JPS6184095A - 複合セラミツク多層配線板 - Google Patents
複合セラミツク多層配線板Info
- Publication number
- JPS6184095A JPS6184095A JP20600384A JP20600384A JPS6184095A JP S6184095 A JPS6184095 A JP S6184095A JP 20600384 A JP20600384 A JP 20600384A JP 20600384 A JP20600384 A JP 20600384A JP S6184095 A JPS6184095 A JP S6184095A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductor layer
- layer
- wiring board
- multilayer wiring
- composite ceramic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は混成集積回路などの電子回路部品に用いられる
複合セラミック多層配線板に関する。
複合セラミック多層配線板に関する。
（従来技術とその問題点）
従来の複合セラミック多層配線板は第３図に示す如くセ
ラミック焼結体ｌ中にＭｏ、Ｗ等の高融点金属を主成分
とする第１導体層２を形成し、その第１導体層２の一部
をスルーホール３を介して表面に引出し、スルーホール
３上に露出した第１導体層２の露出表面にＮｉなどの金
属層４を形成し。
ラミック焼結体ｌ中にＭｏ、Ｗ等の高融点金属を主成分
とする第１導体層２を形成し、その第１導体層２の一部
をスルーホール３を介して表面に引出し、スルーホール
３上に露出した第１導体層２の露出表面にＮｉなどの金
属層４を形成し。
さらにその上面及びセラミック焼結体１の上面の一部に
Ａｇ／Ｐｄ、几ｕＯ２等の第２導体層５．そして必要に
応じ第２導体層のわきにカーボン系の抵抗体層８を形成
するが、第２導体層５及び抵抗体層８は通常大気中で焼
結されるため第１導体層２及び金属層４は酸化しないよ
うにすることが必要である。
Ａｇ／Ｐｄ、几ｕＯ２等の第２導体層５．そして必要に
応じ第２導体層のわきにカーボン系の抵抗体層８を形成
するが、第２導体層５及び抵抗体層８は通常大気中で焼
結されるため第１導体層２及び金属層４は酸化しないよ
うにすることが必要である。
通常第２導体層５には約９００℃の温度で焼成して焼結
する厚膜ペーストが用いられている。しかし複合セラミ
ック多層配線板の場合、９００℃の温度で焼成すると下
地の金属層４及び第１導体層２が酸化する欠点がある。
する厚膜ペーストが用いられている。しかし複合セラミ
ック多層配線板の場合、９００℃の温度で焼成すると下
地の金属層４及び第１導体層２が酸化する欠点がある。
（発明の目的）
本発明は上記欠点のない複合セラミック多層配線板を提
供することを目的とするものである。
供することを目的とするものである。
（問題点を解決するための手段）
本発明者らは上記の欠点について種々検討した結果、第
１導体層の露出表面及びその近傍のセラミックスの表面
に高融点の貴金属層を形成するか若しくは第１導体層の
露出表面及びその近傍のセラミックスの表面にＮｉを施
しその表面に高融点の貴金属層を形成した後、貴金属層
の表面に第２導体層及び／又は抵抗体層を形成したとこ
ろ９００℃の温度で焼成しても下地の貴金属層及び第１
導体層の酸化は見られなかった。
１導体層の露出表面及びその近傍のセラミックスの表面
に高融点の貴金属層を形成するか若しくは第１導体層の
露出表面及びその近傍のセラミックスの表面にＮｉを施
しその表面に高融点の貴金属層を形成した後、貴金属層
の表面に第２導体層及び／又は抵抗体層を形成したとこ
ろ９００℃の温度で焼成しても下地の貴金属層及び第１
導体層の酸化は見られなかった。
本発明はグリーン法で得られる第１導体層と乾式厚膜法
で得られる第２導体層及び／又は抵抗体との組み合わせ
からなる複合セラミック多層配線板において、第１導体
層の露出表面及びその近傍のセラミックスの表面に高融
点の貴金属層を形成に第１導体層の露出表面にＮｉを付
着させその表面に高融点の貴金属層を形成し、さらにそ
の責面に第２導体層及び／又は抵抗体層を形成してなる
複合セラミック配線板に関する。
で得られる第２導体層及び／又は抵抗体との組み合わせ
からなる複合セラミック多層配線板において、第１導体
層の露出表面及びその近傍のセラミックスの表面に高融
点の貴金属層を形成に第１導体層の露出表面にＮｉを付
着させその表面に高融点の貴金属層を形成し、さらにそ
の責面に第２導体層及び／又は抵抗体層を形成してなる
複合セラミック配線板に関する。
本発明において第１導体層を形成する材料としてはＭｏ
、Ｗ等の高融点金属が用いられ、第２導体層を形成する
材料としてはＡｇ／Ｐｄ、Ｒｕ等の貴金属が用いられ、
抵抗体層を形成する材料としてはカーボン系の物質、
Ｒｕ０ｚ等が用いられ、高融点の貴金属層を形成する材
料としてはＰｔ、Ｐｄ、Ｒｈ等の貴金属が用いられる。
、Ｗ等の高融点金属が用いられ、第２導体層を形成する
材料としてはＡｇ／Ｐｄ、Ｒｕ等の貴金属が用いられ、
抵抗体層を形成する材料としてはカーボン系の物質、
Ｒｕ０ｚ等が用いられ、高融点の貴金属層を形成する材
料としてはＰｔ、Ｐｄ、Ｒｈ等の貴金属が用いられる。
なお高融点の貴金属層は第１導体層の露出表面より幅広
く形成する必要があり、第１導体層の幅と同等又は第１
導体層の幅より狭いと第２導体層の焼結時に第１導体層
が酸化し本発明の目的が達成できない。以上の理由によ
り高融点の貴金属層の幅は第１導体層の端部よｊ）０．
０５−以上広く形成することが好ましい。
く形成する必要があり、第１導体層の幅と同等又は第１
導体層の幅より狭いと第２導体層の焼結時に第１導体層
が酸化し本発明の目的が達成できない。以上の理由によ
り高融点の貴金属層の幅は第１導体層の端部よｊ）０．
０５−以上広く形成することが好ましい。
（実施例）
以下実施例により本発明を説明する。
実施例１
厚さ０．８０のアルミナセラミックグリーンシート（ア
ルミナ純度８８重量％）（以下グリーンフートという）
を２枚５０Ｘ５０ｍｍの寸法に切断し。
ルミナ純度８８重量％）（以下グリーンフートという）
を２枚５０Ｘ５０ｍｍの寸法に切断し。
このうちの１枚に５鵬のピッチ幅で直径０．２ｍｍの穴
（スルーホール）を形成し１次いでスルーホール内にＷ
ペースト（旭化学製、商品名３ＴＷ−１２００）を充填
すると共に片側の表面に前述とし゛ 同Ｗペーストを印刷し、そして乾燥後他の１枚のグリー
ンシート上に表面にＷペーストラ印刷した面を下にして
重ねそれを１００℃、６ｋｇ／ｃｍ”の条件で加熱加圧
し、その後弱還元性雰囲気中で１６００℃の温度で１時
間保持してグリーンノートを焼結すると共にＷペースト
を焼結して第１導体層を形成した。
（スルーホール）を形成し１次いでスルーホール内にＷ
ペースト（旭化学製、商品名３ＴＷ−１２００）を充填
すると共に片側の表面に前述とし゛ 同Ｗペーストを印刷し、そして乾燥後他の１枚のグリー
ンシート上に表面にＷペーストラ印刷した面を下にして
重ねそれを１００℃、６ｋｇ／ｃｍ”の条件で加熱加圧
し、その後弱還元性雰囲気中で１６００℃の温度で１時
間保持してグリーンノートを焼結すると共にＷペースト
を焼結して第１導体層を形成した。
次に上記で得たセラミック焼結体の第１導体層の露出表
面の端部から０．１ ｍｍのクリアランスをとり、めっ
きレジスト（太陽インキ製、商品名Ｍ−−８０８）を印
刷し、１３０°Ｃの温度で１０分間乾燥した後、感受性
化液（日本カニゼン社製、商品名ピンクシューマ）及び
Ｐｄを含む活性化液（日本カニゼン社製、商品名レッド
シューマ）にて感受性化及び活性化して表面に露出して
いる第１導体層及びセラミック焼結体の一部にごく微量
のＰｄを付着させ、さらにＰｔめつき（日本エンゲル社
製、商品名＋Ｐｔ−２６０メッキ液使用）を施して厚さ
４μｍのＰｔを付着させ、水洗、乾燥した。
面の端部から０．１ ｍｍのクリアランスをとり、めっ
きレジスト（太陽インキ製、商品名Ｍ−−８０８）を印
刷し、１３０°Ｃの温度で１０分間乾燥した後、感受性
化液（日本カニゼン社製、商品名ピンクシューマ）及び
Ｐｄを含む活性化液（日本カニゼン社製、商品名レッド
シューマ）にて感受性化及び活性化して表面に露出して
いる第１導体層及びセラミック焼結体の一部にごく微量
のＰｄを付着させ、さらにＰｔめつき（日本エンゲル社
製、商品名＋Ｐｔ−２６０メッキ液使用）を施して厚さ
４μｍのＰｔを付着させ、水洗、乾燥した。
この後めっきレジストを５％ＮａＯＨ水溶液によりシャ
ワー洗浄して剥離した後、水洗、乾燥し１次いでＰｔが
付着した部分にＡｇ／Ｐｄ厚膜ペースト（日中マツセイ
社製、商品名４８４６）を印刷して被覆し、そしてその
わきにＲｕ５ｔ系抵抗ペースト（デュポン社製、商品名
＄４５００シリーズ）を印刷し、その後大気中で８５０
℃の温度で１０分間焼付けて第１図に示す如く第２導体
層５．高融点の貴金属層６及び抵抗体層８を形成した複
合セラミック多層配線板を得た。なお第１図において１
はセラミック焼結体、２は第１導体層及び３はスルーホ
ールである。
ワー洗浄して剥離した後、水洗、乾燥し１次いでＰｔが
付着した部分にＡｇ／Ｐｄ厚膜ペースト（日中マツセイ
社製、商品名４８４６）を印刷して被覆し、そしてその
わきにＲｕ５ｔ系抵抗ペースト（デュポン社製、商品名
＄４５００シリーズ）を印刷し、その後大気中で８５０
℃の温度で１０分間焼付けて第１図に示す如く第２導体
層５．高融点の貴金属層６及び抵抗体層８を形成した複
合セラミック多層配線板を得た。なお第１図において１
はセラミック焼結体、２は第１導体層及び３はスルーホ
ールである。
実施例２
実施例１で得たセラミック焼結体の第１導体層の露出表
面の端部から０．２ ｍｍのクリアランスをとり、めっ
きレジスト（旭化学研究所製、商品名ＭＲ，−５０ＯＢ
）を印刷し、１３０℃の温度で１０分間乾燥した後実
施例１で用いた感受性化液及びＰｄを含む活性化液にて
感受性化及び活性化して表面に露出している第１導体層
及びセラミック焼結体の一部にごく微量のＰｄを付着さ
せ、さらにａｈめつ！（奥野製薬製、商品名Ｒ，ｈ−１
、ＯＰ Ｃ−無電解ロジウム液使用）を施して厚さ３μ
ｍのＲｈを付着させ、水洗、乾燥した。この後めっきレ
ジストをトリクレンによる超音波洗浄で剥離した。
面の端部から０．２ ｍｍのクリアランスをとり、めっ
きレジスト（旭化学研究所製、商品名ＭＲ，−５０ＯＢ
）を印刷し、１３０℃の温度で１０分間乾燥した後実
施例１で用いた感受性化液及びＰｄを含む活性化液にて
感受性化及び活性化して表面に露出している第１導体層
及びセラミック焼結体の一部にごく微量のＰｄを付着さ
せ、さらにａｈめつ！（奥野製薬製、商品名Ｒ，ｈ−１
、ＯＰ Ｃ−無電解ロジウム液使用）を施して厚さ３μ
ｍのＲｈを付着させ、水洗、乾燥した。この後めっきレ
ジストをトリクレンによる超音波洗浄で剥離した。
以下実施例１と同様の工程を経て複合セラミック多層配
線板を得た。
線板を得た。
実施例３
第２図に示す如く、第１導体層２の露出表面及び露出表
面の端部からセラミック焼結体１の０．１０までＮ１め
つき（日本カニゼン社製、商品名８．Ｂ−５５、Ｎ１−
Ｂメッキ液使用）を施して厚さ４ａｍのＮｉ７を付着さ
せ、さらにＮｉ７を付着させた表面に実施例１と同様の
方法でＰｔを０．５μｍの厚さて付着させて高融点の貴
金属層６を形成した以外は実施例１と同様の方法及び工
程を経て複合セラミック多層配線板を得た。なお第２図
において３はスルーホール、５は第２導体層及び８は抵
抗体層である。
面の端部からセラミック焼結体１の０．１０までＮ１め
つき（日本カニゼン社製、商品名８．Ｂ−５５、Ｎ１−
Ｂメッキ液使用）を施して厚さ４ａｍのＮｉ７を付着さ
せ、さらにＮｉ７を付着させた表面に実施例１と同様の
方法でＰｔを０．５μｍの厚さて付着させて高融点の貴
金属層６を形成した以外は実施例１と同様の方法及び工
程を経て複合セラミック多層配線板を得た。なお第２図
において３はスルーホール、５は第２導体層及び８は抵
抗体層である。
実施例４
実施例１で得たセラミック焼結体の第１導体層の露出表
面の端部から０．２ｍｍのクリアランスをとり、めっき
レジスト（旭化学研究所裂、商品名ＭＲ−５０ＯＢ）を
印刷し、１３０℃の温度で１０分間乾燥した後実施例１
で用いた感受性化液及びＰｄを含む活性化液にてに感受
性化及び活性化して４衣面に露出している第１導体層及
びセラミック焼結体の一部にごく微量のＰｄを付着させ
、その表面に実施例３で用いｆＣＮ ｉめっきを施して
厚さ４μｍのＮｉを付着させ、さらにＮ１を付着させた
表面に実施例２と同様の方法で厚さ０．２μｍのｐｈを
付着させ、水洗、乾燥した。この後めっきレジストをト
リクレンによる超音波洗浄で剥離し、水洗。
面の端部から０．２ｍｍのクリアランスをとり、めっき
レジスト（旭化学研究所裂、商品名ＭＲ−５０ＯＢ）を
印刷し、１３０℃の温度で１０分間乾燥した後実施例１
で用いた感受性化液及びＰｄを含む活性化液にてに感受
性化及び活性化して４衣面に露出している第１導体層及
びセラミック焼結体の一部にごく微量のＰｄを付着させ
、その表面に実施例３で用いｆＣＮ ｉめっきを施して
厚さ４μｍのＮｉを付着させ、さらにＮ１を付着させた
表面に実施例２と同様の方法で厚さ０．２μｍのｐｈを
付着させ、水洗、乾燥した。この後めっきレジストをト
リクレンによる超音波洗浄で剥離し、水洗。
乾燥後、Ｈ２雰囲気中で９５０°Ｃの温度で１０分間熱
処理を行ない、 Ｐｈが付着した部分に実施例１と同じ
Ａｇ／Ｐｄ ペーストラ印刷して被覆し、そしてそのわ
きに実施例１と同じＲｕ０ｚ系抵抗ペーストを印刷し、
その後大気中で９００°Ｃの温度で１０分間焼付けて複
合セラミック多層配線板を得た。
処理を行ない、 Ｐｈが付着した部分に実施例１と同じ
Ａｇ／Ｐｄ ペーストラ印刷して被覆し、そしてそのわ
きに実施例１と同じＲｕ０ｚ系抵抗ペーストを印刷し、
その後大気中で９００°Ｃの温度で１０分間焼付けて複
合セラミック多層配線板を得た。
次に各実施例で得た複合セラミック多層配線板てついて
第２導体層の下地の貴金属層及び第１導体層を観察した
ところ、酸化は見られなかった。
第２導体層の下地の貴金属層及び第１導体層を観察した
ところ、酸化は見られなかった。
（発明の効果）
本発明によれば第２導体屓及び／又は抵抗体層を形成す
るため９００°Ｃの温度で焼成しても下地の高融点の貴
金属層および第１導体層は酸化せず。
るため９００°Ｃの温度で焼成しても下地の高融点の貴
金属層および第１導体層は酸化せず。
信頼性の高い複合セラミック多層配線板を得ることがで
きる。
きる。
第１図は本発明の一実施例になる複合セラミック多層配
線板の断面側面図、第２図は本発明の他の一実施例にな
る複合セラミック多層配線板の断面側面図および第３図
は従来の複合セラミック多層配線板の断面側面図である
。 符号の説明 １・・・セラミック焼結体 ２・・・第１導体層３・・
・スルーホール ４・・・金属層５・・・第２導体
層 ６・・・貴金属層７・・・Ｎｉ
８・・・抵抗体層手続補正書（自発） 昭ｌ０５９年氏月２４ 日 １、事件の表示 昭和５９年特許願第２０６００３号 ２、発明の名称 複合セラミック多層配線板 ３、補正をする者 事件との関瑳 特許出願人 ８ ｍ （４４５１日豆化成工業株式会社４、代
理 人 （２）同第４頁第９行にｒＲｕＪとちるのをｒＰｔｊと
：、、、 、−い ゛（ν
線板の断面側面図、第２図は本発明の他の一実施例にな
る複合セラミック多層配線板の断面側面図および第３図
は従来の複合セラミック多層配線板の断面側面図である
。 符号の説明 １・・・セラミック焼結体 ２・・・第１導体層３・・
・スルーホール ４・・・金属層５・・・第２導体
層 ６・・・貴金属層７・・・Ｎｉ
８・・・抵抗体層手続補正書（自発） 昭ｌ０５９年氏月２４ 日 １、事件の表示 昭和５９年特許願第２０６００３号 ２、発明の名称 複合セラミック多層配線板 ３、補正をする者 事件との関瑳 特許出願人 ８ ｍ （４４５１日豆化成工業株式会社４、代
理 人 （２）同第４頁第９行にｒＲｕＪとちるのをｒＰｔｊと
：、、、 、−い ゛（ν
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、グリーン法で得られる第１導体層と乾式厚膜法で得
られる第２導体層及び／又は抵抗体層との組み合わせか
らなる複合セラミック多層配線板において、第１導体層
の露出表面及びその近傍のセラミックスの表面に高融点
の貴金属層を形成し、さらにその表面に第２導体層及び
／又は抵抗体層を形成してなる複合セラミック多層配線
板。 ２、グリーン法で得られる第１導体層と乾式厚膜法で得
られる第２導体層及び／又は抵抗体層との組み合わせか
らなる複合セラミック多層配線板において、第１導体層
の露出表面及びその近傍のセラミックスの表面にＮｉを
付着させその表面に高融点の貴金属層を形成し、さらに
その表面に第２導体層及び／又は抵抗体層を形成してな
る複合セラミック多層配線板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20600384A JPS6184095A (ja) | 1984-10-01 | 1984-10-01 | 複合セラミツク多層配線板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20600384A JPS6184095A (ja) | 1984-10-01 | 1984-10-01 | 複合セラミツク多層配線板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6184095A true JPS6184095A (ja) | 1986-04-28 |
Family
ID=16516294
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20600384A Pending JPS6184095A (ja) | 1984-10-01 | 1984-10-01 | 複合セラミツク多層配線板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6184095A (ja) |
-
1984
- 1984-10-01 JP JP20600384A patent/JPS6184095A/ja active Pending
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