JPS6182493A - セラミツク配線基板の製造方法 - Google Patents

セラミツク配線基板の製造方法

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JPS6182493A
JPS6182493A JP20480784A JP20480784A JPS6182493A JP S6182493 A JPS6182493 A JP S6182493A JP 20480784 A JP20480784 A JP 20480784A JP 20480784 A JP20480784 A JP 20480784A JP S6182493 A JPS6182493 A JP S6182493A
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JP
Japan
Prior art keywords
conductor
conductor pattern
substrate
solution
ceramic substrate
Prior art date
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Pending
Application number
JP20480784A
Other languages
English (en)
Inventor
菊池 紀實
浜村 清人
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (発明の技術分野〕 本発明はセラミック配線基板の製造方法に係り、特に焼
成後に所定の溶液を用いて基板を表面処理する工程を含
むセラミック基板の製造方法に関する。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
アルミナセラミック基板を使用した多層配線基板は、一
般に次のような工程で作製される。すなわち、アルミナ
グリーンシートと称される未焼成のセラミック基板上に
タングステン(W)またはモリブデン(MO)等の高融
点金属を主体とする導体ペーストを用いてスクリーン印
刷し、所望の導体パターンを形成する。次に、基板と同
材質のアルミナ粉体を主成分とする絶縁体ペーストを用
いてスクリーン印刷し、層間絶縁層を形成する。
これら導体パターンおよび層間絶縁層の形成を交互に行
なって多層化した後、1500〜1600℃1弱還元性
雰囲気中で焼成を行なうことにより、基板と導体パター
ンおよび層間絶縁層を強固に密着させる。そしてICチ
ップその他の部品を実装し、ワイヤボンディングを可能
とするため、導体パターン上にニッケル(N i ) 
、金(Au)等のめっきを施し、多層配線基板が完成す
る。
しかしながら、このような従来のセラミック配線基板の
製造工程では、特に焼成後の状態で基板上の導体パター
ン以外の領域にも焼成中に飛散した導体等が付着してい
ることが多い。このように基板表面の不要な領域に導体
が付着したままの基板上に無電解めっきを行なうと、め
っき膜が導体パターン上のみならず、それ以外の領域に
付着している導体の上にも形成されてしまう。このため
、めっき金属であるNt、Au等の高価な材料が無駄に
消費されることになりコスト面で問題となるばかりでな
く、最悪の場合は不要な領域上に形成されためっきによ
って導体パターン間が短絡されるという問題がある。
また、上記のように焼成後の状態で基板上の導体パター
ン以外の領域に付着している導体は付着力がかなり強く
、しかも極めて多数の個所に分散しているので、例えば
顕微鏡等でチェックして機械的に除去しようとすると非
常に手間がかかり、また基板表面や導体パターン等を誤
って傷付けてしまい、かえって歩留りを低下させるおそ
れがあった。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、焼成後のめつき工程においてめっき膜
が基板上の導体パターン以外の領域に付着するのを防止
できるセラミック配線基板の製造方法を提供することに
ある。
〔発明の概要〕
本発明に係るセラミック基板の製造方法は、セラミック
基板上に導体ペーストを用いて所望の導体パターンを形
成し焼成した後、前記セラミック基板を前記導体ペース
トを侵す溶液中に浸漬することにより、前記セラミック
基板上の前記導体パターン以外の領域に付着している導
体を剥離し、しかる後前記導体パターン、上にめっきを
施す工程を含むことを特徴とする。
ここで、導体ペーストがタングステンまたはモリブデン
を主体とするものである場合、前記溶液はフェリシアン
化カリウムと水酸化ナトリウムを含む水溶液が適当であ
る。また、セラミック基板を前記溶液中に浸漬してセラ
ミック基板上の導体パターン以外の領域に付着した導体
を剥離するに際し、前記溶液に超音波撮動を付与して、
いわゆる超音波洗浄を行なうとより効果的である。
(発明の効果) 本発明によれば、導体ペーストにより導体パターンを形
成し焼成した後、めっき工程の前に基板を溶液中に浸漬
し導体パターン以外の領域に付着している導体を剥離す
ることにより、めっき工程時にめっき膜が導体パターン
以外の領域上に形成されてしまうことはない。
従って、めっき金属であるNi、Au等の高価な材料を
浪費することがなく、コストの低減を図ることができる
。また、めっきによって導体パターン間が短絡されると
いうような不良も生じない。
また、焼成後における基板表面のチェッ7り工程が不要
ないしは極く簡単で済み、農産性が向上する。
さらに、導体パターン以外の領域に付着しためつき膜を
機械的に除去する方法と異なり、基板表面や導体パター
ンを傷付けることがなく、それだけ歩留りも向上するこ
とになる。しかも、副次的効果として上記溶液による処
理によって導体パターンの表面が適度に荒れることによ
り、めっき膜の付着力が増し、配線基板の信頼性が向上
するという利点もある。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の詳細な説明する。
m上 アルミナ(Aj2203 >を93%含む無機質粉体を
用い、ドクターブレード法によってセラミック基板とし
てのアルミナグリーンシート(未焼成シート)を得た。
このアルミナグリーンシート上にタングステンを主体と
する導体ペーストを用いてス2り一印刷を行ない、乾燥
させて所望の導体パターンを形成した。次に、アルミナ
グリーンシートと同材質の無機質粉体を主成分とする絶
縁体ペーストを用いて同様にスクリーン印刷、乾燥して
層間絶縁層を形成した。これら導体パターンおよび層間
絶縁層の印刷・乾燥を交互に複数回繰返し、導体パター
ンが3層の多層配線構造とした。
次に、この多層配線構造の基板を1550℃〜1600
℃9弱還元性雰囲気中で焼成した。このとき得られた焼
成済み基板のうち30%以上の基板に、導体パターン以
外の領域上へのタングステンの付着が認められた。
そこで、この不要なタングステンが付着した基板をフェ
リシアン化カリウム (K3 Fe (ON)s )100gと水酸化ナトリ
ウム(NaOH)100G、水1000ccの水溶液中
に浸漬し、超音波洗浄を150秒間行なった。
次いで、基板を1分間水洗した後、エアブロ−で基板表
面を乾燥させた。さらに基板をアセトン中に入れ、10
〜15分間超音波洗浄した。このような処理を行なった
基板は、顕微鏡でチェックしても、所望の導体パターン
以外の個所にはタングステンの付着は認められなかった
。 次に、このようにして導体パターン以外の領域上に
付着していたタングステンが溶液による表面処理で剥離
・除去された基板の導体パターン上に、無電解めっき法
で下地層としてNi2表面層としてAuを付着させた。
このめっき工程の後、顕微鏡で再びチェックしたところ
、所望の導体パターン以外の領域にはめつき膜は全く認
められず、100%の歩留りが得られた。
友1九り 実施例1におけるタングステンに代えてモリブデン(M
O)を主体とする導体ペーストを用い、それ以外の工程
は実施例1と全く同様にして多層配線基板を作製したと
ころ、めっき工程終了後においてやはり不要なめっき膜
の付着は全く認められず、歩留りは100%であった。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
例えば導体ペーストがW、MOの場合、基板上の導体パ
ターン以外の領域に付着した導体を剥離するための溶液
としては、前述したもののほか過マンガン酸カリウムや
水酸化カリウム等と水酸化ナトリウムの組合せを用いて
も同様の効果が得られることが確認された。
また、実施例ではグリーンシート、すなわち未焼成のセ
ラミック基板上に導体パターンおよび層間絶縁層を形成
した後、基板と導体パターンおよび層間絶縁層をまとめ
て焼成したが、焼成済みのセラミック基板上に導体パタ
ーン等を形成し、その後焼成してもよい。さらに、実施
例では多層配線基板の製造方法について述べたが、本発
明はセラミック基板上に導体ペーストを印刷等により形
成し、焼成の後、導体パターン上にめっきを施す工程を
含むものであれば、単層配線基板の製造にも有効である
。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)セラミック基板上に導体ペーストを用いて所望の
    導体パターンを形成し焼成した後、前記セラミック基板
    を前記導体ペーストを侵す溶液中に浸漬することにより
    、前記セラミック基板上の前記導体パターン以外の領域
    に付着している導体を剥離し、しかる後前記導体パター
    ン上にめつきを施す工程を含むことを特徴とするセラミ
    ック配線基板の製造方法。
  2. (2)前記導体ペーストはタングステンまたはモリブデ
    ンを主体とするものであり、前記溶液はフェリシアン化
    カリウムと水酸化ナトリウムを含む水溶液であることを
    特徴とする特許請求の範囲第11記載のセラミック配線
    基板の製造方法。
  3. (3)前記セラミック基板を前記導体ペーストを侵す溶
    液中に浸漬することにより、前記セラミック基板上の前
    記導体パターン以外の領域に付着している導体を剥離す
    るに際し、前記溶液に超音波振動を付与することを特徴
    とする特許請求の範囲第1項記載のセラミック配線基板
    の製造方法。
JP20480784A 1984-09-29 1984-09-29 セラミツク配線基板の製造方法 Pending JPS6182493A (ja)

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ID=16496687

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5354415A (en) * 1990-04-16 1994-10-11 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Method for forming a ceramic circuit board
JP2594475B2 (ja) * 1990-04-16 1997-03-26 電気化学工業株式会社 セラミックス回路基板
JPH09181423A (ja) * 1990-04-16 1997-07-11 Denki Kagaku Kogyo Kk セラミックス回路基板

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