JPS6180820A - 投影露光装置 - Google Patents
投影露光装置Info
- Publication number
- JPS6180820A JPS6180820A JP59201746A JP20174684A JPS6180820A JP S6180820 A JPS6180820 A JP S6180820A JP 59201746 A JP59201746 A JP 59201746A JP 20174684 A JP20174684 A JP 20174684A JP S6180820 A JPS6180820 A JP S6180820A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- film
- reticle
- projection exposure
- exposure apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は投影露光に際して、レチクル、光学系。
半導体ウェーハ等において発生する反射光によるパター
ン転写不良の防止を図った投影露光装置に関するもので
ある。
ン転写不良の防止を図った投影露光装置に関するもので
ある。
ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体装置の素子パターンの微細化に
伴なって、半４体ウェーハ上に転写するレチクルパター
ンの縮小倍率も益々大きくなり、これと共と反射光が原
因とされる転写不良の発生も顕著になってきている。例
えば、近年の縮小型投影露光装置は、（株）プレスジャ
ーナル出版「Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｗｏｒｌｄ
Ｊ （１９８４，７ｐ５８〜ｐＨ４）に種々記載さ
れているが、概略第３図に示すように光源１およびコン
デンサレンズ２で照明したレチクル３のパターンを縮小
光学系４で半導体ウェーハ５の表面に縮小結像するよう
に構成されている。そして、この装置では、同図■〜■
に示すように、コンデンサレンズ２とレチクル３０間、
レチクル３の表、裏面、レチクル３と光学系４との間、
光学系４とウェーハ５との間、ウェーハ５上のフォトレ
ジスト６やウェーハ５の表面等において光反射が生じる
。特にレチクル３はガラス基板７に金ＰＡ（クロム）膜
でパターン８を形成しているため、このパターン８にお
ける反射も大きなものとなる。このような光反射が生じ
ると、各反射光はそのまま或いは複数回の反射を繰返し
ながらウェーハ５に到達し、いわゆるゴーストやフレア
となって正規パターン以外のウェーハ面を露光して転写
不良を生じることになる。
伴なって、半４体ウェーハ上に転写するレチクルパター
ンの縮小倍率も益々大きくなり、これと共と反射光が原
因とされる転写不良の発生も顕著になってきている。例
えば、近年の縮小型投影露光装置は、（株）プレスジャ
ーナル出版「Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｗｏｒｌｄ
Ｊ （１９８４，７ｐ５８〜ｐＨ４）に種々記載さ
れているが、概略第３図に示すように光源１およびコン
デンサレンズ２で照明したレチクル３のパターンを縮小
光学系４で半導体ウェーハ５の表面に縮小結像するよう
に構成されている。そして、この装置では、同図■〜■
に示すように、コンデンサレンズ２とレチクル３０間、
レチクル３の表、裏面、レチクル３と光学系４との間、
光学系４とウェーハ５との間、ウェーハ５上のフォトレ
ジスト６やウェーハ５の表面等において光反射が生じる
。特にレチクル３はガラス基板７に金ＰＡ（クロム）膜
でパターン８を形成しているため、このパターン８にお
ける反射も大きなものとなる。このような光反射が生じ
ると、各反射光はそのまま或いは複数回の反射を繰返し
ながらウェーハ５に到達し、いわゆるゴーストやフレア
となって正規パターン以外のウェーハ面を露光して転写
不良を生じることになる。
このような多重反射による問題の現象や原因分析にライ
ては、例えばＷ、０１ｄｈａｍ ｅｔ −ａ月”Ｃｏｎ
ｔｒａｓｔ ５ｔｕｄｉｅｓ ｉｎ Ｈｉｇｈ−Ｐｅｒ
ｆｏｒｍａｎｓＰｒｏｊｅｃｔｉｏｎ ０ｐｔｉｃｓ”
ＩＥεＥ Ｔｒａｎｓ、Ｅｌｅ−ｃｔｒｏｎ Ｄｅ
ｖｉｃｅ・Ｖｏ Ｉ −ＥＤ −３０： Ｎｏｖ、ｐ、
１４７４（１９８３）にも記載されているが、その解決
策については何等示されていない。
ては、例えばＷ、０１ｄｈａｍ ｅｔ −ａ月”Ｃｏｎ
ｔｒａｓｔ ５ｔｕｄｉｅｓ ｉｎ Ｈｉｇｈ−Ｐｅｒ
ｆｏｒｍａｎｓＰｒｏｊｅｃｔｉｏｎ ０ｐｔｉｃｓ”
ＩＥεＥ Ｔｒａｎｓ、Ｅｌｅ−ｃｔｒｏｎ Ｄｅ
ｖｉｃｅ・Ｖｏ Ｉ −ＥＤ −３０： Ｎｏｖ、ｐ、
１４７４（１９８３）にも記載されているが、その解決
策については何等示されていない。
本発明の目的は照明光学系、レチクル、縮小光学系にお
ける多重反射の抑制ないし防止を図り、これによりパタ
ーン転写不良の改善を達成できる投影露光装置を提供す
ることにある。
ける多重反射の抑制ないし防止を図り、これによりパタ
ーン転写不良の改善を達成できる投影露光装置を提供す
ることにある。
また本発明の目的は照明光学系、レチクル、縮
１小光学系に加えて半導体ウェーハにおける反射の
抑制、防止を図って転写の改善を更に向上することので
きる半導体装置を提供することにある。
１小光学系に加えて半導体ウェーハにおける反射の
抑制、防止を図って転写の改善を更に向上することので
きる半導体装置を提供することにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう゛。
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう゛。
本願におい工開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、レチクルの少な（ともパターンを含む部位に
低反射膜を形成することにより、特に顕著なパターンか
らの反射光の低減を図り、これによりレチクル自体はも
とより、レチクルと照明。
低反射膜を形成することにより、特に顕著なパターンか
らの反射光の低減を図り、これによりレチクル自体はも
とより、レチクルと照明。
縮小の各光学系間での反射光の低減を図り、ゴーストや
フレアを防止して転写不良の改善を達成できる。
フレアを防止して転写不良の改善を達成できる。
また、半導体ウェーハのフォトレジストに対して低反射
処理を施すことにより、ウェーハにおける反射光の低減
を図り、これによりゴースト、フレアの防止効果を更に
向上することができる。
処理を施すことにより、ウェーハにおける反射光の低減
を図り、これによりゴースト、フレアの防止効果を更に
向上することができる。
第１図は本発明をレチクルに適用した実施例であり、同
図四〜ｒ）に各異なる変形例を示している。
図四〜ｒ）に各異なる変形例を示している。
ここで、各レチクルは透明な石英ガラスの基板１０の表
面（図では下面）に光を透過しないクロム等の金属膜の
パターン１１を所要の形状に形成したものが基本となっ
ている。
面（図では下面）に光を透過しないクロム等の金属膜の
パターン１１を所要の形状に形成したものが基本となっ
ている。
第１図囚はパターン１１０表面上に低反射膜１３を形成
したものである。低反射膜１３としては、例えばパター
ン１１をクロム膜で形成したときにはクロム酸化膜を利
用する。このクロム酸化膜はパターン膜厚２０〜２００
ｎｍに対して５〜２００ ｎｍの範囲の厚さにする。
したものである。低反射膜１３としては、例えばパター
ン１１をクロム膜で形成したときにはクロム酸化膜を利
用する。このクロム酸化膜はパターン膜厚２０〜２００
ｎｍに対して５〜２００ ｎｍの範囲の厚さにする。
なお、このレチクルの製造方法は、ガラス基板１０上に
クロム膜とクロム酸化膜を重ねて形成した上でフォトリ
ングラフィ技術等によってこれら両膜を同時に選択エツ
チング（パターニング）する方法等が採用できる。
クロム膜とクロム酸化膜を重ねて形成した上でフォトリ
ングラフィ技術等によってこれら両膜を同時に選択エツ
チング（パターニング）する方法等が採用できる。
このレチクル１２構造では、パターンの表面に投射され
る光線（ｇｌｊｌ＝４３６ ｎｍ、 ｈｉｌ＝４ Ｏ
５ｎｍ、ｉ線＝３６５ｎｍ）の反射率を１〜３０％の範
囲に抑え、かつ膜の厚さ等を調整することによって任意
の値にコントロールできる。
る光線（ｇｌｊｌ＝４３６ ｎｍ、 ｈｉｌ＝４ Ｏ
５ｎｍ、ｉ線＝３６５ｎｍ）の反射率を１〜３０％の範
囲に抑え、かつ膜の厚さ等を調整することによって任意
の値にコントロールできる。
第１図（Ｉ３１はパターン１１の表面２よび裏面に低反
射膜１４．１５を形成したレチクル１６であり。
射膜１４．１５を形成したレチクル１６であり。
膜材料や厚さ等はんと同じである。本例ではパターン１
１の裏面における反射をも防止できる。
１の裏面における反射をも防止できる。
第１図＋ＣＩハターンを含めてはレチクル１７０表面お
よび裏面の全面に低反射膜１８．１９を形成したもので
あり、特に表面ではパターン１１を覆うように膜１８を
形成し℃いる。低反射膜１８゜］９の材料としては、Ｍ
ｇＦｔ 、Ｓ ｒ ｘｏｙ ＋ Ａち０３゜ＣａＦ２
、 ＭｇＯ，Ｐｒａｗｎ ｌ Ｉｎ２Ｏ３１ＺｒＱ、
ｔ Ｔ＋ｘＯｙ。
よび裏面の全面に低反射膜１８．１９を形成したもので
あり、特に表面ではパターン１１を覆うように膜１８を
形成し℃いる。低反射膜１８゜］９の材料としては、Ｍ
ｇＦｔ 、Ｓ ｒ ｘｏｙ ＋ Ａち０３゜ＣａＦ２
、 ＭｇＯ，Ｐｒａｗｎ ｌ Ｉｎ２Ｏ３１ＺｒＱ、
ｔ Ｔ＋ｘＯｙ。
ＺｎＳ の無機膜が有効であり、かつ厚さは５〜２０
０ ｎｍが好適である。この場合、低反射膜１８．１９
は屈折率を段階的に異ならせたものを１〜３層に形成し
て反射防止効果を向上させることもできる。また、有機
膜とじ又は、染料を加えたフォトレジスト材料（例えば
、東京応化製０ＮＰＲ−８３０，０ＤＵＲ−１０１０に
染料を添加）、塗布性のよい反射防止膜（例えば、Ｂｒ
ｅ−ｗｅｒ ５ｃｉｅｎｃｅ社叡！ＡＲＣ）、ニトロセ
ルロース、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルアル
コール、ノボラック樹脂、ポリビニルカルバゾール等が
用いられる。
０ ｎｍが好適である。この場合、低反射膜１８．１９
は屈折率を段階的に異ならせたものを１〜３層に形成し
て反射防止効果を向上させることもできる。また、有機
膜とじ又は、染料を加えたフォトレジスト材料（例えば
、東京応化製０ＮＰＲ−８３０，０ＤＵＲ−１０１０に
染料を添加）、塗布性のよい反射防止膜（例えば、Ｂｒ
ｅ−ｗｅｒ ５ｃｉｅｎｃｅ社叡！ＡＲＣ）、ニトロセ
ルロース、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルアル
コール、ノボラック樹脂、ポリビニルカルバゾール等が
用いられる。
第１図［）ｌはパターン１１の表面側に形成した低反射
膜２０を厚く形成し、垂直に近い角度でレチクル２１を
通る光の中、パターンのエツジ部で回折されされた光を
この膜２０で吸収する。膜２０の厚さは１００ ｎｍ以
上が良好であり、パターン幅（ポジレジストプロセスの
場合はスペース幅）の０．５〜１０倍の寸法が最適であ
る。もっとも、これ以上の厚さでもよく１例えば１０：
１の縮小投影用のレチクルで１０μｍのスペースがある
場合には５〜１００μｍの厚さが最適で、これより薄く
工も厚くても十分な効果が得られる。
膜２０を厚く形成し、垂直に近い角度でレチクル２１を
通る光の中、パターンのエツジ部で回折されされた光を
この膜２０で吸収する。膜２０の厚さは１００ ｎｍ以
上が良好であり、パターン幅（ポジレジストプロセスの
場合はスペース幅）の０．５〜１０倍の寸法が最適であ
る。もっとも、これ以上の厚さでもよく１例えば１０：
１の縮小投影用のレチクルで１０μｍのスペースがある
場合には５〜１００μｍの厚さが最適で、これより薄く
工も厚くても十分な効果が得られる。
前記膜２０の材料は前例と同じでよいが、厚膜に形成す
る場合には感光性のある有機材を用いる方が有効である
。すなわち、レチクル２１の形成に際して、ガラス基板
１０に低反射膜２２、クロ １ム膜１１を
形成した上で前述のプロセスによってこれをパターニン
グしてパターン１１を形成した上で、前記感光性有機材
料な厚膜に形成し、レチクル２１の裏面側から光を照射
することにより有機材料はパターン１１によってセルフ
ァライン的に露光され、以後これを現像すればパターン
１１上にのみ膜２０を完成できる。なお、無機材料を使
用する場合には、通常のフォトリングラフィ技術（この
場合にも先に形成したパターンを利用してセル７アライ
ン的に露光できる）によって形成できる。
る場合には感光性のある有機材を用いる方が有効である
。すなわち、レチクル２１の形成に際して、ガラス基板
１０に低反射膜２２、クロ １ム膜１１を
形成した上で前述のプロセスによってこれをパターニン
グしてパターン１１を形成した上で、前記感光性有機材
料な厚膜に形成し、レチクル２１の裏面側から光を照射
することにより有機材料はパターン１１によってセルフ
ァライン的に露光され、以後これを現像すればパターン
１１上にのみ膜２０を完成できる。なお、無機材料を使
用する場合には、通常のフォトリングラフィ技術（この
場合にも先に形成したパターンを利用してセル７アライ
ン的に露光できる）によって形成できる。
本例によれば、パターン１１のエツジ部における回折光
を吸収できるのはもとより、フォーカルプレーン（レチ
クルパターンの焦点面位置）を任意に選択できる。すな
わち、レチクルの真空吸着される領域の膜厚を露光領域
のパターンの膜厚と相違させ、かつ前者の膜厚を自由に
変化させることにより、任意のフォーカルプレーンを設
定でき、焦点調整の容易化を図ることができる。
を吸収できるのはもとより、フォーカルプレーン（レチ
クルパターンの焦点面位置）を任意に選択できる。すな
わち、レチクルの真空吸着される領域の膜厚を露光領域
のパターンの膜厚と相違させ、かつ前者の膜厚を自由に
変化させることにより、任意のフォーカルプレーンを設
定でき、焦点調整の容易化を図ることができる。
第１図口）はガラス基板１０の表面に低反射膜２３．２
４と共にクロム膜のパターン１１を形成する一方、基板
１０の裏面にも低反射膜２５゜２６と共にパターンＩＩ
Ａを形成し℃レチクル２７を構成している。そし℃、裏
面側のパターン１１Ａ等は表面側のものよりもパターン
寸法を１〜３０％程度小さくなるように形成している。
４と共にクロム膜のパターン１１を形成する一方、基板
１０の裏面にも低反射膜２５゜２６と共にパターンＩＩ
Ａを形成し℃レチクル２７を構成している。そし℃、裏
面側のパターン１１Ａ等は表面側のものよりもパターン
寸法を１〜３０％程度小さくなるように形成している。
この構成は照明光の入射角がレチクル垂直面に対して若
干の拡がりを有していることの対策であり、表、裏面の
パターン寸法を異ならせることにより傾斜した光線の透
過を防止できる。ガラス基板１０の厚さを２２ｍｍとし
た場合、表、裏面のパターン寸法の差（中心に対する片
側寸法差）は０〜５μｍが好ましい。
干の拡がりを有していることの対策であり、表、裏面の
パターン寸法を異ならせることにより傾斜した光線の透
過を防止できる。ガラス基板１０の厚さを２２ｍｍとし
た場合、表、裏面のパターン寸法の差（中心に対する片
側寸法差）は０〜５μｍが好ましい。
第１図（Ｆｌは、レチクル２８表面への異物の付着を防
止するためにパターン１１を覆うように設けた公知のペ
ソクル膜（例えば、ＡＳＰ社製ＬＲ０゜８６５−２８）
２９に低反射膜３０を形成（コーティング）し℃いる。
止するためにパターン１１を覆うように設けた公知のペ
ソクル膜（例えば、ＡＳＰ社製ＬＲ０゜８６５−２８）
２９に低反射膜３０を形成（コーティング）し℃いる。
ペソクル膜２９は通常１μｍ以下の厚さであり機緘的強
度も低いので、前述した無機材料を１〜３層構造として
５〜２ （１ｎｍの範囲で表、裏面にコーティングして
いる。この場合、低反射膜３０は表面側に向って低屈折
率にすることか望ましく・。
度も低いので、前述した無機材料を１〜３層構造として
５〜２ （１ｎｍの範囲で表、裏面にコーティングして
いる。この場合、低反射膜３０は表面側に向って低屈折
率にすることか望ましく・。
一方、パターンが転写される半導体ウェーハは、第２図
に示すように半導体ウェーハ４０の表面に前工程までの
パターンやエツチングされる膜等が形成され、その上に
フォトレジスト膜を形成した構成を基本にし又いる。
に示すように半導体ウェーハ４０の表面に前工程までの
パターンやエツチングされる膜等が形成され、その上に
フォトレジスト膜を形成した構成を基本にし又いる。
第２回置はフォトレジスト膜４１にｇ線、ｈ線又はｉ綜
に吸収特性のある染料を含有させている。
に吸収特性のある染料を含有させている。
例えば東京応化製ボジレジス）ＯＮＰＲ−８３０にオレ
ンジイエロー、スーダンオレンジ等の染料を０．５〜１
０ｗｔ％混合し、これを１μｍの厚さで塗布してソフト
ベークすれば、レジストの光透過率は零ないし３０％以
下にでき、かつこの値は任意に設定できる。レジスト膜
４１内部の光干渉はレジストの下層を構成する物質によ
り反射効率が異なるため一定値とはならないが、染料濃
度。
ンジイエロー、スーダンオレンジ等の染料を０．５〜１
０ｗｔ％混合し、これを１μｍの厚さで塗布してソフト
ベークすれば、レジストの光透過率は零ないし３０％以
下にでき、かつこの値は任意に設定できる。レジスト膜
４１内部の光干渉はレジストの下層を構成する物質によ
り反射効率が異なるため一定値とはならないが、染料濃
度。
レジスト厚さを制御することにより最適条件を求めるこ
とができる。
とができる。
本例では露光された光の大部分がレジストに吸収される
ため、低反射と同等の効果を得ることができる。
ため、低反射と同等の効果を得ることができる。
第２図［Ｆ］；はウェーハ４０の表面に、ｇ線、ｈ線な
いし１ｌｉＫ対して充分吸光性を有する膜４２を予め形
成し、その上にフォトレジスト膜４３を形成している。
いし１ｌｉＫ対して充分吸光性を有する膜４２を予め形
成し、その上にフォトレジスト膜４３を形成している。
膜４２としては低反射のＳｉ薄膜（３〜２００ｎｍ厚）
、Ｂｒｅｗｅｒ ５ｃｉｅｎｃｅ 社製ＡＲＣＬ２（１
０〜５００ｎｍ厚）が有効である。
、Ｂｒｅｗｅｒ ５ｃｉｅｎｃｅ 社製ＡＲＣＬ２（１
０〜５００ｎｍ厚）が有効である。
第２図１ｃＩはウェーハ４０上のフォトレジスト膜４４
上に屈折率１．３〜２８の薄膜４５を１ないし３層に形
成し、かつ各層の屈折率が表面側はど小さくなるように
構成している。薄膜４５の材料には第１図で述べたもの
が使用でき、厚さは各々５ｎｍ〜５００ ｎｍに最適値
が得られる。フォトレジスト膜４４は、２層ないし３層
レジスト法を構成されてもよい。すなわち、２層レジス
ト法の場合は、ウェーハ４０上に染料を含めたポリメタ
クリレートを塗布し、その上に７・トレジスト膜
１４４、ついで本発明の薄膜４５を１ないし３
層形成する。３層レジスト法では、ウェーハ４０上に染
料を含めたポジレジスト（例えば東京応化ｇ。
上に屈折率１．３〜２８の薄膜４５を１ないし３層に形
成し、かつ各層の屈折率が表面側はど小さくなるように
構成している。薄膜４５の材料には第１図で述べたもの
が使用でき、厚さは各々５ｎｍ〜５００ ｎｍに最適値
が得られる。フォトレジスト膜４４は、２層ないし３層
レジスト法を構成されてもよい。すなわち、２層レジス
ト法の場合は、ウェーハ４０上に染料を含めたポリメタ
クリレートを塗布し、その上に７・トレジスト膜
１４４、ついで本発明の薄膜４５を１ないし３
層形成する。３層レジスト法では、ウェーハ４０上に染
料を含めたポジレジスト（例えば東京応化ｇ。
ＮＰＲ−８３０）を塗布し、ついでＳｉｎ、膜（例えば
東京応化製０ＣＤ）を塗布、ベークし、次に ・フォト
レジスト膜４４、本発明の薄膜４５を１ないし３磨形成
する。
東京応化製０ＣＤ）を塗布、ベークし、次に ・フォト
レジスト膜４４、本発明の薄膜４５を１ないし３磨形成
する。
以上のようにζり成したレチクルやラニーハラ第３図の
投影露光装置９に夫々セットしてレチクル３Ａのパター
ンのウェーハ５Ａへの転写を行なえば、レチクル３−？
ウェーハ５Ａの表面、裏面における反射光が低減され、
したがって図示■〜■の異常反射光の抑制ないし防止を
達成でき、ゴーストやフレアを防止して正確なパターン
転写を行な、うことができる。
投影露光装置９に夫々セットしてレチクル３Ａのパター
ンのウェーハ５Ａへの転写を行なえば、レチクル３−？
ウェーハ５Ａの表面、裏面における反射光が低減され、
したがって図示■〜■の異常反射光の抑制ないし防止を
達成でき、ゴーストやフレアを防止して正確なパターン
転写を行な、うことができる。
（１； レチクルの少な（ともパターン部位に低反射
膜を形成しているので、光景の多いパターン面での反射
光を抑制でき、この反射光が原因とされるゴースト、フ
レア等を防止し、パターン転写を好適に行なうことがで
きる。
膜を形成しているので、光景の多いパターン面での反射
光を抑制でき、この反射光が原因とされるゴースト、フ
レア等を防止し、パターン転写を好適に行なうことがで
きる。
（２１パターンの表、裏面に低反射膜を形成しているの
で、パターン表、裏面での反射を抑制し、全体としての
反射光量の低減を図ってパターン転写を更に良好なもの
にできる。
で、パターン表、裏面での反射を抑制し、全体としての
反射光量の低減を図ってパターン転写を更に良好なもの
にできる。
（３１ハターンに厚膜の低反射膜を形成し℃いるので、
パターンエツジ部における回折光の透過を防止できる。
パターンエツジ部における回折光の透過を防止できる。
（４）レチクルガラス基板の表、裏面に夫々パターンを
形成し、かつ裏面側パターンを表面側よりも若干小さく
形成しているので、レチクルに対して傾斜した角度の光
の透過を防止できる。
形成し、かつ裏面側パターンを表面側よりも若干小さく
形成しているので、レチクルに対して傾斜した角度の光
の透過を防止できる。
（５１半導体ウェーハ上に形成するフォトレジスト膜中
に光吸収特性のある材料を含有させているので、フォト
レジストに照射された光の異常反射を防止し、正確なパ
ターンの転写を可能にする。
に光吸収特性のある材料を含有させているので、フォト
レジストに照射された光の異常反射を防止し、正確なパ
ターンの転写を可能にする。
（６１ウェーハ上のフォトレジスト膜の上面又は下面に
低反射膜を形成しているので、フォトレジスト膜の上面
又は下面における反射光を低減できる。
低反射膜を形成しているので、フォトレジスト膜の上面
又は下面における反射光を低減できる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しな（・範囲で種々変更
可能であることはいうまでもない。たとえば、夫々個別
に説明した前述のレチクルは相互に組合せることもでき
、図示以外の種々の構成を得ることができる。勿論、照
明光学系や投影光学系の構成も種々のものが採用できる
。
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しな（・範囲で種々変更
可能であることはいうまでもない。たとえば、夫々個別
に説明した前述のレチクルは相互に組合せることもでき
、図示以外の種々の構成を得ることができる。勿論、照
明光学系や投影光学系の構成も種々のものが採用できる
。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である半導体装置の製造用
の投影露光装置に適用した場合につい℃説明したが、そ
れに限定されるものではなく、特にレチクルの改良はフ
ォトリングラフィ技術全般に適用できる。
をその背景となった利用分野である半導体装置の製造用
の投影露光装置に適用した場合につい℃説明したが、そ
れに限定されるものではなく、特にレチクルの改良はフ
ォトリングラフィ技術全般に適用できる。
第１図ん〜ｒ）はレチクルの各異なる実施例の断面図、
第２図囚〜（０は半導体ウェーハの各異なる実施例の断
面図、 第３図は投影露光装置の模式的構造と異常反射状態を示
す図である。 １・・・光！、２・・・コンデンサレンズ、３，３Ａ・
・・レチクル、４・・・投影光学系、訃・・ウェーハ、
６・・・フォトレジスト、９・・・投影露光装置、１０
・・・ガラス基板、１１，１１Ａ・・・パターン（クロ
ム膜）、１２．１６，１７，２１，２７．２８・・・レ
チクル、１３．１４，１５，１８，１９，２０，２２゜
２３．２４，２５，２６．３０・・・低反射膜、２９・
・・ペソクル、４０・・・ウェーハ、４１，４３，４４
・・・フォトレジスト、４２．４５・・・低反射膜。 代理人 弁理士 高 橋 明 来電 第 １ 図 （Ａ） 、／ ；Ｚ （、）、４．！′ ＼
ゝ、 ’ 、’＝／ ”′ 第 １ 図 とＦノ、、、７．ｔ、＋’、ザ゛ ／／ １ ・、 〃２・９ 第 ２ 図 （Ａ２
面図、 第３図は投影露光装置の模式的構造と異常反射状態を示
す図である。 １・・・光！、２・・・コンデンサレンズ、３，３Ａ・
・・レチクル、４・・・投影光学系、訃・・ウェーハ、
６・・・フォトレジスト、９・・・投影露光装置、１０
・・・ガラス基板、１１，１１Ａ・・・パターン（クロ
ム膜）、１２．１６，１７，２１，２７．２８・・・レ
チクル、１３．１４，１５，１８，１９，２０，２２゜
２３．２４，２５，２６．３０・・・低反射膜、２９・
・・ペソクル、４０・・・ウェーハ、４１，４３，４４
・・・フォトレジスト、４２．４５・・・低反射膜。 代理人 弁理士 高 橋 明 来電 第 １ 図 （Ａ） 、／ ；Ｚ （、）、４．！′ ＼
ゝ、 ’ 、’＝／ ”′ 第 １ 図 とＦノ、、、７．ｔ、＋’、ザ゛ ／／ １ ・、 〃２・９ 第 ２ 図 （Ａ２
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、所要のパターンを形成したレチクルを照明する照明
光学系と、レチクルのパターンを投影する投影光学系と
を備えた投影露光装置において、前記レチクルの少なく
ともパターン部位に低反射膜を形成したことを特徴とす
る投影露光装置。 ２、パターンの表面および裏面に低反射膜を形成してな
る特許請求の範囲第１項記載の投影露光装置。 ３、パターンの表面上に厚膜の低反射膜を形成してなる
特許請求の範囲第１項記載の投影露光装置。 ４、レチクルの裏面にパターンより微小寸法だけ小さい
裏パターンを形成し、パターンおよび裏パターンに夫々
低反射膜を形成してなる特許請求の範囲第１項記載の投
影露光装置。 ５、パターンを覆うペソクル膜を付設し、このペソクル
膜に低反射膜を形成してなる特許請求の範囲第１項記載
の投影露光装置。 ６、所要のパターンを形成したレチクルを照明する照明
光学系と、このレチクルのパターンを半導体ウェーハ表
面上に投影する投影光学系とを備えた投影露光装置にお
いて、前記ウェーハ表面には低反射処理したフォトレジ
スト膜を形成したことを特徴とする投影露光装置。 ７、フォトレジスト膜に低反射物質を含有させてなる特
許請求の範囲第６項記載の投影露光装置。 ８、フォトレジスト膜の下面に低反射膜を形成してなる
特許請求の範囲第６項記載の投影露光装置。 ９、フォトレジスト膜の上面にこれよりも低屈折率の膜
を一層以上形成してなる特許請求の範囲第６項記載の投
影露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59201746A JPS6180820A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | 投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59201746A JPS6180820A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | 投影露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6180820A true JPS6180820A (ja) | 1986-04-24 |
Family
ID=16446253
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59201746A Pending JPS6180820A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | 投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6180820A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6197924A (ja) * | 1984-10-19 | 1986-05-16 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 保護カバ− |
| JPH03504934A (ja) * | 1988-08-25 | 1991-10-31 | 株式会社デニックス | 歯科用レーザ装置 |
-
1984
- 1984-09-28 JP JP59201746A patent/JPS6180820A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6197924A (ja) * | 1984-10-19 | 1986-05-16 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 保護カバ− |
| JPH03504934A (ja) * | 1988-08-25 | 1991-10-31 | 株式会社デニックス | 歯科用レーザ装置 |
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