
以上は単数のヘッド加工プロセス？示し之が複数個に１
度に処理するためＫは第６図に示す様に、非磁性基板１
８上にＦｅＡｔ５ｉ膜２ｏ全形成したコア部材を低融点
ガラス板＋９’ｉｉさんで積層すル形テ配置支持し、前
述した熱処理プロセスにＬって複数層のＦ ｅＡｔｓ
ｉ 膜層を有するコア部材を得ることができる。ヘッド
にアジマス角θを設けるためには第６図に示した様なブ
ロック全切断の際に角度θ全考慮して切断しておけばよ
い。
度に処理するためＫは第６図に示す様に、非磁性基板１
８上にＦｅＡｔ５ｉ膜２ｏ全形成したコア部材を低融点
ガラス板＋９’ｉｉさんで積層すル形テ配置支持し、前
述した熱処理プロセスにＬって複数層のＦ ｅＡｔｓ
ｉ 膜層を有するコア部材を得ることができる。ヘッド
にアジマス角θを設けるためには第６図に示した様なブ
ロック全切断の際に角度θ全考慮して切断しておけばよ
い。
以上詳述した方法によって得られたボンディング済のブ
ロック？ヘッド外形寸法に整形し、円筒研削、ヘッドチ
ップのスライス、コイル巻線、テープ研磨仕上げの工程
を経て磁気ヘッドが作表される。本実施例では軟磁性金
属薄膜として電子ビーム蒸着法で形成したＦｅＡｔＳｉ
膜を用いたがスパッタリング法ＶＣヨる形成方法を用
いても良くあるいは他の軟磁性金属の材料薄膜でも本発
明の実施に際してげ何ら支障は生じない。
ロック？ヘッド外形寸法に整形し、円筒研削、ヘッドチ
ップのスライス、コイル巻線、テープ研磨仕上げの工程
を経て磁気ヘッドが作表される。本実施例では軟磁性金
属薄膜として電子ビーム蒸着法で形成したＦｅＡｔＳｉ
膜を用いたがスパッタリング法ＶＣヨる形成方法を用
いても良くあるいは他の軟磁性金属の材料薄膜でも本発
明の実施に際してげ何ら支障は生じない。
本発明のギャップ深さ部分の磁性膜コア厚やフロントコ
ア厚に対してそれ以外の磁性膜コア厚（バックコア厚）
を厚くすることによって、コア全体の厚味全フロントコ
ア厚と同等に均一とした場合ンて比して再生感度ｔ１〜
３ｄＢ向上させることができる。本実施例形状に基つい
て、コアの再生効率をコア厚の薄い部分の面積、実効透
磁率全パラメータとして計算した結果全第７因に示す。
ア厚に対してそれ以外の磁性膜コア厚（バックコア厚）
を厚くすることによって、コア全体の厚味全フロントコ
ア厚と同等に均一とした場合ンて比して再生感度ｔ１〜
３ｄＢ向上させることができる。本実施例形状に基つい
て、コアの再生効率をコア厚の薄い部分の面積、実効透
磁率全パラメータとして計算した結果全第７因に示す。
計算はフロントコア厚とバンクコア厚の比全４として行
った。結果から明らかな様に透磁率の大きさに依らず、
コア厚の均一な場合に比へてバックコア厚をフロントコ
ア厚に対して厚くした場合ＫＨ再生効率が増加すること
及びフロントコア部分の面積？小さくする程再生効率が
増加することがわり）る。
った。結果から明らかな様に透磁率の大きさに依らず、
コア厚の均一な場合に比へてバックコア厚をフロントコ
ア厚に対して厚くした場合ＫＨ再生効率が増加すること
及びフロントコア部分の面積？小さくする程再生効率が
増加することがわり）る。
図中ｔＩ′ｉフロントコア厚が他の部分と同一である場
合、ｍはギャップ中心より半径１００μｍの領域全フロ
ントコアとした場合、ｎＨギャップ中心より半径３００
μｍの領域全フロントコアとした場合の曲線である。ギ
ャップ長は０３μへ ギャップ深さｆ１４０μｍである
。またフロントコア厚でバックコア厚の比はｌ：４とし
た。
合、ｍはギャップ中心より半径１００μｍの領域全フロ
ントコアとした場合、ｎＨギャップ中心より半径３００
μｍの領域全フロントコアとした場合の曲線である。ギ
ャップ長は０３μへ ギャップ深さｆ１４０μｍである
。またフロントコア厚でバックコア厚の比はｌ：４とし
た。
〈発明の効果〉
磁気記録分野において記録の高密度化が進む状況下で狭
トラツクのヘッドの開発が急がれているが、本発明の実
施に工す次に挙げる効果を期待することができる。
トラツクのヘッドの開発が急がれているが、本発明の実
施に工す次に挙げる効果を期待することができる。
＋１＋ バックコア厚全フロントコア厚に対して厚く
形成することによってフロントコア厚で均一に磁気ヘッ
ドコア全形成した場合＝り再生感度を改善できる点にお
いてフロントコア厚全薄くしてより狭トラツク化を進め
ることが可能となる。
形成することによってフロントコア厚で均一に磁気ヘッ
ドコア全形成した場合＝り再生感度を改善できる点にお
いてフロントコア厚全薄くしてより狭トラツク化を進め
ることが可能となる。
（２）従来のヘッドの様に機械的な加工に工っで、フロ
ントコア全校り込んで狭トラツク全形成する方法では機
械的な加工能力によって、トラック幅に制約があったが
本発明の磁気ヘッドでは基板に積層する膜厚でトラック
幅及びフロントコア厚とバンクコア厚の比を制御できる
ので上述の制約が除去され、再現性も向上する。
ントコア全校り込んで狭トラツク全形成する方法では機
械的な加工能力によって、トラック幅に制約があったが
本発明の磁気ヘッドでは基板に積層する膜厚でトラック
幅及びフロントコア厚とバンクコア厚の比を制御できる
ので上述の制約が除去され、再現性も向上する。
この発明によって得られる磁気ヘッドは、コア材として
軟磁性金属を用いているのでコア材の飽和磁化の大きさ
が従来のフェライトに比べて大きく高保磁力テープでの
記録が可能である。また高７司波領域での透磁率の増大
化及び狭トラツク化とも相俟って高密度での磁気記録再
生が可能となる。
軟磁性金属を用いているのでコア材の飽和磁化の大きさ
が従来のフェライトに比べて大きく高保磁力テープでの
記録が可能である。また高７司波領域での透磁率の増大
化及び狭トラツク化とも相俟って高密度での磁気記録再
生が可能となる。
本発明の磁気ヘッドは回転ヘッド型ディジタルオーディ
オンステム、８ミリＶＴＲンステム、次世代のディジタ
ルＶＴＲンステム等広範囲にわたっての利用？図ること
ができる。
オンステム、８ミリＶＴＲンステム、次世代のディジタ
ルＶＴＲンステム等広範囲にわたっての利用？図ること
ができる。
第１図は本発明の１実施例である磁気ヘッドの製造工程
において非磁性基板上に°ＦｅＡｔＳｉ 成金蒸着した
状態を示す斜視図である。 第２因は同じく熱処理を施す除の基板の支持状態を示す
斜視図である。 第３図は同じくギャップ突き合わせ前のコア部材の斜視
図である。 第４図は同じくギャップ突き合わせ完了状態を示すコア
の斜視図である。 第５図は従来の磁気へラドコア構造を示す斜視図である
。 第６図は複数個のヘッド全同時に加工する為のコア全示
す平面図である。
において非磁性基板上に°ＦｅＡｔＳｉ 成金蒸着した
状態を示す斜視図である。 第２因は同じく熱処理を施す除の基板の支持状態を示す
斜視図である。 第３図は同じくギャップ突き合わせ前のコア部材の斜視
図である。 第４図は同じくギャップ突き合わせ完了状態を示すコア
の斜視図である。 第５図は従来の磁気へラドコア構造を示す斜視図である
。 第６図は複数個のヘッド全同時に加工する為のコア全示
す平面図である。
Claims (1)
- １、非磁性基板上に軟磁性金属薄膜を成膜して成るコア
を前記軟磁性金属薄膜が相対向するように非磁性スペー
サを介して突き合わせた磁気ヘッドにおいて、前記軟磁
性金属薄膜をフロントコア部で薄く他の部分で厚く層設
したことを特徴とする磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59203082A JP2554041B2 (ja) | 1984-09-27 | 1984-09-27 | 磁気ヘッドコアの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59203082A JP2554041B2 (ja) | 1984-09-27 | 1984-09-27 | 磁気ヘッドコアの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6180512A true JPS6180512A (ja) | 1986-04-24 |
| JP2554041B2 JP2554041B2 (ja) | 1996-11-13 |
Family
ID=16468060
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59203082A Expired - Fee Related JP2554041B2 (ja) | 1984-09-27 | 1984-09-27 | 磁気ヘッドコアの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2554041B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61280009A (ja) * | 1985-06-05 | 1986-12-10 | Hitachi Ltd | 磁気ヘツド |
| JPS61280010A (ja) * | 1985-06-05 | 1986-12-10 | Hitachi Ltd | 磁気ヘツド |
| JPS63102007A (ja) * | 1986-10-17 | 1988-05-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘツド |
| JPH01258206A (ja) * | 1988-04-06 | 1989-10-16 | Mitsubishi Electric Corp | 磁気ヘツドおよびその製造方法 |
| JPH02137104A (ja) * | 1988-11-17 | 1990-05-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘッドとその製造方法 |
| US5145555A (en) * | 1990-03-19 | 1992-09-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a magnetic head |
| US5276959A (en) * | 1991-04-16 | 1994-01-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a magnetic tape head |
| US5691866A (en) * | 1992-07-08 | 1997-11-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magnetic head and method of manufacturing the same |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5755527A (en) * | 1980-09-19 | 1982-04-02 | Hitachi Ltd | Magnetic head of soft magnetic film |
| JPS57138119U (ja) * | 1981-02-20 | 1982-08-28 | ||
| JPS57141010A (en) * | 1981-02-23 | 1982-09-01 | Hitachi Ltd | Production for magnetic head |
| JPS5938922A (ja) * | 1982-08-30 | 1984-03-03 | Hitachi Ltd | 磁気ヘツド |
-
1984
- 1984-09-27 JP JP59203082A patent/JP2554041B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5755527A (en) * | 1980-09-19 | 1982-04-02 | Hitachi Ltd | Magnetic head of soft magnetic film |
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| US5691866A (en) * | 1992-07-08 | 1997-11-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magnetic head and method of manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2554041B2 (ja) | 1996-11-13 |
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|---|---|---|---|
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