JPS6184041A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS6184041A
JPS6184041A JP59205505A JP20550584A JPS6184041A JP S6184041 A JPS6184041 A JP S6184041A JP 59205505 A JP59205505 A JP 59205505A JP 20550584 A JP20550584 A JP 20550584A JP S6184041 A JPS6184041 A JP S6184041A
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JP
Japan
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chip
layer
thermal shock
heated
coating layer
Prior art date
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Pending
Application number
JP59205505A
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English (en)
Inventor
Rikuro Sono
薗　陸郎
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 利用分野 本発明はプラスティック封止半導体装置に関する。
従来技術 プラスチック封止半導体装置は、成形時に応力を受け、
ま次使用中に熱衝撃を受ける。ま几プラスティックと内
部リード、ワイヤ及びチップ表面の間の密着性が不充分
な場合がある。この几め、グラスチックと内部リード、
ワイヤ及びチップ表面との付着面に微少な間隙が発生し
て、外部の湿気がチップ表面に侵入し易すく、性能を低
下させる欠点があった。
問題点 湿気の侵入を防止するには、プラスチック材料と各種表
面との付着性を改良し、かつ熱衝Ｓを軽減することが必
要でおる。
解決手段 上記間５点は、チップステージの上にチップを付け、チ
ップと内部リードとの間にワイヤをボンディングしたリ
ードフレームの要部を、プラスチック封止した半導体装
置であって、チップ表面上に第１層、次に第２層の被覆
層全音し、第１層が離型剤を含まないことのみが封止用
プラスチックと相違するプラスチック材料からなり、第
２層が熱衝撃吸収性プラスチック材料からなることを特
徴とする半導体装直によって解決される。
実施例 リードフレームは、通常のように４２％Ｎｉ含有Ｆｅ合
金製でステージおよびリードを有する。
常法によって、ステージ１の上に接着剤Ａｇペースト２
を介してＳｉチップ３を載せ、加熱して接着し、次に予
めＡｇめっきしておい友内部リード４のボンディングエ
リアとチップのポンディングパッドとにＡｕワイヤ５を
渡し、加熱ポンディングして、半導体装置の要部全形成
した。
本発明の特徴である被覆層のうち、第１層は次の成分か
らなる組成物であった。
エポキシ樹脂　　　　　　　　　２７ｗｔ冬硬　　化　
　剤　　　　　　　　　　　　　　　１ｗｔ％充填剤γ
−３ｉＯ□（平均粒径１５μｒｒｔ）　　７０ｗｔ％顔
料　カーボンブラック　　　　　１ｗｔ％難燃剤　５ｂ
２０３　　　　　　　　　１ｗｔ％このプラスチック材
料ペレットｉｓｉチップ３の上に載せ、温度１５０〜１
６０℃に加熱して、ペレット’ａ−融解し硬化させて第
１層を形取した。
次に、第２ノーとし℃シリコーン樹脂をボッティングし
、温度１５０″Ｃに加熱して硬化させた。
対土用成形材料は、通常のよう（Ｃｉ！ｉｌ！型剤？含
み、上記第１層プラスチック材料１００重量部に台底ワ
ックス１重１ｓｔ−加えたものを、常法によって、金型
内で加熱成形してパッケージケ形成した。
チップ表面に接するグラスチック材料が、成形体とは異
なって離型剤を含まないので、チップおよびワイヤとの
付着性を改良し、かつ第１層の上に形取した８Ｉ！２層
が熱衝撃吸収性でらるので、成形体とチップとの間の熱
衝撃を軽減し、こｎにより内部リードおよびワイヤと図
形体との付着面に間隙を生ずることを防止できる。
発明の効果 本発明の半４本装置は、耐湿性全改良し、従来バイアス
ＰＣＴ寿命が２００時間であったものが、４００時間ま
で向上した。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の半導体装なの実施言様の断面図である
。 １・・・・・・ステージ、２・・・・・・接看層、３・
・・・・・チップ、４・・・・・・内部リード、５・・
・・・・ワイヤ、６・・・・・・第１被覆層、７・・・
・・・８ｇ２被覆層、８・・・・・・成形体。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １、ステージの上にチップを付け、チップと内部リード
    の間にワイヤをボンディングしたリードフレームの要部
    を、プラスチック封止した半導体装置であって、チップ
    表面上に第１層、次に第２層の被覆層を有し、第１層が
    離型剤を含まないことのみが封止用プラスチックと相違
    するプラスチック材料からなり、第２層が熱衝撃吸収性
    プラスチック材料からなることを特徴とする半導体装置
    。
JP59205505A 1984-10-02 1984-10-02 半導体装置 Pending JPS6184041A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59205505A JPS6184041A (ja) 1984-10-02 1984-10-02 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59205505A JPS6184041A (ja) 1984-10-02 1984-10-02 半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6184041A true JPS6184041A (ja) 1986-04-28

Family

ID=16507971

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59205505A Pending JPS6184041A (ja) 1984-10-02 1984-10-02 半導体装置

Country Status (1)

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JP (1) JPS6184041A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5057457A (en) * 1989-09-13 1991-10-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Multimold semiconductor device and the manufacturing method therefor
JP2009530826A (ja) * 2006-03-17 2009-08-27 インターナショナル レクティファイアー コーポレイション 改良されたチップスケールパッケージ

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5057457A (en) * 1989-09-13 1991-10-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Multimold semiconductor device and the manufacturing method therefor
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