JPS6183058U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6183058U JPS6183058U JP16757784U JP16757784U JPS6183058U JP S6183058 U JPS6183058 U JP S6183058U JP 16757784 U JP16757784 U JP 16757784U JP 16757784 U JP16757784 U JP 16757784U JP S6183058 U JPS6183058 U JP S6183058U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- conductivity type
- field effect
- effect transistor
- gate electrode
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Description
第１図は本考案の一実施例であるシヨツトキー
バリアーゲートＦＥＴの断面図、第２図は従来の
シヨツトキーバリアーゲートＦＥＴの断面図であ
る。 １……半絶縁性基板、２……ｎ型半導体層、３
……ソース電極、４……ドレン電極、５……ゲー
ト電極、６……酸化膜層。
バリアーゲートＦＥＴの断面図、第２図は従来の
シヨツトキーバリアーゲートＦＥＴの断面図であ
る。 １……半絶縁性基板、２……ｎ型半導体層、３
……ソース電極、４……ドレン電極、５……ゲー
ト電極、６……酸化膜層。
Claims (1)
- 半絶縁性基板上に設けられた一導電型半導体層
と該一導電型半導体層上に設けられたソース電極
とドレン電極とゲート電極とからなる電界効果ト
ランジスタにおいて、前記ゲート電極の一部が酸
化膜を介してドレン電極側にオーバーラツプして
いることを特徴とする電界効果トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16757784U JPS6183058U (ja) | 1984-11-05 | 1984-11-05 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16757784U JPS6183058U (ja) | 1984-11-05 | 1984-11-05 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6183058U true JPS6183058U (ja) | 1986-06-02 |
Family
ID=30725367
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16757784U Pending JPS6183058U (ja) | 1984-11-05 | 1984-11-05 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6183058U (ja) |
-
1984
- 1984-11-05 JP JP16757784U patent/JPS6183058U/ja active Pending