JPS6187316A - 埋め込みシリコン膜の製造方法 - Google Patents
埋め込みシリコン膜の製造方法Info
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- JPS6187316A JPS6187316A JP59209079A JP20907984A JPS6187316A JP S6187316 A JPS6187316 A JP S6187316A JP 59209079 A JP59209079 A JP 59209079A JP 20907984 A JP20907984 A JP 20907984A JP S6187316 A JPS6187316 A JP S6187316A
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- film
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- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
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- H10P14/3802—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10P14/2901—Materials
- H10P14/2922—Materials being non-crystalline insulating materials, e.g. glass or polymers
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- H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
- H10P14/3404—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being Group IVA materials
- H10P14/3411—Silicon, silicon germanium or germanium
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は、絶縁物基板上に、絶縁＊ｌｉ！で覆われたシ
リコン膜を形成する方法に係わり、特に、電子回路や集
積回路あるいは光集積回路等の溝収に有用な高品質の埋
め込みシリコン膜の製造方法に関するものである。
リコン膜を形成する方法に係わり、特に、電子回路や集
積回路あるいは光集積回路等の溝収に有用な高品質の埋
め込みシリコン膜の製造方法に関するものである。
「従来の技術」
石英ガラス（Ｓ ＋ Ｏｘ ）等の絶縁物基板上に、高
品質のシリコン膜を形成し、さらに、このシリコン膜を
絶縁物膜で被覆する技術は、高耐圧トランジスタ等の電
子素子や、平面表示素子、さらには将来の三次元集積回
路や光集積回路を製造するうえで、きわめて重要な基本
技術となりつつある。
品質のシリコン膜を形成し、さらに、このシリコン膜を
絶縁物膜で被覆する技術は、高耐圧トランジスタ等の電
子素子や、平面表示素子、さらには将来の三次元集積回
路や光集積回路を製造するうえで、きわめて重要な基本
技術となりつつある。
第３図は、この種の埋め込みシリコン膜を１！！！造す
る従来の方法を工程順に説明する本ので、絶縁物基板ｌ
上に第３図（ａ）に示す叩＜ＣＶＤ法（化学反応ご用い
て牛導体等を気相成長させる方法）等によって厚ざ０．
！ｒＰｍｃミクロンメートル）程度の非晶質あるいは多
結晶のシリコン膜２を形成し、次いでこのシリコン膜２
を第３図ｆｂ）の知（同じくＣＶＤ法によって形成しｆ
ｃａｓμＩＩＩ程度の陥１韓（石英ガラス膜）３で覆つ
な後、レーザアニール工程を行なって、シリコン膜の結
晶性を向上させることにより、埋め込みシリコン膜を得
るようＫしている。
る従来の方法を工程順に説明する本ので、絶縁物基板ｌ
上に第３図（ａ）に示す叩＜ＣＶＤ法（化学反応ご用い
て牛導体等を気相成長させる方法）等によって厚ざ０．
！ｒＰｍｃミクロンメートル）程度の非晶質あるいは多
結晶のシリコン膜２を形成し、次いでこのシリコン膜２
を第３図ｆｂ）の知（同じくＣＶＤ法によって形成しｆ
ｃａｓμＩＩＩ程度の陥１韓（石英ガラス膜）３で覆つ
な後、レーザアニール工程を行なって、シリコン膜の結
晶性を向上させることにより、埋め込みシリコン膜を得
るようＫしている。
前記レーザアニール工程とは、第３図ｆｃ）に示すヨウ
に、アルゴンレーザ４の出力光を光学、％５ａ。
に、アルゴンレーザ４の出力光を光学、％５ａ。
５ｂを経由してレーザビームとしてシリコン膜２に照射
し、シリコン膜２を局部的に融点（／ｌＩ／２’Ｃ）以
上にＩＪ口熱する工程であり、レーザビームと絶縁物基
板１とを矢印イ）−（イ）の方向に徐々に相対移動させ
ることＫより加熱ｇ６企移動させ、いｂゆるゾーンメル
ティングの原理によってシリコン膜２の結晶性の良化な
図るものである。
し、シリコン膜２を局部的に融点（／ｌＩ／２’Ｃ）以
上にＩＪ口熱する工程であり、レーザビームと絶縁物基
板１とを矢印イ）−（イ）の方向に徐々に相対移動させ
ることＫより加熱ｇ６企移動させ、いｂゆるゾーンメル
ティングの原理によってシリコン膜２の結晶性の良化な
図るものである。
このようなシリコン埋め込み膜は、所望部分の保護層３
を除去して電子素子を形成したり、あるいは、保護層３
の上面にざらにシリコン膜２および深層Ｒ３企多段に積
層して三次元集積回路ご形成したりするのに利用される
。
を除去して電子素子を形成したり、あるいは、保護層３
の上面にざらにシリコン膜２および深層Ｒ３企多段に積
層して三次元集積回路ご形成したりするのに利用される
。
「発明が解決しようとする問題点」
しかしながら、このような従来方法では、レーザアニー
ル工程を一枚の絶縁物基板ｌごとに実施する必要があり
、しかも細いレーザビームでシリコン膜２ご高温に加熱
しつつ絶縁物基板１全面をカバーするに“才、長時間（
例えば７０時間）２要するなめ、生産性が極めて悪いと
いう欠点があった。また、保護層３をＣＶＤ法やスパッ
タ法等の薄膜形成法によって形成しているため、保護層
３の厚みが７μＩ１１程度かそれ以下に限￥され、従っ
て、シリコン膜２のひび割れ防止を考慮すると、埋め込
み可能なシリコン膜２の厚さがほぼ７μｍ以下に制限さ
れるという不具合があった。
ル工程を一枚の絶縁物基板ｌごとに実施する必要があり
、しかも細いレーザビームでシリコン膜２ご高温に加熱
しつつ絶縁物基板１全面をカバーするに“才、長時間（
例えば７０時間）２要するなめ、生産性が極めて悪いと
いう欠点があった。また、保護層３をＣＶＤ法やスパッ
タ法等の薄膜形成法によって形成しているため、保護層
３の厚みが７μＩ１１程度かそれ以下に限￥され、従っ
て、シリコン膜２のひび割れ防止を考慮すると、埋め込
み可能なシリコン膜２の厚さがほぼ７μｍ以下に制限さ
れるという不具合があった。
「間ｊ点を解決するための手段」
本発明は前記間１点ご解決するために、保護層の形成に
際してガラス微粒子（スート）を用いる、いわゆるスー
トプロセスを利用することを特徴とするもので、シラン
系ガスを用いたＣＶＤ法や、シリコンターゲットを用い
た高周波スパッタ法によって絶縁物基板上に非晶質ある
いは多結晶シリコン膜を形成した後、ガラス微粒子形成
用原料ガス（例えば５ｉＣ１，等）の熱酸化反応あるい
は火炎加水分解反応によってガラス微粒子を合成してこ
れをシリコン膜上に堆積付着させ、次いでこれらを炉中
で即熱することにより、ガラス微粒子の堆積層を透明ガ
ラス膜（保護層）化するとともにシリコン膜の結晶性を
同上させるようにしたものである。
際してガラス微粒子（スート）を用いる、いわゆるスー
トプロセスを利用することを特徴とするもので、シラン
系ガスを用いたＣＶＤ法や、シリコンターゲットを用い
た高周波スパッタ法によって絶縁物基板上に非晶質ある
いは多結晶シリコン膜を形成した後、ガラス微粒子形成
用原料ガス（例えば５ｉＣ１，等）の熱酸化反応あるい
は火炎加水分解反応によってガラス微粒子を合成してこ
れをシリコン膜上に堆積付着させ、次いでこれらを炉中
で即熱することにより、ガラス微粒子の堆積層を透明ガ
ラス膜（保護層）化するとともにシリコン膜の結晶性を
同上させるようにしたものである。
「作 用」
本発明では、ガラス微粒子の堆積層を透明ガラス膜化す
る際の炉中加熱により、シリコン膜全体ご一度に加熱で
き、しかも、透明ガラス膜（保護層）の膜厚の設定範囲
を従来よりも大幅に広げることができる。
る際の炉中加熱により、シリコン膜全体ご一度に加熱で
き、しかも、透明ガラス膜（保護層）の膜厚の設定範囲
を従来よりも大幅に広げることができる。
「実施例」
以下本発明の第１実櫃例２第１図に基づいて説明すると
、まず第１図ｆａ）に示す叫＜、両面光学研磨した厚さ
／、ｊＭ（ミリメートル）、ｓＯ謁角の絶縁物基板（例
えば石英ガラス板）１１０片固Ｋ１シリコンターゲット
分用いた高速マグネトロンスパッタ法によって、厚さ３
μｍの非晶質状態のシリコン膜１２を形成し、このシリ
コン膜１２上に、５ｉＣ１，とＢ（Ｊ、との混合ガス（
ＢＣｌ、は３モル％）を原料として、第１図（ｂ）の叩
く厚さａ′グ謁程度のガラス微粒子の堆積層１３を形成
する。
、まず第１図ｆａ）に示す叫＜、両面光学研磨した厚さ
／、ｊＭ（ミリメートル）、ｓＯ謁角の絶縁物基板（例
えば石英ガラス板）１１０片固Ｋ１シリコンターゲット
分用いた高速マグネトロンスパッタ法によって、厚さ３
μｍの非晶質状態のシリコン膜１２を形成し、このシリ
コン膜１２上に、５ｉＣ１，とＢ（Ｊ、との混合ガス（
ＢＣｌ、は３モル％）を原料として、第１図（ｂ）の叩
く厚さａ′グ謁程度のガラス微粒子の堆積層１３を形成
する。
ここで、前記堆積１５１３に形成するスートプロセスを
行なうために用いられる装置の一例を第２図を用いて説
明すれば、図中２１はシリコン膜を形成した基板、２２
は基板を医持し回転するターンテーブル、２３は回転、
駆動装置、２４は保護カバー、２５はガラス微粒子合成
トーチ、２６は排ガス処理装置、２８はガラス微粒子合
成トーチ２５をターンテーブル２２０半径方向に往復動
させるトーチ移動装置、２９は原料ガス供給装置、３０
け原料ガス供給管、３１は光温度計である。つまり、堆
積層１３を形成するＶｃｖ′ｉ、ターンテーブル２２上
に基板２１、丁なわち絶縁物基板１１上にシリコン膜１
２ｅ形成したものを載置し、ターンテーブル２２を５ｒ
Ｉｌｒｎ程度の回転速度で回転させつつターンテーブル
２２内のヒータ （図示略）によって基板２１ごｓｏｏ
’ｃ程度に７１０熱する。次いで、原料ガス供給装置２
９からガラス微粒子形成用原料ｉ Ｘ （Ｓ Ｉ Ｃ４
ｒ ＢＣｌ３ ＊ ＰＣｌ５ ＋ ’ＪｅＣ１４等）２
燃規用のＯ，、Ｈ２ガスと共に原料ガス供給管３０２介
してガラス微粒子合成トーチ２５に供給し、酸水素炎に
よる火炎加水分解反応によって粒径ａ／μ攬程度のガラ
ス微粒子を合成しながら、これご基板２１に吹き付けて
堆４］１させる。
行なうために用いられる装置の一例を第２図を用いて説
明すれば、図中２１はシリコン膜を形成した基板、２２
は基板を医持し回転するターンテーブル、２３は回転、
駆動装置、２４は保護カバー、２５はガラス微粒子合成
トーチ、２６は排ガス処理装置、２８はガラス微粒子合
成トーチ２５をターンテーブル２２０半径方向に往復動
させるトーチ移動装置、２９は原料ガス供給装置、３０
け原料ガス供給管、３１は光温度計である。つまり、堆
積層１３を形成するＶｃｖ′ｉ、ターンテーブル２２上
に基板２１、丁なわち絶縁物基板１１上にシリコン膜１
２ｅ形成したものを載置し、ターンテーブル２２を５ｒ
Ｉｌｒｎ程度の回転速度で回転させつつターンテーブル
２２内のヒータ （図示略）によって基板２１ごｓｏｏ
’ｃ程度に７１０熱する。次いで、原料ガス供給装置２
９からガラス微粒子形成用原料ｉ Ｘ （Ｓ Ｉ Ｃ４
ｒ ＢＣｌ３ ＊ ＰＣｌ５ ＋ ’ＪｅＣ１４等）２
燃規用のＯ，、Ｈ２ガスと共に原料ガス供給管３０２介
してガラス微粒子合成トーチ２５に供給し、酸水素炎に
よる火炎加水分解反応によって粒径ａ／μ攬程度のガラ
ス微粒子を合成しながら、これご基板２１に吹き付けて
堆４］１させる。
次に、第１図（Ｃ）に示す妬（、°堆積層１３ご形成し
た基板２１を電気炉１４中に移し、Ｈｅガス雰囲気中で
徐々に温度を７３５０°Ｃまで上げながら８口熱する工
程を行なう。この工程によってガラス微粒子の堆積層１
３は、焼結、脱泡されて厚さ方向に１／ｌＯ哩度に収縮
し、汀１図（ｄ）の■く膜厚３５μｍの透明ガラス膜（
保護層）１５となる。
た基板２１を電気炉１４中に移し、Ｈｅガス雰囲気中で
徐々に温度を７３５０°Ｃまで上げながら８口熱する工
程を行なう。この工程によってガラス微粒子の堆積層１
３は、焼結、脱泡されて厚さ方向に１／ｌＯ哩度に収縮
し、汀１図（ｄ）の■く膜厚３５μｍの透明ガラス膜（
保護層）１５となる。
なお、ａｔａｍ観察によればこのようにして得られたシ
リコン膜１２は、保護層１５によって完全に被覆されて
おり、ひび刷れ等の発生は皆無であった。また、ＸＷ回
折法によってシリコン膜１２の結晶状態を調べなところ
非晶質状態から結晶質状態に転じていた。
リコン膜１２は、保護層１５によって完全に被覆されて
おり、ひび刷れ等の発生は皆無であった。また、ＸＷ回
折法によってシリコン膜１２の結晶状態を調べなところ
非晶質状態から結晶質状態に転じていた。
このように本発明方法では、ガラス微粒子の焼結時に１
シリコン膜１２全体を一翼に加熱でき、しかも、多数枚
の基板２１を同時に加熱することも可能である。まな、
３５μｍもの厚さの保護層１５を形成できるので、３μ
ｍもの厚さのシリコン［１２１−埋め込むことができる
。
シリコン膜１２全体を一翼に加熱でき、しかも、多数枚
の基板２１を同時に加熱することも可能である。まな、
３５μｍもの厚さの保護層１５を形成できるので、３μ
ｍもの厚さのシリコン［１２１−埋め込むことができる
。
次いで、本発明の第２実施例について説明する。
本実施例は、前記絶縁物基板１１上に厚さｇμｍのシリ
コン膜を形ｂＺ Ｌ 、このシリコン膜ご偏りＯμｍ１
間隔７００μｍのストライプ状に反応性イオンエツチン
グ法によりパターン化した後、スートプロセスご利用し
て３５μＩ１１程度の保護層を設けるよってするもので
ある。このような方法によれば、シリコン膜にひび割れ
を発生させずに、第１実彪例のシリコン膜１２よりもさ
らに厚いシリコン渡を埋め込むことができる。まな、こ
の方法では、シリコン膜がパターン化されているので、
グラフオエピタキシャル成長の原理により、シリコン膜
の結晶状態が拳結晶状態に近づくという利点がある。
コン膜を形ｂＺ Ｌ 、このシリコン膜ご偏りＯμｍ１
間隔７００μｍのストライプ状に反応性イオンエツチン
グ法によりパターン化した後、スートプロセスご利用し
て３５μＩ１１程度の保護層を設けるよってするもので
ある。このような方法によれば、シリコン膜にひび割れ
を発生させずに、第１実彪例のシリコン膜１２よりもさ
らに厚いシリコン渡を埋め込むことができる。まな、こ
の方法では、シリコン膜がパターン化されているので、
グラフオエピタキシャル成長の原理により、シリコン膜
の結晶状態が拳結晶状態に近づくという利点がある。
さらに１本発明の第３実施例について説明すると、本実
施例は、厚さＱ ！ｒ ”’−直径３インチのシリコン
ウェハ（結晶方位： ｌ ００）の表面の熱酸化膜上に
、非晶質シリコン膜な形隠し、しかる後にＳ ＋ Ｃ１
４−ＧｅＣ４混合ガスをガラス微粒子形成用原料ガスと
して非晶質シリコン膜上に堆積層を形成し、これらコ戒
気炉で加熱することにより、Ｓ ｉ Ｏ，−Ｇｅ（Ｊ、
からなる保護層によって覆われた結晶質シリコン膜を得
るよってするものである。
施例は、厚さＱ ！ｒ ”’−直径３インチのシリコン
ウェハ（結晶方位： ｌ ００）の表面の熱酸化膜上に
、非晶質シリコン膜な形隠し、しかる後にＳ ＋ Ｃ１
４−ＧｅＣ４混合ガスをガラス微粒子形成用原料ガスと
して非晶質シリコン膜上に堆積層を形成し、これらコ戒
気炉で加熱することにより、Ｓ ｉ Ｏ，−Ｇｅ（Ｊ、
からなる保護層によって覆われた結晶質シリコン膜を得
るよってするものである。
この際、Ｇｅｍ、の含有量が３０モル％程度になるよう
に設定すると、シリコンウェハ、結晶質シリコン膜、保
護層の熱膨張係数ご整合させることができる。すなわち
、この方法によれば、熱応力が緩和されるのでシリコン
膜の厚さを例えばｌＯμｍ程度にまで増加した場合にも
、シリコン膜ごパターン化しない状態でひび割れが発生
することがなく、また、保護層の上に再度シリコン膜お
よび保護層を繰り返し積層することも可能である。さら
に、保護層の厚さを数μｍから致７００μｍもの広範囲
にわたって自由に設定することができ、Ｇｅ Ｏ，のａ
度を保護層の厚さ方向に変化させれば屈折率制郭を行な
って保護層に光導波１造ご付与することもできる。
に設定すると、シリコンウェハ、結晶質シリコン膜、保
護層の熱膨張係数ご整合させることができる。すなわち
、この方法によれば、熱応力が緩和されるのでシリコン
膜の厚さを例えばｌＯμｍ程度にまで増加した場合にも
、シリコン膜ごパターン化しない状態でひび割れが発生
することがなく、また、保護層の上に再度シリコン膜お
よび保護層を繰り返し積層することも可能である。さら
に、保護層の厚さを数μｍから致７００μｍもの広範囲
にわたって自由に設定することができ、Ｇｅ Ｏ，のａ
度を保護層の厚さ方向に変化させれば屈折率制郭を行な
って保護層に光導波１造ご付与することもできる。
なお、前記第１．第２実施例において、ガラス微粒子組
成としてＳ ｉｏ、 ＶＣＢ、Ｑ、やＰ、０．′？ｉ：
添Ｈ口すると、ガラス微粒子の軟化点を低下させること
ができ、かつ、シリコン膜′α導性ＡＡ御のドーパント
として作用させることができる。但し、ドーピングを避
けたい場合には、このようなドーパントを添加しないか
、あるいはＱｅ ｏ、のような８ｉ と同族の添加物を
用いることが望ましい。また、前記第３実施例において
、＠酸化膜の代わりにあらかじめ、Ｓｉｎ、−Ｇｅｍ、
の保護層ご形成しておいてもよい。
成としてＳ ｉｏ、 ＶＣＢ、Ｑ、やＰ、０．′？ｉ：
添Ｈ口すると、ガラス微粒子の軟化点を低下させること
ができ、かつ、シリコン膜′α導性ＡＡ御のドーパント
として作用させることができる。但し、ドーピングを避
けたい場合には、このようなドーパントを添加しないか
、あるいはＱｅ ｏ、のような８ｉ と同族の添加物を
用いることが望ましい。また、前記第３実施例において
、＠酸化膜の代わりにあらかじめ、Ｓｉｎ、−Ｇｅｍ、
の保護層ご形成しておいてもよい。
「発明の効果」
以上説明したように本発明によれば、スートプロセスの
利用により、ガラス微粒子の焼結時に同時にシリコン膜
を加熱して結晶質化するよってしたので次のような優れ
た効果を得ることができる。
利用により、ガラス微粒子の焼結時に同時にシリコン膜
を加熱して結晶質化するよってしたので次のような優れ
た効果を得ることができる。
■ シリコン膜全体が一度に加熱され、かつ、復数枚の
基板ご同時に熱処哩することが可能であり１生屋性を大
幅に向上させることができる。
基板ご同時に熱処哩することが可能であり１生屋性を大
幅に向上させることができる。
■ 保護層の厚さの設定範囲が広がるため、保護層を厚
くしてその絶縁性を向上させることができ、かつ、膜厚
の厚いシリコン膜をひび割れさせることなく得ることが
できる。従って、種々の１子素子や三次元集積回路の形
成に好適な埋め込みシリコン膜を得ることができる。
くしてその絶縁性を向上させることができ、かつ、膜厚
の厚いシリコン膜をひび割れさせることなく得ることが
できる。従って、種々の１子素子や三次元集積回路の形
成に好適な埋め込みシリコン膜を得ることができる。
■ 本発明方法てよって得られる保護層は、ツＣ導波膜
として利用することもできるので、微細加工技術を適宜
活用して、光パ電子集積回路を形成する等、埋め込みシ
リコン膜を広範囲に適用することができる。なお、シリ
コンが透明となる／、 ／μｍ以上での光波長領域では
シリコン膜自体を光導波膜として利用することもできる
。
として利用することもできるので、微細加工技術を適宜
活用して、光パ電子集積回路を形成する等、埋め込みシ
リコン膜を広範囲に適用することができる。なお、シリ
コンが透明となる／、 ／μｍ以上での光波長領域では
シリコン膜自体を光導波膜として利用することもできる
。
第１図（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第１実施例２工程順
に説明する断面図、第、２図は本発明方法において堆８
Ｍ層を形成するために用いられる装置の一例２示す斜視
図、第Ｊ図ｆａ）〜ｉｃ）は従来の埋め込みシリコン膜
の製造方法を工程順に説明する＃ＩＭ１図である。 １１・・・・・・絶縁物基板、１２・・・・・・シリコ
ン膜、１３・・・・・・堆積層、１４・・・・・・電気
炉、１５・・・・・・保護層（透明ガラスＭ）、２１・
・・・・・基板、２２・・・・・・ターーンテーブル、
２３・・・・・・回転駆動装置、２４・山・・深層カバ
ー、２５・・・・・・ガラス微粒子合成トーチ、２６・
・・・・・排気管、２７・・・・・・排ガス処即装置、
２８・・・・・・トーチ移動装置、２９・旧・・原料ガ
ス供給装置、３０・パ・・・原料ガス供ｆ＠管、３１・
・・・・・光温度計。
に説明する断面図、第、２図は本発明方法において堆８
Ｍ層を形成するために用いられる装置の一例２示す斜視
図、第Ｊ図ｆａ）〜ｉｃ）は従来の埋め込みシリコン膜
の製造方法を工程順に説明する＃ＩＭ１図である。 １１・・・・・・絶縁物基板、１２・・・・・・シリコ
ン膜、１３・・・・・・堆積層、１４・・・・・・電気
炉、１５・・・・・・保護層（透明ガラスＭ）、２１・
・・・・・基板、２２・・・・・・ターーンテーブル、
２３・・・・・・回転駆動装置、２４・山・・深層カバ
ー、２５・・・・・・ガラス微粒子合成トーチ、２６・
・・・・・排気管、２７・・・・・・排ガス処即装置、
２８・・・・・・トーチ移動装置、２９・旧・・原料ガ
ス供給装置、３０・パ・・・原料ガス供ｆ＠管、３１・
・・・・・光温度計。
Claims (1)
- 絶縁物基板上に非晶質あるいは多結晶シリコン膜を形
成した後、このシリコン膜上に、ガラス微粒子形成用原
料ガスの熱酸化反応あるいは火炎加水分解反応によつて
得られるガラス微粒子を堆積してなる堆積層を形成し、
しかる後に、これらシリコン膜および堆積層を絶縁物基
板ごと炉中で加熱することにより、堆積層を透明ガラス
膜化するとともに、シリコン膜を結晶質化することを特
徴とする埋め込みシリコン膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59209079A JPH0770478B2 (ja) | 1984-10-05 | 1984-10-05 | 埋め込みシリコン膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59209079A JPH0770478B2 (ja) | 1984-10-05 | 1984-10-05 | 埋め込みシリコン膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6187316A true JPS6187316A (ja) | 1986-05-02 |
| JPH0770478B2 JPH0770478B2 (ja) | 1995-07-31 |
Family
ID=16566910
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59209079A Expired - Lifetime JPH0770478B2 (ja) | 1984-10-05 | 1984-10-05 | 埋め込みシリコン膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0770478B2 (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS503780A (ja) * | 1973-05-15 | 1975-01-16 | ||
| JPS56135808A (en) * | 1980-03-28 | 1981-10-23 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Manufacture of glass waveguide path for optical circuit |
| JPS5852843A (ja) * | 1981-09-25 | 1983-03-29 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造法 |
| JPS58181785A (ja) * | 1982-04-15 | 1983-10-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 結晶膜の製造方法 |
-
1984
- 1984-10-05 JP JP59209079A patent/JPH0770478B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS503780A (ja) * | 1973-05-15 | 1975-01-16 | ||
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| JPS58181785A (ja) * | 1982-04-15 | 1983-10-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 結晶膜の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0770478B2 (ja) | 1995-07-31 |
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