JPS6187318A - ガリウム・アルミニウム・砒素層へのド−ピング方法 - Google Patents
ガリウム・アルミニウム・砒素層へのド−ピング方法Info
- Publication number
- JPS6187318A JPS6187318A JP59208088A JP20808884A JPS6187318A JP S6187318 A JPS6187318 A JP S6187318A JP 59208088 A JP59208088 A JP 59208088A JP 20808884 A JP20808884 A JP 20808884A JP S6187318 A JPS6187318 A JP S6187318A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- concentration
- electron concentration
- layer
- gaalas layer
- sih4
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
- H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
- H10P14/3414—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being group IIIA-VIA materials
- H10P14/3421—Arsenides
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/24—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using chemical vapour deposition [CVD]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
- H10P14/3438—Doping during depositing
- H10P14/3441—Conductivity type
- H10P14/3442—N-type
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
この発明は有機金属熱分解気相成長法（Ｍｅｔａ１δｒ
ｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏ
ｓｉロＯｎ二以下八咀δ−ＣへＤ法と略称）Ｌ：２ける
ガリウム・アルミニウム・砒素（以下ＧａＡｌＡｓ ）
層へのモノシラン（以下５ｉＨ４）によるドーピング方
法に関する。
ｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏ
ｓｉロＯｎ二以下八咀δ−ＣへＤ法と略称）Ｌ：２ける
ガリウム・アルミニウム・砒素（以下ＧａＡｌＡｓ ）
層へのモノシラン（以下５ｉＨ４）によるドーピング方
法に関する。
［発明の技術的背景およびその問題点］マイクロ波領域
で動作する低雑音の電界効果形トランジスタに対する高
性能化への要望は益々強まり、最近では周波数１２ＧＨ
ｚにおける雑音指数がｌｄＢ以下の高性能電界効果形ト
ランジスタを実用、すべく開発が活発に、１１！ぬられ
ている。
で動作する低雑音の電界効果形トランジスタに対する高
性能化への要望は益々強まり、最近では周波数１２ＧＨ
ｚにおける雑音指数がｌｄＢ以下の高性能電界効果形ト
ランジスタを実用、すべく開発が活発に、１１！ぬられ
ている。
上記特性を得るために、素材として第３凶に示すような
半絶縁性砒化ガリウム（ＧａＡｓ ）基板Ｇｖ上に不純
物をドープせずに形成した正孔濃度あるいは電子濃閲が
ｔｏ１４／−以下の高純度ＧａＡｓ 、層の、ｎ形で例
えば電子製置が１０１８／ｃＪ ｓ厚さが３００スでＡ
Ｉの組成比が０．３のＧａＡｌＡｓ層（ハ）、およびオ
ーム性電極形成のためのｎ形で例えば電子濃度が１ｏ１
８７ｃＪの０ａＡｓ ／−をｊ順次積層させたウェハを
用いて高性能の亀界効来形トランジスタを作る試みが進
められている。このウェハの特徴は不純物を含むｎ形（
ＪａＡＩＡｓ 開割と高純度のＧａＡｓ ｆ背Ｇ２との
接合界面に溜り込むキャリヤを利用することにより高電
子濃度でがつ、その移＠度が高純度（）ａＡｓ ｉ層の
移動産に近い高＃勤度が得られることである○従って、
上記構造のウェハを用いて電界効果形トランジスタを作
るならば移動度の同上に見合って前記低雑音化が）９１
待できる０なお、第３図に示し７た構造のウェハはキャ
リヤを供給するＧａＡｌＡｓ ｉＨ（３３）のみに選択
的に不純物をドープし、高純ＩＪｆＧａＡｓ層Ｇ３には
ドーピングを行なわないことから選択ドープ構造ウェハ
と称される。該選択ドープ構造ウエノ・の形成には前記
の叩く、惟くうすく、かつ１″？、Ｓ電子一度のＧａＡ
ｌＡｓ ｆｆｊを再現性よく作れることが重要な一つの
要素であり、厚さ、電子濃度ともにウエノ・面内で少く
とも±５チの範囲内に収める必要がある。
半絶縁性砒化ガリウム（ＧａＡｓ ）基板Ｇｖ上に不純
物をドープせずに形成した正孔濃度あるいは電子濃閲が
ｔｏ１４／−以下の高純度ＧａＡｓ 、層の、ｎ形で例
えば電子製置が１０１８／ｃＪ ｓ厚さが３００スでＡ
Ｉの組成比が０．３のＧａＡｌＡｓ層（ハ）、およびオ
ーム性電極形成のためのｎ形で例えば電子濃度が１ｏ１
８７ｃＪの０ａＡｓ ／−をｊ順次積層させたウェハを
用いて高性能の亀界効来形トランジスタを作る試みが進
められている。このウェハの特徴は不純物を含むｎ形（
ＪａＡＩＡｓ 開割と高純度のＧａＡｓ ｆ背Ｇ２との
接合界面に溜り込むキャリヤを利用することにより高電
子濃度でがつ、その移＠度が高純度（）ａＡｓ ｉ層の
移動産に近い高＃勤度が得られることである○従って、
上記構造のウェハを用いて電界効果形トランジスタを作
るならば移動度の同上に見合って前記低雑音化が）９１
待できる０なお、第３図に示し７た構造のウェハはキャ
リヤを供給するＧａＡｌＡｓ ｉＨ（３３）のみに選択
的に不純物をドープし、高純ＩＪｆＧａＡｓ層Ｇ３には
ドーピングを行なわないことから選択ドープ構造ウェハ
と称される。該選択ドープ構造ウエノ・の形成には前記
の叩く、惟くうすく、かつ１″？、Ｓ電子一度のＧａＡ
ｌＡｓ ｆｆｊを再現性よく作れることが重要な一つの
要素であり、厚さ、電子濃度ともにウエノ・面内で少く
とも±５チの範囲内に収める必要がある。
従来Ｍｃｉ−ＣＶＤ法を用いてれ形ＧａＡｌＡｓ層を形
成する際のドーピング源としてＵ３１Ｈ４やセレン化水
素（Ｈ２Ｓｅ）が知られている。これらのドーピング源
の中でＨ２Ｓ１！は配宮内での吸着効果が太きいために
、１回のｎ形ＧａＡｌＡｓ層成長の後、次回にアンドー
プのＧａＡｓ層を形・成すると配管内に残留するＨｏ５
ｅが結晶中に混入し、ＧａＡｓＮの′電子濃度が高くな
ってし１う、いわゆるメモリイ効果と称される現象が知
られている。このため、 Ｈ２Ｓｅを第３図に示される
選択ドープ構造ウェハを形ｂＫするためのドーピング源
として用いることは不適であり、メモリイ効果の少いＳ
ｉＨ４がドーピング源として有効である。
成する際のドーピング源としてＵ３１Ｈ４やセレン化水
素（Ｈ２Ｓｅ）が知られている。これらのドーピング源
の中でＨ２Ｓ１！は配宮内での吸着効果が太きいために
、１回のｎ形ＧａＡｌＡｓ層成長の後、次回にアンドー
プのＧａＡｓ層を形・成すると配管内に残留するＨｏ５
ｅが結晶中に混入し、ＧａＡｓＮの′電子濃度が高くな
ってし１う、いわゆるメモリイ効果と称される現象が知
られている。このため、 Ｈ２Ｓｅを第３図に示される
選択ドープ構造ウェハを形ｂＫするためのドーピング源
として用いることは不適であり、メモリイ効果の少いＳ
ｉＨ４がドーピング源として有効である。
ＳｉＨ４によるＧａＡｌＡｓ層中へのｎ形不純物の維加
に関してＧａＡｌＡｓ層の電子濃度（ｎ）と反応管に供
給するＳｉＨ４が度との関係は、例えばｎ≧２ Ｘ １
０”／ｃＪが得られるようなＳｉＨ４娯度でけ、 Ｇａ
ＡｌＡｓ Ｈ層の電子濃度は第４図に示すよりにＳ ｉ
Ｈ４（１３度に対し強い依存性をＭすることが知られて
いる。従って、反応容器内に供給するＳｉＨ４の濃度の
僅かな変動により成長ごとのＧａＡｌＡｓ層電子？４度
が大きく変動してしまい、また、反応容器内でのＳｉＨ
４濃度の空間的な不均一によりウェハ面内での均一性が
乏しくなるという欠点があった。例えは本発明者の実願
によると、面積が約２０４のＧａＡｓ基板上にｈχ長さ
せたｎ ＝ Ｉ Ｘ １０１８／−のＧａＡＩＡａ ｆ
＠ ）成長回ｕ ｆｊ、％ ０：） ’Ｉｔ子砲匣の変
動幅は±１５チ、また、ウェハ面内の均一性も±ｌＯ％
程度と悪く、この点がＭ ｏ −ＣＶＤ法により選択ド
ープ構造のウェハを作る上で大きな間両であった。
に関してＧａＡｌＡｓ層の電子濃度（ｎ）と反応管に供
給するＳｉＨ４が度との関係は、例えばｎ≧２ Ｘ １
０”／ｃＪが得られるようなＳｉＨ４娯度でけ、 Ｇａ
ＡｌＡｓ Ｈ層の電子濃度は第４図に示すよりにＳ ｉ
Ｈ４（１３度に対し強い依存性をＭすることが知られて
いる。従って、反応容器内に供給するＳｉＨ４の濃度の
僅かな変動により成長ごとのＧａＡｌＡｓ層電子？４度
が大きく変動してしまい、また、反応容器内でのＳｉＨ
４濃度の空間的な不均一によりウェハ面内での均一性が
乏しくなるという欠点があった。例えは本発明者の実願
によると、面積が約２０４のＧａＡｓ基板上にｈχ長さ
せたｎ ＝ Ｉ Ｘ １０１８／−のＧａＡＩＡａ ｆ
＠ ）成長回ｕ ｆｊ、％ ０：） ’Ｉｔ子砲匣の変
動幅は±１５チ、また、ウェハ面内の均一性も±ｌＯ％
程度と悪く、この点がＭ ｏ −ＣＶＤ法により選択ド
ープ構造のウェハを作る上で大きな間両であった。
［発明の目的］
この発明は上ｂｅ従来の問題点を除去するためになされ
たもので、 Ｍｏ−ＣＶＤ法において、ドーピング源と
して８ｉＨ４を用いてｎ形ＧａＡｌＡｓ層 ｗＩを形成
する際に反応容器内に供給するＳｉＨ４の濃証を、得ら
れるｎ形ＧａＡｌＡｓ層の′電子杉度が極大となる濃度
の近傍に設定することにより、再現性よく所定の電子濃
度に制御され、かつ、面内均一性も良好なＧａＡｌＡｓ
層へのドーピング方法を提供することを目的とする。
たもので、 Ｍｏ−ＣＶＤ法において、ドーピング源と
して８ｉＨ４を用いてｎ形ＧａＡｌＡｓ層 ｗＩを形成
する際に反応容器内に供給するＳｉＨ４の濃証を、得ら
れるｎ形ＧａＡｌＡｓ層の′電子杉度が極大となる濃度
の近傍に設定することにより、再現性よく所定の電子濃
度に制御され、かつ、面内均一性も良好なＧａＡｌＡｓ
層へのドーピング方法を提供することを目的とする。
Ｅ％明の重要］
この発明にかかるＧａＡｌＡｓ Ｉｎへのドーピング方
法は、■１族元素の有機金属化合物とＶ族元素の水素化
合物との熱分解気相成長によりドーピング源として８ｉ
Ｈ４を用いてｎ型のＧａＡｌＡｓ層を形成するに際し、
ＧａＡ Ｉ Ａｓ励の電子濃度が８ｉＨ４の濃度に対し
て惟犬値近傍になるように設定した一度のモノシランを
反応容器内に供給してドーピングを行なうことを特徴と
する。
法は、■１族元素の有機金属化合物とＶ族元素の水素化
合物との熱分解気相成長によりドーピング源として８ｉ
Ｈ４を用いてｎ型のＧａＡｌＡｓ層を形成するに際し、
ＧａＡ Ｉ Ａｓ励の電子濃度が８ｉＨ４の濃度に対し
て惟犬値近傍になるように設定した一度のモノシランを
反応容器内に供給してドーピングを行なうことを特徴と
する。
［発明の実施例］
以下に本発明の一つの実施例をし１面を参照して説明す
る。
る。
第１図に本発明に用いたＭδ−ＣＶＤ装置の模式図を示
す。同図について、まず、希釈用水素ガスは精製装置（
１０１）を通ったのち、流量計（１０６）で所定Ｍ＋：
調節され、反応容器（１１３）に送らねる。ガリウムの
有機化合物の−ねであるトリメチルガリウム（（ＣＨ８
）ａＧａ ）を収納するバブラ（１０２）とアルミニウ
ムの有機化合物の一種であるトリメチルアルミニウム（
（Ｃ）１８）ａＡＩ ）を収納するバプラ（１０３）に
＋ｉ次足す＃ｒの水素ガスを流量計（１０７）、 （１
０８）で調節して送り込み、バプラ内にて水素ガスに（
ＣＨ３） ＢＧａ 。
す。同図について、まず、希釈用水素ガスは精製装置（
１０１）を通ったのち、流量計（１０６）で所定Ｍ＋：
調節され、反応容器（１１３）に送らねる。ガリウムの
有機化合物の−ねであるトリメチルガリウム（（ＣＨ８
）ａＧａ ）を収納するバブラ（１０２）とアルミニウ
ムの有機化合物の一種であるトリメチルアルミニウム（
（Ｃ）１８）ａＡＩ ）を収納するバプラ（１０３）に
＋ｉ次足す＃ｒの水素ガスを流量計（１０７）、 （１
０８）で調節して送り込み、バプラ内にて水素ガスに（
ＣＨ３） ＢＧａ 。
（ＣＨ３）３Ａｌ蒸会として含ませ、夫々反応容器（１
１３）に送られる。
１３）に送られる。
■族元素の水素化合物の一釉である砒化水素ガス（Ａｓ
Ｈ３）は高圧容器（１０４）から直接供給され、流量計
（１０９）で所定ａにＵ１節されて反応容器（１１３）
に送られる。また、ｎ形不純物のドーピングに用いる８
ｉＨ４も高圧容器（１０５）から直接供給さね２流量計
（１１０）で所定量に調節さ力て反応容器（１１３）に
送られる。
Ｈ３）は高圧容器（１０４）から直接供給され、流量計
（１０９）で所定ａにＵ１節されて反応容器（１１３）
に送られる。また、ｎ形不純物のドーピングに用いる８
ｉＨ４も高圧容器（１０５）から直接供給さね２流量計
（１１０）で所定量に調節さ力て反応容器（１１３）に
送られる。
上記原料ガスは反応容器に到達する前に一旦混合器（１
１１）で混合されたのち、原料ガス導入口（１１２）を
通して反応容器（１１３）内に導かれ、高周波コイル（
１１４）により加熱された加熱台（１１６）上に載置さ
れた被処理ＧａＡｓ基板（１１５）上にＧａＡｌＡｓ結
晶として堆積する。そして１反応した原料ガスは排気口
（１１７）を通じて排出される。
１１）で混合されたのち、原料ガス導入口（１１２）を
通して反応容器（１１３）内に導かれ、高周波コイル（
１１４）により加熱された加熱台（１１６）上に載置さ
れた被処理ＧａＡｓ基板（１１５）上にＧａＡｌＡｓ結
晶として堆積する。そして１反応した原料ガスは排気口
（１１７）を通じて排出される。
上記装置を用い、 Ｓ’ｉＨ４の磁度な変えてｎ形Ｇａ
ＡｌＡｓ層の成長を施し、ＳｉＨ４一度とＧａＡｌＡｓ
８０１Ｍ。
ＡｌＡｓ層の成長を施し、ＳｉＨ４一度とＧａＡｌＡｓ
８０１Ｍ。
子一度との関係を調べた。本発明者は一連の実験を重ね
た結果、ＳｉＨ４滲度を従来性なわれている以上に増加
させていくとＧａＡｌＡｓ層電子濃度はある８ｉＨ４ｉ
７＞度で極大値をとり、それ以上に増加させても得られ
るＧａＡ Ｉ Ａｓ層の電子濃度は逆に減少することを
見出した。この−例を第２図に示す。同図はＳｉＨ４７
ｇ％度のパラメータとしてＳｉＨ４と０１族元素の有機
金属化合物の総和、すなわち、 （ＣＨＢ）３Ｇａ
＋（ＣＨ３）３ＡＩとの比に対し得られるＧａＡｌＡｓ
層の電子濃度を図示したもので、ＧａＡｓ基板温度は約
７００℃、ＡＩの組成比は０．２３である。この成長に
おいては総ガス流量、（ＣＨＢ）ＢＧａ流ｉｋｂ （
ＣＨａ）ＢＡＩ流−ｉともに一定であるので図の横軸Ｖ
ｉＳ ｔＨ＋ ６度の増減を示す形になっており、前記
したようにＳ’ｉＨ４濃度に対し、て電子濃度が極大値
をとる点のあることがわかる。極大値近傍においては（
Ｕ ａＡ Ｉ Ａｓ層電子謎朋のＳ ｒ Ｈ４＠ ｄｔ
依存性は小さく ＣｔａＡ Ｉ ＡＳ層電子ｍ１度はほ
ぼ一定値となるので、 ＧａＡｌＡｓ Ｍの電子濃度の
ばらつきは大幅に改善される。
た結果、ＳｉＨ４滲度を従来性なわれている以上に増加
させていくとＧａＡｌＡｓ層電子濃度はある８ｉＨ４ｉ
７＞度で極大値をとり、それ以上に増加させても得られ
るＧａＡ Ｉ Ａｓ層の電子濃度は逆に減少することを
見出した。この−例を第２図に示す。同図はＳｉＨ４７
ｇ％度のパラメータとしてＳｉＨ４と０１族元素の有機
金属化合物の総和、すなわち、 （ＣＨＢ）３Ｇａ
＋（ＣＨ３）３ＡＩとの比に対し得られるＧａＡｌＡｓ
層の電子濃度を図示したもので、ＧａＡｓ基板温度は約
７００℃、ＡＩの組成比は０．２３である。この成長に
おいては総ガス流量、（ＣＨＢ）ＢＧａ流ｉｋｂ （
ＣＨａ）ＢＡＩ流−ｉともに一定であるので図の横軸Ｖ
ｉＳ ｔＨ＋ ６度の増減を示す形になっており、前記
したようにＳ’ｉＨ４濃度に対し、て電子濃度が極大値
をとる点のあることがわかる。極大値近傍においては（
Ｕ ａＡ Ｉ Ａｓ層電子謎朋のＳ ｒ Ｈ４＠ ｄｔ
依存性は小さく ＣｔａＡ Ｉ ＡＳ層電子ｍ１度はほ
ぼ一定値となるので、 ＧａＡｌＡｓ Ｍの電子濃度の
ばらつきは大幅に改善される。
上記成長条件のもとて連続５回の成長を行ない電子破産
のばらつきを調べたところ、約２０＜Ｊのつ、エバ面内
では±３チに、成長回毎でも±５チ以内に収っており、
前記選択ドープ構造の気相成長ウェハを作るうえで必要
とされるｎ型ＧａＡｌＡｓ ／６中の電子濃度の均一性
、再現性が得られることが確認された。
のばらつきを調べたところ、約２０＜Ｊのつ、エバ面内
では±３チに、成長回毎でも±５チ以内に収っており、
前記選択ドープ構造の気相成長ウェハを作るうえで必要
とされるｎ型ＧａＡｌＡｓ ／６中の電子濃度の均一性
、再現性が得られることが確認された。
［発明の効果］
以上述べたように本発明によれば、ドーピング源として
用いるＳｉＨ４の濃度とＧａＡ Ｉ Ａｓ層の電子濃度
との関係において、Ｏａ Ａ’ Ａ’層の箱、子＃度が
極大価となる近傍に３ｉＨ４旋度を設定してｎ形ＧａＡ
ｌＡｓ層を成長させることにより、均一性、再現性共に
優れた高電子濃度のＧａＡｌＡｓ層を形成でき、例えば
、選択ドープ構造のウェハを形成するのに好適な（ｊａ
ＡＩＡｓ層へのドーピング方法を提供できる。
用いるＳｉＨ４の濃度とＧａＡ Ｉ Ａｓ層の電子濃度
との関係において、Ｏａ Ａ’ Ａ’層の箱、子＃度が
極大価となる近傍に３ｉＨ４旋度を設定してｎ形ＧａＡ
ｌＡｓ層を成長させることにより、均一性、再現性共に
優れた高電子濃度のＧａＡｌＡｓ層を形成でき、例えば
、選択ドープ構造のウェハを形成するのに好適な（ｊａ
ＡＩＡｓ層へのドーピング方法を提供できる。
なお、狭止の実施例においては、−例としてＧａＡｓ基
板温度として７００’Ｃ，Ａ１組成比０．２３の場合を
述べたが、本発明はこれらの条件に伺ら拘束されるもの
でなく、基板温度、 Ａ１組成比、（ＣＨ３）３（ｊａ
、 （ＣＨ３）ＢＡＩ 、 ＡｓＨ３流量等を変
化させて成長を行なっても、ＳｉＨ４濃度とＧａＡｌＡ
ｓ層電子濃度が第２図に示す如き依存性を有することが
見出され、各々の成長条件においてＳｉＨ４濃度を適宜
ＧａＡｌＡｓ層電子濃度が極大値をとる近傍に設定する
ことにより本発明の効果が得られる。
板温度として７００’Ｃ，Ａ１組成比０．２３の場合を
述べたが、本発明はこれらの条件に伺ら拘束されるもの
でなく、基板温度、 Ａ１組成比、（ＣＨ３）３（ｊａ
、 （ＣＨ３）ＢＡＩ 、 ＡｓＨ３流量等を変
化させて成長を行なっても、ＳｉＨ４濃度とＧａＡｌＡ
ｓ層電子濃度が第２図に示す如き依存性を有することが
見出され、各々の成長条件においてＳｉＨ４濃度を適宜
ＧａＡｌＡｓ層電子濃度が極大値をとる近傍に設定する
ことにより本発明の効果が得られる。
第１図は本発明の方法に用いるＭに −ＣＶＤ装置の模
式図、第２図は本発明によるＧａＡｌＡｓ層の市；子濃
度とＳｉＨ４濃度との相関を示す挿図、第３図は選択ド
ープ構造の電界効果形トランジスタ用つエノ・の断面図
、第４図は従来知られている０ａＡＩＡｓ層の電子濃度
とＳｉＨ４濃度との相関を示す線図である。 ３１−−−−−−− ＧａＡｓ基板 ３２−−−−一高
純度ＧａＡｓ Ｉ育３３−−−−一−ｎ−ＧａＡｌＡｓ
層 ３４−−−−− ｎ −ＧａＡｓ層１０１−−−−
一水素ガス精製装置 １０２−−−−− （ＣＨＢ）ＢＧａ収納容器１０３−
−−−− （ＣＨａ）ａＡｌ収納容器１０４−−−−−
ＡｓＨＢ容器 １０５−８ｉＨ４容器 。 １０６〜１１０−−−−−一流量計 １１１−−−−−混合器 １１２−−−一原料ガス
導入口１１３−−一反応容器 １１４−−−−畠Ｊ〜
波コイル１１５−−−− ＧａＡｓ基板 １１６−−
−−加熱台１１７−ｍ−排気口
式図、第２図は本発明によるＧａＡｌＡｓ層の市；子濃
度とＳｉＨ４濃度との相関を示す挿図、第３図は選択ド
ープ構造の電界効果形トランジスタ用つエノ・の断面図
、第４図は従来知られている０ａＡＩＡｓ層の電子濃度
とＳｉＨ４濃度との相関を示す線図である。 ３１−−−−−−− ＧａＡｓ基板 ３２−−−−一高
純度ＧａＡｓ Ｉ育３３−−−−一−ｎ−ＧａＡｌＡｓ
層 ３４−−−−− ｎ −ＧａＡｓ層１０１−−−−
一水素ガス精製装置 １０２−−−−− （ＣＨＢ）ＢＧａ収納容器１０３−
−−−− （ＣＨａ）ａＡｌ収納容器１０４−−−−−
ＡｓＨＢ容器 １０５−８ｉＨ４容器 。 １０６〜１１０−−−−−一流量計 １１１−−−−−混合器 １１２−−−一原料ガス
導入口１１３−−一反応容器 １１４−−−−畠Ｊ〜
波コイル１１５−−−− ＧａＡｓ基板 １１６−−
−−加熱台１１７−ｍ−排気口
Claims (1)
- III族元素の有機金属化合物とＶ族元素の水素化合物
との熱分解気相成長方法において、ドーピング源として
モノシランを用いてｎ型のガリウム・アルミニウム・砒
素層を形成するに際し、ガリウム・アルミニウム・砒素
層の電子濃度がモノシランの濃度に対して極大値近傍と
なるように設定された濃度のモノシランを反応容器内に
供給してドーピングを行なうことを特徴とするガリウム
・アルミニウム・砒素層へのドーピング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59208088A JPS6187318A (ja) | 1984-10-05 | 1984-10-05 | ガリウム・アルミニウム・砒素層へのド−ピング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59208088A JPS6187318A (ja) | 1984-10-05 | 1984-10-05 | ガリウム・アルミニウム・砒素層へのド−ピング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6187318A true JPS6187318A (ja) | 1986-05-02 |
Family
ID=16550437
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59208088A Pending JPS6187318A (ja) | 1984-10-05 | 1984-10-05 | ガリウム・アルミニウム・砒素層へのド−ピング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6187318A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0794758A (ja) * | 1991-09-12 | 1995-04-07 | Pohang Iron & Steel Co Ltd | デルタドープト量子井戸電界効果トランジスタの製造方法 |
-
1984
- 1984-10-05 JP JP59208088A patent/JPS6187318A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0794758A (ja) * | 1991-09-12 | 1995-04-07 | Pohang Iron & Steel Co Ltd | デルタドープト量子井戸電界効果トランジスタの製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6134928A (ja) | 元素半導体単結晶薄膜の成長法 | |
| JPH04162418A (ja) | 化学気相成長法 | |
| JPH0547665A (ja) | 気相成長方法 | |
| JP2789861B2 (ja) | 有機金属分子線エピタキシャル成長方法 | |
| JPS6187318A (ja) | ガリウム・アルミニウム・砒素層へのド−ピング方法 | |
| JPH0654764B2 (ja) | 半絶縁性ガリウムヒ素形成方法 | |
| JPH0754802B2 (ja) | ＧａＡｓ薄膜の気相成長法 | |
| JPS63129609A (ja) | ３−５族化合物半導体単結晶薄膜の不純物添加法 | |
| JPS61275191A (ja) | ＧａＡｓ薄膜の気相成長法 | |
| JPH11268996A (ja) | 化合物半導体混晶の成長方法 | |
| JP3141628B2 (ja) | 化合物半導体素子及びその製造方法 | |
| KR101082773B1 (ko) | 화합물 반도체 소자 및 그 제조 방법 | |
| JPS58223317A (ja) | 化合物半導体結晶成長法及びその装置 | |
| JPS647487B2 (ja) | ||
| JP2793239B2 (ja) | 化合物半導体薄膜の製造方法 | |
| JP2753832B2 (ja) | 第▲ｉｉｉ▼・ｖ族化合物半導体の気相成長法 | |
| JPH03280419A (ja) | 化合物半導体薄膜の成長方法 | |
| JPH03171634A (ja) | Ｆｅｔ用電極形成層付エピタキシャルウェーハ | |
| JPH11126754A (ja) | 有機金属気相成長方法 | |
| JPH01173708A (ja) | 半導体素子 | |
| JP2701437B2 (ja) | アルカリ土類金属弗化物の気相成長方法 | |
| JPS6175531A (ja) | 絶縁膜用結晶形成方法 | |
| JPH0686355B2 (ja) | 第▲ｉｉｉ▼・ｖ族化合物半導体の気相成長法 | |
| JPH02122521A (ja) | 化合物半導体結晶層の製造方法 | |
| JPH0620974A (ja) | 気相成長方法 |