JPS6181009A - トランジスタバイアス装置 - Google Patents
トランジスタバイアス装置Info
- Publication number
- JPS6181009A JPS6181009A JP59203437A JP20343784A JPS6181009A JP S6181009 A JPS6181009 A JP S6181009A JP 59203437 A JP59203437 A JP 59203437A JP 20343784 A JP20343784 A JP 20343784A JP S6181009 A JPS6181009 A JP S6181009A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- diode
- resistor
- bias device
- current
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/30—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters
- H03F1/302—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters in bipolar transistor amplifiers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、温度補償時に必要なトランジスタノくイアス
装置に関するものである。
装置に関するものである。
従来例の構成とその問題点
従来から温度補償を伴なった・くイアス回路にトランジ
スタのベースエミッタ間電圧を利用したトランジスタバ
イアス装置が多く利用されている。
スタのベースエミッタ間電圧を利用したトランジスタバ
イアス装置が多く利用されている。
以下に従来のトランジスタバイアス装置について説明す
る。第１図ａは従来のトランジスタノくイアス装置の一
例を示す。第１図において１はコレクタ端、２はエミッ
タ端、３はトランジスタ、４はダイオード、５は第１の
抵抗、６は第２の抵抗である。
る。第１図ａは従来のトランジスタノくイアス装置の一
例を示す。第１図において１はコレクタ端、２はエミッ
タ端、３はトランジスタ、４はダイオード、５は第１の
抵抗、６は第２の抵抗である。
以上のように構成されたトランジスタノくイアス装置に
ついて、以下その動作を説明するために第１図すのよう
にコレクタとエミッタ端に定電流源７を接続する。トラ
ンジスタバイアス装置の温度補償能力を明らかにするた
めに次のように数値を定める。ダイオード４の順方向電
流工、のときのＩＩ、ｌｉ方向電圧をｖ、（Ｉ、）、ダ
イオードの順方向電コレクタ電流工２のときの順方向電
圧をｖｓｔ （工２’）、ｂｖ トランジスタの順方向電圧温度係数をｔ＝βとする。こ
のときコレクターエミッタ間電圧の温 ａｙ 度補償特性汀（うｊ８）の絶対値は、 となる。
ついて、以下その動作を説明するために第１図すのよう
にコレクタとエミッタ端に定電流源７を接続する。トラ
ンジスタバイアス装置の温度補償能力を明らかにするた
めに次のように数値を定める。ダイオード４の順方向電
流工、のときのＩＩ、ｌｉ方向電圧をｖ、（Ｉ、）、ダ
イオードの順方向電コレクタ電流工２のときの順方向電
圧をｖｓｔ （工２’）、ｂｖ トランジスタの順方向電圧温度係数をｔ＝βとする。こ
のときコレクターエミッタ間電圧の温 ａｙ 度補償特性汀（うｊ８）の絶対値は、 となる。
ところでダイオードの順方向電流に対するダイオードの
順方向電圧温度係数は一般に第２図のグラフのようにな
る。第２図から明らかなようにダみｖＤ イオードの順方向電圧温度係数ｉ「は工。の関数になる
。したがって、工、の電流を増減させることにより、コ
レクターエミッタ間電圧の温度補償ａｖＣｘ 特性Ｖｃｘ（ａＴ ）の絶対値は次の式が成り立つ。
順方向電圧温度係数は一般に第２図のグラフのようにな
る。第２図から明らかなようにダみｖＤ イオードの順方向電圧温度係数ｉ「は工。の関数になる
。したがって、工、の電流を増減させることにより、コ
レクターエミッタ間電圧の温度補償ａｖＣｘ 特性Ｖｃｘ（ａＴ ）の絶対値は次の式が成り立つ。
ここに、Δα〉Δβとする。
以上のように、第１図のトランジスタバイアス装置によ
れば、ダイオード電流工、を変化するこ１ （ｌｌ
’Ｖｃｌ とにより、温度補償特性￥１（、ア ）を変化させるこ
とができる。
れば、ダイオード電流工、を変化するこ１ （ｌｌ
’Ｖｃｌ とにより、温度補償特性￥１（、ア ）を変化させるこ
とができる。
しかしながら上記従来の構成では、ダイオード電流工、
を変化させるためには、第１の抵抗Ｒ１と第２の抵抗Ｒ
２の直列抵抗値を可変する必要があり、Ｒ４とＲ２をあ
る一定のインピーダンス範囲に固定して使用する場合に
は、（１）式の値を大きく変化できないという問題点を
有していた。
を変化させるためには、第１の抵抗Ｒ１と第２の抵抗Ｒ
２の直列抵抗値を可変する必要があり、Ｒ４とＲ２をあ
る一定のインピーダンス範囲に固定して使用する場合に
は、（１）式の値を大きく変化できないという問題点を
有していた。
発明の目的
本発明は上記従来の問題点を解消するもので、第１の抵
抗値Ｒ１と第２の抵抗値Ｒ２をある一定のイングーダン
ス範囲に固定した状態において、温度補償特性を大きく
可変することのできるトランジスタバイアス装置を提供
することを目的とする。
抗値Ｒ１と第２の抵抗値Ｒ２をある一定のイングーダン
ス範囲に固定した状態において、温度補償特性を大きく
可変することのできるトランジスタバイアス装置を提供
することを目的とする。
発明の構成
本発明は、トランジスタと、ある一定のインピーダンス
範囲に固定した第１の抵抗と第２の抵抗と、ダイオード
と、ダイオードの電流を決める第３の抵抗とを備えたト
ランジスタバイアス装置であり、第３の抵抗値を可変す
ることにより、温度補償特性を大きく可変することがで
きるものである。
範囲に固定した第１の抵抗と第２の抵抗と、ダイオード
と、ダイオードの電流を決める第３の抵抗とを備えたト
ランジスタバイアス装置であり、第３の抵抗値を可変す
ることにより、温度補償特性を大きく可変することがで
きるものである。
実施例の説明
第３図は本発明の一実施例におけるトランジスタバイア
ス装置の基本回路を示すものである。
ス装置の基本回路を示すものである。
第３図において、８は第３の抵抗であるっなお１はコレ
クタ端、２はエミッタ端、３はトランジスタ、４はダイ
オード、５は第１の抵抗、６は第２の抵抗、７は定電流
源で、これらは従来例の構成と同じものである。
クタ端、２はエミッタ端、３はトランジスタ、４はダイ
オード、５は第１の抵抗、６は第２の抵抗、７は定電流
源で、これらは従来例の構成と同じものである。
以上のように構成された本実施例のトランジスタバイア
ス装置について、以下その動作を説明する。まず第１の
抵抗の抵抗値Ｒ１に流れる電流値を工、とする。 トラ
ンジスタ３のコレクタ電流を工、とする。第３の抵抗の
抵抗値Ｒ５に流れる電流値を工、とする。このとき工５
はトランジスタ３のベース−エミッタ間電圧ｖＢｘ（工
２）により 決まる。
ス装置について、以下その動作を説明する。まず第１の
抵抗の抵抗値Ｒ１に流れる電流値を工、とする。 トラ
ンジスタ３のコレクタ電流を工、とする。第３の抵抗の
抵抗値Ｒ５に流れる電流値を工、とする。このとき工５
はトランジスタ３のベース−エミッタ間電圧ｖＢｘ（工
２）により 決まる。
すなわち
トランジスタ３のベース電流を無視すると、ダイオード
４の順方向電流は工、となる。
４の順方向電流は工、となる。
る。
ここに、ｒ：ダイオード４の順方向電圧温度係数
以上のように、ダイオード４の電流値工、は、（２）式
に示されるようＫＨ２の値のみで決定される。
に示されるようＫＨ２の値のみで決定される。
スナワチ、Ｒ１とＲ２をある一定のインピーダンス範囲
に固定して使用する場合において、（３）式で示される
温度補償特性は、Ｒ１とＲ２のインピーダンスには無関
係であり、Ｒ３の値のみに依存するため、Ｒ５の値を可
変することによシ、大きく変化させることができる。
に固定して使用する場合において、（３）式で示される
温度補償特性は、Ｒ１とＲ２のインピーダンスには無関
係であり、Ｒ３の値のみに依存するため、Ｒ５の値を可
変することによシ、大きく変化させることができる。
なお、本実施例では、トランジスタ３を単一トランジス
タ、ダイオード４を単一ダイオードとしたが、第４図に
示すように、トランジスタ３をダーリントントランジス
タとし、ダイオード４を複数個直列接続したダイオード
にしてもよい。
タ、ダイオード４を単一ダイオードとしたが、第４図に
示すように、トランジスタ３をダーリントントランジス
タとし、ダイオード４を複数個直列接続したダイオード
にしてもよい。
発明の効果
本発明は、温度補償特性をダイオード電流を第３の抵抗
を設けることによシ大きく変化させることができ、コレ
クターエミッタ電圧を支配的に決める第１と第２の抵抗
値の比および直列抵抗値をある一定の範囲に固定できる
ので、機能調整方法を第２の抵抗値で決定するような場
合に最適なトランジスタバイアス装置を実現できるもの
である。
を設けることによシ大きく変化させることができ、コレ
クターエミッタ電圧を支配的に決める第１と第２の抵抗
値の比および直列抵抗値をある一定の範囲に固定できる
ので、機能調整方法を第２の抵抗値で決定するような場
合に最適なトランジスタバイアス装置を実現できるもの
である。
第１図ａは従来のトランジスタバイアス装置の基本構成
図、第１図すは従来のトランジスタバイアス装置の動作
説明図、第２図はダイオード順方向電圧温度係数特性曲
線図、第３図は本発明の第１の実施例における基本構成
図、第４図は本発明の第２の実施例における基本構成図
である。 １・・・・・・コレクタ端、２・・・・・・エミッタ端
、３− ・−・トランジスタ、４・・・・・・ダイオ
ード、５・・・・・・第１の抵抗、６・・・・・・第２
の抵抗、７・・・・・・定電流源、８・・・・・・第３
の抵抗。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名ト 揶
図、第１図すは従来のトランジスタバイアス装置の動作
説明図、第２図はダイオード順方向電圧温度係数特性曲
線図、第３図は本発明の第１の実施例における基本構成
図、第４図は本発明の第２の実施例における基本構成図
である。 １・・・・・・コレクタ端、２・・・・・・エミッタ端
、３− ・−・トランジスタ、４・・・・・・ダイオ
ード、５・・・・・・第１の抵抗、６・・・・・・第２
の抵抗、７・・・・・・定電流源、８・・・・・・第３
の抵抗。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名ト 揶
Claims (3)
- （１）トランジスタと、上記トランジスタのコレクタと
エミッタにそれぞれ直列接続された第１の抵抗と第２の
抵抗と、上記第１の抵抗と第２の抵抗の分割点、上記ト
ランジスタのベースの間に接続されたダイオードと、上
記トランジスタのベースとエミッタの間に接続された第
３の抵抗とで構成されたことを特徴とするトランジスタ
バイアス装置。 - （２）ダイオードが複数個直列接続されたダイオードで
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のトラ
ンジスタバイアス装置。 - （３）トランジスタがダーリントントランジスタである
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のトランジ
スタバイアス装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59203437A JPS6181009A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | トランジスタバイアス装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59203437A JPS6181009A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | トランジスタバイアス装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6181009A true JPS6181009A (ja) | 1986-04-24 |
Family
ID=16474079
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59203437A Pending JPS6181009A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | トランジスタバイアス装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6181009A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20200030963A (ko) * | 2018-09-13 | 2020-03-23 | 한국전자통신연구원 | 전력 증폭기 |
-
1984
- 1984-09-28 JP JP59203437A patent/JPS6181009A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20200030963A (ko) * | 2018-09-13 | 2020-03-23 | 한국전자통신연구원 | 전력 증폭기 |
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