JPS6184056A - Photosensor - Google Patents
PhotosensorInfo
- Publication number
- JPS6184056A JPS6184056A JP59205033A JP20503384A JPS6184056A JP S6184056 A JPS6184056 A JP S6184056A JP 59205033 A JP59205033 A JP 59205033A JP 20503384 A JP20503384 A JP 20503384A JP S6184056 A JPS6184056 A JP S6184056A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- electrodes
- conversion element
- elements
- photosensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/191—Photoconductor image sensors
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、フォトセンサに関し、特にファクシミリや
OCRリーグの原稿読取部等に使用可能な密着型のライ
ンセンサに関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a photosensor, and particularly to a contact type line sensor that can be used in facsimiles, OCR league document reading units, and the like.
第5図は長尺ラインセンサの一般的構成を示す斜視図(
特開昭58−172057号公報を参考にした)、第6
図はOplus E No、56.p、51に示された
従来の長尺ラインセンサをもとにして描いた構成図であ
る。FIG. 5 is a perspective view showing the general configuration of a long line sensor (
(Referring to Japanese Unexamined Patent Publication No. 58-172057), No. 6
The figure is Oplus E No, 56. It is a block diagram drawn based on the conventional long line sensor shown in page 51.
第5図において、副走査方向6に挿入される原稿5紙面
上に光源4.レンズアレイ3が近接して配置され、上記
レンズアレイ3の端面に対向して光電変換素子列2が長
尺ラインセンサの基台lに装着されている。なお矢印7
は主走査方向を示す。In FIG. 5, a light source 4. A lens array 3 is arranged close to each other, and a photoelectric conversion element array 2 is mounted on the base l of the long line sensor so as to face the end face of the lens array 3. Note that arrow 7
indicates the main scanning direction.
第6図において、10はライン状に多数個並べられた阻
止形の光電変換素子である。なおここで阻止形とは外部
からのキャリアはデバイス内部に流入できないが、デバ
イス内部のキャリアは外部に流出できるものをいう。ま
た11はこの光電変換素子10の下部引出し電極と配線
を兼ねており、この配線11は駆動用LSI(走査制御
回路)12に接続されている。またこの光電変換素子1
0は読出し回路にも接続されている。この配線11は、
上記光電変換素子列2の左と右側に1つずつ互い違いに
ふり分けられており、それぞれ左右のLS112a、1
2bに接続されている。また13は上記光電変換素子1
0の要素であり、光によるキャリアを発生する非晶質半
導体である。14゜15も上記光電変換素子10の要素
であり、14は透明電極、15はこの透明電極14のシ
ート抵抗を補い、また受光部の窓も兼ねている共通電極
である。In FIG. 6, reference numeral 10 denotes a blocking type photoelectric conversion element arranged in large numbers in a line. Note that the blocking type here refers to one in which carriers from the outside cannot flow into the device, but carriers inside the device can flow out to the outside. Further, reference numeral 11 serves as a lower lead-out electrode and wiring of this photoelectric conversion element 10, and this wiring 11 is connected to a driving LSI (scanning control circuit) 12. In addition, this photoelectric conversion element 1
0 is also connected to the readout circuit. This wiring 11 is
One LS112a and one LS112a are alternately distributed on the left and right sides of the photoelectric conversion element array 2, respectively.
2b. 13 is the photoelectric conversion element 1
It is an amorphous semiconductor that generates carriers due to light. 14 and 15 are also elements of the photoelectric conversion element 10, 14 is a transparent electrode, and 15 is a common electrode that supplements the sheet resistance of this transparent electrode 14 and also serves as a window of the light receiving section.
第7図はこの第6図の等価回路図である。13゛はフォ
トダイオードであり、13”はこのフォトダイオード1
3′に逆バイアスが印加されたときに生じる等酒客量を
表わしている。フォトダイオード13゛の下部電極11
としてCr、非晶質半導体13としてノンドープアモル
ファスシリコン。FIG. 7 is an equivalent circuit diagram of FIG. 6. 13゛ is a photodiode, 13'' is this photodiode 1
It represents the equal amount of alcoholic drinkers that occurs when a reverse bias is applied to 3'. Lower electrode 11 of photodiode 13'
Cr is used as the amorphous semiconductor 13, and non-doped amorphous silicon is used as the amorphous semiconductor 13.
上部電極である透明電極14としてInを主成分とした
Indium Tin 0xide (r T O)を
使用すると、ITO・ノンドープアモルファスシリコン
接合部の方がCr・アモルファスシリコン接合部よりも
強いダイオード特性を示すショットキダイオードとなり
、その順方向はITOからノンドープアモルファスシリ
コンへ向う方向となる。各フォトダイオード13a’
、13b’ 、−,13n’ のアノードは共通電極1
5により電源27のマイナス極へとつながっている。ま
たそのカソードにはそれぞれ走査用スイッチ22a、2
2b、・・・、22nが設けられており、これらは各ス
イッチ22a〜22nを介して出力端子26へつながっ
ている。When Indium Tin Oxide (rT O) containing In as the main component is used as the transparent electrode 14, which is the upper electrode, the ITO/non-doped amorphous silicon junction exhibits stronger diode characteristics than the Cr/amorphous silicon junction. It becomes a diode, and its forward direction is from the ITO to the non-doped amorphous silicon. Each photodiode 13a'
, 13b', -, 13n' are common electrodes 1
5 to the negative pole of the power source 27. Further, scanning switches 22a and 2 are connected to the cathodes, respectively.
2b, . . . , 22n are provided, and these are connected to the output terminal 26 via respective switches 22a to 22n.
またこの出力端子26と接地間には負荷抵抗23が接続
されている。Further, a load resistor 23 is connected between this output terminal 26 and ground.
次に動作について説明する。スイッチ22aをONする
と負荷抵抗23を通して等酒客量132″は電源27の
電圧まで充電される。次にスイッチ22aをOFFにし
スイッチ22bをONすると同様に等酒客ff113b
”が充電される。以下順次スイッチ22を走査すること
によりすべての等酒客量13”が充電される。Next, the operation will be explained. When the switch 22a is turned on, the amount of alcoholic beverages 132'' is charged through the load resistor 23 to the voltage of the power supply 27.Next, when the switch 22a is turned off and the switch 22b is turned on, the amount of alcoholic beverages 132'' is charged to the voltage of the power supply 27 in the same way.
`` is charged. Thereafter, by sequentially scanning the switches 22, all the equal amount of alcoholic beverages 13'' are charged.
第5図において光源4からの光はレンズアレイ3の下部
にある原稿5のライン上で、原稿5の白黒により強弱反
射されレンズアレイ3により光電変換素子10aまで導
かれるが、上記の等酒客量13b”、13c”、・・・
、13n”を充電中に最初の等酒客(f13a”の電荷
はこの光によりフォトダイオード132″中に発生した
キャリアの電荷量だけ減少し、これによりこの光信号電
荷は上記等酒客113a”に蓄積されたことになる。こ
の光信号電荷量は光電変換素子10aに入射する光量に
ほぼ比例している。ここで再びスイッチ22aをONす
ると上記光信号電荷量だけ等酒客量13a”を充電すべ
く負荷抵抗23に電流が流れ、その結果、出力端子26
には光電変換素子10aの入射光量に比例した電気信号
が得られる。等酒客113a”が十分充電された後スイ
ッチ22aを0FFL次にスイッチ22bをONすると
、光電変換素子10bに入射していた光量に比例した電
気信号が出力端子26に得られる。In FIG. 5, the light from the light source 4 is strongly and weakly reflected by the black and white of the original 5 on the line of the original 5 located at the bottom of the lens array 3, and is guided by the lens array 3 to the photoelectric conversion element 10a. Amount 13b", 13c",...
, 13n'', the electric charge of the first photodiode (f13a'') decreases by the amount of carrier charge generated in the photodiode 132'' by this light, and as a result, this optical signal charge becomes the photodiode 113a''. The amount of light signal charge is almost proportional to the amount of light incident on the photoelectric conversion element 10a.Here, when the switch 22a is turned on again, the amount of alcohol 13a'' is increased by the amount of light signal charge. Current flows through the load resistor 23 for charging, and as a result, the output terminal 26
An electrical signal proportional to the amount of light incident on the photoelectric conversion element 10a is obtained. After the alcoholic drinker 113a'' is sufficiently charged, when the switch 22a is turned OFF and then the switch 22b is turned on, an electric signal proportional to the amount of light incident on the photoelectric conversion element 10b is obtained at the output terminal 26.
以下同様にして順次スイッチ22c、・・・、22nを
走査することにより光電変換素子列2に入射する光量、
即ち、原稿5のダイオードアレイ3の下部のライン分の
白黒情報を読み取ることができる。Thereafter, by sequentially scanning the switches 22c, . . . , 22n in the same manner, the amount of light incident on the photoelectric conversion element array 2,
That is, black and white information for the lower line of the diode array 3 of the document 5 can be read.
なおここで光電変換素子10を1n当り16ドツト並べ
ると周期は62.5μmとなり、また個別配線11の周
期は125 μmとなる。Note that if the photoelectric conversion elements 10 are arranged at 16 dots per 1n, the period will be 62.5 μm, and the period of the individual wirings 11 will be 125 μm.
従来のラインセンサは以上のように構成されているので
、共通電極が必要であるため、光電変換部だけでも下部
電極、非晶質半導体、遇明電極及び共通電極と4回の成
膜が必要である。またここでは述べなかったが、成膜回
数を3回で済まそうとすると個別配線を光電変換素子列
に対して同一側に並べなくてはならないため、配線間距
離が短くなり歩留りが悪くなるなどの欠点があった。Conventional line sensors are configured as described above, so a common electrode is required, so the photoelectric conversion section alone requires film formation four times: the lower electrode, the amorphous semiconductor, the backing electrode, and the common electrode. It is. Also, although I did not mention this here, if you try to deposit the film only three times, the individual wirings must be lined up on the same side of the photoelectric conversion element array, which shortens the distance between the wirings and lowers the yield. There was a drawback.
この発明は上記のような従来のものの欠点を除去するた
めになされたもので、配線間距離を従来と同一に保ちな
から成膜回数を減らすことのできるフォトセンサを提供
するものである。The present invention was made in order to eliminate the above-mentioned drawbacks of the conventional method, and provides a photosensor that can reduce the number of times of film formation while keeping the distance between wirings the same as in the prior art.
c問題点を解決するための手段〕
この発明に係るフォトセンサは、光電変換素子の極性の
相異なる電極同志を接続して該接続点に引出し電極を設
けたものである。Means for Solving Problem c] The photosensor according to the present invention is one in which electrodes of a photoelectric conversion element having different polarities are connected to each other, and an extraction electrode is provided at the connection point.
この発明によれば、光電変換素子の相異なる電極同志を
接続し、この接続点より引出し電極を引き出したので、
該引出し電極が共通電極としても機能する。According to this invention, different electrodes of the photoelectric conversion element are connected to each other, and the extraction electrode is drawn out from this connection point.
The extraction electrode also functions as a common electrode.
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図は本発明の一実施例によるフォトセンサを示し、図に
おいて、10はライン状に多数個並べられた光電変換素
子、lla、llb、・・・は上記光電変換素子10a
、10b、・・・の下部電極であり、例えばCrを約1
200人、基台1上に成膜した複写製版によりパターン
ニングされたものである。An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1st
The figure shows a photosensor according to an embodiment of the present invention, and in the figure, 10 is a large number of photoelectric conversion elements arranged in a line, lla, llb, . . . are the photoelectric conversion elements 10a.
, 10b, . . . , for example, about 1 Cr
200 people, patterning was carried out using a copying plate formed into a film on the base 1.
この下部電極11は光電変換素子列2の両側に互い違い
に1つずつふり分けられているため、上記光電変換素子
を1ミリ当り16ドツト125 μmピンチで形成する
ときは、この2倍の250 μmピッチでこの下部電極
11を形成すればよい。13は、これら下部電極11a
、llb、・・・の上に帯状に成膜され、光を受けてキ
ャリアを発生する非晶質半導体であり、これは例えばプ
ラズマCVD装置の中で形成される。なおこの非晶質半
導体13は基台1上にマスクをかぶせて所望部分のみに
成膜してもよいし、写真製版によりパターンニングして
もよい。14a、14b、・・・はこの非晶質半導体1
3の上に下部電極11a、llb、・・・に対向して成
膜パターンニングされ、しかも14aは下部電極11b
と、14bは下部電極11cと、以下同様に隣りの下部
電極11と電気的に接触している透明電極である。この
透明電極は例えば、Indium Tin 0xide
(I T Q )を約660又は2000人だけスパ
ッター装置又は電子ビーム蒸着装置で成膜後、写真製版
によりパターンニングして形成される。そして上記下部
電極11と透明電極14の重なった部分が以下で説明す
るフォトダイオードとなる。Since the lower electrodes 11 are arranged alternately on both sides of the photoelectric conversion element array 2, when forming the photoelectric conversion elements with a pinch of 16 dots per millimeter and 125 μm, the electrodes are twice as thick as 250 μm. This lower electrode 11 may be formed at a pitch. 13, these lower electrodes 11a
. Note that this amorphous semiconductor 13 may be formed by covering the base 1 with a mask to form a film only on desired portions, or may be patterned by photolithography. 14a, 14b,... are this amorphous semiconductor 1
A film is formed and patterned on 3 to face the lower electrodes 11a, llb, . . .
, and 14b is a transparent electrode that is in electrical contact with the lower electrode 11c and the adjacent lower electrode 11 in the same manner. This transparent electrode is made of, for example, Indium Tin Oxide.
(I T Q ) is formed by about 660 or 2000 people using a sputtering device or an electron beam evaporation device, and then patterned by photolithography. The overlapping portion of the lower electrode 11 and the transparent electrode 14 becomes a photodiode, which will be described below.
第2図は上記一実施例の光電変換素子列2を使用したフ
ォトセンサの回路図の一例である。13”はフォトダイ
オードであり、13”はこのフォトダイオード13“に
逆バイアスが印加されたときこれに並列に生じる等酒客
量である。このフォトダイオード13°の順方向は上記
透明電極14から上記下部電極11へ向う方向であり、
上記透明電極14がアノード、下部電極11がカソード
となる。これらダイオード13a’、13b”、・・・
のアノードは、隣りのダイオード13b’、13CI、
・・・のカソードとつながっており、全体として直列接
続されている。ただし両端のダイオード13a゛のカソ
ードと13n″のアノードは、それぞれ走査用のスイッ
チ22aと22nを通して電源27のプラス極と出力端
子26につながっている。ダイオード間のn−1個の節
点は走査用の2接点スイッチ22b、22c、−,22
n−1につながれており、これらの走査用スイ・ンチ2
2b、・・・、22n−1の接点の一方は電源27のプ
ラス極へ、他方は出力端子26へつながっている。FIG. 2 is an example of a circuit diagram of a photosensor using the photoelectric conversion element array 2 of the above embodiment. 13'' is a photodiode, and 13'' is the amount of alcohol generated in parallel when a reverse bias is applied to this photodiode 13''.The forward direction of this photodiode 13° is from the transparent electrode 14. The direction is toward the lower electrode 11,
The transparent electrode 14 serves as an anode, and the lower electrode 11 serves as a cathode. These diodes 13a', 13b'',...
The anodes of the adjacent diodes 13b', 13CI,
It is connected to the cathode of ..., and the whole is connected in series. However, the cathode of the diode 13a'' and the anode of the diode 13n'' at both ends are connected to the positive pole of the power supply 27 and the output terminal 26 through scanning switches 22a and 22n, respectively.The n-1 nodes between the diodes are for scanning. 2-contact switches 22b, 22c, -, 22
n-1, and these scanning switches 2
One of the contacts of 2b, .
またスイッチ22はハイインピーダンス状態を有してい
るものを使用している。Further, the switch 22 has a high impedance state.
次に動作について説明する。説明をわかり易くするため
に電源27のプラス極につながれる配線30を電源配線
、出力端子26とスイッチ22b。Next, the operation will be explained. To make the explanation easier to understand, the wiring 30 connected to the positive terminal of the power supply 27 is the power supply wiring, the output terminal 26 and the switch 22b.
・・・、22a間の配線31を信号配線とよぶことにす
る。. . , 22a will be referred to as a signal wiring.
最初スイッチ22すべてをハイインピーダンスにし、ス
イッチ22aを電源配線30.スイッチ22bを信号配
線31につなぎフォトダイオード13a′に逆バイアス
を印加し負荷抵抗23を通して等酒客量13a”を電源
電圧まで充電する。Initially, all switches 22 are set to high impedance, and switch 22a is connected to power supply wiring 30. The switch 22b is connected to the signal line 31, a reverse bias is applied to the photodiode 13a', and the equal amount of alcoholic drinker 13a'' is charged to the power supply voltage through the load resistor 23.
次にスイッチ22aをハイインピーダンスとした直後ス
イッチ22b、22cをそれぞれ電源配線30、信号配
線31へつないで等酒客量13b”を充電する。以下同
様にして等酒客量13C”。Next, immediately after setting the switch 22a to high impedance, the switches 22b and 22c are connected to the power supply wiring 30 and the signal wiring 31, respectively, to charge the equal amount of alcohol 13b''.Then, in the same manner, the equal amount of alcohol 13C'' is charged.
・・・113n”まで順次充電していく。...Charge sequentially up to 113n''.
ここで第5図において、光源4から出た光はレンズアレ
イ3の下部にある原fg 5のライン上で原稿5の白黒
により強弱反射されレンズアレイ3により光電変換素子
列2まで導かれるが、この光が光電変換素子10の非晶
質半導体13に照射されることによりキャリアが発生す
るが、このキャリアは等酒客量13″に充電された電圧
によりダイオード13゛ に印加されている逆バイアス
のためにダイオードの両端に有効に取り出されこの取り
出された電荷は等酒客量13”に蓄積され、この等酒客
量13”の電荷はその分だけ減少する。Here, in FIG. 5, the light emitted from the light source 4 is strongly and weakly reflected by the black and white of the original 5 on the line of the original fg 5 at the bottom of the lens array 3, and is guided by the lens array 3 to the photoelectric conversion element row 2. When the amorphous semiconductor 13 of the photoelectric conversion element 10 is irradiated with this light, carriers are generated, and these carriers are reverse biased by the voltage charged to the diode 13''. Therefore, the electric charge that is effectively taken out to both ends of the diode is accumulated in the equal amount 13'', and the electric charge of this equal amount 13'' is reduced by that amount.
このように等酒客量13a”を充電後1等価容量13b
”、・・・、13n”を充電中、光電変換素子10aに
対応する原稿の部分で反射された光により等酒客量13
a”には光信号電荷が蓄積されている。よって再びスイ
ッチ22aを電源配線30、スイッチ22bを信号配線
31につなぐことにより、等酒客量13a”に蓄積され
た電荷量だけ充電されるまで負荷抵抗23に電流が流れ
、この電圧降下のため出力端子26には電気信号が得ら
れる。以下同様に最初等価容量13を充電したように順
次スイッチ22を切り換えることより、原稿5の一ライ
ン分の濃淡情報を出力端子26より電気信号として取り
出すことができる。In this way, after charging the equivalent amount of alcoholic beverages 13a'', the equivalent capacity is 13b.
While charging ",..., 13n", the amount of alcoholic beverages 13
A" has accumulated optical signal charge. Therefore, by connecting the switch 22a to the power supply wiring 30 and the switch 22b to the signal wiring 31 again, the light signal charge is charged until the amount of charge accumulated in the alcohol volume 13a" is charged. A current flows through the load resistor 23, and an electrical signal is obtained at the output terminal 26 due to this voltage drop. Thereafter, by sequentially switching the switches 22 in the same manner as in the case where the equivalent capacitance 13 was initially charged, the grayscale information for one line of the original 5 can be taken out as an electrical signal from the output terminal 26.
なお、上記実施例では電圧読取りによる簡単な回路につ
いて説明したが、電流読取りによってもよいし、又出力
端子26と接地間にリセット用スイッチを設けるなど読
取り部は他の方法によってもよい。In the above embodiment, a simple circuit using voltage reading has been described, but current reading may be used, or other methods may be used for the reading section, such as providing a reset switch between the output terminal 26 and ground.
また下部電極11を光電変換素子列2の両側に交互にふ
り分けるように形成したが、光電変換素子の1ミリ当り
の数が少なくまたパターン形状グが容易な場合は第3図
のように光電変換素子列2の一方の側にもってきてもよ
い。また第1図では非晶質半導体13を帯状にして形成
の容易な形状としたので透明電極14と隣りの光電変換
素子の下部電極とを接続するため透明電極14に引き出
し部14°が付いているが、第4図のように非晶質半導
体13を光電変換素子毎に個別に分けることにより引き
出し部14”をな(し、下部電極11及び透明電極14
のパターン形状を簡単にすることもできる。また非晶質
半導体はPIN型であってもよく、さらに絶縁膜により
パソシヘーションされていてもよい。In addition, the lower electrodes 11 were formed so as to be distributed alternately on both sides of the photoelectric conversion element array 2, but if the number of photoelectric conversion elements per millimeter is small and the pattern shape is easy to form, the photoelectric conversion elements 11 may be formed as shown in FIG. It may be brought to one side of the conversion element array 2. In addition, in FIG. 1, since the amorphous semiconductor 13 is formed into a band shape that is easy to form, the transparent electrode 14 has a lead-out portion of 14° to connect the transparent electrode 14 and the lower electrode of the adjacent photoelectric conversion element. However, by dividing the amorphous semiconductor 13 into individual photoelectric conversion elements as shown in FIG.
It is also possible to simplify the pattern shape. Further, the amorphous semiconductor may be of a PIN type, and may be further passivated by an insulating film.
以上のように、この発明に係るフォトセンサによれば、
隣接する光電変換素子と極性の異なる電極同志を接続し
て複数の素子を直列接続しその接続点から引出し電極を
引き出すようにしたので、共通配線が不要となり、光電
変換素子を形成するために必要な成膜回数を減らすこと
ができ、かつ歩留りの高いものが得られる効果がある。As described above, according to the photosensor according to the present invention,
Adjacent photoelectric conversion elements and electrodes with different polarities are connected to connect multiple elements in series, and the extraction electrode is drawn out from the connection point, eliminating the need for common wiring, which is necessary to form a photoelectric conversion element. This has the effect of reducing the number of times of film formation and obtaining a high yield.
第1図はこの発明の一実施例によるフォトセンサの光電
変換素子列を示す正面図、第2図は第1図の等価回路図
、第3図、第4図はこの発明の他の実施例の光電変換素
子列を示す正面図、第5図は従来のラインセンサを示す
斜視図、第6図はこの第5図の構成を示す正面図、第7
図はこの第5図の等価回路図である。
1・・・基台、2・・・光電変換素子列、3・・・レン
ズアレイ、4・・・光源、5・・・原稿、6・・・副走
査方向、7・・・主走査方向、10・・・光電変換素子
、11・・・下部引出し電極、12・・・駆動用LSI
(走査制御回路)、13・・・非晶質半導体、13°・
・・フォトダイオード、13”・・・等酒客量、14・
−・透明電極、14°・・・引き出し部、22・・・ス
イッチ、23・・・負荷抵抗、26・・・出力端子、2
7・・・電源。
なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。FIG. 1 is a front view showing a photoelectric conversion element array of a photosensor according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of FIG. 1, and FIGS. 3 and 4 are other embodiments of the present invention. 5 is a perspective view showing a conventional line sensor, FIG. 6 is a front view showing the configuration of FIG. 5, and FIG.
The figure is an equivalent circuit diagram of FIG. 5. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Base, 2... Photoelectric conversion element row, 3... Lens array, 4... Light source, 5... Document, 6... Sub-scanning direction, 7... Main scanning direction , 10... Photoelectric conversion element, 11... Lower extraction electrode, 12... Drive LSI
(scan control circuit), 13... amorphous semiconductor, 13°
...Photodiode, 13"...etc. Alcohol consumption, 14"
- Transparent electrode, 14°... Leading out part, 22... Switch, 23... Load resistance, 26... Output terminal, 2
7...Power supply. Note that the same reference numerals in the figures indicate the same or equivalent parts.
Claims (4)
素子と、この光電変換素子を走査して走査出力信号を得
る走査制御、読出し回路とを備えたフォトセンサにおい
て、上記阻止型の各光電変換素子は隣接する光電変換素
子と極性の相異なる電極同志が接続されて全体として1
つの光電変換素子列が形成され、上記極性の相異なる電
極同志の接続点及び該光電変換素子列の両端の端子から
上記走査制御、読出し回路に接続すべき引き出し電極が
引き出されていることを特徴とするフォトセンサ。(1) A photosensor comprising a plurality of blocking type photoelectric conversion elements arranged in the main scanning direction, and a scanning control and readout circuit that scans the photoelectric conversion elements to obtain a scanning output signal. Each photoelectric conversion element has electrodes with different polarities from adjacent photoelectric conversion elements connected to form a single unit as a whole.
Two photoelectric conversion element rows are formed, and extraction electrodes to be connected to the scanning control and readout circuit are drawn out from connection points between the electrodes having different polarities and terminals at both ends of the photoelectric conversion element row. Photo sensor.
PIN型又はショットキー型のフォトダイオードである
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のフォトセ
ンサ。(2) The photosensor according to claim 1, wherein the photoelectric conversion element is a PIN type or Schottky type photodiode made of an amorphous semiconductor.
及びホールのブロッキング層を有するものであることを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載のフォトセンサ。(3) The photosensor according to claim 1, wherein the photoelectric conversion element has an electron and hole blocking layer at both ends of an amorphous semiconductor.
分とするPN型又はショットキー型のダイオードである
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のフォトセ
ンサ。(4) The photosensor according to claim 1, wherein the photoelectric conversion element is a PN type or Schottky type diode whose main component is CdS or CdSe.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59205033A JPS6184056A (en) | 1984-09-29 | 1984-09-29 | Photosensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59205033A JPS6184056A (en) | 1984-09-29 | 1984-09-29 | Photosensor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6184056A true JPS6184056A (en) | 1986-04-28 |
Family
ID=16500326
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59205033A Pending JPS6184056A (en) | 1984-09-29 | 1984-09-29 | Photosensor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6184056A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018181988A (en) * | 2017-04-10 | 2018-11-15 | ブリルニクスジャパン株式会社 | Solid-state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus |
-
1984
- 1984-09-29 JP JP59205033A patent/JPS6184056A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018181988A (en) * | 2017-04-10 | 2018-11-15 | ブリルニクスジャパン株式会社 | Solid-state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4826777A (en) | Making a photoresponsive array | |
| US4438455A (en) | Solid-state color imager with three layer four story structure | |
| US4354104A (en) | Solid-state image pickup device | |
| US4307372A (en) | Photosensor | |
| JPS59107679A (en) | Read-out device using matrix of photodetector element | |
| JPH10500536A (en) | Electronic equipment | |
| JPH0566746B2 (en) | ||
| US4785191A (en) | Interconnected array of photosensors for simultaneously sensing light intensities at each of a number of locations | |
| JPH0740711B2 (en) | Optical sensor driving method and image input device | |
| US4495409A (en) | Photosensor with diode array | |
| JPS60210080A (en) | solid state imaging sensor | |
| JPS6386973A (en) | Light sensitive pickcell with exposure blocking device | |
| US4634883A (en) | Image sensor comprising a plurality of photosensors and switches | |
| US4963955A (en) | Photoelectric conversion apparatus | |
| JPS6237812B2 (en) | ||
| JP2514924B2 (en) | Image sensor | |
| JPS6184055A (en) | Photosensor | |
| JPH0522516A (en) | Image sensor | |
| JPH0738437B2 (en) | Image sensor | |
| JPS61253860A (en) | Solid-state image pickup device | |
| JPS6052596B2 (en) | image sensor | |
| JP2660046B2 (en) | Image sensor | |
| JP3168599B2 (en) | Image sensor | |
| US5335092A (en) | Contact type image sensor | |
| KR100392860B1 (en) | Electronic Devices and How to Operate Electronic Devices |