JPS6184910A - 段間結合回路 - Google Patents
段間結合回路Info
- Publication number
- JPS6184910A JPS6184910A JP59207619A JP20761984A JPS6184910A JP S6184910 A JPS6184910 A JP S6184910A JP 59207619 A JP59207619 A JP 59207619A JP 20761984 A JP20761984 A JP 20761984A JP S6184910 A JPS6184910 A JP S6184910A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- amplifier
- resistor
- transformer
- inter
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- Pending
Links
- 230000008878 coupling Effects 0.000 title claims abstract description 11
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/50—Amplifiers in which input is applied to, or output is derived from, an impedance common to input and output circuits of the amplifying element, e.g. cathode follower
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/191—Tuned amplifiers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(al技術分野
この発明は、高周波増幅回路や中間周波増幅回路等の股
間に接続される段間結合回路の改良に関する。
間に接続される段間結合回路の改良に関する。
C1)l従来技術とその欠点
高周波増幅回路や中間周波増幅回路等の段間結合回路は
、一般にLCの並列共振回路を使用している。第21Δ
、第3図は周波数変換回路と中間周波増幅回路の従来の
結合回路例を示す図である。
、一般にLCの並列共振回路を使用している。第21Δ
、第3図は周波数変換回路と中間周波増幅回路の従来の
結合回路例を示す図である。
第2図はミキサ(MIX)lの出力を一次側と一゛次側
を電磁結合したLC並列共振回路の中間周波トランスT
lを介してIFアンプ2に導く回路を示している。また
第3図はミキサ(MIX)lの出力をL C並列共振回
路T2から取り出して高低)julを通してIF7ンプ
2に導くようにした回路である。しかし、1Fアンプ2
等の通常の増幅回i/3は、第4図に示すように入力イ
ンピーダンスZI、lの小さなものを使用しているため
、第2図に示す回路ではトランスTlの一次側でゲイン
を稼いでも二次側でQダンプされてしまい、ゲイン。
を電磁結合したLC並列共振回路の中間周波トランスT
lを介してIFアンプ2に導く回路を示している。また
第3図はミキサ(MIX)lの出力をL C並列共振回
路T2から取り出して高低)julを通してIF7ンプ
2に導くようにした回路である。しかし、1Fアンプ2
等の通常の増幅回i/3は、第4図に示すように入力イ
ンピーダンスZI、lの小さなものを使用しているため
、第2図に示す回路ではトランスTlの一次側でゲイン
を稼いでも二次側でQダンプされてしまい、ゲイン。
選択度とも低下してしまう欠点がある。また第3図に示
す回路では抵抗R1の挿入によってトランスT2のQの
低下を防ぐことができるか、高抵抗R1を挿入している
ため、この部分でのゲインロスが大きくなる欠点がある
。
す回路では抵抗R1の挿入によってトランスT2のQの
低下を防ぐことができるか、高抵抗R1を挿入している
ため、この部分でのゲインロスが大きくなる欠点がある
。
((])発明の目的
この発明の目的は、節単な回路を付加することにj’、
+7゛ζ上記の欠点を解消し、結合回路に要求される
インピーダンスの整合を行ってゲインロスを防ぎ、且つ
jfl灰度を低下させない段間結合回路を提供すること
にある。
+7゛ζ上記の欠点を解消し、結合回路に要求される
インピーダンスの整合を行ってゲインロスを防ぎ、且つ
jfl灰度を低下させない段間結合回路を提供すること
にある。
fd1発明の構成および効果
この発明は、LC並列共振回路の共振出力をエミッタホ
ロワ接続したトランジスタを介して次段の増幅回路へ導
くことを特徴とする。
ロワ接続したトランジスタを介して次段の増幅回路へ導
くことを特徴とする。
上記のように構成することによってこの発明によれば、
エミッタホロワ接続されたトランジスタの入力インピー
ダンスが非常に高いためにLC並列共振回路のQを高く
することができ、非常に高い電圧利得を得ることができ
る。また選択度特性も極めてよくなる利点がある。
エミッタホロワ接続されたトランジスタの入力インピー
ダンスが非常に高いためにLC並列共振回路のQを高く
することができ、非常に高い電圧利得を得ることができ
る。また選択度特性も極めてよくなる利点がある。
tel実施例
第1図はこの発明の実施例である段間接合回路の回路図
である。構成において、第3図に示す回路と相違する部
分は、高抵抗R1を外し、この高抵抗R1に換えてエミ
ッタホロワ接続されたトランジスタTR,抵抗R2,定
電tL源I6およびコンデンサCを接続した点である。
である。構成において、第3図に示す回路と相違する部
分は、高抵抗R1を外し、この高抵抗R1に換えてエミ
ッタホロワ接続されたトランジスタTR,抵抗R2,定
電tL源I6およびコンデンサCを接続した点である。
抵抗R2ばLC並列共振器回路の選択度特性を適当なも
のに設定するだめのもので、この抵抗R2を無限大にす
れば(ユを最も高くすることができる。
のに設定するだめのもので、この抵抗R2を無限大にす
れば(ユを最も高くすることができる。
」二記のように構成することによ゛す、トランスT2の
LC並列共振回路のQは中間周波増幅回路IF2の人力
インピーダンスに影響されることなく抵抗R2によって
定まる高い値にすることかできる。またトランスT2と
中間周波増幅回路IF2との間にゲインロスする要素が
ないために高能率で、11つ高S/N比を得ることがで
きる。
LC並列共振回路のQは中間周波増幅回路IF2の人力
インピーダンスに影響されることなく抵抗R2によって
定まる高い値にすることかできる。またトランスT2と
中間周波増幅回路IF2との間にゲインロスする要素が
ないために高能率で、11つ高S/N比を得ることがで
きる。
第1図はこの発明の実施例である段間結合回路の回路図
を示す。また第2図、第3図はそれぞれ従来の段間結合
回路の回路例を示す図、第4図は中間周波増幅回路の内
部回路例を示す図である。 TR−(エミッタホロワ接続された)トランジスタ。
を示す。また第2図、第3図はそれぞれ従来の段間結合
回路の回路例を示す図、第4図は中間周波増幅回路の内
部回路例を示す図である。 TR−(エミッタホロワ接続された)トランジスタ。
Claims (1)
- (1)前段の高周波出力をLC並列共振回路を介して次
段の増幅回路へ導く段間結合回路において、前記LC並
列共振回路の共振出力をエミッタホロワ接続したトラン
ジスタを介して次段の増幅回路へ導くことを特徴とする
段間結合回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59207619A JPS6184910A (ja) | 1984-10-02 | 1984-10-02 | 段間結合回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59207619A JPS6184910A (ja) | 1984-10-02 | 1984-10-02 | 段間結合回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6184910A true JPS6184910A (ja) | 1986-04-30 |
Family
ID=16542788
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59207619A Pending JPS6184910A (ja) | 1984-10-02 | 1984-10-02 | 段間結合回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6184910A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4945437B1 (ja) * | 1968-12-27 | 1974-12-04 | ||
| JPS5275963A (en) * | 1975-12-20 | 1977-06-25 | Hitachi Ltd | Frequency conversion circuit |
| JPS5533542B2 (ja) * | 1975-06-05 | 1980-09-01 |
-
1984
- 1984-10-02 JP JP59207619A patent/JPS6184910A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4945437B1 (ja) * | 1968-12-27 | 1974-12-04 | ||
| JPS5533542B2 (ja) * | 1975-06-05 | 1980-09-01 | ||
| JPS5275963A (en) * | 1975-12-20 | 1977-06-25 | Hitachi Ltd | Frequency conversion circuit |
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