JPS6180976A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPS6180976A JPS6180976A JP59202051A JP20205184A JPS6180976A JP S6180976 A JPS6180976 A JP S6180976A JP 59202051 A JP59202051 A JP 59202051A JP 20205184 A JP20205184 A JP 20205184A JP S6180976 A JPS6180976 A JP S6180976A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- well
- bccd
- solid
- photoelectric converting
- image pickup
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract description 3
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Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は固体撮像装置に関するものである。
（従来例の構成とその問題点）
近年、固体撮像装置は、小型化、高解像度化の要望によ
り、単位面積当りの画素数が増加する傾向にある。そし
てそれを実現する有力な構造としてＰウェル型固体撮像
装置が挙げられる。
り、単位面積当りの画素数が増加する傾向にある。そし
てそれを実現する有力な構造としてＰウェル型固体撮像
装置が挙げられる。
以上図面を参照しながら、上述したような従来のＰウェ
ル型固体撮像装置について説明する。
ル型固体撮像装置について説明する。
第２図は従来のＰウェル型インターライン固体撮像装置
の部分断面図を示すも、のである。
の部分断面図を示すも、のである。
８２図において、１はｎ型基板、２ａは光電変換部のＰ
ウェル、２ｂは電荷転送部となる埋め込みチャンネルＣ
ＣＤ部（以下ＢＣＣＤ部という）のＰウェルである。
ウェル、２ｂは電荷転送部となる埋め込みチャンネルＣ
ＣＤ部（以下ＢＣＣＤ部という）のＰウェルである。
以上のように構成されたＰウェル型インターライン固体
撮像装置について、以下その動作について説明する。ま
ず、ｎ凰基板１に正電圧を印加することにより、光電変
換部のＰウェル２ａを空乏化する。その結果、ブルーミ
ング抑制能力が生じる。そのためには、バック・バイア
ス電圧で光電変換部のＰウェル２ａは、完全空乏化し、
ＢＣＣＤ部のＰウェル２ｂは、完全空乏化しないような
ウェルの分布が必要である。この構造は、Ｂ イオン注
入、ドライブインという工程によって形成するならば、
通常第２図のようになる。
撮像装置について、以下その動作について説明する。ま
ず、ｎ凰基板１に正電圧を印加することにより、光電変
換部のＰウェル２ａを空乏化する。その結果、ブルーミ
ング抑制能力が生じる。そのためには、バック・バイア
ス電圧で光電変換部のＰウェル２ａは、完全空乏化し、
ＢＣＣＤ部のＰウェル２ｂは、完全空乏化しないような
ウェルの分布が必要である。この構造は、Ｂ イオン注
入、ドライブインという工程によって形成するならば、
通常第２図のようになる。
しかし、第２図の構造では、微細化が進むと、ＢＣＣＤ
部のＰウェル２ｂの横方内拡がシが無視できなくなシ、
微細化が困難となる。また、Ａの位置で発生した光信号
電荷は、ＢＣＣＤ部のＰウェル２ｂへ混入する割合も、
光電変換部のＰウェル２ａの面積が減少するにつれて増
大する。その結果、その電荷が信号線であるＢＣＣＤに
混入することにより、スミア量が増大する。
部のＰウェル２ｂの横方内拡がシが無視できなくなシ、
微細化が困難となる。また、Ａの位置で発生した光信号
電荷は、ＢＣＣＤ部のＰウェル２ｂへ混入する割合も、
光電変換部のＰウェル２ａの面積が減少するにつれて増
大する。その結果、その電荷が信号線であるＢＣＣＤに
混入することにより、スミア量が増大する。
（発明の目的）
本発明は、上記欠点に鑑み、スミア量を低減することの
できる固体撮像装置を提供するものである。
できる固体撮像装置を提供するものである。
（発明の構成）
この目的を達成するために本発明の固体撮像装置は、一
導電型の半導体基板の表面の、光電変換部が形成される
前記一導電型とは反対導電型の領域が、信号転送部が形
成される領域よりも不純物濃度が低ぐ、かつ深く形成さ
れている。
導電型の半導体基板の表面の、光電変換部が形成される
前記一導電型とは反対導電型の領域が、信号転送部が形
成される領域よりも不純物濃度が低ぐ、かつ深く形成さ
れている。
（実施例の説明）
以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。第１図は本発明の一実施例におけるＰウェル型
インターライン固体撮像装置の部分断面図を示すもので
ある。
明する。第１図は本発明の一実施例におけるＰウェル型
インターライン固体撮像装置の部分断面図を示すもので
ある。
第１図において、２１はｎ型基板、２２ａは光電変換部
のＰウェル、２２ｂはＢ ＣＣＤ部のＰウェルである。
のＰウェル、２２ｂはＢ ＣＣＤ部のＰウェルである。
装置の動作は従来例と同様である。
光電変換部のＰウェル２２ａは完全空乏化し、かつ、撮
像装置としての分光感度特性を満足する不純物濃度プロ
ファイルを有している。−万ＢＣＣＤ部のＰウェル２２
ｂは、拡散長は、光電変換部のＰウェル２２ａよりは短
いが、完全空乏化しない不純物量を有している。以上の
構造によシ、第１に、光電変換部のＰウェル２２ａが、
従来に比ベニＣＢＣＣＤ部のＰウェル２２ｂによる横方
向拡散の影響を受けに〈〈なりパターニングに余裕がで
きる。
像装置としての分光感度特性を満足する不純物濃度プロ
ファイルを有している。−万ＢＣＣＤ部のＰウェル２２
ｂは、拡散長は、光電変換部のＰウェル２２ａよりは短
いが、完全空乏化しない不純物量を有している。以上の
構造によシ、第１に、光電変換部のＰウェル２２ａが、
従来に比ベニＣＢＣＣＤ部のＰウェル２２ｂによる横方
向拡散の影響を受けに〈〈なりパターニングに余裕がで
きる。
第２に、第１図のＢの位置で発生した光信号電荷は、実
効的な信号電荷となるか、あるいは、ｎ型基板１の方へ
行き、外部に排除される。また、あるものはＢＣＯＤへ
入ろうとするがＢ ＣＣＤ部のＰウェル２２ｂの方が、
光電変換部のＰウェル２２ａより不純物濃度が高いため
、ポテンシャル・バリヤが存在し、それによシ、ＢＣＣ
Ｄへの混入はさけられる。以上のことから１、従来に比
べて、スミア量は大幅に低減される。
効的な信号電荷となるか、あるいは、ｎ型基板１の方へ
行き、外部に排除される。また、あるものはＢＣＯＤへ
入ろうとするがＢ ＣＣＤ部のＰウェル２２ｂの方が、
光電変換部のＰウェル２２ａより不純物濃度が高いため
、ポテンシャル・バリヤが存在し、それによシ、ＢＣＣ
Ｄへの混入はさけられる。以上のことから１、従来に比
べて、スミア量は大幅に低減される。
（発明の効果）
以上のように、本発明の固体撮像装置は、光電変換部の
Ｐウェルを信号転送部のＰウェルに比べ濃度は低く、拡
散長は長くすることにより、高集積化に適し、スミア量
を大幅に低減することができる等、その実用的効果は犬
なるものがある。
Ｐウェルを信号転送部のＰウェルに比べ濃度は低く、拡
散長は長くすることにより、高集積化に適し、スミア量
を大幅に低減することができる等、その実用的効果は犬
なるものがある。
第１図は本発明の一実施例における固体撮像装置の部分
断面図、第２図は、従来のＰウェル型インターライン固
体撮像装置の部分断面図である。 １．２１・・・ｎ型基板、２ａ、２２ａ・・・光電変換
部のＰウェル、２ｂ、２２ｂ・・・ＢＣＣＤ部のＰウェ
ル。 特許出願人 松下電子工業株式会社 第１図 え
断面図、第２図は、従来のＰウェル型インターライン固
体撮像装置の部分断面図である。 １．２１・・・ｎ型基板、２ａ、２２ａ・・・光電変換
部のＰウェル、２ｂ、２２ｂ・・・ＢＣＣＤ部のＰウェ
ル。 特許出願人 松下電子工業株式会社 第１図 え
Claims (1)
- 一導電型の半導体基板の表面の、光電変換部が形成さ
れる前記一導電型とは反対導電型の領域が、信号転送部
が形成される領域よりも不純物濃度が低く、かつ深いこ
とを特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59202051A JPS6180976A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59202051A JPS6180976A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6180976A true JPS6180976A (ja) | 1986-04-24 |
Family
ID=16451121
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59202051A Pending JPS6180976A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6180976A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57173274A (en) * | 1981-04-17 | 1982-10-25 | Nec Corp | Solid-state image pickup device |
| JPS58181370A (ja) * | 1982-04-16 | 1983-10-24 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
-
1984
- 1984-09-28 JP JP59202051A patent/JPS6180976A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57173274A (en) * | 1981-04-17 | 1982-10-25 | Nec Corp | Solid-state image pickup device |
| JPS58181370A (ja) * | 1982-04-16 | 1983-10-24 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
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