JPS6181009A - transistor bias device - Google Patents
transistor bias deviceInfo
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- JPS6181009A JPS6181009A JP59203437A JP20343784A JPS6181009A JP S6181009 A JPS6181009 A JP S6181009A JP 59203437 A JP59203437 A JP 59203437A JP 20343784 A JP20343784 A JP 20343784A JP S6181009 A JPS6181009 A JP S6181009A
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/30—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters
- H03F1/302—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters in bipolar transistor amplifiers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、温度補償時に必要なトランジスタノくイアス
装置に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a transistor biasing device necessary for temperature compensation.
従来例の構成とその問題点
従来から温度補償を伴なった・くイアス回路にトランジ
スタのベースエミッタ間電圧を利用したトランジスタバ
イアス装置が多く利用されている。Conventional Structures and Problems Conventionally, transistor bias devices that utilize the voltage between the base and emitter of a transistor have been widely used in bias circuits with temperature compensation.
以下に従来のトランジスタバイアス装置について説明す
る。第１図ａは従来のトランジスタノくイアス装置の一
例を示す。第１図において１はコレクタ端、２はエミッ
タ端、３はトランジスタ、４はダイオード、５は第１の
抵抗、６は第２の抵抗である。A conventional transistor bias device will be explained below. FIG. 1a shows an example of a conventional transistor IA device. In FIG. 1, 1 is a collector end, 2 is an emitter end, 3 is a transistor, 4 is a diode, 5 is a first resistor, and 6 is a second resistor.
以上のように構成されたトランジスタノくイアス装置に
ついて、以下その動作を説明するために第１図すのよう
にコレクタとエミッタ端に定電流源７を接続する。トラ
ンジスタバイアス装置の温度補償能力を明らかにするた
めに次のように数値を定める。ダイオード４の順方向電
流工、のときのＩＩ、ｌｉ方向電圧をｖ、（Ｉ、）、ダ
イオードの順方向電コレクタ電流工２のときの順方向電
圧をｖｓｔ （工２’）、ｂｖ
トランジスタの順方向電圧温度係数をｔ＝βとする。こ
のときコレクターエミッタ間電圧の温 ａｙ
度補償特性汀（うｊ８）の絶対値は、
となる。In order to explain the operation of the transistor biasing device constructed as described above, a constant current source 7 is connected to the collector and emitter terminals as shown in FIG. 1. In order to clarify the temperature compensation ability of the transistor bias device, the following numerical values are determined. The II and li direction voltages when the forward current of the diode 4 is v, (I,), and the forward voltage when the forward current of the diode is collector current 2 are vst (step 2') and bv of the transistor. Let the forward voltage temperature coefficient be t=β. At this time, the absolute value of the temperature compensation characteristic (Uj8) of the collector-emitter voltage is as follows.
ところでダイオードの順方向電流に対するダイオードの
順方向電圧温度係数は一般に第２図のグラフのようにな
る。第２図から明らかなようにダみｖＤ
イオードの順方向電圧温度係数ｉ「は工。の関数になる
。したがって、工、の電流を増減させることにより、コ
レクターエミッタ間電圧の温度補償ａｖＣｘ
特性Ｖｃｘ（ａＴ ）の絶対値は次の式が成り立つ。Incidentally, the temperature coefficient of forward voltage of a diode with respect to forward current of the diode is generally as shown in the graph of FIG. As is clear from Fig. 2, the forward voltage temperature coefficient i' of the diode is a function of the voltage. Therefore, by increasing or decreasing the current of the voltage, the collector-emitter voltage temperature compensation avCx characteristic Vcx The following formula holds for the absolute value of (aT).
ここに、Δα〉Δβとする。Here, it is assumed that Δα>Δβ.
以上のように、第１図のトランジスタバイアス装置によ
れば、ダイオード電流工、を変化するこ１ （ｌｌ
’Ｖｃｌ
とにより、温度補償特性￥１（、ア ）を変化させるこ
とができる。As described above, according to the transistor bias device shown in FIG.
'Vcl can change the temperature compensation characteristic ￥1 (, a ).
しかしながら上記従来の構成では、ダイオード電流工、
を変化させるためには、第１の抵抗Ｒ１と第２の抵抗Ｒ
２の直列抵抗値を可変する必要があり、Ｒ４とＲ２をあ
る一定のインピーダンス範囲に固定して使用する場合に
は、（１）式の値を大きく変化できないという問題点を
有していた。However, in the above conventional configuration, the diode current
In order to change the first resistance R1 and the second resistance R
It is necessary to vary the series resistance value of R4 and R2, and when using R4 and R2 fixed within a certain impedance range, there is a problem that the value of equation (1) cannot be changed significantly.
発明の目的
本発明は上記従来の問題点を解消するもので、第１の抵
抗値Ｒ１と第２の抵抗値Ｒ２をある一定のイングーダン
ス範囲に固定した状態において、温度補償特性を大きく
可変することのできるトランジスタバイアス装置を提供
することを目的とする。OBJECT OF THE INVENTION The present invention solves the above-mentioned problems of the conventional art, and is capable of greatly varying the temperature compensation characteristic while the first resistance value R1 and the second resistance value R2 are fixed within a certain ingress dance range. An object of the present invention is to provide a transistor bias device that can perform the following steps.
発明の構成
本発明は、トランジスタと、ある一定のインピーダンス
範囲に固定した第１の抵抗と第２の抵抗と、ダイオード
と、ダイオードの電流を決める第３の抵抗とを備えたト
ランジスタバイアス装置であり、第３の抵抗値を可変す
ることにより、温度補償特性を大きく可変することがで
きるものである。Structure of the Invention The present invention is a transistor bias device that includes a transistor, a first resistor and a second resistor fixed to a certain impedance range, a diode, and a third resistor that determines the current of the diode. By varying the third resistance value, the temperature compensation characteristic can be greatly varied.
実施例の説明
第３図は本発明の一実施例におけるトランジスタバイア
ス装置の基本回路を示すものである。DESCRIPTION OF THE EMBODIMENTS FIG. 3 shows a basic circuit of a transistor bias device in an embodiment of the present invention.
第３図において、８は第３の抵抗であるっなお１はコレ
クタ端、２はエミッタ端、３はトランジスタ、４はダイ
オード、５は第１の抵抗、６は第２の抵抗、７は定電流
源で、これらは従来例の構成と同じものである。In Figure 3, 8 is the third resistor, 1 is the collector terminal, 2 is the emitter terminal, 3 is the transistor, 4 is the diode, 5 is the first resistor, 6 is the second resistor, and 7 is the constant resistor. The current sources are the same as those of the conventional example.
以上のように構成された本実施例のトランジスタバイア
ス装置について、以下その動作を説明する。まず第１の
抵抗の抵抗値Ｒ１に流れる電流値を工、とする。 トラ
ンジスタ３のコレクタ電流を工、とする。第３の抵抗の
抵抗値Ｒ５に流れる電流値を工、とする。このとき工５
はトランジスタ３のベース−エミッタ間電圧ｖＢｘ（工
２）により 決まる。The operation of the transistor bias device of this embodiment configured as described above will be described below. First, it is assumed that the current value flowing through the resistance value R1 of the first resistor is . Let the collector current of transistor 3 be . Let the current value flowing through the resistance value R5 of the third resistor be . At this time, work 5
is determined by the base-emitter voltage vBx (step 2) of transistor 3.
すなわち
トランジスタ３のベース電流を無視すると、ダイオード
４の順方向電流は工、となる。That is, if the base current of the transistor 3 is ignored, the forward current of the diode 4 is:
る。Ru.
ここに、ｒ：ダイオード４の順方向電圧温度係数
以上のように、ダイオード４の電流値工、は、（２）式
に示されるようＫＨ２の値のみで決定される。Here, r: forward voltage temperature coefficient of the diode 4 As described above, the current value of the diode 4 is determined only by the value of KH2 as shown in equation (2).
スナワチ、Ｒ１とＲ２をある一定のインピーダンス範囲
に固定して使用する場合において、（３）式で示される
温度補償特性は、Ｒ１とＲ２のインピーダンスには無関
係であり、Ｒ３の値のみに依存するため、Ｒ５の値を可
変することによシ、大きく変化させることができる。When using R1 and R2 fixed within a certain impedance range, the temperature compensation characteristic shown by equation (3) is unrelated to the impedance of R1 and R2, and depends only on the value of R3. Therefore, by varying the value of R5, it is possible to make a large change.
なお、本実施例では、トランジスタ３を単一トランジス
タ、ダイオード４を単一ダイオードとしたが、第４図に
示すように、トランジスタ３をダーリントントランジス
タとし、ダイオード４を複数個直列接続したダイオード
にしてもよい。In this embodiment, the transistor 3 is a single transistor and the diode 4 is a single diode. However, as shown in FIG. 4, the transistor 3 is a Darlington transistor, and the diode 4 is a plurality of diodes connected in series. Good too.
発明の効果
本発明は、温度補償特性をダイオード電流を第３の抵抗
を設けることによシ大きく変化させることができ、コレ
クターエミッタ電圧を支配的に決める第１と第２の抵抗
値の比および直列抵抗値をある一定の範囲に固定できる
ので、機能調整方法を第２の抵抗値で決定するような場
合に最適なトランジスタバイアス装置を実現できるもの
である。Effects of the Invention In the present invention, the temperature compensation characteristic can be greatly changed by providing the diode current with the third resistor, and the ratio of the first and second resistance values that dominantly determines the collector-emitter voltage and Since the series resistance value can be fixed within a certain range, it is possible to realize an optimal transistor bias device when the function adjustment method is determined by the second resistance value.
第１図ａは従来のトランジスタバイアス装置の基本構成
図、第１図すは従来のトランジスタバイアス装置の動作
説明図、第２図はダイオード順方向電圧温度係数特性曲
線図、第３図は本発明の第１の実施例における基本構成
図、第４図は本発明の第２の実施例における基本構成図
である。
１・・・・・・コレクタ端、２・・・・・・エミッタ端
、３− ・−・トランジスタ、４・・・・・・ダイオ
ード、５・・・・・・第１の抵抗、６・・・・・・第２
の抵抗、７・・・・・・定電流源、８・・・・・・第３
の抵抗。
代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名ト
揶Fig. 1a is a basic configuration diagram of a conventional transistor bias device, Fig. 1 is an explanatory diagram of the operation of a conventional transistor bias device, Fig. 2 is a diode forward voltage temperature coefficient characteristic curve, and Fig. 3 is a diagram of the present invention. FIG. 4 is a basic configuration diagram of the second embodiment of the present invention. 1...Collector end, 2...Emitter end, 3-...Transistor, 4...Diode, 5...First resistor, 6... ...Second
resistance, 7...constant current source, 8...3rd
resistance. Name of agent: Patent attorney Toshio Nakao and one other person
Claims (3)
エミッタにそれぞれ直列接続された第１の抵抗と第２の
抵抗と、上記第１の抵抗と第２の抵抗の分割点、上記ト
ランジスタのベースの間に接続されたダイオードと、上
記トランジスタのベースとエミッタの間に接続された第
３の抵抗とで構成されたことを特徴とするトランジスタ
バイアス装置。(1) A transistor, a first resistor and a second resistor connected in series to the collector and emitter of the transistor, respectively, a dividing point between the first resistor and the second resistor, and a base of the transistor. A transistor bias device comprising: a diode connected to the transistor; and a third resistor connected between the base and emitter of the transistor.
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のトラ
ンジスタバイアス装置。(2) The transistor bias device according to claim 1, wherein the diode is a plurality of diodes connected in series.
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のトランジ
スタバイアス装置。(3) The transistor bias device according to claim 1, wherein the transistor is a Darlington transistor.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59203437A JPS6181009A (en) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | transistor bias device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59203437A JPS6181009A (en) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | transistor bias device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6181009A true JPS6181009A (en) | 1986-04-24 |
Family
ID=16474079
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59203437A Pending JPS6181009A (en) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | transistor bias device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6181009A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20200030963A (en) * | 2018-09-13 | 2020-03-23 | 한국전자통신연구원 | Power amplifier |
-
1984
- 1984-09-28 JP JP59203437A patent/JPS6181009A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20200030963A (en) * | 2018-09-13 | 2020-03-23 | 한국전자통신연구원 | Power amplifier |
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