JPS6184212A - 高分子物質融液の定量注入装置 - Google Patents

高分子物質融液の定量注入装置

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JPS6184212A
JPS6184212A JP20728784A JP20728784A JPS6184212A JP S6184212 A JPS6184212 A JP S6184212A JP 20728784 A JP20728784 A JP 20728784A JP 20728784 A JP20728784 A JP 20728784A JP S6184212 A JPS6184212 A JP S6184212A
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melt
section
polymeric substance
rod
semiconductor element
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Eiji Ikegami
池上 英治
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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 この発明は、半導体素子の内部全保護するために半導体
素子の内部5こ充填されるエポキシ樹脂などの高分子物
質融液の定l注入装置に関する。
従来の技術とその問題点 一般Iど、半導体素子は、その内部の保護や端子、その
他の保護のためにエポキシ樹脂などの高分子物質融液全
注入充填し、同化させている。
この半導体素子内部に充填される高分子物質融液は通常
できるだけ正確な一定のiffこの半導体素子内部に注
入充填してやらないと、製品rcむらが生じて構造上の
欠陥音生じ、この半導体素子が破損する恐れもある。
ところで、従来の高分子物質融液の定量注入装置は、た
とえば第8図に示すようなものがある。
第8図に於て1は所要内容積7有する高分子物質融液溜
め容器で、この容器1内に高分子物質融液2を充填され
ると共に容器】の底部には高分子物質融液導入管8全接
続し、この導入管8の下端番どは融液定量注入装置本体
4が接続さ  ′れる。この本体礁はその製造上、いく
つかのブロック4λ+4b0.、inに別れているが、
ボルト等(図示しない)によって一体に固定されて構成
される。また5はエヤシリンダで、この実施例では片ロ
ッド型複動シリンダ全示し。
5哀はエヤシリンダ6のシリンダロッド、I5bはその
弁m5bcはストッパ、6dはスペーサである。
6は本体底部に設けた融液注゛入口、6aは注入口融液
流出部全示し、また7は融液の漏洩全防止するために各
接続部等に用いるO IIソングある。sa 、sbは
電磁弁で、該実施例では常時閉型三ポート弁とし、エヤ
シリンダ5には空気圧力源10より電磁弁gi、sbに
接続される速度制御弁ea、ebが設けられる。
次ir、第8図に示す従来例−ご於ける作動1こっ゛い
て説明する。
まず、この種の高分子物質融液は、a常、−g温度全加
えたり温度7加えて保持しながら、二つの異なる液例え
ば主剤と硬化剤など企混合させる装置など音用いて作る
が、一旦混合された高分子物質融液は、周囲温度の変化
や時間の経過とともにその粘度が変化し1通常は粘度が
大きく、ついには硬化する。
従来の高分子物質融液の定量注入装置を第8図に示すが
、その動作全以下に示す。
前記高分子物質融液全常温中において、高分子物質融液
溜め容器1内に入れ、この高分子物質融液溜め容器1内
の高分子物質融液2全高分子物質融液導入管8にて融液
定着注入装置本体4に導き入れる。初めは融液定限注入
装置本体4下部に設けられた注入口6の上部の注入口融
液流出部6@が電磁弁sa、sbによって動作するエア
シリンダ5のシリンダロッド5@の最下部の弁部5bに
よって塞がれており、ここで高分子物質融液2は停止さ
せられる。
次に、エアシリンダ6が電磁弁8λあるいは8bによっ
て動作してそのシリンダロッド6mが上昇されるが、こ
の上昇速度は速度制御弁9aあるいは9bによって調整
される。そうすると高分子物質融液2は注入口融液流出
部6友から流出し、注入口6から図示しないが、注入口
6直下嘉こ位置する半導体素子の内部に注入充填ざ′れ
る。一定量の高分子物質融液2が半導体素子内部に注入
され終ったところで、電磁弁8aまたはsbH動作させ
、再度シリンダロッド5aをF降させて注入口融液流出
部6a全塞げば。
一定着の高分子物質融液2の半導体素子内部の注入充填
が完了する。シリンダローラド6aの降下速度も速度制
御弁9aまたは9blとて調整される。従って半導体素
子の内部に注入充填される高分子物質融液2の蝋は、空
気圧力源10のエアー圧力と、電磁弁Haと8bの開閉
時間の差、速度制御弁9aと9bの調整具合で変化させ
ることICなる。なお6c、sdはシリンダロッド6@
の行程′fta整するためのストッパとスペーサである
しかし、高分子物′a融液2は一般に粘度が大であるが
、従来の高分子物質融液の定量注入装置は高分子物質融
液溜め容器lから高分子物質融液導入管8全経て融液注
入口6からの高分子物質融液2の流出全重力にのみ頼っ
ているので、流出の具合が悪かったり、不安定であった
りし。
また、高分子物質融液2は1時間の経過や周囲温度の変
化により、その粘1ヶが変化するため半導体素子の内部
に充填される最初に設定しておいた高分子物質融液の一
定量が、設定当初は比較的正確な一定着全保つことがで
きたものが、時間の経過や周囲温度の変化ととも1m変
化するという欠点があった5本発明者らの実験によると
、エポキシ樹脂を高分子物質融液として用いた場合、エ
ポキシ樹脂の温度45゛cにおいて、高分子物質融液の
一定着の設定当初とおよそ60分経過後とでは、半導体
素子へのエポキシ樹脂の注入量がおよそ20嘴も減少す
るという結果であった。
問題点の解決手段 本発明はこれに鑑みてなしたもので、2個の弁開閉手段
全並置して設けた本体と、前記本体内部に設けられ、か
つ前記一方の弁開閉手段に設けられ弁によって摺動およ
び閉塞、開放される融液計量部と、@記他方の弁開閉手
段に設けられた弁によって開閉され、かつ前記融液計盪
部より下方に位置するとともに前記融液計量部に通ずる
注入口とを有する高分子物質融液の定量注入装置全提供
する。
実施例 以F本発明′ft第1図及び第2図に示す実施例I(も
とづいて説明する。
図に於てlは所要の内容積及び形状全有する高分子物質
の融液溜容器で、この容器]の底部R7は高分子物質融
液の導入管8全接続するととも+r L記容器内≦こは
高分子物質融液2が充填供給される。また導入管8の下
端1mは融液定量注入装置の本体11が接続されると共
にこの本体11はその構造的ir製作を容易番こするた
めいくつかのブロック11a、ttb、itc、、。
1tnjこ分割して製作され、その後ボルト等にて一体
に固定され、所要の本体形状とする。この各ブロックの
接続部や導入管との接続部分には漏液防1FのためOI
Iング7が適用される。
また本体11内≦こは導入管と導通され、融液全導入す
る空間部19と融液が導入されない空間部20とを夫々
独立して形成し、この雨空間部19と20はその底部に
於て接続され、一方の空間部20irは注入口6が形成
され、この注入口も空間部に接続されるようICなって
いると共感ここの雨空間部19.20の−L部の本体1
11こはエヤーシリンダ18と12が夫々配設される。
このエヤーシリンダ12,111はいずれも片ロツド型
複動シリンダで、上部盛こストッパ12C。
ticが設けられると共にこのシリンダのロッド12$
1.183は夫々空間部20.19内へ挿入されている
。そしてこのシリンダロッド1Ba。
t2@の下端には弁部tab及びtgbが固定され、こ
の各弁部は空間部191m接続される融液計量部18の
段部(上端部)ISa及び注入口6の段部6bと対向し
、之等の段部全閉塞可能となっている。
またピストンロッド1lla、12aの外周にはテフロ
ンパツキン14f適用し、空間部19あるいは注入口上
部より上方へm夜しないようにピストンロッド全摺動全
可能IC上ている。
′15はこのテフロンパツキンの抑圧ボルトである。ま
た本体11のブロックIICにはヒータ1gと熱電対1
丁が夫々異なる位置1r設けられる。
作用 上述の如く構成される本発明高分子物質融液の定量注入
装置に於ける動作について第2図を参照しつつ説明する
最初第1図に示す状態、すなわちエアシリンダ12.1
8とも電磁弁(図示せず)の動作によってシリンダロッ
ド12m、1lai上昇させ、注入ロ融液流出部6@融
液計量部上端部18aの閉塞を解除し、高分子物質融液
導入管8内の高分子物質融液2全融液計量部18から注
入口6へ流出させ、高分子物質融液2を少量、外部へ排
出することにより、装置本体空間部19全全て高分子物
質融液2で満たす。また、このようにすること≦こより
、注入口6直下に位置する半導体素子(図示せず)内部
への高分子物質融液の注入作業開始時、ヒータ16によ
って加熱状態にある装置本体空間部191こ(ヒータ1
6については後で説明あり)比較的固まり始めた高分子
物質融液があった場合はそれ全排出し捨てることができ
る。欠番こ、第1図1m示す状態からエアシリンダ12
のみ動作させ、シリンダロッド122Lのみ下降させて
注入口融液流出部IIa全第2図talに示すように塞
ぐ。次に第2図鴎)の状態からエアシリンダ1Bのみ動
作させ、シリンダロッド18aのみ下降させてシリンダ
ロッド18λの弁部18bが融液計量部上端部1816
ど達した時、第2図tblに示すように、エアシリンダ
12を動作させてシリンダロッド12@i上昇させる。
シリンダロッド121が丘昇しきった状態で第2図te
lに示すようにシリンダロッド18λが融液計量部18
全下降しきった時。
同図に示すように融液計量部1Bの融液計量部上端部1
81kから下方へ長さlに相当する体積の高分子物質融
液2が注入口6から強制的鑑ど流出させられて、注入口
6の直下に位置する半導体素子の内部に注入充填される
。この融液計量部18の融液計量部上端部18mからの
長さjに相当する体!*(以下「定量外」と言う)は、
高分子物質融液2の粘度が時間の経過や周囲温度の変化
とともに変化しても、関係がないので全く変化しない。
つまり高分子物質融液2の粘度が変化しても、正確な定
量外め高分子物質融液2を注入口6の下方に位置する半
導体素子内部に注入充填が可能な訳であり、また粘度が
大きい高分子物質融液であっても1強制的に注入口6か
ら流出させられる。そして高分子物質融液2が注入【」
6から定擾分が流出して半導体素子の内部に注入された
後、第2図(qに示す状態から第2図(d)6ご示すよ
うにニアシリンダ12全動作させてシリンダロッド12
ai下降させ、注入ロ融液流出部63全シリンダロッド
12a最下部の弁部xzbによって塞ぎ、高分子物質融
液2の半導体素子への注入充填作業が完了する。なお最
初の高分子物質融液2全少置、外部へ排出し捨てる作業
は、この−行程により行なってもよい。また第2図(q
に示す高分子物質融液2全注入口6から強制的に流出さ
せて、半導体素子内部に注入充填させる動作を行なう場
合シリンダロッド1R&を融液針1部18内?一度に最
下端まで下降させずに段階的に下降させることにより、
注入口6からの高分子物質融液2の半導体素子内部への
充填作業音より確実なものにすることができる。次に、
連続して再度高分子物質融液2の半導体素子への注入充
填作業全行なうには、第2図td)に示す状態からシリ
ンダ18を動作させ、そのシリンダロッド111mを上
昇させることにより第2図+alに示すように高分子物
質融液溜め容器lの高分子物質融液2を装置本体空間部
19の融液計量部18へ導き入れ、以下第2図tal〜
td)の行程を繰り返す。
なお、実施例では弁部lzb、lsbの開閉にエアシリ
ンダを用いているが、エアシリンダでなくても、電動機
、ラック6ビニオン等全使用した往復運動全行なう開閉
手段音用いることも可能である。
本発明者らの実験によると、エポキシ樹脂の場合46′
Cにセいて、高分子物質融液の定量外の設定当初と60
分経過後とでも半導体素子内部へのエポキシ樹脂注入量
は5嘴以内の減少に留まった。
なお、シリンダロッド1111最下部の弁部■bの形状
は、例えば第4図Jailと示すような構造のもの、す
なわちシリンダロッドtaaに融液逃げ穴182を設け
た弁本体181’iねじ込むとともIr、弁本体181
の他端に逆止弁188をはさみ込んで弁頭184をねじ
込んだような形状のもの′fr使用すれば、第2図fd
lの状態から。
シリンダロッド18aが上昇して第2図talの状態に
なる場合、高分子物質融液2が融液逃げ穴tit内を通
って弁頭1114側に移動できるため、シリンダロッド
18mがスムーズに上昇できる。しかし、本発明者らの
実験では第4図ta+のような複雑な構造の弁部1!l
bi用いなく・て・も、エアシリンダ12.18内に圧
入するエア圧力がおよそ6Kqf/、J(ゲージ圧)で
あるので、第4図(blの形状のものでも十分使用でき
るものであった。
なお、ヒータ16は融液定量注入装置本体11を一定温
度5こ加熱保持し、高分子物質融液2を流動し易くする
とともに、注入口6より半導体素子内部に注入充填後で
きるだけ早く硬化する温度に加熱保持するためのもので
、熱電対xqによる温度測定によりヒータ16i出力制
御し。
融液定l注入装置本体xlTt一定温度に保っている。
本実施例では装置本体空間部1gに存するエポキシ樹脂
全豹go”cに保つが、その場合エポキシ樹脂は半導体
素子内部に注入された後電気炉内に入れて80″Cのま
ま保持すれば8時間で、また1lio’cで保持すれば
1時間で硬化する。
また、高分子物質はエポキシ樹脂のみならず比較的粘度
の低い液状のシリコンゴム等でもよい。
発明の効果 以上のようlと、この発明によると時間の経過あるいは
周囲温度の変化によって粘度が変化しても、かつまた粘
度の大きな流出させIC<い高分子物質融液であっても
、正確な一定の体積の高分子物質融液全、半導体素子に
注入充填することが可能となる利点がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は断面図、第2図は第1図の動作順序を示す説明
図、第8図は従来例の断面図、第4図は弁部の説明図で
ある。 11は本体、  tz、1gはエヤーシリンダ、1zb
、18bは弁部% 18は融液針1L19 、fiOは
空間部、 6は注入口、特許出願人   株式会社 三
社電機製作所外  1名 第1図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  2個の弁開閉手段を並置して設けた本体と、前記本体
    内部に設けられ、かつ前記一方の弁開閉手段に設けられ
    た弁によつて摺動および閉塞、開放される融液計量部と
    、前記他方の弁開閉手段に設けられた弁によつて開閉さ
    れ、かつ前記融液計量部より下方に位置するとともに前
    記融液計量部に通ずる注入口とを有する高分子物質融液
    の定量注入装置。
JP20728784A 1984-10-02 1984-10-02 高分子物質融液の定量注入装置 Granted JPS6184212A (ja)

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JPS6184212A true JPS6184212A (ja) 1986-04-28
JPH0248414B2 JPH0248414B2 (ja) 1990-10-25

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Cited By (3)

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