JPS6186495A - 気相成長装置 - Google Patents

気相成長装置

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JPS6186495A
JPS6186495A JP20947584A JP20947584A JPS6186495A JP S6186495 A JPS6186495 A JP S6186495A JP 20947584 A JP20947584 A JP 20947584A JP 20947584 A JP20947584 A JP 20947584A JP S6186495 A JPS6186495 A JP S6186495A
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JP
Japan
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bell jar
lamp houses
mentioned
phase growth
assembly body
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JP20947584A
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JPH0249280B2 (ja
Inventor
Masayuki Nozawa
野沢 昌幸
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Shibaura Machine Co Ltd
Original Assignee
Toshiba Machine Co Ltd
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Expired - Lifetime legal-status Critical Current

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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B23/00Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明はシリコン等の半導体物質基板(以下ウェハとい
う)にシリコン結晶等を気相成長させるバレル型の気相
成長装置に関する。
〔従来技術〕
従来実用化されているランプ加熱によるノくレル型の気
相成長装置は、サセプタを回転させる回転軸の駆動源が
上方にあった。これは、回転軸と共にサセプタを上昇さ
せ、反応管およびそれを取囲むランプハウスの上方に該
サセプタを位置させてウェハの取付け、取外しを行ない
易くする几めである。しかしながら、駆動源が上方にあ
ると、回転部からのゴミがウニノ1に落下して汚染を生
ずる欠点がある。そこで、駆動源を下刃に位置させる方
式のものも提案されている。この方式ではベル形の反応
管すなわちベルジャと共にその周囲に設けられているラ
ンプハウスを上昇させなければ、サセプタに対するウェ
ハの取付け、取外しが行ない難く、装置講成上好ましく
なりとされてい念。
〔発明の目的〕
本発明にこのような欠点を除去した本のでその目的は、
一部のランプハウスを側方へ移動可能即ちウェハ着脱の
際は開かせることによりウェハの着脱を行なうようにし
簡潔な構成により下方駆動方式を採用し得るようにした
気相成長装置を提供することにある。
〔発明の要点〕
本発明の気相成長装置は、ペースプレートと、ペースプ
レート全貫通して上方に伸びる回転軸と、回転軸に取付
けられたバレル型のサセプタ組立体と、下端がペースプ
レートに密封可能になされサセプタ組立体の周囲に反応
室を形成するベルジャと、ベルジャの昇降機樗と、ベル
ジャの外方を取巻いて位置しサセプタ組立本のサセプタ
に対向すべ(設けらnた複数のランプハウスとからなり
、該う/グハウスのうちのいぐっかが外方へ開き得る工
う[構成したものである。
〔発明の実施例〕
以下本発明の一実施例を示した図について説明する。第
1図においてサセプタ組立体1】は複数枚の短冊状をし
たサセプタが多角形状に配置されると共に、軸心に対し
勾配を有しかつ上面および下面はフタ状体にエリおおわ
nておりその外周には多数のウェハ12が取付けである
。サセプタ組立体11は上下のフタ状体に固着したセラ
ミックス等の非金属製かつ中空の回転軸13にニジ両方
向へ回転されるようになさhており、その外周お工び上
方は石英製のベルジャ14にエリおおわれている。
ベルジャ14の下方にはこれと同心かつサセプタ組立体
11の回転を妨げない近接したわずかな隙間を有する位
置に石英製の円筒体15があり、ベルジャ14お工び円
筒体15は共にステンレス鋼製のペースプレート16上
に密接した状態で載置されてhる。なお円筒体15はサ
セプタ組立体シテベルジャ】4とサセプタ組立体11お
よび円筒体15にLり形成さnる空間を反応室といい、
回転(旬13(1ベースプレート16を気密に貫〕〜し
ている。ベルジ4−IJの下側内周と円筒体15のρ 下負:1外周との間に01ベ一スプレート16表面から
曾4イオンの故山を阻止する定め石英リング19Aが散
か′iしており、この石英リング19Aとべ一スブンー
ト16Kに反応室のガスを外部に排出するための孔1g
Bが、あけである。
回転1浦13の中L?にばそれぞれ固定の内管17およ
び外818の2”1鱈1;設けら几、内管17からにN
2或いはH2のガスが上方に向って流れ外管18は上端
で複数(図でid 2本のみ示しである)に分岐してノ
ズル18A&てなって下方にあるウェハ12に向って反
応カスが流几る工うになっている。なお反応ガスの流れ
の、刑部は後述する。
ベルジャ14の下部外周には、これを取り囲み、ペース
グレート16の外周に配置これたペース20とに工Vベ
ルジャ14側のみを開放した排気麿゛クト21が設けら
れ、この排気i゛クト1は第2図に示す排気管22に接
続されている。排気i。
クト2】上Ktlf、多数のランプ23を有するランプ
ハウス24か、第2図に示すように、ベルジャ】4を取
り囲んで配置されている。ランプハウス2・1の背面側
にはA冷却流体供給部25が形成され、A冷却流体供給
部25Kに不図示の送風機および冷却機からの冷却空気
が吹き込まれ、冷却空ンプ23お工びベルジャ】4に吹
きつけてこnらへ を冷却するようになっている。
ペース20には排気l°タクト】に隣接して昇降お工ひ
回転機構28が設けてあり、同機構28は上端に腕29
が固着され、腕29の先端は把持具30に工りベルジャ
14の頂部に固着した把持部31を離脱可能に把持して
いる。また腕29の先端ば把持、に32によりB冷却流
体供給部33を取付けている。B冷却流体供給部33の
下端はランプハウス24の上面に載置されると共に、そ
の内壁34には多数の孔35があけられているためA冷
却流体供給部25と同様に冷却空気がベルジャ】4の上
部に吹きつけらnる。ここでベルジャ14とB冷却流体
供給部33とは腕29に取付けられているため、同時に
昇降可能であり、ベルジー1−14の下面がノズルIR
Aの上方まで上昇し几後は腕29を旋回させることにエ
リベルジャ14お工びB冷却流体供給部33を側方へ旋
回するこ24に端部AおよびBが互いに回動自在に連結
され、下側中央に切離さ扛る工うになっており、同図に
点線で示した位置に移動可能になっている。
Aお工びB冷却流体供給部25お工び33から吹き出さ
れた冷却空気はベルジャ14の外周およびランプ23を
冷却しながら下降し、排気ダクト21内に入った後2図
の上方に示した排気管22から外部に強制的に排出さ几
る。反応ガスの流れるノズルIRAは図に示すようにこ
の例では放射状ice本設けてあり、先端近(には下向
きの孔36(Z1図参照)が1個あけてあり、かつこの
孔36に8本のノズル18Aの2本或いF1a本を組に
して回転軸13の軸心からの距離を変えることにより、
軸心に対し勾配を有するサセプタ組立体】1上の軸心か
らの距離の異なるウェハ12の各々に対応して反応ガス
が噴出するようにしである。
或いはこの槽底のほかノズル1FIAの2本を組にして
それぞれの先端近くに孔36−を互いに向き合う形で傾
斜して設けることにエリ、噴出した2つの反応ガスの流
れが衝突して下向きの広いガス流を形成するようにして
もよい。
次に前述し几実施例の動作を説明する。昇降等の機構2
8に工9ベルジャ】4とB冷却流体供給部33を上昇さ
せ、次いでランプノ・ウス24fr第28に工9ベルジ
ャ14とB冷却流体供給部33を下降させて第1図の状
態にする。この状態で内管17と外管18からN2ガス
を噴出して空気をパージし、空気のパージが終了した後
、H2ガスにエフ前記N2ガスをパージし、次いでラン
プ23にエフ加熱する。加熱にエリウニノ・12か所定
温1jl: UC:aすると外管18従ってノズル18
Aから112カスと共にミ/ラン等の反応ガスを噴出さ
せることにより気相成長を行なう。
このとき内管17からはそのままH2ガスを噴出を・す
ることにエリベルジャ14の上部空間をH2ガスで充満
せしめ、もってベルジャ14の上部壁面の冷却と上部壁
面への反応ガスの接触を阻止する。そしてこれらのガス
にベースプレート16の穴19Bから排出される。この
ときサセブ部に回り込んでゴミを飾い上げ7’Cす、ベ
ルジャ14内のカス流を乱したりすることなぐ円滑に排
出享れる1、97123Mよる加熱と同時に送風機およ
び冷却機からの冷却空気は、Aお工びB冷却流体併給j
als25および33の孔26および35を通りてベル
ジャ14お工びランプ23に吹キつけられ、ランプ23
とベルジャ14を冷却した後ベルジャ14に沿って下降
し、排気i°タクト1から排気「122にエリ強制的に
排気される。この風量は石英ベルジャ14の大きさによ
るが数10−7分から数10nrr?/分と極めて大量
であるが、排気卓。
クト21はベルジャ14のエアを囲んで円周上に大きい
ため排気抵抗は小さく排気管22から吸引することに工
り円滑な排気が可能である。
一定時間気相成長が行わnた後ランプ23を消して加熱
を停止すると共に、両管17および18からH2ガスの
みを噴出させて反応ガスのパージを行いながらベルジャ
14を介してウェハ12を冷却し、次論でH2ガスを停
止してN2ガスを噴出することにエリベルジャ14内?
N2ガスにする。最後にベルジャ14等を昇降等の機構
28にエフ上昇させると共にランプハウス24を開いて
ウェハ12を取り出せば一連の気相成長作業は終了する
u7′xおベルジャ】4の洗浄が必要な場合はベルジャ
14を上昇後昇降および回転機構28にエフ側方へ旋回
させた後、下降させて台(図示せず)上に着床させ、ベ
ルジャ14を把持具30から離脱して4r−Ey洗浄す
る。
〔発明の効果〕
本発明の気相匠長装置は、サセプタ組立体を下方から駆
動する1式において、ベルジャの周囲に配置されるラン
グハウスを上昇させずに一部を外せた後手前側のランプ
ハウスを外方1C開くことにより、サセプタ組立体の外
周面に手が容易にとど〈几めウェハの着脱は極めて簡便
である利点を有する。
【図面の簡単な説明】
図は本発明の一実施例を示し第1図は断面図、第2図に
fJ1図の2−2線断面図である。 11・・・サセプタ組立体、12・・・ウェハ、13・
・・回転軸、14・・・ベルジャ、15・・・円筒体、
16・・・ペースプレート、17・・・内管、18・・
・外管、23・・・ランプ、24・・・ランプハウス、
25.33・・・冷却流体供給部、28・・・昇降およ
び回転機構。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、ベースプレートと、同ベースプレートを貫通して上
    方に伸びる回転軸と、同回転軸に取付られたバレル型の
    サセプタ組立体と、下端が前記ベースプレートに密封可
    能になされ前記サセプタ組立体の周囲に反応室を形成す
    るベルジャと、同ベルジャの昇降機構と、前記ベルジャ
    の外方を取巻いて位置し前記サセプタ組立体のサセプタ
    に対向すべく設けられた複数のランプハウスとからなり
    、該ランプハウスのうちのいくつかが外方へ開き得るよ
    うに構成されていることを特徴とする気相成長装置。 2、ベルジャの略半周部分に対応するランプハウスが観
    音開きになるよう前記略半周部分の中央のランプハウス
    間が切離し可能に形成され、その左右のランプハウス間
    が揺動可能に連結されていることを特徴とする特許請求
    の範囲第1項記載の気相成長装置。
JP20947584A 1984-10-05 1984-10-05 Kisoseichosochi Expired - Lifetime JPH0249280B2 (ja)

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JP20947584A JPH0249280B2 (ja) 1984-10-05 1984-10-05 Kisoseichosochi

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JP20947584A JPH0249280B2 (ja) 1984-10-05 1984-10-05 Kisoseichosochi

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JPS6186495A true JPS6186495A (ja) 1986-05-01
JPH0249280B2 JPH0249280B2 (ja) 1990-10-29

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