JPH02118954U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH02118954U JPH02118954U JP1989026581U JP2658189U JPH02118954U JP H02118954 U JPH02118954 U JP H02118954U JP 1989026581 U JP1989026581 U JP 1989026581U JP 2658189 U JP2658189 U JP 2658189U JP H02118954 U JPH02118954 U JP H02118954U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- source
- semiconductor layer
- thin film
- film transistor
- drain electrodes
- Prior art date
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- Granted
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- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Description
第１図はこの考案の第１実施例である薄膜トラ
ンジスタの拡大断面図、第２図は第２実施例の薄
膜トランジスタの拡大断面図、第３図は従来例を
示す薄膜トランジスタの拡大断面図である。 １……ガラス基板、２……ゲート電極、３……
ゲート絶縁膜、４……半導体層、６……ソース電
極、７……ドレイン電極、１１，１２……遮光ブ
ロツキング層。
ンジスタの拡大断面図、第２図は第２実施例の薄
膜トランジスタの拡大断面図、第３図は従来例を
示す薄膜トランジスタの拡大断面図である。 １……ガラス基板、２……ゲート電極、３……
ゲート絶縁膜、４……半導体層、６……ソース電
極、７……ドレイン電極、１１，１２……遮光ブ
ロツキング層。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体層
、およびソース、ドレイン電極を順に積層してな
る薄膜トランジスタにおいて、 前記ソース、ドレイン電極が互いに対向する箇
所における前記半導体層と前記ソース、ドレイン
電極との間に遮光機能を有するブロツキング層を
形成したことを特徴とする薄膜トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989026581U JP2560602Y2 (ja) | 1989-03-10 | 1989-03-10 | 薄膜トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989026581U JP2560602Y2 (ja) | 1989-03-10 | 1989-03-10 | 薄膜トランジスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02118954U true JPH02118954U (ja) | 1990-09-25 |
| JP2560602Y2 JP2560602Y2 (ja) | 1998-01-26 |
Family
ID=31248339
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1989026581U Expired - Lifetime JP2560602Y2 (ja) | 1989-03-10 | 1989-03-10 | 薄膜トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2560602Y2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012137251A1 (ja) * | 2011-04-06 | 2012-10-11 | パナソニック株式会社 | 表示装置用薄膜半導体装置及びその製造方法 |
| CN103503125A (zh) * | 2012-01-20 | 2014-01-08 | 松下电器产业株式会社 | 薄膜晶体管 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61145870A (ja) * | 1984-12-19 | 1986-07-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜電界効果トランジスタおよびその製造方法 |
| JPS63157476A (ja) * | 1986-12-22 | 1988-06-30 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 薄膜トランジスタ |
| JPS63237033A (ja) * | 1987-03-26 | 1988-10-03 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 薄膜トランジスタの製造方法 |
-
1989
- 1989-03-10 JP JP1989026581U patent/JP2560602Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61145870A (ja) * | 1984-12-19 | 1986-07-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜電界効果トランジスタおよびその製造方法 |
| JPS63157476A (ja) * | 1986-12-22 | 1988-06-30 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 薄膜トランジスタ |
| JPS63237033A (ja) * | 1987-03-26 | 1988-10-03 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 薄膜トランジスタの製造方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012137251A1 (ja) * | 2011-04-06 | 2012-10-11 | パナソニック株式会社 | 表示装置用薄膜半導体装置及びその製造方法 |
| CN103109373A (zh) * | 2011-04-06 | 2013-05-15 | 松下电器产业株式会社 | 显示装置用薄膜半导体装置及其制造方法 |
| JPWO2012137251A1 (ja) * | 2011-04-06 | 2014-07-28 | パナソニック株式会社 | 表示装置用薄膜半導体装置及びその製造方法 |
| CN103503125A (zh) * | 2012-01-20 | 2014-01-08 | 松下电器产业株式会社 | 薄膜晶体管 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2560602Y2 (ja) | 1998-01-26 |