JPS6181640A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS6181640A JPS6181640A JP60036335A JP3633585A JPS6181640A JP S6181640 A JPS6181640 A JP S6181640A JP 60036335 A JP60036335 A JP 60036335A JP 3633585 A JP3633585 A JP 3633585A JP S6181640 A JPS6181640 A JP S6181640A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pellet
- microscope
- semiconductor
- deposited
- semiconductor pellet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体素子の生産システム、とくに視覚による
検出の作業能率を向上させ、あるいは人工の視ユ″ご装
置によって置換するための、ｈＦ ；Ｈｅ＜体索子表面
のアルミ膜の生成法に関するものである。
検出の作業能率を向上させ、あるいは人工の視ユ″ご装
置によって置換するための、ｈＦ ；Ｈｅ＜体索子表面
のアルミ膜の生成法に関するものである。
トランジスタや隻稙回路素子などの半導体素子の生産工
程において、とくに半１１ｔ１体ペレットとして完、戎
した後の組立て工程においては、その表面ぐ光学的パタ
ーンを用いて検査や位置決めを行なうことが多い。たと
えば、半導体の電極から外部接続のための端子への配ａ
を金縁？熱圧着することによって行なうワイヤボンディ
ング工程においては、半導体ペレットの台座上でのズレ
を視覚的に検出し金線の圧着位置を合わせることが行な
われる。ま次ベレットの欠陥の有無？視覚によって検出
することも行なわれる。このとき対象である半導体ペレ
ットは微小な物体であるため、実体顕微遅あるいは金属
顕微鏡などが用いて、この物体課を拡大することが必要
である。
程において、とくに半１１ｔ１体ペレットとして完、戎
した後の組立て工程においては、その表面ぐ光学的パタ
ーンを用いて検査や位置決めを行なうことが多い。たと
えば、半導体の電極から外部接続のための端子への配ａ
を金縁？熱圧着することによって行なうワイヤボンディ
ング工程においては、半導体ペレットの台座上でのズレ
を視覚的に検出し金線の圧着位置を合わせることが行な
われる。ま次ベレットの欠陥の有無？視覚によって検出
することも行なわれる。このとき対象である半導体ペレ
ットは微小な物体であるため、実体顕微遅あるいは金属
顕微鏡などが用いて、この物体課を拡大することが必要
である。
半導体ペレットの視覚的な検出に、従来作業者の視覚に
よって行なわれて来之が、之とえば既に本発明者による
特願昭４８−２１６３６号のように２工業用テレビカメ
ラなどの撮像装＃、光重変換装置など音用いてその吠漂
を取込み、処理す石ことによって自動的に検出する装置
が開発されつつあり、また特頚昭４４−３３９６８号の
ように工業用テレビカメラを用いて保全テレビモニタ上
に再現し作業者が見やすくなるようにすることも試みら
れている。
よって行なわれて来之が、之とえば既に本発明者による
特願昭４８−２１６３６号のように２工業用テレビカメ
ラなどの撮像装＃、光重変換装置など音用いてその吠漂
を取込み、処理す石ことによって自動的に検出する装置
が開発されつつあり、また特頚昭４４−３３９６８号の
ように工業用テレビカメラを用いて保全テレビモニタ上
に再現し作業者が見やすくなるようにすることも試みら
れている。
作業者による場合も自動検出装置による場合も半導体ペ
レット上のパターンが高いコントラストで見られれば有
利な条件となる。とぐに自動検出装置においては検出確
度？上げるため、高いコントラストを得ることが必須の
条件となる。代表的な半導体ペレツ）Ｃ１表面は酸化シ
リコン、アルミおよびシリコンによって形成され、とく
に前二者の占める面積が大きい。従って酸化シリコン部
分とアルミ部分とのコントラストラ問題とすればよい。
レット上のパターンが高いコントラストで見られれば有
利な条件となる。とぐに自動検出装置においては検出確
度？上げるため、高いコントラストを得ることが必須の
条件となる。代表的な半導体ペレツ）Ｃ１表面は酸化シ
リコン、アルミおよびシリコンによって形成され、とく
に前二者の占める面積が大きい。従って酸化シリコン部
分とアルミ部分とのコントラストラ問題とすればよい。
有機樹脂や酸化シリコンなどによる保護被膜でこれらを
覆うこともあるが、膜が薄い之め光の反射に関する限り
、下地の性質がほぼそのまま現われると考えてよい。
覆うこともあるが、膜が薄い之め光の反射に関する限り
、下地の性質がほぼそのまま現われると考えてよい。
物質の光学的反射に関する性質はたとえば第１図のよう
な反射輝度曲線で表現される。この曲線は物体の表面の
性質および光の入射角度によって変わる。−役の金属顕
微鏡においては、第２図に示すような垂直落射照明を行
なうので、入射角Ｏ０の近傍で照明を与え反射角０°の
近傍の反射光束？とらえている。第１図のグラフは、照
明の入射角が０°の場合で、横軸は反射角を表わし、た
て軸は反射率を表わす。反射角０°においては、鏡面に
近い表面状態をもつアルミ（Ａ）の反射寒け、シリコン
層上の酸化シリコンの反射寒と比べて元方大きく両者の
フントラストは高い。しかし、別種の表面状態を持つア
ルミω）の例ではアルミ反射寒は酸化シリコンとほぼ同
等であり、両者のコントラストは低い。従って、一般の
蒸着法でアルミ表面を鏡蘭状に保てばよめか、実際には
半導体ペレットの傾きから、大きな影響を受けるという
問題点がある。
な反射輝度曲線で表現される。この曲線は物体の表面の
性質および光の入射角度によって変わる。−役の金属顕
微鏡においては、第２図に示すような垂直落射照明を行
なうので、入射角Ｏ０の近傍で照明を与え反射角０°の
近傍の反射光束？とらえている。第１図のグラフは、照
明の入射角が０°の場合で、横軸は反射角を表わし、た
て軸は反射率を表わす。反射角０°においては、鏡面に
近い表面状態をもつアルミ（Ａ）の反射寒け、シリコン
層上の酸化シリコンの反射寒と比べて元方大きく両者の
フントラストは高い。しかし、別種の表面状態を持つア
ルミω）の例ではアルミ反射寒は酸化シリコンとほぼ同
等であり、両者のコントラストは低い。従って、一般の
蒸着法でアルミ表面を鏡蘭状に保てばよめか、実際には
半導体ペレットの傾きから、大きな影響を受けるという
問題点がある。
このことを説明すると次のようになる。半導体ベレット
をその台座た接着する際に水平度を正確に保つことが困
難である。水平度を保てず半導体ベレットの表面の垂直
線が顕微鏡先細とある角度を持った場合、照明入射角が
０°ではなくな、す、第１図の同じ対象に対して、その
反射輝１曲線は第３図のようになる。すなわち最大反射
を得る正反射方向はベレット表面垂直線方向？はさんで
光軸方向と反対方向に移動する。これを第２図のような
垂直落射照明の顕微鏡で観測すると第３図グラフの反射
角Ｐでの反射層全観測することになる。
をその台座た接着する際に水平度を正確に保つことが困
難である。水平度を保てず半導体ベレットの表面の垂直
線が顕微鏡先細とある角度を持った場合、照明入射角が
０°ではなくな、す、第１図の同じ対象に対して、その
反射輝１曲線は第３図のようになる。すなわち最大反射
を得る正反射方向はベレット表面垂直線方向？はさんで
光軸方向と反対方向に移動する。これを第２図のような
垂直落射照明の顕微鏡で観測すると第３図グラフの反射
角Ｐでの反射層全観測することになる。
これ？第２図の場合と比較するとアルミ（５）、酸化シ
リコンとも反射寒はかなり減衰する。たとえば開口数０
．１の対物レンズを用いた場合、対象の３゜れるため１
人間が見え場合は検出が可能であるが。
リコンとも反射寒はかなり減衰する。たとえば開口数０
．１の対物レンズを用いた場合、対象の３゜れるため１
人間が見え場合は検出が可能であるが。
自動検出装置を用いる場合は、この反射：の変化？補償
しなければならない。撮像視野には半導体ベレットのみ
ならず、傾きの異なる台座の部分も写るのが通常である
之め、視野全体の反射寒が一様に変化するのでなく、対
果ベレットの部分のみ減衰する之め単純な方式で補ｉＸ
ｋ行なうことは容易ではない。さらに補足すると、自動
認識のために映（ａｔ白か黒かの２喧として処理するこ
とにより＠置規模を大巾に縮少できることが多い。この
ため映像信号上あるしきい値と比較して白か黒かを決定
するのが普通であるが、反射星に前運のような大きな変
化がある場合、一定のしきい値で白黒を決定することが
できない。またペレット部分のみの反射軍変化にこのし
きい値を追従させることも容易ではない。
しなければならない。撮像視野には半導体ベレットのみ
ならず、傾きの異なる台座の部分も写るのが通常である
之め、視野全体の反射寒が一様に変化するのでなく、対
果ベレットの部分のみ減衰する之め単純な方式で補ｉＸ
ｋ行なうことは容易ではない。さらに補足すると、自動
認識のために映（ａｔ白か黒かの２喧として処理するこ
とにより＠置規模を大巾に縮少できることが多い。この
ため映像信号上あるしきい値と比較して白か黒かを決定
するのが普通であるが、反射星に前運のような大きな変
化がある場合、一定のしきい値で白黒を決定することが
できない。またペレット部分のみの反射軍変化にこのし
きい値を追従させることも容易ではない。
一方、ペレットの水平度ｔｉ保すること亡考えると、た
とえば−辺０．４画のペレットでは１°の傾きは、−辺
両端において０．００７ａ＋＋ｎの高低差となる。ペレ
ット全台圧に接着する際には境界面が溶解するため高低
差を０．００７ａｍ程度以下に押えることは容易ではな
い。
とえば−辺０．４画のペレットでは１°の傾きは、−辺
両端において０．００７ａ＋＋ｎの高低差となる。ペレ
ット全台圧に接着する際には境界面が溶解するため高低
差を０．００７ａｍ程度以下に押えることは容易ではな
い。
本発明の目的は安定したアルミと酸化シリコンのコント
ラストで半導ベレットヲ親測することにあり、とくに上
述し几、従来の照明法のもつ、ペレットの傾きによる影
響を受けるという欠点をなくすことにある。
ラストで半導ベレットヲ親測することにあり、とくに上
述し几、従来の照明法のもつ、ペレットの傾きによる影
響を受けるという欠点をなくすことにある。
上記の目的を達成するため、本発明の半導体ベレットに
おいては、アルミ表面で拡散反射の成分が多くなるよう
にする。たとえば第１図におけるアルミＣＢ）のように
全角度にわたって反射輝度が一定以上の強さを持つよう
にする。このような表面？鏡面に対して拡散反射面ある
いは束子地面と呼ぶことかある。
おいては、アルミ表面で拡散反射の成分が多くなるよう
にする。たとえば第１図におけるアルミＣＢ）のように
全角度にわたって反射輝度が一定以上の強さを持つよう
にする。このような表面？鏡面に対して拡散反射面ある
いは束子地面と呼ぶことかある。
このような表面をもつペレットに対して照明の入射角を
犬きくとる。第４図にそのときの反射輝度曲線を示す。
犬きくとる。第４図にそのときの反射輝度曲線を示す。
顕微鏡光軸のあるＯ０近傍は正反射方向で−はなく、酸
化シリコンの反射輝度はほぼＯであるためアルミと高い
コントラスト°が得られる。また対象表面が傾い几とき
の曲線は、このグラフがそのまま横軸方向に移動したも
のとなるが０°方向の反射呂はほとんど変化しない。従
ってベレットの少々の傾きによらず、一定のコントラス
トが保たれ種々の自動検出装置において安定しｔ動作を
得ることができる。
化シリコンの反射輝度はほぼＯであるためアルミと高い
コントラスト°が得られる。また対象表面が傾い几とき
の曲線は、このグラフがそのまま横軸方向に移動したも
のとなるが０°方向の反射呂はほとんど変化しない。従
ってベレットの少々の傾きによらず、一定のコントラス
トが保たれ種々の自動検出装置において安定しｔ動作を
得ることができる。
すなわち本発明の要点は半導体ペレットのアルミ蒸着表
面が一定の拡散反射成分を持つこと、２よび照明方向分
選択して正反射光が顕微鏡に入射しないようにすること
の２点である。
面が一定の拡散反射成分を持つこと、２よび照明方向分
選択して正反射光が顕微鏡に入射しないようにすること
の２点である。
以下、本発明全実施列によって説明する。
まず半導体ベレットのウェハまでの製造法につ込ては根
本的な工程の変更は必要としない。酸化シリコン膜は従
来から行なわれている酸化法で行なえばよく、とくに変
更を必要としない。アルミ膜は従来と同様蒸着によって
作成するが、とくに拡散反射表面を持几せるため蒸着時
の条件を適切に設定する必要がある。蒸着時の残留気圧
を高くすれば拡散反射面となるが、金線の圧着に適して
いない表面となるため、残留気圧は約１０−ゝｔｏｒｒ
以下に保つ必要がある。金線の圧着にも適した拡散反射
面とするには蒸着速度を遅くする方法、膜厚を厚くする
方法、基板温度を高くする方法およびその組合わせによ
る方法があり使用する＠置によって選択すればよい。た
とえば、具体的に数値を上げると温度１８０°Ｃ〜２５
０°Ｃ＆残留気圧３Ｘ １０−”−８Ｘ Ｉ Ｇ”’
ｔｏｒｒ、膜厚１．５〜２．５ａｒｎである。
本的な工程の変更は必要としない。酸化シリコン膜は従
来から行なわれている酸化法で行なえばよく、とくに変
更を必要としない。アルミ膜は従来と同様蒸着によって
作成するが、とくに拡散反射表面を持几せるため蒸着時
の条件を適切に設定する必要がある。蒸着時の残留気圧
を高くすれば拡散反射面となるが、金線の圧着に適して
いない表面となるため、残留気圧は約１０−ゝｔｏｒｒ
以下に保つ必要がある。金線の圧着にも適した拡散反射
面とするには蒸着速度を遅くする方法、膜厚を厚くする
方法、基板温度を高くする方法およびその組合わせによ
る方法があり使用する＠置によって選択すればよい。た
とえば、具体的に数値を上げると温度１８０°Ｃ〜２５
０°Ｃ＆残留気圧３Ｘ １０−”−８Ｘ Ｉ Ｇ”’
ｔｏｒｒ、膜厚１．５〜２．５ａｒｎである。
次にペレットの観測の際の照明の与え方を示す。
第５図はその一発帷しリであり、顕微Ｊｆ虜筒１と対物
レンズ２とは別に光源３と集光レンズ４を収めた筒５を
設け、顕微鏡の視野にありかつ上記のアルミ反射率の性
質？もつ半導体ベレット６に対して斜め方向より照明を
与えるものである。こうして照明され之ベレットの像は
肉眼での検出にもよく、丁たＴＶカメラ７により撮像し
１位置決めや欠陥検査などの之めの自動検出＠置８に安
定でかつコントラストのよい映像を供給することができ
る。
レンズ２とは別に光源３と集光レンズ４を収めた筒５を
設け、顕微鏡の視野にありかつ上記のアルミ反射率の性
質？もつ半導体ベレット６に対して斜め方向より照明を
与えるものである。こうして照明され之ベレットの像は
肉眼での検出にもよく、丁たＴＶカメラ７により撮像し
１位置決めや欠陥検査などの之めの自動検出＠置８に安
定でかつコントラストのよい映像を供給することができ
る。
第６図に示したように、光源３．および集光レンズ４よ
り光学ファイバ９により光を導き、斜め方河より光を照
射することによっても同碌の効果が得られる。
り光学ファイバ９により光を導き、斜め方河より光を照
射することによっても同碌の効果が得られる。
第７図は、顕微鏡光柵が対象の表面に対して垂直でない
配置を示す。このとき照明は金属顕＠誂の通常の落射照
明でもよく、あるいは別の照明筒を用いてもよい。後者
の場合は照明の正反射が顕微鏡の光軸と重ならなければ
任意の方回より照明してもよい。
配置を示す。このとき照明は金属顕＠誂の通常の落射照
明でもよく、あるいは別の照明筒を用いてもよい。後者
の場合は照明の正反射が顕微鏡の光軸と重ならなければ
任意の方回より照明してもよい。
第８図の奥柴例においては、顕微鏡鏡筒１１を２重とし
、光源３の光をレンズ１２によって平行光線とし、反射
鏡１３によって外側の鏡筒に導き、対物レンズ２０周辺
よりパラボラ型の反射誘１４によって対象上に集光する
ものである。この場合涙微鏡光軸と一定角度をなす光軸
まわり３６０’ｃの方向から照明が与えられる。市販の
金属謳微鏡の中にもこのような構造をもつものがあり、
暗視明の効果を得ることができる。
、光源３の光をレンズ１２によって平行光線とし、反射
鏡１３によって外側の鏡筒に導き、対物レンズ２０周辺
よりパラボラ型の反射誘１４によって対象上に集光する
ものである。この場合涙微鏡光軸と一定角度をなす光軸
まわり３６０’ｃの方向から照明が与えられる。市販の
金属謳微鏡の中にもこのような構造をもつものがあり、
暗視明の効果を得ることができる。
以上説明しｔごとく本発明によれば、半導体ペレットの
位置、欠陥などの自動検出あるいは目視検出において、
ベレットの傾きによらず一定のコントラストのある映像
を得ることができ安定した動作あるいは作業を行なうこ
とができる。
位置、欠陥などの自動検出あるいは目視検出において、
ベレットの傾きによらず一定のコントラストのある映像
を得ることができ安定した動作あるいは作業を行なうこ
とができる。
第１図から第３図までは従来例の説明図、第４図から第
８図までは本発明の説明図である。 図面の＋Ｓ（内容）二変更なし） ｙｏ’ グ第タ図
ｑｔ、、４目 葡７図 詐８９ 手 続 補 正 書 （方式）％式％ 事件の表示 昭和６０年 特 許 願 第３６３３５号発明の
名称 半導体装置の製造方法 補正をする者 事件との関係 特 許 出 願 人名称（５１０）
株式会社 日 立 製 作 新式 理 人 居所〒１００ 東京都千代田区丸の内−丁［１ｌ
Ｉ５番１号株式会社 日 立 製 作 所 内 電 話 東 京２１２−１１１１（大代表）補正の対
象 明Ｒ４書の特許請求の範囲の欄および発明の詳
細な説明の欄および図面。
８図までは本発明の説明図である。 図面の＋Ｓ（内容）二変更なし） ｙｏ’ グ第タ図
ｑｔ、、４目 葡７図 詐８９ 手 続 補 正 書 （方式）％式％ 事件の表示 昭和６０年 特 許 願 第３６３３５号発明の
名称 半導体装置の製造方法 補正をする者 事件との関係 特 許 出 願 人名称（５１０）
株式会社 日 立 製 作 新式 理 人 居所〒１００ 東京都千代田区丸の内−丁［１ｌ
Ｉ５番１号株式会社 日 立 製 作 所 内 電 話 東 京２１２−１１１１（大代表）補正の対
象 明Ｒ４書の特許請求の範囲の欄および発明の詳
細な説明の欄および図面。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体ペレットにアルミを蒸着する際に、蒸着され
たアルミ膜の表面を全照射角度にわたって、反射輝度が
一定値以上の強さを有する梨子地面とするのに十分な残
留気圧下において、アルミを蒸着することを特徴とする
半導体装置の製造方法。 ２、第一項において、前記残留気圧は、 ３×１０＾−＾６Ｔｏｒｒ以上の気圧であることを特徴
とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60036335A JPS6181640A (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60036335A JPS6181640A (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 | 半導体装置の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50064231A Division JPS51140477A (en) | 1975-05-30 | 1975-05-30 | Method of fabricating semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6181640A true JPS6181640A (ja) | 1986-04-25 |
Family
ID=12466956
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60036335A Pending JPS6181640A (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6181640A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49113581A (ja) * | 1973-02-26 | 1974-10-30 |
-
1985
- 1985-02-27 JP JP60036335A patent/JPS6181640A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49113581A (ja) * | 1973-02-26 | 1974-10-30 |
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