JPS6184062A - 背面から照らされる検出器アセンブリを製造する方法 - Google Patents
背面から照らされる検出器アセンブリを製造する方法Info
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- JPS6184062A JPS6184062A JP60179546A JP17954685A JPS6184062A JP S6184062 A JPS6184062 A JP S6184062A JP 60179546 A JP60179546 A JP 60179546A JP 17954685 A JP17954685 A JP 17954685A JP S6184062 A JPS6184062 A JP S6184062A
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- Japan
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- substrate
- manufacture
- transparent
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/15—Charge-coupled device [CCD] image sensors
- H10F39/157—CCD or CID infrared image sensors
- H10F39/1575—CCD or CID infrared image sensors of the hybrid type
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- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
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- H10F71/125—The active layers comprising only Group II-VI materials, e.g. CdS, ZnS or CdTe
- H10F71/1253—The active layers comprising only Group II-VI materials, e.g. CdS, ZnS or CdTe comprising at least three elements, e.g. HgCdTe
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
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- H10W72/07331—Connecting techniques
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/353—Materials of die-attach connectors not comprising solid metals or solid metalloids, e.g. ceramics
- H10W72/354—Materials of die-attach connectors not comprising solid metals or solid metalloids, e.g. ceramics comprising polymers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔利用分野〕
本発明は、背面から照らされるフォーカルプレーン検出
器に関するものである。
器に関するものである。
赤外線検出器は、背面から照らされる検出器アレイアセ
ンブリをしばしば利用している。それらのアセンブリは
、テルル化水銀カドミウム(HgCdT@)のような検
出器半導体材料が、脱気された透明なエポキシ接着剤そ
の他の永久的な接着剤を用いて透明な基板に永久的にと
りつけられて製造される。半導体材料の取υ付は後、そ
の半導体材料を希望の厚さまでラッピングおよび研磨し
、それからイオンビームミリング、フォトレジストその
他の周知の方法を用いて個々の検出器アレイの輪郭を描
くことによシ検出器アレイが作られる。
ンブリをしばしば利用している。それらのアセンブリは
、テルル化水銀カドミウム(HgCdT@)のような検
出器半導体材料が、脱気された透明なエポキシ接着剤そ
の他の永久的な接着剤を用いて透明な基板に永久的にと
りつけられて製造される。半導体材料の取υ付は後、そ
の半導体材料を希望の厚さまでラッピングおよび研磨し
、それからイオンビームミリング、フォトレジストその
他の周知の方法を用いて個々の検出器アレイの輪郭を描
くことによシ検出器アレイが作られる。
したがって、完成されたアセンブリは、透明な工ボキン
によシ透明な基板に取シ付けられた非常に薄い検出器ア
センブリよシ成シ、検出器は窓基板とエポキシを通じて
背後から照らされる。検出器アセンブリの開放面上に、
電荷結合装置(CCD)その他の読出し装置がと9つけ
られる。
によシ透明な基板に取シ付けられた非常に薄い検出器ア
センブリよシ成シ、検出器は窓基板とエポキシを通じて
背後から照らされる。検出器アセンブリの開放面上に、
電荷結合装置(CCD)その他の読出し装置がと9つけ
られる。
この方法にはいくつかの欠点がある。第1に、永久的な
基板と接着剤との使用により、検出可能な放射が大きく
吸収されるから、装置の性能が低下することである。第
2に、基板の熱質量が動作に耐えられないほど大きくな
ることがあること、とくにパイロ電気検出器アセンブリ
を製造したい場合に熱質量が大きいことである。
基板と接着剤との使用により、検出可能な放射が大きく
吸収されるから、装置の性能が低下することである。第
2に、基板の熱質量が動作に耐えられないほど大きくな
ることがあること、とくにパイロ電気検出器アセンブリ
を製造したい場合に熱質量が大きいことである。
したがって、本発明の目的は、熱質量が小さく、性能が
高い、背面から照らされる検出器アセンブリを2!!造
する方法を得ることである。
高い、背面から照らされる検出器アセンブリを2!!造
する方法を得ることである。
この目的およびその他の目的は、脱気された溶解可能な
一時的接着剤(理想的には検出器の製造に使用される浴
剤に耐える接着剤)を用いて検出器材料を基板に取シ付
けることによシ達成される0それから検出器材料を処理
して、検出器を通常のやり方で製造する。 CCD装置
すなわち読出し装置上における検出器アセンブリの整列
を容易にするために、透明な基板を使用できる。読出し
装置をと9つけた後で、適切な溶剤を用いて、または加
熱により基板を除去する。その結果として、窓基板と透
明なエポキシの組合わせ使用によシ生じた従来の透過損
失を生じない、熱質量の小さい検出器が得られる。
一時的接着剤(理想的には検出器の製造に使用される浴
剤に耐える接着剤)を用いて検出器材料を基板に取シ付
けることによシ達成される0それから検出器材料を処理
して、検出器を通常のやり方で製造する。 CCD装置
すなわち読出し装置上における検出器アセンブリの整列
を容易にするために、透明な基板を使用できる。読出し
装置をと9つけた後で、適切な溶剤を用いて、または加
熱により基板を除去する。その結果として、窓基板と透
明なエポキシの組合わせ使用によシ生じた従来の透過損
失を生じない、熱質量の小さい検出器が得られる。
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
まず第1E図を参照する。本発明の方法は、背面から照
らされる検出器アセンブリにおいて一般的に用いられる
透明な基板と、放射を吸収する永久的な接着剤を使用し
ないために、熱質量が小さく、性能が高い背面から照ら
される検出器アセンブリを製造するものである。第1A
図に示すように、背面から照らされる検出器アセンブリ
を従来の製造方法と同じ方法で製造するために透明な基
板10を用意する。透明で除去可能な接着剤12を基板
10の表面28に付着させて、付着すべき検出器ウェハ
ー14とほぼ同じ寸法の薄膜を形成する。
らされる検出器アセンブリにおいて一般的に用いられる
透明な基板と、放射を吸収する永久的な接着剤を使用し
ないために、熱質量が小さく、性能が高い背面から照ら
される検出器アセンブリを製造するものである。第1A
図に示すように、背面から照らされる検出器アセンブリ
を従来の製造方法と同じ方法で製造するために透明な基
板10を用意する。透明で除去可能な接着剤12を基板
10の表面28に付着させて、付着すべき検出器ウェハ
ー14とほぼ同じ寸法の薄膜を形成する。
基板10は、ガラス、アルミナ、またはサファイヤのよ
うな透明で不活性な任意の材料で作ることができる。接
着剤は除去可能なものであればどのような接着剤をも使
用できるが、理想的には、検出器を描く工程と製造工程
に使用される溶剤には溶解しない接着剤がよい。たとえ
ば、トリクロロエチレンには溶解しないが、アセト/、
メチル、またはイソプロピルアルコールには溶解するグ
リコール・フタレート(ワックス)を使用できる。
うな透明で不活性な任意の材料で作ることができる。接
着剤は除去可能なものであればどのような接着剤をも使
用できるが、理想的には、検出器を描く工程と製造工程
に使用される溶剤には溶解しない接着剤がよい。たとえ
ば、トリクロロエチレンには溶解しないが、アセト/、
メチル、またはイソプロピルアルコールには溶解するグ
リコール・フタレート(ワックス)を使用できる。
グリコール・フタレートの場合には、製造に使用する化
学物質へのワックスの溶解を阻止するために、検出器材
料の縁部を封じる。
学物質へのワックスの溶解を阻止するために、検出器材
料の縁部を封じる。
グリコール・フタレートの場合には、約70℃の温度で
接着剤を基板10の表面に拡げ、130℃で脱気して、
捕えられている気体を除去する。周知の清浄技術、研磨
技術、およびフォトリトグラフ技術を用いて、検出器ウ
ェハー14を清浄にし、表面22上に整列「路」を描く
。第1B図に示すように、清浄にされた検出器ウェハー
14を、接着剤12を用いて基板10に付着する。グリ
コール・フタレートを用いる場合には、その接着は、検
出器ウェハー14を表面22を上にして高温のプレート
(図示せず)の上に位置させられているオプチカルフラ
ットの上に置き、それから接着剤12を下にして基板1
0を表面22の上に置き、次に重しをつけられた第2の
オプチカルフラット(図示せず)を高温のプレート上の
基板1aの上面の上に置くことにより行われる。接着剤
12を部分的に液化して検出器ウェハー14と基板1゜
とに接着させるために、そのアセンブリ全体をたとえば
65℃の中間温度で15分間加熱できる。
接着剤を基板10の表面に拡げ、130℃で脱気して、
捕えられている気体を除去する。周知の清浄技術、研磨
技術、およびフォトリトグラフ技術を用いて、検出器ウ
ェハー14を清浄にし、表面22上に整列「路」を描く
。第1B図に示すように、清浄にされた検出器ウェハー
14を、接着剤12を用いて基板10に付着する。グリ
コール・フタレートを用いる場合には、その接着は、検
出器ウェハー14を表面22を上にして高温のプレート
(図示せず)の上に位置させられているオプチカルフラ
ットの上に置き、それから接着剤12を下にして基板1
0を表面22の上に置き、次に重しをつけられた第2の
オプチカルフラット(図示せず)を高温のプレート上の
基板1aの上面の上に置くことにより行われる。接着剤
12を部分的に液化して検出器ウェハー14と基板1゜
とに接着させるために、そのアセンブリ全体をたとえば
65℃の中間温度で15分間加熱できる。
オプチカルフラットとおもしを付加することは重要なこ
とではなく、全ての層を平行にすること、および層同士
を良く接着させるためである。使用する接着剤および接
着剤の層12の希望の厚さに応じて、接着温度と接着時
間を変えることができることがわかるであろう。
とではなく、全ての層を平行にすること、および層同士
を良く接着させるためである。使用する接着剤および接
着剤の層12の希望の厚さに応じて、接着温度と接着時
間を変えることができることがわかるであろう。
第1C図に示すように、次に、ウェハー14から周知の
技術によ)検出器を作る。それらの周知の技術には、た
とえばアセンブリ全体を最終の厚さまで研磨すること(
表面26で示されるように9、個々の検出器°素子16
を形成すること、中間検出器アセンブリを切断すること
が含まれる。これは背面から照らされる検出器の従来の
製造方法と同じである。
技術によ)検出器を作る。それらの周知の技術には、た
とえばアセンブリ全体を最終の厚さまで研磨すること(
表面26で示されるように9、個々の検出器°素子16
を形成すること、中間検出器アセンブリを切断すること
が含まれる。これは背面から照らされる検出器の従来の
製造方法と同じである。
基板10に検出器素子16が設けられると、完成された
検出器アセンブリ30を、第1D図に示すように、周知
のバンプコンタクト18を用いて、CCD20 tたは
その油の読出し装置に取り付けることができる。それか
ら、適切な溶剤たとえばアセトンを用いて、基板10と
接着剤層12を除去し、第1E図に示すような低熱質に
1高性能の検出器アセンブリを残アことができる。
検出器アセンブリ30を、第1D図に示すように、周知
のバンプコンタクト18を用いて、CCD20 tたは
その油の読出し装置に取り付けることができる。それか
ら、適切な溶剤たとえばアセトンを用いて、基板10と
接着剤層12を除去し、第1E図に示すような低熱質に
1高性能の検出器アセンブリを残アことができる。
第1A図、第1B図、第1C図、第1D図、および第1
E図は、本発明の製造方法の引き続く工程を示す+;A
断面図である〇 10・・・・透明基板、12−・・・接着剤層、14・
・・・検出器ウニノー−116・Φ・・検出器素子、2
0・拳・・ CCD読出し素子、30・響・量検出器ア
センブリ。
E図は、本発明の製造方法の引き続く工程を示す+;A
断面図である〇 10・・・・透明基板、12−・・・接着剤層、14・
・・・検出器ウニノー−116・Φ・・検出器素子、2
0・拳・・ CCD読出し素子、30・響・量検出器ア
センブリ。
Claims (1)
- (1)A.ほぼ平行な第1の表面と第2の表面を有し、
ほぼ平らで透明な基板を用意する工程と、 B.前記透明な基板の前記第1の表面にほぼ透明で除去
可能な接着剤層を付着する工程と、 C.第1の表面を有する検出器基板を前記 透明な基板との間で接着を行わせるようにして、前記検
出器基板を前記接着剤層に物理的に接触させることによ
り前記検出器基板を前記透明な基板に固着する工程と、 D.前記検出器基板から検出素子を製作す る工程と、 E.前記検出素子を検出器読出し装置に取 り付ける工程と、 F.前記透明な基板と前記接着剤層を除去 することにより、前記検出素子を前記検出器の読出し装
置上に位置させたままにする工程と を備えることを特徴とする背面から照らされる検出器ア
センブリを製造する方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US64161584A | 1984-08-17 | 1984-08-17 | |
| US641615 | 1984-08-17 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6184062A true JPS6184062A (ja) | 1986-04-28 |
Family
ID=24573122
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60179546A Pending JPS6184062A (ja) | 1984-08-17 | 1985-08-16 | 背面から照らされる検出器アセンブリを製造する方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0171801A3 (ja) |
| JP (1) | JPS6184062A (ja) |
| IL (1) | IL76014A0 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5032543A (en) * | 1988-06-17 | 1991-07-16 | Massachusetts Institute Of Technology | Coplanar packaging techniques for multichip circuits |
| US5349234A (en) * | 1992-05-29 | 1994-09-20 | Eastman Kodak Company | Package and method for assembly of infra-red imaging devices |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2359511A1 (fr) * | 1976-07-20 | 1978-02-17 | Philips Nv | Procede pour la fabrication de plusieurs elements de detection de rayonnement infrarouge |
| FR2536908B1 (fr) * | 1982-11-30 | 1986-03-14 | Telecommunications Sa | Procede de fabrication d'un detecteur infrarouge matriciel a eclairage par la face avant |
-
1985
- 1985-08-06 IL IL76014A patent/IL76014A0/xx unknown
- 1985-08-14 EP EP85110199A patent/EP0171801A3/en not_active Withdrawn
- 1985-08-16 JP JP60179546A patent/JPS6184062A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0171801A2 (en) | 1986-02-19 |
| EP0171801A3 (en) | 1987-07-29 |
| IL76014A0 (en) | 1985-12-31 |
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