JPS6180890A - レーザーダイオードの製造方法 - Google Patents
レーザーダイオードの製造方法Info
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- JPS6180890A JPS6180890A JP60208567A JP20856785A JPS6180890A JP S6180890 A JPS6180890 A JP S6180890A JP 60208567 A JP60208567 A JP 60208567A JP 20856785 A JP20856785 A JP 20856785A JP S6180890 A JPS6180890 A JP S6180890A
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- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
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- H10H20/85—Packages
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10P54/00—Cutting or separating of wafers, substrates or parts of devices
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- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
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- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
１本発明は、集積されたヒートン／りを備え
たレーザーダイオードの型造方法であって、そ几らのヒ
ートシンクは半導体上においてレーザ能動／−ノ近くに
、したがって＃系子反吋面近くに設けられた良ｒ＃Ａ云
導性は料体でらり、個別素子として・Ｄレーザーダイオ
ードは大きなウェーハから刻み目をつけて爾１すること
によって得られるようなレーザーダイオードの型造方法
に関する。
１本発明は、集積されたヒートン／りを備え
たレーザーダイオードの型造方法であって、そ几らのヒ
ートシンクは半導体上においてレーザ能動／−ノ近くに
、したがって＃系子反吋面近くに設けられた良ｒ＃Ａ云
導性は料体でらり、個別素子として・Ｄレーザーダイオ
ードは大きなウェーハから刻み目をつけて爾１すること
によって得られるようなレーザーダイオードの型造方法
に関する。
〔従来の技術Ｊ
それぞｊ、良熱云導性材料、一般には金渭からなろヒー
ト／ツクを有する個：ツリ素子としてのレーザーダイオ
ードを・製造することは公ダロである。その場合特にス
トライプ形レーザーダイオード、とりわけ多数のエピタ
キ／ヤル１脅、とぐに埋込まｎたへテロ構造を持つ半導
体をレーザーダイオードが対象となっている。かかる多
源構造は基板上へのエビタキ／ヤル分＠Ｖてよって作ら
れる。本来のレーザー活神須域は、基板においてｈｌ向
している層形成面近くにある層に存在する。かかる構造
を有するレーザーダイオードにかいては、レーザービー
ム発生時ｌこ必然的に生じる熱が法板とは反対＋ｉｌの
層構造表面近くで発’ｈされる。したがって、この層構
造表面にヒートン／りを設けることが重要である。これ
は［アブサイドダウン（ｕｐθ１ｄｅ−ｄｏｗｎ ）
Ｊ技術と呼ばれる。この技術においては、ヒートシンク
をできるだけ正確にレーザーダイオード素子上に設ける
ことが必要でちる。つまり少くともレーザー活准領域の
共（辰子反射部の範囲（・ておｈで、即ちレーザーダイ
オードがら有効レーザーが出てくる反射面の範囲におい
て、ヒートシンクが最高でも反射面の平面にまでしか達
しな−ハようｌご正確（（設けることであり、さらに良
いの・はなおち数μｍひっこんでいることである。そｔ
Ｌによって、レーザーダイオードから発射さ九る有効レ
ーザービームがヒートシンクのＨ＋でぶつからないこと
が保証される。
ト／ツクを有する個：ツリ素子としてのレーザーダイオ
ードを・製造することは公ダロである。その場合特にス
トライプ形レーザーダイオード、とりわけ多数のエピタ
キ／ヤル１脅、とぐに埋込まｎたへテロ構造を持つ半導
体をレーザーダイオードが対象となっている。かかる多
源構造は基板上へのエビタキ／ヤル分＠Ｖてよって作ら
れる。本来のレーザー活神須域は、基板においてｈｌ向
している層形成面近くにある層に存在する。かかる構造
を有するレーザーダイオードにかいては、レーザービー
ム発生時ｌこ必然的に生じる熱が法板とは反対＋ｉｌの
層構造表面近くで発’ｈされる。したがって、この層構
造表面にヒートン／りを設けることが重要である。これ
は［アブサイドダウン（ｕｐθ１ｄｅ−ｄｏｗｎ ）
Ｊ技術と呼ばれる。この技術においては、ヒートシンク
をできるだけ正確にレーザーダイオード素子上に設ける
ことが必要でちる。つまり少くともレーザー活准領域の
共（辰子反射部の範囲（・ておｈで、即ちレーザーダイ
オードがら有効レーザーが出てくる反射面の範囲におい
て、ヒートシンクが最高でも反射面の平面にまでしか達
しな−ハようｌご正確（（設けることであり、さらに良
いの・はなおち数μｍひっこんでいることである。そｔ
Ｌによって、レーザーダイオードから発射さ九る有効レ
ーザービームがヒートシンクのＨ＋でぶつからないこと
が保証される。
〔この発明が解決しようとする問題点〕本発明の目的（
ま、特にこのような個＞ｒＩＪのレーザーダイオード素
子の大量生産の；’ｃ ｖ）に、簡単なセリ方で少なく
とも著１−い費用増大なしにヒート／ンクを正確に設置
することを可能にする手段を提供することにある。
ま、特にこのような個＞ｒＩＪのレーザーダイオード素
子の大量生産の；’ｃ ｖ）に、簡単なセリ方で少なく
とも著１−い費用増大なしにヒート／ンクを正確に設置
することを可能にする手段を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段」
上記の目的を達成するため本発明によれば、個別素子の
レーザー機能分既に備えた半導体ウェー・・が、そのウ
エーノ・上にまで達する開口を有するマスク、層で１７
ｊ５れ、 その際これらの開口の配置の選択は、開口がそれぞれ所
定のレーザー共賑子の方向に対して横の方向に延びてい
る列に配置されていて、しかも開口は、分割尺度の半分
だけ、それぞれ直接に隣合う列の対応する開口にて対面
していて、開口のこれらのずらしが列から列へ交互にな
るように配ｔさ九ていて、 開口が所定のヒートン／りの熱伝導性材料で埋められ、 開口の列に対して平行な方向においてウェー−・の表［
■がこれらの列の間に合わせて″４１１九目と入れら、
ル、ウェー−・がこれらの割れ目に旧って１回号りのバ
ーに分割され、 個別素子はウェーハの個々の機能の間に走っている線に
沿って割れ目を入れて割ることによって分割される。
レーザー機能分既に備えた半導体ウェー・・が、そのウ
エーノ・上にまで達する開口を有するマスク、層で１７
ｊ５れ、 その際これらの開口の配置の選択は、開口がそれぞれ所
定のレーザー共賑子の方向に対して横の方向に延びてい
る列に配置されていて、しかも開口は、分割尺度の半分
だけ、それぞれ直接に隣合う列の対応する開口にて対面
していて、開口のこれらのずらしが列から列へ交互にな
るように配ｔさ九ていて、 開口が所定のヒートン／りの熱伝導性材料で埋められ、 開口の列に対して平行な方向においてウェー−・の表［
■がこれらの列の間に合わせて″４１１九目と入れら、
ル、ウェー−・がこれらの割れ目に旧って１回号りのバ
ーに分割され、 個別素子はウェーハの個々の機能の間に走っている線に
沿って割れ目を入れて割ることによって分割される。
本発明は次の型造原理から出発している。即ち、先ず１
つの大きなウエーノ１内に多数のレーザーダイオードチ
ップトを作り、それからこのつニー八を原理的には公知
のやり方で個別素子に分割することである。Ｏの分割の
、ｔめにダイアモンドを用いた割れ目入れ方式が使用さ
れる。生じた割れ面２よ、よく知られているようＶて、
個々のレーザーダイオードの個々の共邊子の反射面であ
る。
つの大きなウエーノ１内に多数のレーザーダイオードチ
ップトを作り、それからこのつニー八を原理的には公知
のやり方で個別素子に分割することである。Ｏの分割の
、ｔめにダイアモンドを用いた割れ目入れ方式が使用さ
れる。生じた割れ面２よ、よく知られているようＶて、
個々のレーザーダイオードの個々の共邊子の反射面であ
る。
本発明は、ヒートンンクを予めウェー−・上に設置し、
好適には再び開用可能なマスクにより正確な位１合わせ
を行うという発展的な考えて基いている。ウェーハの層
構造の全体のエピタキ７ヤル
１層形成の仕上げ、好−ましぐｄこの１−構面の該当表
面上への″＆桶層のコーティングと行つｒ＋ｉに、この
表面もしくはこの電極層が、好ましくはホトラックから
なるマスクで覆われる。公知のようにして、ホトラック
層は所定の設置すべきヒートシンクに対応するマスク構
造を与える。ウェー・・に設けられたレーザーダイオー
ドのそれぞれのために、このホトランク層はこれらのレ
ーザーダイオードに付属するヒート／ンクの金属の電解
形成のための一問口を有する。
好適には再び開用可能なマスクにより正確な位１合わせ
を行うという発展的な考えて基いている。ウェーハの層
構造の全体のエピタキ７ヤル
１層形成の仕上げ、好−ましぐｄこの１−構面の該当表
面上への″＆桶層のコーティングと行つｒ＋ｉに、この
表面もしくはこの電極層が、好ましくはホトラックから
なるマスクで覆われる。公知のようにして、ホトラック
層は所定の設置すべきヒートシンクに対応するマスク構
造を与える。ウェー・・に設けられたレーザーダイオー
ドのそれぞれのために、このホトランク層はこれらのレ
ーザーダイオードに付属するヒート／ンクの金属の電解
形成のための一問口を有する。
上述のよう（で、少なくともそれぞれ１つの共撮子反村
面の範囲において、即ち後で割ることによって発生させ
ることのできるウェー／％分＞；＋１片の一側面の範囲
：・こおいて、設けられるヒート／ンクが１かなμｍで
正確瞼′ここの反！Ｊｔｕ＋Ｔもしぐはこの側面；ｒ−
きわせられていることが必要である。しかし、なち・も
次の別の考えも本発明の一部である。即ち、とりわけ材
料ｔｒ約の目的で、ヒートシンクレフために設けられた
ホトラックマスクの個々の開口を互いに良好に配置する
こと、もしくは分・市させることであり、その場合に本
発明にしたがって列刀１ら列へずらされた分布およびそ
のために適合された輪郭形状が特く好都合である。
面の範囲において、即ち後で割ることによって発生させ
ることのできるウェー／％分＞；＋１片の一側面の範囲
：・こおいて、設けられるヒート／ンクが１かなμｍで
正確瞼′ここの反！Ｊｔｕ＋Ｔもしぐはこの側面；ｒ−
きわせられていることが必要である。しかし、なち・も
次の別の考えも本発明の一部である。即ち、とりわけ材
料ｔｒ約の目的で、ヒートシンクレフために設けられた
ホトラックマスクの個々の開口を互いに良好に配置する
こと、もしくは分・市させることであり、その場合に本
発明にしたがって列刀１ら列へずらされた分布およびそ
のために適合された輪郭形状が特く好都合である。
ウェーハのすべてのレーザーダイオードのヒートンンク
を電解形成させた後にホトラック４ｊｔＪ去し、そして
ウェー−・ｔ−２つの山ｆｉ方向に訃１八て相次いで割
ることによってウエーノ１を１固々のレーザーダイオー
ドチップに分割する。、１つ（つウェーハ上に非常に多
くのレーザーダイオードを作る場合にも、分′刻工程が
既に設ｄＪれているヒート／ンクに合わせて行われるよ
うにするために、そのｆＡ閾ラウェ−・の外ｊＩＩＩの
縁にて行われる１回のみの割ｔし目入れが実行さ九ろの
ではなくて、その都ＩＷ既ｒ（設置されているヒートン
／りの間に走っているウェーハの要求さルた目標割り４
瞥′こ沿ってのウェーハ表面への多数回の割れ弓入ｎが
実行される。
を電解形成させた後にホトラック４ｊｔＪ去し、そして
ウェー−・ｔ−２つの山ｆｉ方向に訃１八て相次いで割
ることによってウエーノ１を１固々のレーザーダイオー
ドチップに分割する。、１つ（つウェーハ上に非常に多
くのレーザーダイオードを作る場合にも、分′刻工程が
既に設ｄＪれているヒート／ンクに合わせて行われるよ
うにするために、そのｆＡ閾ラウェ−・の外ｊＩＩＩの
縁にて行われる１回のみの割ｔし目入れが実行さ九ろの
ではなくて、その都ＩＷ既ｒ（設置されているヒートン
／りの間に走っているウェーハの要求さルた目標割り４
瞥′こ沿ってのウェーハ表面への多数回の割れ弓入ｎが
実行される。
本発明の実施態様にしたう；つて、ホトラック層にその
都、ｆ割几口入れカッタ分立てるための位置合わせ用マ
ーク、特にＬ：ｉ置台わせ用Ｌ−口を設けｂこともでき
る。ウェーハ上のホトランクマスクの、聞「コの光１ヒ
学的々形成法により、これらの位置合わせマークはほと
んど任をに正確＋ｒＣヒート／ツク用開口知合せて位置
させることができる。
都、ｆ割几口入れカッタ分立てるための位置合わせ用マ
ーク、特にＬ：ｉ置台わせ用Ｌ−口を設けｂこともでき
る。ウェーハ上のホトランクマスクの、聞「コの光１ヒ
学的々形成法により、これらの位置合わせマークはほと
んど任をに正確＋ｒＣヒート／ツク用開口知合せて位置
させることができる。
Ｃ実施列〕
以下、図面に示す実施例を参照しながら本発明とさらに
詳細に説明する。
詳細に説明する。
第１閣は、基板とこの上にあるエピタキ７・ｒル成長半
導体旧構造とからなり、表面【ホトラック層を備えた半
導体ウェーハの部分図と示す、第２図は個別素子として
出来上がったレーザーダイオードを示す。
導体旧構造とからなり、表面【ホトラック層を備えた半
導体ウェーハの部分図と示す、第２図は個別素子として
出来上がったレーザーダイオードを示す。
第１図ンこおいて、１は半導体ウェーハを示し、２はそ
の層構造の表面にあるホトラック層を示す。
の層構造の表面にあるホトラック層を示す。
特にホトラック層２は、少なくともほぼここに設置され
る個々のヒートン／りの厚みである厚みを有する。３，
４および５はホトラック層２のそれぞれ開口であり、こ
れらは光食刻法で作ら１、つ工−ハ表面まで、もしくは
ウェーハ表面上にある、篭極嗅６まご達している。開口
３は第１列を、開１１ｄば４２列と、そして開口５．１
４３列企形成し、その場合に開口３、４ち・よび５．ば
そあ他で（は同様であるかまたは同様にすることができ
る。開ロジ。
る個々のヒートン／りの厚みである厚みを有する。３，
４および５はホトラック層２のそれぞれ開口であり、こ
れらは光食刻法で作ら１、つ工−ハ表面まで、もしくは
ウェーハ表面上にある、篭極嗅６まご達している。開口
３は第１列を、開１１ｄば４２列と、そして開口５．１
４３列企形成し、その場合に開口３、４ち・よび５．ば
そあ他で（は同様であるかまたは同様にすることができ
る。開ロジ。
４シよび５の８情は後で電解により金属を詰められ、こ
れはウェーハ全体からさらに抜き取られる蘭々のレーザ
ーダイオードに対しそれぞれのヒートシンクを与える。
れはウェーハ全体からさらに抜き取られる蘭々のレーザ
ーダイオードに対しそれぞれのヒートシンクを与える。
開口６．４および５は、第１図からも明らかのように、
交互くずれて配置されてｒる。開口３は密接して並んで
いるが、これらの開口ろの間にはなおも次の如き間隔が
存在する。
交互くずれて配置されてｒる。開口３は密接して並んで
いるが、これらの開口ろの間にはなおも次の如き間隔が
存在する。
即ち、２つの隣合う開口３のヒートン／り間に疋る直線
切ｐｊｒ ｉｌＪ ７に沿って後で割り取られるときに
、なおもいつもは互いにつながっているヒート７ノクの
電解でもたらされた材料が分“４１１される必要がない
ような間隔が存在する。３１は開口３の端面である。
切ｐｊｒ ｉｌＪ ７に沿って後で割り取られるときに
、なおもいつもは互いにつながっているヒート７ノクの
電解でもたらされた材料が分“４１１される必要がない
ような間隔が存在する。３１は開口３の端面である。
４１は端面６１とずれて対向している聞０４ｖ
！端面である。端面５１．ｊ１間と走って
いる直線８知よび瑞Ｗ１１４１，５１間を走ってカろ直
線８′」：には、ウェー・・全１１１１々のバーに分割
するための、［＋ステップ用の割線が設けられて論る。
！端面である。端面５１．ｊ１間と走って
いる直線８知よび瑞Ｗ１１４１，５１間を走ってカろ直
線８′」：には、ウェー・・全１１１１々のバーに分割
するための、［＋ステップ用の割線が設けられて論る。
これらの別縁日、８′に対応するウェー−・の分割面１
８゜１８′ は個々のレーザーダイオードの反射面であ
る。よく知られているように１割縁８．８′（および７
）は自りエーハ１の結晶材料の自然の間隙面に沿って走
ってｈる。
８゜１８′ は個々のレーザーダイオードの反射面であ
る。よく知られているように１割縁８．８′（および７
）は自りエーハ１の結晶材料の自然の間隙面に沿って走
ってｈる。
本発明にしたがって、開口３もしく（ｉ開口４のそれぞ
れ１つの端面５１または４１は少なくとも、割線８が所
定の割線８から約０〜５μｍ１特に１〜２μｍの間ｊ伯
で走るように調整されている。かかる端面５１もしくは
４１に本発明により設（されるヒートン／りは次の如く
正確に合わされている。即ち、一方ではレーザーダイオ
ードのレーザー活性須峨の該当反射面の範囲においても
なおも最大の冷却効果が存在し、他方で？まレーザーダ
イオードのヒートン／りの存在もしくはレーザーダイオ
ードのヒートシンクし〕端面６１に対応する前下種がこ
れらのレーザーダイオードの割面１８の該当せる反射面
を通すレーザーダイオードの送出に影響企及ぼさないよ
うに正確に合わされているのである。同じことが、開口
４の端面４１に対応する該当ヒートン／り／）縁のこれ
らの割りも澱８に対する調整【も当てはまる。上述ζす
、Ｊｌ整は開口４゜５の互込にずれて向き合っている端
面４４１．５４間においてもＭ縁８′に関して行うこと
ができる。
れ１つの端面５１または４１は少なくとも、割線８が所
定の割線８から約０〜５μｍ１特に１〜２μｍの間ｊ伯
で走るように調整されている。かかる端面５１もしくは
４１に本発明により設（されるヒートン／りは次の如く
正確に合わされている。即ち、一方ではレーザーダイオ
ードのレーザー活性須峨の該当反射面の範囲においても
なおも最大の冷却効果が存在し、他方で？まレーザーダ
イオードのヒートン／りの存在もしくはレーザーダイオ
ードのヒートシンクし〕端面６１に対応する前下種がこ
れらのレーザーダイオードの割面１８の該当せる反射面
を通すレーザーダイオードの送出に影響企及ぼさないよ
うに正確に合わされているのである。同じことが、開口
４の端面４１に対応する該当ヒートン／り／）縁のこれ
らの割りも澱８に対する調整【も当てはまる。上述ζす
、Ｊｌ整は開口４゜５の互込にずれて向き合っている端
面４４１．５４間においてもＭ縁８′に関して行うこと
ができる。
絖に述べたように、１つの１／−ザーダイオード（（お
いてこのレーザーダイオードの光学的な共振子のそれぞ
れの第２の反射面についてもかがる市蔭な調整が満たさ
れなければならないということか、あらＩ４）る場合に
おいて不可欠であるとは限らなｔ八。というのは、これ
らのＪ２０反村面上通して現れるレーザービーム自体は
使ＩＦ］されない場合もあるからである。その場合に、
端１ｍ４１に対応すルｌ１６１々のチップの面を問題に
するならば、端面４１も：”ＩＩ ａ上で終端し、もし
くはヒート７ノクの材料の突出が所定０割縁に沿った半
導体ウェーハの正確な間１つ２がなおも影＃仝及チデさ
れないかき′す！ｊｌ’ ；ノ・に突出してもよい・ 本発明Ｓフ実犠列、つ図示から明らかであるように、一
つの列の開口４がそれＫ１１ｔｌ１合う列の開口４およ
び５に対してずらして配置きれている。この分布はウェ
ーハ表面り全体に適用することが望袢しい。
いてこのレーザーダイオードの光学的な共振子のそれぞ
れの第２の反射面についてもかがる市蔭な調整が満たさ
れなければならないということか、あらＩ４）る場合に
おいて不可欠であるとは限らなｔ八。というのは、これ
らのＪ２０反村面上通して現れるレーザービーム自体は
使ＩＦ］されない場合もあるからである。その場合に、
端１ｍ４１に対応すルｌ１６１々のチップの面を問題に
するならば、端面４１も：”ＩＩ ａ上で終端し、もし
くはヒート７ノクの材料の突出が所定０割縁に沿った半
導体ウェーハの正確な間１つ２がなおも影＃仝及チデさ
れないかき′す！ｊｌ’ ；ノ・に突出してもよい・ 本発明Ｓフ実犠列、つ図示から明らかであるように、一
つの列の開口４がそれＫ１１ｔｌ１合う列の開口４およ
び５に対してずらして配置きれている。この分布はウェ
ーハ表面り全体に適用することが望袢しい。
すらしの大きさは出来上がったレーザーダイオードチッ
プの幅の半分である。さらに、第１図かられかるよう〈
、ヒート／７り（第１図ｅζ示されている開口５． ４
． ５）はそれらの対角線上で対向する工、ノジにて９
喀されているので、イ固々の開口ろ、４および５″）間
・もしくはヒート／ンクの金属体の間に対角線上にみて
比較的太きな間隙が生じる。１０は２個所でかかる大き
な間隙を代表的に示してい６．、ヒート／ンクの脱落し
た角は、そこがもともとレーザーダイオードの最福冷却
範１！口外にあることから、容易に諦々）ることかでき
る。しかしながら、こｎらの間隙１０は、本発明の枠内
において、それらが互いにずらされて配置されてし）る
ヒートン／りろ、４間・もしくは４，５間に委求された
割線８，８′ に沿った割れ目の個々の部分を生じるよ
うｌＣ空間ｊｃ与えるならば非常に１１Ｌｊ１３である
。ウェーハ１のそれぞれの必晶・柚方向（（灼してホト
ランクマスク２もしくはその開口３，４゜５が完全には
正確に合わされていない場合に、割面１８に沿って結晶
平面内にときどきずれが生じるが、しかしこれはせいぜ
いレーザーダイオードを個引的に傷ものにするに過ぎな
論。一般に、この本発明による措置により、個々のレー
ザーダイオード１ツブの大部分については、上述のよう
（で反射間隙面に対するヒートシンクの正確な位媛合わ
せが確保されるということが保証される。
プの幅の半分である。さらに、第１図かられかるよう〈
、ヒート／７り（第１図ｅζ示されている開口５． ４
． ５）はそれらの対角線上で対向する工、ノジにて９
喀されているので、イ固々の開口ろ、４および５″）間
・もしくはヒート／ンクの金属体の間に対角線上にみて
比較的太きな間隙が生じる。１０は２個所でかかる大き
な間隙を代表的に示してい６．、ヒート／ンクの脱落し
た角は、そこがもともとレーザーダイオードの最福冷却
範１！口外にあることから、容易に諦々）ることかでき
る。しかしながら、こｎらの間隙１０は、本発明の枠内
において、それらが互いにずらされて配置されてし）る
ヒートン／りろ、４間・もしくは４，５間に委求された
割線８，８′ に沿った割れ目の個々の部分を生じるよ
うｌＣ空間ｊｃ与えるならば非常に１１Ｌｊ１３である
。ウェーハ１のそれぞれの必晶・柚方向（（灼してホト
ランクマスク２もしくはその開口３，４゜５が完全には
正確に合わされていない場合に、割面１８に沿って結晶
平面内にときどきずれが生じるが、しかしこれはせいぜ
いレーザーダイオードを個引的に傷ものにするに過ぎな
論。一般に、この本発明による措置により、個々のレー
ザーダイオード１ツブの大部分については、上述のよう
（で反射間隙面に対するヒートシンクの正確な位媛合わ
せが確保されるということが保証される。
よく知られているように、割ｉ＆８．Ｂ’ を生じさせ
るだめの結晶材料の割れ目入ればダイアモ／ドカッター
を備えた装置の相応せる機械的な押し引きによって行わ
れる。しかし、本発明では、ホトラック層に開口５．
４． ５とともにこれらと位１合わせされて開口８１．
８１’ （図を見漏ぐし １な
いためにそれらのうちそれぞｆＬｌつのみが示さ！Ｌこ
いる。）つ；設けらＪしてし）て、これらの開［］８１
．８１’は、割ｒｆｆ１８，８’ の割れ目部分の位
彦合わせ１・て利用することができる、適当な措置によ
ってこれらの開口８１．８１’中にはヒートン７り３．
４． ５． ・・の材料の析出が行わ、１な−よう
にされる。
るだめの結晶材料の割れ目入ればダイアモ／ドカッター
を備えた装置の相応せる機械的な押し引きによって行わ
れる。しかし、本発明では、ホトラック層に開口５．
４． ５とともにこれらと位１合わせされて開口８１．
８１’ （図を見漏ぐし １な
いためにそれらのうちそれぞｆＬｌつのみが示さ！Ｌこ
いる。）つ；設けらＪしてし）て、これらの開［］８１
．８１’は、割ｒｆｆ１８，８’ の割れ目部分の位
彦合わせ１・て利用することができる、適当な措置によ
ってこれらの開口８１．８１’中にはヒートン７り３．
４． ５． ・・の材料の析出が行わ、１な−よう
にされる。
ｉＪ２図；ｌよ１つのレーザーダイオードの単位チップ
１１０もしくは本発明にしたがって設けら几かつ本発明
にしたがって調整されたヒート／ンク４０を備えだ個別
素子としてのレーザーダイオード１００を示すつその他
の参照番号は、ヒートシンクが・出口４でもってｉ４成
されているパーからこのレーザーダイオード１００が作
られている場合、′Ｃついて付しである、２００はレー
ザーダイオード１００にかいて発・ｔざ几たレーザービ
ーム２０１つ出口範囲と示してｈる。
１１０もしくは本発明にしたがって設けら几かつ本発明
にしたがって調整されたヒート／ンク４０を備えだ個別
素子としてのレーザーダイオード１００を示すつその他
の参照番号は、ヒートシンクが・出口４でもってｉ４成
されているパーからこのレーザーダイオード１００が作
られている場合、′Ｃついて付しである、２００はレー
ザーダイオード１００にかいて発・ｔざ几たレーザービ
ーム２０１つ出口範囲と示してｈる。
ｉｇ＋図ｊ−１、基板とこの上にあるエピタキ／ヤ・−
成箋半！Ｉ体Ａｙｉｔｉｑ造とからなり、表面ンてホト
ラック層をイ＃′Ｕ、えた１′−Ｉ）体ウェー、・・の
１ぶ・；）図おり、ｒ。・８２図は個別素子として出来
上がったレーザーダイオードを示す。 １・・・半導体ウェーハ、２・ホトラック層、５゜４、
５ ・・開口、６・・・電極層、７，８．８Ｃ＋ ＋
。 １２・・割線、１８．１８’ ・・割面、！＋１．４
１゜５４．４４１・・・端面、１００・・レーザーダイ
オード、１１０・単位チップ、４０川ヒート／ツク。
成箋半！Ｉ体Ａｙｉｔｉｑ造とからなり、表面ンてホト
ラック層をイ＃′Ｕ、えた１′−Ｉ）体ウェー、・・の
１ぶ・；）図おり、ｒ。・８２図は個別素子として出来
上がったレーザーダイオードを示す。 １・・・半導体ウェーハ、２・ホトラック層、５゜４、
５ ・・開口、６・・・電極層、７，８．８Ｃ＋ ＋
。 １２・・割線、１８．１８’ ・・割面、！＋１．４
１゜５４．４４１・・・端面、１００・・レーザーダイ
オード、１１０・単位チップ、４０川ヒート／ツク。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）集積されたヒートシンクを備えたレーザーダイオー
ドの製造方法であつて、それらのヒートシンクは半導体
上においてレーザー活性領域近くに、したがつて共振子
反射面近くに設けられた良熱伝導性材料体であり、個別
素子としてのレーザーダイオードは大きなウエーハから
割れ目を入れて割ることによつて得られるようなレーザ
ーダイオードの製造方法において、 個別素子のレーザー機能を既に備えた半導体ウェーハ（
１）が、そのウェーハ（１）上にまで達する開口（３、
４、５）を有するマスク層（２）で覆われ、 その際これらの開口（３、４、５）の配置の選択は、開
口（３、５）がそれぞれ所定のレーザー共振子の方向に
対して横の方向に延びている列に配置されていて、 しかも開口（３、３、３、・・・もしくは５、５、５、
・・・）は、分割尺度の半分だけ、それぞれ直接に隣合
う列の対応する開口（４、４、４、・・・）に対面して
いて、開口（３、４、５）のこれらのずらしが列から列
へ交互になるように配置されていて、 開口（３、４、５）が所定のヒートシンク（４０）の熱
伝導性材料で埋められ、 開口（３もしくは４もしくは５）の列に対して平行な方
向（８、８′）においてウェーハ（１）の表面がこれら
の列の間に合わせて割れ目を入れられ、ウェーハ（１）
がこれらの割れ目（８、８′）に沿つて個別のバーに分
割され、 個別素子は、ウェーハ（１）の個々の機能の間に走つて
いる線（１１、１２）に沿つて割れ目を入れて割ること
によつて分割されることを特徴とするレーザーダイオー
ドの製造方法。 ２）マスク（２）には割れ目（８、８′）の個々の割点
を位置合わせするために使用される付加的な開口（８１
、８１′）が設けられ、その際これらの付加的な開口（
８１、８１′）は、ヒートシンク（４０）のための開口
のそれぞれ隣合う列の開口（３−４もしくは４−５）の
互いにずらされて対向している線側面（３１−４１もし
くは１４１−５１）によつて自由に保持されたマスク（
２）の面範囲（１０）に位置させられることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の方法。 ３）マスク（２）とウェーハ（１）の表面との間にはウ
ェーハ表面上に電極層（６）が設けられていることを特
徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記載の方法
。 ４）ヒートシンク（４０）の熱伝導性材料は電解により
マスク（２）の開口（３、４、５）中に成長させられる
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第３項の
いずれかに記載の方法。 ５）マスク（２）の材料は列に平行な割れ目（８、８′
）を入れる前にウェーハ表面から除去されることを特徴
とする特許請求の範囲第１項ないし第４項のいずれか１
項に記載の方法。 ６）マスク（２）の付加的な開口（８１、８１′）はダ
イアモンドカッタを立てる間ガイドとして使用されるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第２項ないし第５項のい
ずれか１項に記載の方法。 ７）マスク（２）の材料としてホトラツクが使用される
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第７項の
いずれか１項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19843435306 DE3435306A1 (de) | 1984-09-26 | 1984-09-26 | Verfahren zur herstellung von laserdioden mit jutierter integrierter waermesenke |
| DE3435306.2 | 1984-09-26 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6180890A true JPS6180890A (ja) | 1986-04-24 |
| JPH0257355B2 JPH0257355B2 (ja) | 1990-12-04 |
Family
ID=6246402
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60208567A Granted JPS6180890A (ja) | 1984-09-26 | 1985-09-20 | レーザーダイオードの製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4672736A (ja) |
| EP (1) | EP0176880A3 (ja) |
| JP (1) | JPS6180890A (ja) |
| DE (1) | DE3435306A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003218471A (ja) * | 1993-11-22 | 2003-07-31 | Xerox Corp | レーザダイオード生成方法 |
| US8941940B1 (en) | 2014-07-17 | 2015-01-27 | International Business Machines Corporation | Utilizing stored write environment conditions for read error recovery |
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|---|---|---|---|---|
| US4794437A (en) * | 1986-08-11 | 1988-12-27 | General Electric Company | ARC gap for integrated circuits |
| US5105429A (en) * | 1990-07-06 | 1992-04-14 | The United States Of America As Represented By The Department Of Energy | Modular package for cooling a laser diode array |
| JPH06275714A (ja) * | 1993-03-22 | 1994-09-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置素子基板、及び半導体レーザ装置の製造方法 |
| DE19644941C1 (de) * | 1996-10-29 | 1998-01-15 | Jenoptik Jena Gmbh | Hochleistungsdiodenlaser und Verfahren zu dessen Montage |
| US6420757B1 (en) | 1999-09-14 | 2002-07-16 | Vram Technologies, Llc | Semiconductor diodes having low forward conduction voltage drop, low reverse current leakage, and high avalanche energy capability |
| US6433370B1 (en) * | 2000-02-10 | 2002-08-13 | Vram Technologies, Llc | Method and apparatus for cylindrical semiconductor diodes |
| US6580150B1 (en) | 2000-11-13 | 2003-06-17 | Vram Technologies, Llc | Vertical junction field effect semiconductor diodes |
| US6537921B2 (en) | 2001-05-23 | 2003-03-25 | Vram Technologies, Llc | Vertical metal oxide silicon field effect semiconductor diodes |
| US6958275B2 (en) * | 2003-03-11 | 2005-10-25 | Integrated Discrete Devices, Llc | MOSFET power transistors and methods |
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| US20070115617A1 (en) | 2005-11-22 | 2007-05-24 | Nlight Photonics Corporation | Modular assembly utilizing laser diode subassemblies with winged mounting blocks |
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| US4536469A (en) * | 1981-11-23 | 1985-08-20 | Raytheon Company | Semiconductor structures and manufacturing methods |
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-
1984
- 1984-09-26 DE DE19843435306 patent/DE3435306A1/de not_active Withdrawn
-
1985
- 1985-08-19 US US06/766,540 patent/US4672736A/en not_active Expired - Fee Related
- 1985-09-19 EP EP85111868A patent/EP0176880A3/de not_active Withdrawn
- 1985-09-20 JP JP60208567A patent/JPS6180890A/ja active Granted
Patent Citations (1)
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| JPS5350392U (ja) * | 1976-10-01 | 1978-04-27 |
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| Publication number | Publication date |
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| JPH0257355B2 (ja) | 1990-12-04 |
| EP0176880A3 (de) | 1988-06-01 |
| EP0176880A2 (de) | 1986-04-09 |
| DE3435306A1 (de) | 1986-04-03 |
| US4672736A (en) | 1987-06-16 |
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