JPS6187215A - Magneto-resistance effect type magnetic head device - Google Patents

Magneto-resistance effect type magnetic head device

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JPS6187215A
JPS6187215A JP20930384A JP20930384A JPS6187215A JP S6187215 A JPS6187215 A JP S6187215A JP 20930384 A JP20930384 A JP 20930384A JP 20930384 A JP20930384 A JP 20930384A JP S6187215 A JPS6187215 A JP S6187215A
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今越 茂美
Munekatsu Fukuyama
宗克 福山
Hideo Suyama
英夫 陶山
Yutaka Hayata
裕 早田
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Abstract

PURPOSE:To read a recording signal in the best state without varying sensitivity and linearity by an external magnetic field by controlling a current fed to an electric conductor with a detection signal from an external magnetic field detecting means and applying a specific bias magnetic field to an MR magnetism sensing part all the time. CONSTITUTION:The detecting means 20 for the external magnetic field which is arranged nearby a reproducing magnetic head element part 18 having an MR magnetic head element (h) is provided without contacting a magnetic medi um opposite. The detecting means 20 supplies specific detection currrents iS1 and iS2 to MR magnetism sensing parts 25 of elements hS1 and hS2 by a power source Vs while no external magnetic field is applied, and bias magnetic fields which provide maximum sensitivity are applied to respective fields which pro vide maximum sensitivity are applied to respective magnetism sensing parts 25 with respective magnetic fields generated by feeding the detection current. Consequently, the quantity of power feeding to the electric conductor 13 of a magnetic head part 18 for data track reproduction is controlled to eliminate variation of each bias magnetic field due to the unnecessary external magnetic field HN.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気)1(抗効果型磁気ヘッド装置に係わる。[Detailed description of the invention] [Industrial application field] The present invention relates to a magnetic head device (magnetic) 1 (anti-effect type magnetic head device).

〔従来の技術〕[Conventional technology]

磁気抵抗効果(以−F’MRという)型磁気ヘッド装置
の磁気ヘッド素子りは、例えば第12図に示すように、
例えばNi−Zn系フェライト、Mn−Zn系フェライ
ト等より成る磁性基板(11−h−に、この基板10が
導電性を有する場合には、これの七に5tO2等の絶縁
層(2)を介して後述する磁気抵抗効果を有する感磁部
(以)MR感磁部という)に対してバイアス磁界を与え
るバイアス磁界発生用の電流通路となる通電導体(3)
が設けられる。この通電導体(3)は、例えば一方向に
延びる帯状の導電n臭によっ”ご形成し得る。そしてこ
の通電導体(3)上に、絶縁層(4)を介して例えばN
i−Fe系合金、或いはNi−Co糸金合金のMR磁性
薄膜より成るMR感磁部(5)が配される。そしてこの
MR感磁部(5)上に薄い絶縁層(6)を介して各一端
がまたがり、通電導体(3)及びMR感磁部(5)を横
切る方向に延長し°ζ夫々例えばMoパーマロイより成
り、夫々磁気回路の一部の磁気コアと成る対の磁性1e
A (7)及び(8)が被着される。基板El) iに
は非磁性の絶縁性保護層(9)を介して、保護基板00
)が接合される。一方の磁性層(7)と基板(1)の前
方端との間には、例えば絶縁層(6)より成る所要の厚
さを有する非磁性ギャップスペーサ(11)が介在され
て前方の磁気ギャップgが形成される。
The magnetic head element of a magnetoresistive effect (hereinafter referred to as F'MR) type magnetic head device is, for example, as shown in FIG.
For example, a magnetic substrate made of Ni--Zn ferrite, Mn--Zn ferrite, etc. (11-h-, if this substrate 10 has conductivity, an insulating layer (2) of 5tO2 etc. A current-carrying conductor (3) that serves as a current path for generating a bias magnetic field that provides a bias magnetic field to a magnetic sensing section (hereinafter referred to as MR magnetic sensing section) having a magnetoresistive effect, which will be described later.
is provided. This current-carrying conductor (3) can be formed, for example, by a band-shaped conductive layer extending in one direction.Then, on this current-carrying conductor (3), an insulating layer (4) is interposed between the
An MR magnetic sensing part (5) made of an MR magnetic thin film of an i-Fe alloy or a Ni-Co wire alloy is arranged. One end of each straddles the MR magnetically sensitive part (5) via a thin insulating layer (6) and extends in a direction crossing the current-carrying conductor (3) and the MR magnetically sensitive part (5). A pair of magnetic elements 1e each forming a part of the magnetic core of the magnetic circuit.
A (7) and (8) are applied. A protective substrate 00 is connected to the substrate El) i via a non-magnetic insulating protective layer (9).
) are joined. A non-magnetic gap spacer (11) made of, for example, an insulating layer (6) and having a required thickness is interposed between one of the magnetic layers (7) and the front end of the substrate (1) to form a magnetic gap in the front. g is formed.

そして、この磁気ギャップgがのぞむように基板(1)
、ギャップスペーサH(11) 、磁性層(7)、保護
!i <91及び保護基& (101、の前方面が研摩
されて磁気記録媒体との対接面(12)が形成される。
Then, place the substrate (1) so that this magnetic gap g is visible.
, gap spacer H (11), magnetic layer (7), protection! The front surfaces of i < 91 and protecting group & (101) are polished to form a surface (12) in contact with the magnetic recording medium.

また、磁気ギャップgを構成する磁性層(7)の後方端
と、他方の磁性層(8)の前方端とは夫々MR感磁部(
5)1に絶縁層(6)を介してまたがるように形成され
るも、両端間にはり、いに離間する不連続部(13)が
形成される。内磁性j@+71及び(8)の後方端及び
前方端は、MR感磁部(5)の両側に夫々絶縁層(6)
の介在によって電気的には絶縁されるも、磁気的には結
合するようになされ、内磁性層(7)及び(8)間の不
連続部(13)がMR感磁部(5)によって磁気的に連
結されて、基板+11−磁気ギ中ツブg−磁性層+7+
−M R感磁g++ (51−磁性層(8)−基板(1
)の閉磁路を形成する磁気回路が形成される。このよう
なMR型磁気ヘッドにおいては、その磁気媒体と対接す
る磁気ギャップgから、磁気媒体上に記録された記録信
号による信号磁束が上述の磁気回路を流れることによっ
てこの磁気回路中のMR感磁部(5)の抵抗値がこの信
号磁束による外部磁界に応じて変化するので、この抵抗
値変化をMR感磁部(5)に検出電流i MRを通ずる
ことによってこのMR感磁部(5)の両端の電圧変化と
し゛ζ検出して磁気媒体−ヒの記録信号の再生を行うも
のである。
Further, the rear end of the magnetic layer (7) constituting the magnetic gap g and the front end of the other magnetic layer (8) are respectively connected to the MR magnetic sensing part (
5) A discontinuous portion (13) is formed which is formed so as to straddle 1 with an insulating layer (6) interposed therebetween, but which extends between both ends and is spaced apart from each other. The rear and front ends of the internal magnetic j@+71 and (8) are provided with insulating layers (6) on both sides of the MR magnetic sensing part (5), respectively.
Although they are electrically insulated due to the intervention of are connected to the substrate +11-magnetic core g-magnetic layer +7+
-M R magnetically sensitive g++ (51-magnetic layer (8)-substrate (1
) is formed. In such an MR type magnetic head, the signal magnetic flux due to the recording signal recorded on the magnetic medium flows through the above-mentioned magnetic circuit from the magnetic gap g that is in contact with the magnetic medium, thereby increasing the MR magnetism in the magnetic circuit. Since the resistance value of the section (5) changes according to the external magnetic field caused by this signal magnetic flux, this change in resistance value is detected by passing the detection current i MR through the MR magnetic sensing section (5). The recording signal on the magnetic medium is reproduced by detecting the voltage change at both ends of the magnetic medium.

このMR感磁部の磁気ttb抗特性を、第13図にボす
。このようにMR感磁部(5)の磁気抵抗特性曲線は、
成る磁界範囲内では2次曲線をボずものであり、したが
っζ、その感度特性は、第14図にボずように、磁界の
2つの値で最大イfiをボす。そしてこの感度が最大と
なる点は、同時に直線性に優れた点となる。従って、こ
の種の磁気ヘッドにおいては、そのMR感磁部(5)に
最大感度が得られる近傍のバイアス磁界T(Bを与える
ことが行われる。
The magnetic ttb resistance characteristics of this MR magnetic sensing part are shown in FIG. In this way, the magnetoresistive characteristic curve of the MR magnetic sensing part (5) is
Within the magnetic field range of ζ, the quadratic curve is blurred, and therefore, its sensitivity characteristic exceeds the maximum ifi at two values of the magnetic field, as shown in FIG. The point at which this sensitivity is maximum is also the point at which linearity is excellent. Therefore, in this type of magnetic head, a bias magnetic field T (B) is applied to the MR magnetic sensing portion (5) in the vicinity where maximum sensitivity is obtained.

このバイアス磁界Heは、主として前述した通電導体(
3)に対する通電電流による誘導磁界による外部バイア
ス磁界)(SOによって与えられるものであるが、実際
上はこの磁界HBOに加えてMR感磁部(5)自体に通
ずる検出電流iMRによってこれ自体から発生ずる磁界
もHMRが加わることによって与えられるものである。
This bias magnetic field He is mainly applied to the above-mentioned current-carrying conductor (
3) (external bias magnetic field caused by the magnetic field induced by the current flowing to The generated magnetic field is also given by the addition of HMR.

即ち、この種のMR型磁気ヘッド装置は、第15図にそ
の路線的構成を不ずように、バイアス磁界発生用の通電
導体(3)に所定の直流電流isoを通ずるごとによっ
て発生させた磁界をMR感磁部(5)に5.えると同時
にこのMR感磁■;(5)に所定の検出電流inRを流
し、この状態で、即ら、MR感磁部(5)に、通電導体
(3)への通電によって発生した磁界HBOと、MR感
磁部(5)への検出電流iMnの通電によって発生した
磁界HMRとによるバイアス磁界Heを与えた状態で、
前述した磁気媒体からの信号磁界Hsが与えられるもの
であり、この信号磁% Hsによる抵抗変化に基づ<M
R感−磁部(5)の両端電圧即ちA点の電位の変化を増
幅器(14)によって増幅して出力端子(15)より検
出するものである。(16)は低域阻止用コンデンサで
ある。
That is, this type of MR type magnetic head device, as shown in FIG. 5. to the MR magnetic sensing part (5). At the same time, a predetermined detection current inR is applied to this MR magnetic sensing part (5), and in this state, the magnetic field HBO generated by energizing the current-carrying conductor (3) is applied to the MR magnetic sensing part (5). and the magnetic field HMR generated by applying the detection current iMn to the MR magnetic sensing part (5), while applying a bias magnetic field He.
The signal magnetic field Hs from the magnetic medium mentioned above is given, and based on the resistance change due to this signal magnetic field Hs, <M
The change in the voltage across the R-sensitive magnetic section (5), that is, the potential at point A, is amplified by an amplifier (14) and detected from the output terminal (15). (16) is a low frequency blocking capacitor.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

上述したようにMR型磁気ヘットにおいては、そのMR
5磁部に所要のバイアス磁界HHが与えられるようにし
て良好な感度と直線性が得られる動作点に設定されるも
のであるが、この磁気ヘッド装置においζ、その磁気ヘ
ッド素子に磁気媒体からの出力磁界以外の不要な外部か
らの雑音磁界HN、例えばモーター等から発生する磁界
(以上外部磁界という)が与えられた場合、そのMR感
磁部に対する実質的なバイアス磁界の設定状態が変化し
てしまうので、これによってその感度や直線性が変化し
再生信号に歪の発生やノイズの発生を招来する。
As mentioned above, in the MR type magnetic head, the MR
The operating point is set at an operating point where good sensitivity and linearity can be obtained by applying the required bias magnetic field HH to the 5 magnetic parts. When an unnecessary external noise magnetic field HN other than the output magnetic field is applied, for example, a magnetic field generated from a motor etc. (hereinafter referred to as external magnetic field), the actual setting state of the bias magnetic field for the MR magnetic sensing section changes. This changes its sensitivity and linearity, causing distortion and noise in the reproduced signal.

いま1.第13図及び第14図で説明した特性を有する
MR磁気ヘッド素子に対して、その帯状のMR感磁部の
幅方向に外部磁界HNを、夫々HH= 0 (Oe)、
HN−+ 10 (Oe) 、HN =−10(Oe)
を与えた場合の夫々の感度曲線を第16図に小才。尚、
この第16図において、Hu −0(Oe)の感度特性
曲線が1京点を通らないのは、通電導体への1ffJ電
電流即ちバイアス電流ieoによって発生ずる磁界のほ
かに、011述したようにMR感磁部に通ずる検出電流
i MRによる磁界HHRによる影響が生していること
によるものである。
Now 1. For the MR magnetic head element having the characteristics explained in FIGS. 13 and 14, an external magnetic field HN is applied in the width direction of the strip-shaped MR magnetic sensing part, HH=0 (Oe), respectively.
HN-+ 10 (Oe), HN =-10 (Oe)
Figure 16 shows the sensitivity curves for each case. still,
In this Fig. 16, the reason why the sensitivity characteristic curve of Hu -0 (Oe) does not pass through the 10000 point is due to the magnetic field generated by the 1ffJ current to the current-carrying conductor, that is, the bias current ieo, as mentioned above. This is due to the effect of the magnetic field HHR caused by the detection current i MR flowing to the MR magnetic sensing section.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

上述したようにMR型磁気ヘッドにおいては、不要な外
部磁界H,による影響か問題となる。
As mentioned above, in the MR type magnetic head, the influence of unnecessary external magnetic field H poses a problem.

本発明においては、このような外部磁界によるMR感磁
部の動作点の移動を回避することができるようにしたM
R型磁気ヘッド装置を提供するものである。
In the present invention, the M
An R-type magnetic head device is provided.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本発明においζは、」二連したように磁気抵抗効果(M
R)を有する感磁部とごれにハイ゛7ス磁界をり、える
通電導体とを其備し、磁気記録媒体上の記録信号を再生
ずる磁気ヘッド素子部を有するMR型磁気ヘッド装置に
おいて、その磁気ヘッド素子部に近接するも磁気記録媒
体と対接しない位置に外部磁界の検知手段を設け、この
外部磁界検知手段からの検知信号によって通電導体への
通電上流を制御して常時MR感磁部に所定のバイアス磁
界が与えられるようにする。
In the present invention, ζ is the magnetoresistive effect (M
In an MR type magnetic head device, the MR type magnetic head device has a magnetic head element section that reproduces a recorded signal on a magnetic recording medium, and includes a magnetic sensing section having a magnetic field R) and a current-carrying conductor that generates a high-speed magnetic field in its dirt. , an external magnetic field detecting means is provided in a position close to the magnetic head element but not in contact with the magnetic recording medium, and the upstream of the energization of the current-carrying conductor is controlled by the detection signal from the external magnetic field detecting means to constantly provide MR sensing. A predetermined bias magnetic field is applied to the magnetic part.

〔作用〕[Effect]

上述したように本発明においては、外部磁界の検知手段
を設け、この検知出力によって當時MR感磁部に、所定
のバイアス磁界を与えるようにしたので磁気ヘッド素子
部においては、外部磁界によってその感度や直線性に変
動をきたすことなく、確実に磁気媒体上の記録信号の読
め出しを最良の状態で行うことができるものである。
As described above, in the present invention, an external magnetic field detection means is provided, and the detection output is used to apply a predetermined bias magnetic field to the MR magnetic sensing section. It is possible to reliably read signals recorded on a magnetic medium under the best conditions without causing any fluctuation in linearity or linearity.

〔実施例〕〔Example〕

第1図を参照して本発明によるMR型磁気ヘッド装置の
一例を説明する。この例においては、磁気記録媒体上の
複数のデータ1−ラックに対応して、これら対応する(
・ラック上の信号磁界、−づなわち記録信号を再生ずる
複数のMR磁気ヘッド素子りが配列された多トランク型
のデータトラック用再生磁気ヘッド素子部(18)が設
けられて成る。各磁気ヘッド素子りは、夫々第12図で
説明したと同一様の構成を採り得るものであるが各素子
りは、共通の基板(1)及び00間に形成される。そし
こ、このデータトランク用再生磁気ヘッド素子部(18
)の各素子りに対する通電導体(3)は、全素子りの全
MR感磁部(5)下を横切って延在する帯状導電膜を基
板(1)上に設けるごとによって構成し得る。
An example of an MR type magnetic head device according to the present invention will be explained with reference to FIG. In this example, the corresponding (
- A multi-trunk type data track reproducing magnetic head element section (18) is provided in which a plurality of MR magnetic head elements for reproducing the signal magnetic field on the rack, that is, the recorded signal, are arranged. Each magnetic head element can have the same structure as explained in FIG. 12, but each element is formed between a common substrate (1) and 00. Then, this data trunk reproduction magnetic head element section (18
) can be constructed by providing on the substrate (1) a strip-shaped conductive film extending across the bottom of all the MR magnetically sensitive parts (5) of all the elements.

第1図において、(17)は、夫々第15図で説明した
各MR感磁部(5)への検出電流iMRを得る電流源、
更に各感磁部(5)よりの再生出力を取り出すための回
路即ち各磁気ヘッド素子りに付随するコンデンサ(16
)、増幅器(14)等の回路部を全体としてボしたもの
である。そし°C1特に本発明においては、そのMR磁
気ヘッド素子りを有する再生磁気ヘッド素子部(18)
と近接して配置されるが、磁気媒体とは対接することが
ない位置に、外部磁界の検知手段(20)を設ける。
In FIG. 1, (17) is a current source that obtains the detection current iMR to each MR magnetic sensing part (5) explained in FIG. 15, respectively;
Furthermore, a circuit for extracting the reproduction output from each magnetic sensing part (5), that is, a capacitor (16) attached to each magnetic head element.
), amplifier (14), and other circuit parts are removed as a whole. In particular, in the present invention, the reproducing magnetic head element section (18) having the MR magnetic head element is
An external magnetic field detection means (20) is provided at a position close to the magnetic medium but not in contact with the magnetic medium.

この外部磁界の検知手段(20)は例えば再生磁気ヘッ
ド部(18)の各磁気ヘッド素子りと同様の構成と特性
を有する例えば対の外部磁界検出用のMR磁気ヘット°
素子hs1及びhS2より形成し得る。
This external magnetic field detection means (20) is, for example, a pair of MR magnetic heads for detecting external magnetic fields, which have the same configuration and characteristics as each magnetic head element of the reproducing magnetic head section (18).
It can be formed from elements hs1 and hS2.

ごれら素子hs1及びhs2は、磁気ヘッド素子部Hが
構成された、例えば第12図で説明した磁性基板fl)
及び保護基板aω間に挟み込んで形成し得る。この検知
手段(20)は、再生磁気ヘッド素子部(18)にでき
るだけ近接して同一の外部磁界H,を受けることができ
るようになすも、前述したように、磁気ヘソF部(18
)が対接する磁気媒体には対接することがない位置に配
置する。(25)は各素子hst及びhS2の各MR感
磁部で磁気−・ノド素子りのMR感磁部(5)に対応す
るものであり、また(23)はこれらMR感磁部(25
)に対して共通にバイアス磁界を与えるためにこれら感
磁部(25)下にさし渡って設けられた通電導体を模式
的にボしたもので、磁気ヘッド部(18)において共通
に設けられた通電導体(3)に対応するものである。
These elements hs1 and hs2 are the magnetic substrate fl (for example, described in FIG. 12) on which the magnetic head element section H is constructed.
and a protective substrate aω. The detecting means (20) is arranged as close as possible to the reproducing magnetic head element section (18) so that it can receive the same external magnetic field H.
) is placed in a position where it does not come into contact with the magnetic medium. (25) corresponds to the MR magnetic sensing part (5) of the magnetic node element in each MR magnetic sensing part of each element hst and hS2, and (23) corresponds to the MR magnetic sensing part (25) of each element hst and hS2.
) is a schematic illustration of the current-carrying conductor provided across the bottom of these magnetic sensing parts (25) in order to apply a common bias magnetic field to the magnetic head part (18). This corresponds to the current-carrying conductor (3).

各検知用MR磁気ヘッド素子hS1及びhS2は、その
各一端を接地し、各他端を夫々差動増幅器(21)の各
入力側に接続すると共に、これらを夫々共通の電源■s
に接続し、各素子hs1及びhS2の各MR感磁部(2
5)に検知すべき共通の外部磁界Haに関し、互いに逆
向きの検出電流is工。
Each of the sensing MR magnetic head elements hS1 and hS2 has one end grounded, and the other end connected to each input side of the differential amplifier (21), respectively, and connected to a common power source ■s.
connected to each MR magnetic sensing part (2) of each element hs1 and hS2.
5) With respect to the common external magnetic field Ha to be detected, the detection currents are in opposite directions.

is2を通ずるようにする。そして差動増幅器(21)
の出力を、電流ドライバー(22)に導入し、これより
得られた所要の電流tHを得て、これを再生磁気−・ノ
ド部(18)の電流導体(3)に通ずるバイアス電流i
soに重畳して導体(3)に供給する。一方、差動増幅
器(21)の一部の出力を電流トライハー(24)に供
給し、これよりの出力電流をiin電導体(23)に供
給するようになす。
is2 is passed through. and differential amplifier (21)
The output of
It is superimposed on so and is supplied to the conductor (3). On the other hand, a part of the output of the differential amplifier (21) is supplied to a current triher (24), and the output current from this is supplied to the iin conductor (23).

このような構成において、外部磁界11Nが与えられな
い状態で、データトラック再生磁気ヘッド素子部(1日
)の各MR感磁部(5)に、所要の検出電流iMnをり
、えた状態で、通電導体(3)から、各感何i部(5)
に最適の感度と曲線性が得られ乙直流バイアス(t3’
を界HROを5えるごとのできるバイアス電流isoを
設定する。一方、同様に夕1部研、界が与えられない状
態で検知手段(20)において電源■sによって各素子
hs□及びhS2のMR感磁部(25)に、所定の検出
電流is1及びis2を与え、この検出電流の通電に、
1って発生ずる各磁界によって各感磁部(25)自身に
夫々凸感度をボ場バイアス磁界か1萌えられるように設
定する。また、この構成において、外部磁界H,がり−
えられない状態では、差勅増1lvIl器(2I)から
の出力が、例えば0となるよう設定して、これより出力
電流が得りれないようになされ、再生磁気ヘッド素子部
(18)の通電導体(3)には上述した所定のバイアス
電流isoのみが5えられて所定の感度が得られるよう
になされる。
In such a configuration, when the external magnetic field 11N is not applied and the required detection current iMn is applied to each MR magnetic sensing part (5) of the data track reproduction magnetic head element part (1st), From the current-carrying conductor (3), each part (5)
Optimum sensitivity and curve characteristics can be obtained for DC bias (t3').
Set the bias current iso that can be obtained every 5 times the field HRO. On the other hand, in the same way, in the state where no field is applied, predetermined detection currents is1 and is2 are applied to the MR magnetic sensing parts (25) of each element hs□ and hS2 by the power supply ■s in the detection means (20). and to energize this detection current,
The convex sensitivity of each magnetic sensing part (25) is set so that it can be increased by 1 from the bo-field bias magnetic field by each magnetic field generated by 1. In addition, in this configuration, the external magnetic field H,
In a state where the output current cannot be obtained, the output from the differential power increaser (2I) is set to, for example, 0, so that no output current can be obtained from this, and the read magnetic head element section (18) is Only the above-mentioned predetermined bias current iso is applied to the current-carrying conductor (3) so that a predetermined sensitivity can be obtained.

この状態で、部体磁気ヘッド素子部(18)と検知手段
(20)とに共通の外部磁界H,が与えられると、これ
によ−2て検知手段(20)の各素子hst及びhs2
からの出力によって差動用vii器(21)から出力が
得られる。ごの出力は、電流ドライバー(22)に供給
され、これより外部磁界1−I Nに応じた外部磁界に
よる影響をキャンセルするためのキャンセル電流ipを
得る。ずなわち、データートラック再生用の磁気ヘット
素子部(18)の1ffi奄導体(3)に、1−述した
バイアス電流iBOに重畳してキャンセル電流1日を供
給することによって、外部磁界H,による各磁気ヘッド
素子りの各MR感磁部(5)への印加磁界の変動をキャ
ンセルさせる。
In this state, when a common external magnetic field H is applied to the magnetic head element section (18) and the detection means (20), each element hst and hs2 of the detection means (20) is affected by -2.
The output from the differential vii circuit (21) is obtained by the output from the differential circuit (21). The output of each is supplied to a current driver (22), from which a cancellation current ip for canceling the influence of the external magnetic field according to the external magnetic field 1-IN is obtained. That is, by supplying a cancellation current 1 day superimposed on the bias current iBO mentioned above to the 1FFI conductor (3) of the magnetic head element section (18) for data track reproduction, the external magnetic field H, This cancels fluctuations in the magnetic field applied to each MR magnetic sensing part (5) of each magnetic head element.

一方、差動増幅器(21)からの出力の一部を、電流ド
ライバー(24)に導入し、これより得た電流を検知手
段(20)の通電導体(23)に通電し、ごれによって
同様にこの手段(20)の各感磁部(25)に対する外
部θり界HHの影響をキャンセルさせる。
On the other hand, part of the output from the differential amplifier (21) is introduced into the current driver (24), and the current obtained from this is applied to the current-carrying conductor (23) of the detection means (20). The influence of the external θ field HH on each magnetic sensing portion (25) of this means (20) is canceled.

第1図にボした例では、各MR磁気ヘット素子り、hS
l、hsyに夫々直流バイアス磁界を辱えるよっにした
場合であるが、これらMR磁気ヘッド素子に、直流バイ
アス磁界に交流バイアス磁界を重畳させたバイアス磁界
を印加するとか交流バイアス磁界を印加するようになす
ごともできる。
In the example shown in Figure 1, each MR magnetic head element, hS
In the case where a DC bias magnetic field is applied to each of l and hsy, a bias magnetic field in which an AC bias magnetic field is superimposed on a DC bias magnetic field is applied to these MR magnetic head elements, or an AC bias magnetic field is applied to these MR magnetic head elements. I can do anything.

即も、このように、MR感磁部に交流、または、直流に
交流を重畳したバイアス磁界を与えるときは、MR(a
気ヘッド素子の温度依存性の減少や、直線性の向上、歪
の減少をはかることができるものである。先ず、このこ
とについて詳細に説明する。面、このようにMR感磁部
に、交流バイアス磁界、或いは直流に交流を重畳したバ
イアス磁界を与えるようにした構成は、本出願人の出願
に係る特願昭59−38980号において提案したとこ
ろである。
In this way, when applying an alternating current or a bias magnetic field in which alternating current is superimposed on direct current to the MR magnetic sensing part, MR(a
This makes it possible to reduce the temperature dependence of the optical head element, improve linearity, and reduce distortion. First, this will be explained in detail. On the other hand, the configuration in which an alternating current bias magnetic field or a bias magnetic field obtained by superimposing an alternating current on a direct current is applied to the MR magnetic sensing part was proposed in Japanese Patent Application No. 1983-38980 filed by the present applicant. be.

すなわち、今、MR感磁部(5)に関する動作特性を再
び第13図を参照し゛ζ考察するに、MRF3磁部には
、前述したように所定のバイアス磁界JIBが%えられ
、この状態で、第13図において符号(26)を付して
ボす磁気媒体から信号磁界が与えられるようにして、こ
れに応じて同図中符号(27)で示す抵抗41η変化に
よる出力を得るようにし′ζいる。
That is, considering the operating characteristics of the MR magnetic sensing part (5) again with reference to FIG. , a signal magnetic field is applied from the magnetic medium indicated by the symbol (26) in FIG. There is ζ.

しかしながらこの場合、信号磁界の大きさが大となるほ
ど2次西調gL走は大となる。
However, in this case, the larger the magnitude of the signal magnetic field is, the larger the secondary west-key gL run becomes.

また、上述のMR型磁気ヘッド装置における第15図の
A点の電(Sンは、MR%磁部(51(25)の抵抗の
固定分と変化分との合成によって決る電位となるが、こ
の場合、その固定分は98%程度にも及ぶものであり、
この抵抗の固定分の温度依存性が大きいので、A点にお
ける電位のi’fA度ドリノドリフトいという欠点があ
る。このMR感磁部の抵抗値Rは、 R=Ro  (1+cx cns2θ)     ・−
1ll(ここにRoは抵抗の固定分、αは最大抵抗変化
率、θはMR感磁部における電流方向と磁化方向とのな
す角)で表されるものであり、例えばMR感磁部が、8
1Nト」9Fe (パーマロイ)合金による厚さ250
人のMR磁性薄膜より成る場合のαの実測値はα−0,
017稈度である。ごのαの値は、MR感感磁へMR磁
性M!腺の膜厚や材料によって多少の相違はあるものの
高々α−0,05程度である。
In addition, the electric potential (S) at point A in FIG. 15 in the above-mentioned MR type magnetic head device is determined by the combination of the fixed resistance and the variable resistance of the MR% magnetic section (51 (25)). In this case, the fixed portion is about 98%,
Since the fixed portion of this resistance has a large temperature dependence, there is a drawback that the potential at point A drifts by degrees i'fA. The resistance value R of this MR magnetic sensing part is R=Ro (1+cx cns2θ) ・-
1ll (where Ro is the fixed resistance, α is the maximum resistance change rate, and θ is the angle between the current direction and the magnetization direction in the MR magnetic sensing part). For example, if the MR magnetic sensing part is 8
Thickness 250 by 1N 9Fe (permalloy) alloy
The actual measured value of α in the case of a human MR magnetic thin film is α−0,
It has a culm degree of 017. The value of α is MR magnetic M! Although there are some differences depending on the membrane thickness and material of the gland, it is approximately α-0.05 at most.

一方、このRoは Ro =Ri  (1+aΔt)      ・・・(
21(ごごにR4は抵抗の初期値で、aは温度係数、Δ
tは温度変化分)で与えられるものであり上述のMR感
感磁へ例における温度係数aの実測値は、a = 0.
0027/ deg程度である。このことは直流磁界の
検出において大きなノイズとなる。
On the other hand, this Ro is Ro = Ri (1+aΔt)...(
21 (Please note that R4 is the initial value of resistance, a is the temperature coefficient, Δ
t is the temperature change), and the actual measured value of the temperature coefficient a in the above-mentioned MR magnetic sensing example is a = 0.
It is about 0027/deg. This results in large noise in detecting a DC magnetic field.

更にまた、この種のMRR磁気ヘッド素子による場合、
上述したようにその温度係数が大きいために、例えばM
R感感磁への通電、或いはバイアス通電導体+31 (
23)へのバイアス電流等によって発生する熱がヘッド
部の磁気媒体との摺接による不安定な放熱によってヘッ
ドの温度が変化する場合、大きなノイズ、所謂摺動ノイ
ズを生ずることになる。
Furthermore, in the case of this type of MRR magnetic head element,
As mentioned above, since its temperature coefficient is large, for example, M
Energization to R magnetic sensitivity or bias energization conductor +31 (
If the temperature of the head changes due to unstable heat dissipation due to heat generated by bias current or the like applied to the magnetic medium by sliding contact between the head section and the magnetic medium, large noise, so-called sliding noise, will be generated.

また、第15図の構成における増幅器(14)が低イン
ピーダンス入力の場合、コンデンサ(16)によるカッ
トオフ周波数をfoとすると、ごのコンデンサ(16)
に必要な容縫Cは、 Cフ□−・・・(3) Rω 0 (ωo=2πfo)となる。今、MR感感磁へ前述した
厚さ 250人のパーマロイより成り、その長すが50
μmとすると、その抵抗値Rは120Ω程度となるので
、fo−1kHzとすると、C=  1.3μFという
大きな値のものが必要となり、特にマルチトラック型の
磁気ヘッド素子部を構成する場合問題となるものである
Furthermore, if the amplifier (14) in the configuration shown in FIG. 15 has a low impedance input, and the cutoff frequency of the capacitor (16) is fo, then
The required stitch C is as follows: Cfu□-...(3) Rω 0 (ωo=2πfo). Now, the MR magnetic sensing material is made of permalloy with a thickness of 250 mm and a length of 50 mm.
If it is μm, the resistance value R will be about 120Ω, so if fo-1kHz, a large value of C=1.3μF is required, which is a problem especially when constructing a multi-track type magnetic head element section. It is what it is.

また、磁気回路における透磁率、特に比較的肉薄で断面
積が小さい磁性層(7)及び(8)における透磁率は、
これができるだけ人であることが望まれ、この透磁率は
外部磁界が零のとき最大となるので、−上述したような
バイアス磁界を与えることは透磁率の低下を招来する。
In addition, the magnetic permeability in the magnetic circuit, especially in the magnetic layers (7) and (8) which are relatively thin and have a small cross-sectional area, is
It is desirable that this be a human body as much as possible, and since this magnetic permeability is at its maximum when the external magnetic field is zero, applying a bias magnetic field as described above will result in a decrease in magnetic permeability.

このような諸欠点の解消ないしは改善は、次に説明する
構成によってはかることができる。
Elimination or improvement of these various drawbacks can be achieved by the configuration described below.

すなわち、第2図にボずように、ヘッド素子りの通電導
体(31(23)に、直流バイアス電流isoに重畳し
てMJ周波数fcの小さい交流バイアス電流i^を通じ
、高周波磁場をMR感感磁へ51 (25)に・bたえ
る。ここに交流バイアス電流i^の波形、したがって交
流磁界の波形は+E弦波、矩形波等を問わないものであ
る。このようにしてMR感感磁へ直流バイアス磁界に重
畳した交流バイアス磁界が与えられるので、このMR感
感磁へ両端間、すなわち第2図におけるA点には周波数
fcの交流信号が取り出される。第3図Aは、通電導体
−・の直流バイアス電流ieoによってMR感感磁へ外
部からりえた外部直流バイアス磁界1(R,と、MR感
感磁への検出電流によって発生した自己バイアス磁界H
HRとの総和による総直流バイアス磁界H)1と、信号
磁界H8に交流電流iAによる交流バイアス磁界HAが
1tねられた状態での・肋作をボしている。ここで交流
バイアス磁界HAの変化分ΔHが小さい時には、成る瞬
間での交流バイアス磁界の変化に対する抵抗変化の大き
さΔRは、第3図への曲線の微分の絶対値として得られ
る。すなわち、2次曲線の微分であるから、第3図Bに
示すように、総直流バイアス磁界14Bと16号磁界H
Sの大きさに対して出力たる抵抗変化分は原理的に直線
となる。したがって第2図におけるA点に1%られる交
流信号の大きさは、総直流バイアス磁界HBと、磁気記
録媒体からの信号磁界の相の変化に応じて変化した出力
となる。そして、この出力は、第2図にボずように上述
した周波数成分[Cを通ず韮域通過フィルタ(30)を
通し、整流器(31)によって整流し、低域通過フィル
タ(32)を通過させるものであり、このようにすれば
、磁気媒体からの信号磁界に応した出力がとり出せる。
That is, as shown in Fig. 2, a high-frequency magnetic field is applied to the MR sensing conductor (31 (23)) of the head element by passing an AC bias current i^ with a small MJ frequency fc superimposed on a DC bias current iso. 51 (25) to the magnetic field.Here, the waveform of the AC bias current i^, and thus the waveform of the AC magnetic field, does not matter whether it is a +E string wave, a rectangular wave, etc.In this way, MR magnetic sensing Since an AC bias magnetic field superimposed on a DC bias magnetic field is applied to the MR sensor, an AC signal with a frequency fc is extracted between both ends of the MR magnetic sensor, that is, at point A in FIG. 2.A in FIG. The external DC bias magnetic field 1 (R,) applied to the MR magnetic sensor from the outside by the DC bias current ieo of -, and the self-bias magnetic field H generated by the detection current to the MR magnetic sensor
The total DC bias magnetic field H)1 resulting from the sum of HR and AC bias magnetic field HA due to the AC current iA is applied to the signal magnetic field H8 by 1t. Here, when the amount of change ΔH in the AC bias magnetic field HA is small, the magnitude of the resistance change ΔR with respect to the change in the AC bias magnetic field at the instant of change is obtained as the absolute value of the differential of the curve in FIG. In other words, since it is a derivative of a quadratic curve, as shown in FIG. 3B, the total DC bias magnetic field 14B and No. 16 magnetic field H
In principle, the change in resistance, which is the output, is a straight line with respect to the magnitude of S. Therefore, the magnitude of the AC signal that is 1% added to point A in FIG. 2 becomes an output that changes in accordance with the total DC bias magnetic field HB and the change in phase of the signal magnetic field from the magnetic recording medium. As shown in Fig. 2, this output passes through the above-mentioned frequency component [C, passes through the narrow pass filter (30), is rectified by the rectifier (31), and passes through the low pass filter (32). In this way, an output corresponding to the signal magnetic field from the magnetic medium can be obtained.

この場合、交流電流晶の周波数fcは、今例えは最終的
に出力端子(15)から得る出力の帯域が0〜100k
llz必要である場合これより充分商い周波数の例えば
rc−IMhにずれば良い。この場合面域通過フィルタ
(30)は低域カットオフ周波数を100k)Izより
晶<、且つfcの例えばIMIIzより低い例えば50
0K)Izに選んでおくものとする。そして、これより
の出力を前述したように整流器(31)によっ°C整流
して後、カットオフ周波数が100にHy、の低域通過
フィルタ(32)に通ず。このように4゛ればO〜10
0Ktlzの帯域の信号が得られる。
In this case, the frequency fc of the alternating current crystal is such that the band of output finally obtained from the output terminal (15) is 0 to 100k.
If llz is necessary, it may be shifted to a sufficiently lower frequency than this, for example, rc-IMh. In this case, the plane pass filter (30) has a low cutoff frequency of 100k) which is lower than Iz, and is lower than fc, for example IMIIz, for example 50k.
0K) Iz. Then, the output from this is rectified by the rectifier (31) as described above, and then passed through the low-pass filter (32) with a cutoff frequency of 100 Hy. If it is 4 like this, it is O~10
A signal in the 0Ktlz band is obtained.

4゛なわち、このような構成による磁気ヘッド装置にお
いては第4図Aに承す磁界(信号磁界Hs+総直流バイ
アス磁界■]B)が、MR感磁部に与えられた場合、第
2図における!jλBにおいては第4図Bにボずように
、いわば周波数〔Cのキーレリアを信号で振拓1変凋し
た出力が得られ、第4図Cにボずよパ)に出力端子(1
5)においては、信号磁界Hsに応した出力がとり出さ
れる。
4. That is, in a magnetic head device with such a configuration, when the magnetic field shown in FIG. In! In the case of jλB, as shown in Fig. 4B, an output is obtained in which the key real estate of the frequency [C is changed by 1 by the signal, and the output terminal (1
In step 5), an output corresponding to the signal magnetic field Hs is extracted.

このようにして、M R感磁部の本来の2次曲線による
動作特性の微分に相当する直線的動作特性による出力が
とり出されるので、歪のない再生信号をとり出すことが
できるものである。
In this way, an output with a linear operating characteristic corresponding to the differentiation of the original quadratic curve operating characteristic of the MR magnetic sensing section is obtained, so a reproduced signal without distortion can be obtained. .

また、前述したように、MR感磁部の抵抗の固定分につ
いて温度依存性が大であっても、この構成によるときは
、MR感磁部の動作特性曲線を微分した特性によってい
るので、この固定分の依存!11:による影響を排除で
き、温度ドリフトを格段に低減化することができる。
Furthermore, as mentioned above, even if the fixed resistance of the MR magnetic sensing section has a large temperature dependence, this configuration is based on the characteristics obtained by differentiating the operating characteristic curve of the MR magnetic sensing section. Depends on the fixed amount! 11: can be eliminated, and temperature drift can be significantly reduced.

史に、また上述したようにMR感磁部の(1(抗の固定
分の温度依存性を排除したことによって磁気媒体との摺
動によるノイズの改善もはかられる。
Additionally, as mentioned above, noise caused by sliding with the magnetic medium can be improved by eliminating the temperature dependence of the fixed resistance of the MR magnetic sensing section (1).

また、コンデンサ(16)は、周波数fcさえ通せは良
いから、例えばf c = 500KHzとすると、こ
のコンデンサ(16)の容量Cは、C= 1600pF
で良いごとになる。そして、このrcを史にFげれば、
ごの容9Cは史に小さくできるものである。
Also, since the capacitor (16) can only pass the frequency fc, for example, if f c = 500KHz, the capacitance C of this capacitor (16) is C = 1600pF.
It will be a good thing. And if you send this rc to history,
Its size, 9C, can be made smaller than ever before.

145図は交流バイアスによる場合の他の例の構成図で
この例では通電導体(3) (23)には交流バイアス
電流のみを供給させた場合である。第5図において第4
図と対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略
する。第6図は、この場合の動作特性曲線図である。こ
の図において、実線曲線(61)が、実際のR−H動作
特性曲線であるが、この特性の2次曲線部分を外挿する
と破線図示のようになり、これによる最小抵抗値Rmi
nを不ず磁界が十HO及び−1(oである。第6図に示
したように、この例では信号磁界Hsに重畳して交流バ
イアス磁界11^が与えられる。この時、極性と信号磁
界の大きさとに対応して交流バイアス磁界に応じたMR
感磁部の抵抗変化が得られる。
FIG. 145 is a block diagram of another example in which an AC bias is used. In this example, only an AC bias current is supplied to the current-carrying conductors (3) (23). 4 in Figure 5
Portions corresponding to those in the figures are designated by the same reference numerals and redundant explanation will be omitted. FIG. 6 is an operating characteristic curve diagram in this case. In this figure, the solid line curve (61) is the actual R-H operating characteristic curve, but if the quadratic curve part of this characteristic is extrapolated, it becomes as shown by the broken line, and the minimum resistance value Rmi
The magnetic field is 1 HO and -1 (o) without n. As shown in Fig. 6, in this example, an alternating current bias magnetic field 11^ is superimposed on the signal magnetic field Hs. MR according to the AC bias magnetic field depending on the magnitude of the magnetic field
Changes in resistance of the magnetically sensitive part can be obtained.

この場合MR動作特性曲線は2次曲線で、このMR感磁
部の抵抗値RMRは、次のように表される。
In this case, the MR operating characteristic curve is a quadratic curve, and the resistance value RMR of this MR magnetic sensing part is expressed as follows.

ごごに、ΔRmax −Rmax −Rminである。For example, ΔRmax - Rmax - Rmin.

ここでMR感磁部に、磁界Hが与えられる。この磁界H
は交流バイアス磁界H^(11と、信号磁界H5(tl
との和で表される。すなわち H(tl= HA (t)+ Hs (jl     
  −−・+5)ここにHA(11は、通電導体(31
(23)によって作り出され 1((tl  Hp、 ・5in(ωc t)    
・−・(61に設定される。ここに ωC−2πfc           ・・・(7)M
R感磁部の出力V ttlは、MR検出電流をinRと
すると、 V(tl −i Mn−RsR・・・(8)であり、上
記(4) 、 +5) 、 +6)式から次のよりに表
される。
Here, a magnetic field H is applied to the MR magnetic sensing section. This magnetic field H
is the AC bias magnetic field H^ (11) and the signal magnetic field H5 (tl
It is expressed as the sum of That is, H(tl= HA (t)+ Hs (jl
--・+5) Here HA (11 is a current-carrying conductor (31
(23) and 1((tl Hp, ・5in(ωc t)
・-・(Set to 61.Here ωC−2πfc ・・・(7)M
The output V ttl of the R magnetic sensing part is V(tl −i Mn−RsR...(8) where the MR detection current is inR), and from the above equations (4), +5), +6), it can be calculated as follows: is expressed in

ΔRmax V(t)−i HR−Rma’x −i MR・−Ho
′ X  (I(AO2・sin’ (L) t +2HA
O−H3(tlXsin(ωL)+(H3(11)J 
  ・−−+c+)次に、ごのV ttlと、交流バイ
アス磁界I(^と同相同周波数の信号、例えばsin 
(ωt)を乗算器(52)によって乗算する。その出力
V z ft)は、V z (tlは、 V z (t)= Vltl・ sin (ωt)= 
iHB−Rmax−sin(ωt)+ 2+1AO−H
s(tl ・sir+ (ωt )+ (Hs (tl
)21  ・sin (ωL )  ・・−(101そ
して、これを低域通過フィルタ(32)に通ずると、弐
00)においてω成分を有する項は、排除される。ずな
わぢ iHR−Rmax −sin (ωt) →0 −・・
(If)HAO’  ・5in2(ωl) xsin(ω1)) →0      ・・・ (12
)2tlA□−Hs(t) ・5in2(ωt)=HA
O・)(S(ti  (t −cos(2ωt)1→H
Ao−Hs(t)・・・(13) (Hs (t)) ’ ・ sin (ωt)→0 ・
・・ (14)しまたがって、端子(15)で得られる
出力電圧V o fl)は、 V o ft)−j MR’ΔRmaxとなり、信号磁
界H8(t)に比例する電圧が得られる。尚、この場合
、乗算器(52)への入力に、信号磁界成分H5(tl
が含まれていても出力には出てこないので高域通過フィ
ルタ(30)は必ずしも要らないものである。
ΔRmax V(t)-i HR-Rmax'x-i MR・-Ho
' X (I(AO2・sin' (L) t +2HA
O−H3(tlXsin(ωL)+(H3(11)J
・−−+c+) Next, V ttl and a signal of the same phase and frequency as the AC bias magnetic field I (^, e.g. sin
(ωt) is multiplied by a multiplier (52). Its output V z ft) is V z (tl is V z (t)=Vltl・sin (ωt)=
iHB-Rmax-sin(ωt)+2+1AO-H
s(tl ・sir+ (ωt )+ (Hs (tl
)21 ·sin (ωL) ···−(101) Then, when this is passed through the low-pass filter (32), the term having the ω component in 200) is eliminated. ZunawajiHR-Rmax -sin (ωt) →0 -・・
(If)HAO' ・5in2(ωl) xsin(ω1)) →0 ・・・ (12
)2tlA□-Hs(t) ・5in2(ωt)=HA
O・)(S(ti (t −cos(2ωt)1→H
Ao-Hs (t)...(13) (Hs (t)) ' ・ sin (ωt) → 0 ・
...(14) Across the range, the output voltage Vofl) obtained at the terminal (15) is Voft)-jMR'ΔRmax, and a voltage proportional to the signal magnetic field H8(t) is obtained. In this case, the signal magnetic field component H5 (tl
Even if it is included, it does not appear in the output, so the high-pass filter (30) is not necessarily required.

上述の構成によれば、外部磁界の極性に応じた出力をと
りだせることになり、第2図の例と同様の利点に加え゛
ζダイナミックレンジが大となるという利点がある。ま
た、この場合、磁気的バイアスを交流成分のみとするこ
とによって直流バイアスによる磁気回路の透磁率低−ト
を回避できる利益もある。
According to the above-mentioned configuration, it is possible to output an output according to the polarity of the external magnetic field, and in addition to the same advantages as the example shown in FIG. 2, there is an advantage that the dynamic range becomes large. Further, in this case, there is an advantage that by using only the alternating current component as the magnetic bias, it is possible to avoid low permeability of the magnetic circuit due to the direct current bias.

第7図は、本発明装置におい°C1外部磁界検知手段(
20)に第5図で説明した交流バイアス方式を採った場
合で、この場合は、外部磁界検知用のM R磁気ヘッド
素子としては第1図ご説明したような対のMR磁気ヘッ
ド素子による差動構成を採ることなく、1つのMR&を
気ヘット素イhsによって構成することができるもの−
Cある。尚、第7図において、第1図及び第2図と対応
する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
Figure 7 shows the °C1 external magnetic field detection means (
20), when the AC bias method explained in Fig. 5 is adopted, and in this case, the MR magnetic head element for detecting the external magnetic field is the difference between the pair of MR magnetic head elements as explained in Fig. 1. A single MR& can be configured by a simple head without using a dynamic configuration.
There is C. In FIG. 7, parts corresponding to those in FIGS. 1 and 2 are designated by the same reference numerals, and redundant explanation will be omitted.

この場合、外部磁界検知手段(20)の出力側に差動増
幅器(70)が設けられ、これが、オフセット手段(7
1)の調整によって外部磁界H,が与えられない状態で
、データトラック川の磁気ヘッド素子部(18)と外部
磁界検知手段(20)とのMR磁気ヘッド素子り及びh
sの1lll奄導体(3)及び(23)に夫々所要のバ
イアス電流iBoがり−えられるように設定される。(
73)は加算器で、差動増幅器(70)よりの一部の出
力電流が周波数fcの交流バイアス電源(73)からの
交流バイアス電流に加えられて、通電導体(23)に与
えられる。(74)及び(75)は各通電導体(31及
び(23)の各電流供給路に設けられた携抗で、これら
によって差動増1陥器(70)からの出力を所定の比に
設定させる。
In this case, a differential amplifier (70) is provided on the output side of the external magnetic field detection means (20), and this
With the adjustment in step 1), the MR magnetic head element between the magnetic head element section (18) of the data track and the external magnetic field detection means (20) is adjusted in a state where no external magnetic field H is applied.
It is set so that a required bias current iBo is applied to each of the 1llll conductors (3) and (23) of s. (
73) is an adder in which a part of the output current from the differential amplifier (70) is added to the AC bias current from the AC bias power supply (73) of frequency fc, and the result is applied to the current-carrying conductor (23). (74) and (75) are resistors provided in each current supply path of each current-carrying conductor (31 and (23)), which set the output from the differential amplifier (70) to a predetermined ratio. let

このような構成によれば、外部磁界H,が与えられたと
き、検出手段(20)の磁気ヘッド素子hsよりこれに
応じた出力がとり出され、差動増幅器(70)から、こ
の外部磁界HHの変動分に応じた出力電流が得られこれ
が、データトラック用再生磁気ヘッド素子部(18)の
通電導体(3)に供給されると共に検出手段(20)の
磁気ヘット素子hsの通電導体(23)に供給すなわち
フィートハックされる。このようにして外部磁界HNに
よる各磁気ヘッド素子り及びIIsの感磁部(3)及び
(23)への実質的バイアス磁界の変動をキャンセルす
るようにすることができる。
According to such a configuration, when an external magnetic field H is applied, a corresponding output is taken out from the magnetic head element hs of the detection means (20), and the output from the differential amplifier (70) is output from the external magnetic field H. An output current corresponding to the variation in HH is obtained, and this is supplied to the current-carrying conductor (3) of the data track reproducing magnetic head element section (18) and the current-carrying conductor (3) of the magnetic head element hs of the detection means (20). 23) is fed or foot hacked. In this way, it is possible to cancel the fluctuations in the actual bias magnetic field caused by the external magnetic field HN to each magnetic head element and the magnetic sensing parts (3) and (23) of IIs.

面、第7図の例では、差動増幅器(70)からの出力を
、外部磁界検知用の磁気ヘッド素子hsにフィードハッ
クした場合であるが、第8図にノl〈ずように差動増幅
器(70)としてこれ自体に自己の出力による利得調整
手段(76)が設けられた構成とするときは、上述した
素子hsに対するフィードバック路を省略することがで
きる。尚、この第8図において第7図と対応する部分に
同一符号を付してM複説明を省略する。
In the example shown in FIG. 7, the output from the differential amplifier (70) is feed-hacked to the magnetic head element hs for detecting an external magnetic field, but in the example shown in FIG. When the amplifier (70) itself is provided with a gain adjustment means (76) based on its own output, the feedback path for the above-mentioned element hs can be omitted. In FIG. 8, parts corresponding to those in FIG. 7 are designated by the same reference numerals, and redundant explanation will be omitted.

また、第9図は本発明装置の更に他の例をホすもので、
第7図と対応する部分には同一符号を付 。
Moreover, FIG. 9 shows still another example of the device of the present invention,
Parts corresponding to those in Fig. 7 are given the same reference numerals.

して重複説明を省略するが、この例においては、外部磁
界ヰ愛知手段(20)の外部磁界検知用磁気ヘッド素子
hsにおいて、ぞのMR感磁部(25)に交流バイアス
磁界を与える通電導体(23a )とは別にデータトラ
ック再生用磁気ヘソF’素子りにおける通電導体(3)
から延長しな通電導体(23b)を設け、これによって
MR13磁部(25)に対する外部磁界H,によるバイ
アス変動をキャンセルするようになすことができる。こ
のようにすれば第8図の例と同様に、磁気ヘッド素子h
sに対するフィートハソクのその回;洛を省略すること
ができる。
Although redundant explanation will be omitted, in this example, in the external magnetic field detection magnetic head element hs of the external magnetic field detection means (20), a current-carrying conductor that applies an AC bias magnetic field to the MR magnetic sensing section (25) is used. In addition to (23a), the current-carrying conductor (3) in the magnetic F' element for data track reproduction
A current-carrying conductor (23b) is provided extending from the MR 13 magnetic part (25), thereby canceling out bias fluctuations caused by the external magnetic field H on the MR 13 magnetic part (25). If this is done, the magnetic head element h
That time of feet hassoku for s; Raku can be omitted.

面、この場合の外部磁界検知用磁気ヘッド素子hsは、
第1O図にボずように、素子hsの磁気回路を構成する
例えばMR感磁部(25)と磁性層(8)ドを横切って
1ffi 電i、’fL体(23a )及び(23b 
)を配置する。この第10図において第12図と対応す
る部分には、同一符号を付し゛(重複説明を省略する。
In this case, the magnetic head element hs for detecting an external magnetic field is
As illustrated in FIG.
). In FIG. 10, parts corresponding to those in FIG. 12 are designated by the same reference numerals (repeated explanation will be omitted).

また、第11図は本発明装置の史に他の例をボす構成図
で、この例においては、データトラック再生用磁気ヘッ
ド素子部(1B)の各トラックのMR磁気ヘット素子り
に関しても交流バイアス磁界をり−える構成を採った場
合で、第11図において第7図と対応する部分には同一
符号を付して重複説明を省略する。図中(77)は各M
R磁気ヘッド素子り及びhsに対応して設けられた出力
回路である。
FIG. 11 is a block diagram showing another example in the history of the device of the present invention. In this example, the MR magnetic head element of each track of the data track reproducing magnetic head element section (1B) is also In the case where a configuration in which the bias magnetic field can be changed is adopted, parts in FIG. 11 corresponding to those in FIG. 7 are given the same reference numerals and redundant explanation will be omitted. (77) in the figure indicates each M
This is an output circuit provided corresponding to the R magnetic head element and hs.

また、この例においては、外部磁界検知手段気ヘッド素
子hsの通電導体(23)を、データトラック再生用磁
気ヘッド素子部(IH)の通電導体(3)より延1しし
て電気的共通に構成した場合である。
Further, in this example, the current-carrying conductor (23) of the external magnetic field detecting means head element hs is extended from the current-carrying conductor (3) of the data track reproducing magnetic head element section (IH) to be electrically common. This is the case when configured.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

h述したように本発明においては、データトランク再生
用磁気671部(18)の近傍にこれとほぼ同条件の外
部磁界、オなわも不要な外部からの雑音磁界HNを受け
ることができるように、外部磁界検知手段(20)を設
け、これによってデータトラック再生用磁気ヘッド部(
18)の通電導体(3)への通電Pを制御し゛(各バイ
アス磁界が不要な外部磁界H,によ、ってバイアス状態
が変動j°るごとを排除するようにしたので8′に最良
の感度と直線性が得られる安定した状態で動作させるこ
とができるものである。
As mentioned above, in the present invention, an external magnetic field under almost the same conditions as the magnetic field 671 (18) for data trunk reproduction, as well as an unnecessary external noise magnetic field HN, can be received in the vicinity of the magnetic section 671 (18) for data trunk reproduction. , an external magnetic field detection means (20) is provided, whereby the data track reproducing magnetic head section (
The energization P to the current-carrying conductor (3) of 18) is controlled to eliminate fluctuations in the bias state caused by unnecessary external magnetic fields H, so that the best results for 8' It is possible to operate in a stable state with sensitivity and linearity of .

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図、第7図、第8図、第9図及び第11図は夫々本
発明による磁気抵抗効果型磁気ヘッド装置の各別の構成
図、第2図はその説明に供するバイアス磁界の供給態様
と出力回路の一例を示すブロック図、第3図はその説明
に供する動作図、第4図は間様の説明に供する図、第5
図はバイアス磁界の供給態様と出力回路の他の例をボオ
ブロック図、第6図はその説明に供する動作図、第10
図は外部磁界検知用磁気ヘッド素子の路線的拡大断面図
、第12図は磁気抵抗効果型磁気ヘッド素子の一例の路
線的拡大断面図、第13図及び第14図は夫々その説明
に供する動作特性曲線図及び感度特性曲線図、第15図
は従来の磁気ヘッド装置の構成を示すブロック図、第1
6図はその説明に供する感度特性曲線図である。 (18)はデータートラック再生用磁気ヘッド素子部、
hはMR磁気ヘッド素子、l(、は外部磁界、(20)
は外部磁界検知手段、h:;、hSt及びhsyは外部
磁界検知用MR磁気ヘット素子、(5)及び(25)は
MR感磁部、(31、(23) 、  (23a )及
び(23)は通電導体、(16)は直流用1F用コンデ
ンサ、(31)は整流器、(21)及び(71)は差動
増幅器、(30)は高域通過フィルタ、(32)は低域
通過フィルタ、(52)は乗算器、(73)は交流′電
源である。 第4図 第5図 第6図 ^−−−−−−−−− MR4肱気八・へド1−1Hp
t−−−−−−−・外部76六早 5j[l/−25−−−−MR感石庇1l120−  
・−・−−一贅;L番 2f−−−−−−−−fi動4?!咎 JO−−−−−−−あす数−1M邑バ々ルりJ2 ・−
・−−−−−1hZkJu!L1ttレタ52・−−−
−・−重N!!# 70−−−−−一差動槽すW暦 71−−−−−−・オフ(ットf段 72−−−−−−−11rJ葺馨 第10図 第12図 5MRaA五翫か 第11図 72′ 第13図 第14図 第15図 第16図
FIG. 1, FIG. 7, FIG. 8, FIG. 9, and FIG. 11 are respective configuration diagrams of a magnetoresistive magnetic head device according to the present invention, and FIG. 2 is a bias magnetic field supply for explaining the same. A block diagram showing an example of the mode and output circuit, FIG. 3 is an operation diagram for explaining the mode, FIG. 4 is a diagram for explaining the mode, and FIG.
The figure shows another example of the supply mode of the bias magnetic field and the output circuit.
The figure is an enlarged linear cross-sectional view of a magnetic head element for detecting an external magnetic field, FIG. 12 is an enlarged linear cross-sectional view of an example of a magnetoresistive magnetic head element, and FIGS. 13 and 14 illustrate the operation thereof A characteristic curve diagram and a sensitivity characteristic curve diagram; FIG. 15 is a block diagram showing the configuration of a conventional magnetic head device;
FIG. 6 is a sensitivity characteristic curve diagram for explaining this. (18) is a magnetic head element section for data track reproduction;
h is the MR magnetic head element, l(, is the external magnetic field, (20)
, hSt and hsy are MR magnetic head elements for external magnetic field detection, (5) and (25) are MR magnetic sensing parts, (31, (23), (23a) and (23) is a current-carrying conductor, (16) is a DC 1F capacitor, (31) is a rectifier, (21) and (71) are differential amplifiers, (30) is a high-pass filter, (32) is a low-pass filter, (52) is a multiplier, and (73) is an AC' power supply.
t-------- External 76 Rokuhaya 5j [l/-25---MR stone eaves 1l120-
・-・--Ichigo; L number 2f-----fi motion 4? ! Toga JO---Number of tomorrow-1M village barri J2 ・-
・---1hZkJu! L1tt letter 52・---
-・- Heavy N! ! # 70 -----1 differential tank W calendar 71 ------- Off (cut f stage 72 --------11rJ 11 Figure 72' Figure 13 Figure 14 Figure 15 Figure 16

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 磁気抵抗効果を有する感磁部とこれにバイアス磁界を与
える通電導体とを具備し磁気記録媒体上の記録信号を再
生する磁気ヘッド素子部と、外部磁界の検知手段とより
成り、この検知手段からの検知出力によって上記通電導
体への通電電流を制御して上記バイアス磁界を制御する
ようにした磁気抵抗効果型磁気ヘッド装置。
It consists of a magnetic head element section that is equipped with a magnetic sensing section having a magnetoresistive effect and a current-carrying conductor that applies a bias magnetic field to the magnetic head element section and that reproduces recorded signals on a magnetic recording medium, and means for detecting an external magnetic field. A magnetoresistive magnetic head device, wherein the bias magnetic field is controlled by controlling the current flowing through the current-carrying conductor based on the detection output of the magnetoresistive magnetic head device.
JP20930384A 1984-08-27 1984-10-05 Magneto-resistance effect type magnetic head device Granted JPS6187215A (en)

Priority Applications (5)

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JP20930384A JPS6187215A (en) 1984-10-05 1984-10-05 Magneto-resistance effect type magnetic head device
CA000489332A CA1248222A (en) 1984-08-27 1985-08-23 Magnetic transducer head utilizing magnetoresistance effect
DE8585110712T DE3583088D1 (en) 1984-08-27 1985-08-26 MAGNETIC HEAD WITH MAGNETIC RESISTANCE EFFECT.
EP85110712A EP0173942B1 (en) 1984-08-27 1985-08-26 Magnetoresistance effect type magnetic head apparatus
US06/769,937 US4691259A (en) 1984-08-27 1985-08-27 Magnetic transducer head utilizing magnetoresistance effect

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JPH0542730B2 JPH0542730B2 (en) 1993-06-29

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7196881B2 (en) 2004-03-08 2007-03-27 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Adaptive domain stabilization for magnetic recording read sensors

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US7196881B2 (en) 2004-03-08 2007-03-27 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Adaptive domain stabilization for magnetic recording read sensors

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