JPS6184366A - 蒸着用マスク材料 - Google Patents

蒸着用マスク材料

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JPS6184366A
JPS6184366A JP20668084A JP20668084A JPS6184366A JP S6184366 A JPS6184366 A JP S6184366A JP 20668084 A JP20668084 A JP 20668084A JP 20668084 A JP20668084 A JP 20668084A JP S6184366 A JPS6184366 A JP S6184366A
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JP
Japan
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vapor deposition
mask
evaporation
weight
substrate
Prior art date
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Pending
Application number
JP20668084A
Other languages
English (en)
Inventor
Akira Tsuda
明 津田
Kazunao Kudo
和直 工藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Electric Industries Ltd filed Critical Sumitomo Electric Industries Ltd
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Publication of JPS6184366A publication Critical patent/JPS6184366A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は蒸着用マスク月11、特に、Fe−42重量
%Niからなるリードフレームに蒸着をスポット的に行
なうための蒸着用マスク材Itに関する。
[従来の技術] 以下、蒸発材料としてアルミニウムを一例として説明す
る。
第2図は通常、アルミニウム蒸着を行なうための真空蒸
着の概略的構成を示す図である。第2図において、真空
を保つためのチャンバ1内部に、蒸着用材料となるアル
ミニウム2を保持するるつは3と、るつは3に対向して
配置されてアルミニウム蒸着されるFe−42%X+ 
 <%は重量%、以下全て同じとする)を主成分とする
基板4と、基板4の所定の領域にのみ蒸着を行なうため
の蒸着用マスク5と、蒸着用材料であるアルミニウム2
を溶融するための電子線を与える電子銃6とが設けられ
る。
第3図は蒸着用マスクの形状を示す図である。
第3図において、マスク5は基板4の中央にスポット的
に蒸着を行なうための四角形または円形の孔7が設けら
れる。
第4図はマスクと蒸着されるリードフレームとの配置を
示づ゛平面図である。第4図において、マスク5十に、
マスク5に設けられる孔7がリードル−ム4の所定の位
置にくるようにリードフレ−ム4が配置される。以下、
第2図ないし第4図を参照してアルミニウム蒸着につい
て説明覆る。
チャンバ1内は真空ポンプ(図示せず)によって一定の
真空度に保たれる。次に、るつぼ3内のアルミニウム2
は電子銃6からの電子線により溶融されて蒸発する。蒸
発したアルミニウムは蒸着用マスク5に設けられた孔7
を通過してリードフレーム4の所定の領域(アルミニウ
ムAm線ボンディングエリア8)に蒸着する。以上のよ
うにして、リードフレーム4の所定の領域(ボンディン
グエリア8)にアルミニウムを2〜10μmスポット的
に蒸着していた。
[発明が解決l)ようとする問題点] 従来の装置においては、蒸着用マスク材わ1と1ノてF
e−42%ff1fiN+を主成分とする物質(427
0イ)かステンレス鋼を用いていたがそれぞれに問題が
あった。
まず、Fe−42重爵%Niを主成分とする物質をマス
ク材料として用いた場合、蒸着時にマスクに、アルミニ
ウムが付着し、そのことにより、リードフレームどマス
クが密着し、リードフレームをマスクから離そうとづる
と、いわゆる“ビン曲がり″(リードの曲がり)が生ず
るという欠点がある。この欠点を除去するためにAll
付着の生じないステンレス鋼が用いられる。
しかし、ステンレス鋼、たとえばFe−17〜28重量
%Crを主成分とJるステンレス鋼をマスク材として用
いると、基板とマスクとの熱膨張率が異なるので、蒸着
時(蒸着時には基板を加熱している)にマスクに設けら
れている孔の位置がリードフレームの所定の位置よりず
れ、いわゆる“Amずれ°′ (リードフレームの所定
の領域よりスポット蒸着の位置がずれる)が生ずる。具
体的に数字をあげて説明する。リードフレームを構成す
るFe−42重量%Niを主成分とする物質およびFe
−17〜28重量%Crを主成分とするステンレス鋼の
0〜300℃における熱膨張係数はそれぞれ、40〜6
0x10− ’ cm/’C,105〜115X10−
 ’ am/℃であるので、5cm四方のステンレス材
マスクを用い300℃に加熱して蒸着すると、最大 5x (115−40)xl C)7.’ x300=
0.113゜ すなわち、0.113mmの蒸着位置のずれが生ずる。
したがって、リードフレームの所定の位置にスポット的
にA4蒸着を行なうことができないという欠点がある。
この発明の目的は上述の従来の蒸着マスクの有する欠点
を除去し、12曲がり″や゛蒸着位置ずれ′°の生じな
い蒸着用マスクを提供することである。
L問題点を解決するための手段] この発明にかかる蒸着用マスクの材料として、リードフ
レームを構成するFe −42重量%N;を主成分とす
る物質と同様の熱膨張係数を有し、かつ蒸発材料の付着
の生じないFe −42li量%Ni−0.5〜61f
1%Crを主成分とする材質を用いる。
[作用] 」一連のような、Fe−42重量%Ni −0,5〜6
重量%Crを主成分とする物質をマスク材料として用い
れば、基板である。Fe−42%重INiを主成分とす
る物質とほぼ同様の熱膨張係数を有するので、蒸着時に
おける基板とマスクとの熱膨張差に起因する蒸着位置の
ずれは生ぜず、かつマスク表面に二酸化クロムCrO2
が形成されて蒸発材料の密着が生じないので、マスクと
基板どが密着することがなく、従来、基板をマスクから
取外すときに生じていたリードフレームの曲がり(12
曲がり′°)が生じない。
[実施例1 以下、蒸発材料としてアルミニウムを用いた場合を一例
として説明する。
この発明においては、蒸着用マスク材料としてFe−4
2重陽%Ni−0,5〜6重1%Crを主成分とする物
質で構成される材料を用いる。ここで、クロムOrの含
有量が0.5〜6重M%と−〇− されているのは、クロムの含有量が0.5重量%以下、
特に、0.1重量%以下では二酸化クロムCr0zの酸
化物がその表面にできにくいので、蒸着時のA9密肴(
マスクと基板との密着)が発生しゃすり12曲がり′°
が生じやすい。また、クロムOrの含有量が6重量%以
上になると、熱膨張係数が80X 10− ’ am/
℃以上となり、基板との熱膨張係数の差が大きくなりA
[ずれが生じやすくなる。
Fe−42重量%Ni−0,5〜6重帛%Crを主成分
とする物質の熱膨張係数は0=300℃の温度領域で4
2〜70X10−’ci+/’Cであり、基板(リード
フレーム)材であるFB−42%N1を主成分とする物
質の熱膨張係数40〜60×10− ’ Cl11/℃
とほぼ同様である。
第1図は、0.25n+m厚のl’−e−42重!■%
Ni材リードフレーム(熱膨張係数45X10−’Cl
1l/℃)のワイヤボンディングエリアである先端から
1.27±0.1v++までの部分へのAm蒸着を真空
度10− ’ Torr 、基板(リードフレーム)温
度300℃の条件下で、Fe−42重量%Ni−1重量
%Crベース材(熱膨張係数は47×1o−’cm/℃
>をマスク材としたどきのA「蒸着位置の分布と、Fe
−25%Cr系ステンレス鋼をマスク材としてA「蒸着
を行なった際のリードフレーム上のA!L蒸着位置の分
布とを示す図である。第1図から見られるように、分布
の中心は250r系ステンレス鋼をマスク材とした場合
(図において破線で示される)も本発明の場合(図にお
いて実線で示されている)も1.27mmと同様である
が、分布のばらつぎを示す分散σはそれぞれ0.09.
0.05と本発明の方が小さくなっており、いわゆる”
Aljずれ”が従来に比べてはるかに生じに(くなって
いる。
また、同一条件下でのFe〜42重量%Niベース材を
マスクとしたときのAu密着による“ピン曲がり′°は
3〜4%の割合で生ずるが、本発明の場合は0%である
なお、上記実施例では、蒸発材11としてアルミニウム
AUを用いているが、これに限定されないことは言うま
でもない。
[効!I!] 以十のように、この発明においてはFe−42m1%N
iベース材のリードフレームへのスポット・的に蒸着を
行なう際のマスク材と1ノで、Fe −/1.2重量%
Ni−0,5〜6m11%Orベース材を用いているの
で、蒸発月利の密着にょるパピン曲がり′″や“蒸発位
置ずれ″が従来に比較してはるかに生じにくくなってい
る。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明による蒸着用マスク材を用いた場合と
、従来のステンレス鋼蒸着用マスク材を用いた場合のA
m蒸着位置の分布を示す図である。 第2図は真空蒸着装置の概略構成を示す図である。 第3図は蒸着用マスクの形状を示す図である。第4図は
マスク上のリードフレームの配置を示す図である。 図において、2はアルミニウム、4は基板であるリード
フレーム、5は蒸着用マスク。 なお、図中、同符号は同一または相当部を示す。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)蒸発材料を減圧下で加熱して蒸発させ、基板上に
    気相蒸着させる真空蒸着装置において、前記基板の所定
    領域に前記蒸発材料を気相蒸着させるために用いられる
    蒸着用マスク材料であって、42重量%ニッケルと0.
    5〜6重量%クロムとを含み、残部は鉄と不可避的不純
    物とからなる物質から構成される、蒸着用マスク材料。
  2. (2)前記基板は42重量%ニッケルを含み、残部は鉄
    と不可避的不純物とからなる物質からなる、特許請求の
    範囲第1項記載の蒸着用マスク材料。
JP20668084A 1984-10-01 1984-10-01 蒸着用マスク材料 Pending JPS6184366A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6821561B2 (en) * 2002-03-26 2004-11-23 Analog Devices, Inc. Method for thin film deposition matching rate of expansion of shadow mask to rate of expansion of substrate
EP1630256A1 (en) * 2004-07-30 2006-03-01 United Technologies Corporation Non-stick masking fixtures and methods of preparing same
JP2006134664A (ja) * 2004-11-04 2006-05-25 National Institute For Materials Science フォトカソード型電子線源の陰極先端部への高量子効率物質の局所被覆装置

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