JPS6187440A - 光信号検出装置 - Google Patents
光信号検出装置Info
- Publication number
- JPS6187440A JPS6187440A JP59208912A JP20891284A JPS6187440A JP S6187440 A JPS6187440 A JP S6187440A JP 59208912 A JP59208912 A JP 59208912A JP 20891284 A JP20891284 A JP 20891284A JP S6187440 A JPS6187440 A JP S6187440A
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- JP
- Japan
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- optical signal
- signal detection
- bias voltage
- temperature
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- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 51
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims description 43
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000700 radioactive tracer Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/60—Receivers
- H04B10/66—Non-coherent receivers, e.g. using direct detection
- H04B10/69—Electrical arrangements in the receiver
- H04B10/691—Arrangements for optimizing the photodetector in the receiver
- H04B10/6911—Photodiode bias control, e.g. for compensating temperature variations
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
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- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光通信装置、光デイスクメモリー等における
光信号検出装置に関する。
光信号検出装置に関する。
従来、光通信、光ディスクメモリ装＠における光信号検
出装置は、単一光検出素子を用い、光検出素子の温度変
動忙よるＭ、 Ｋ増倍型光検出素子（フォトマル、アバ
ランシェ−フォトダイオード）の増倍車の変動は、信号
レベルの臂動を検出し、光信号検出素子のバイアス電圧
を制御することによって抑える方法がとられている。ま
几、！Ｗ！開昭５２−１４２９５３ に記載されてい
るような鍵音の問題もある。
出装置は、単一光検出素子を用い、光検出素子の温度変
動忙よるＭ、 Ｋ増倍型光検出素子（フォトマル、アバ
ランシェ−フォトダイオード）の増倍車の変動は、信号
レベルの臂動を検出し、光信号検出素子のバイアス電圧
を制御することによって抑える方法がとられている。ま
几、！Ｗ！開昭５２−１４２９５３ に記載されてい
るような鍵音の問題もある。
しかしながら従来技術では、光辿信、光ディスクメモリ
ー装置等の受信部において、微弱な光信号を増幅する目
的で使用する場合、検出しようとする光信号中に含まれ
る同相成分の靴音は除去でまずＢｌＮ比の点で不利であ
る。中た。従来技術における光信号検出素子の温度変動
を抑える方法では、信号経路から変動分を得る為、光信
号検出装置の電子回路の変動も同時に抑え、出力信号を
一定Ｋｍつ利点もあるが、電流増倍型光検出素子の雑音
レベルを一定に保つことかで酉ず、ま次、無信号時に光
信号検出素子がブレークダウン電圧に達するといへよ）
な問題点を有していたう本発明は従来のこのような問題
点を解決するもので、その目的とするところは、同相成
分の雑音を除去し１ｍｍ動駆動よる光信号検出素子の増
倍率の変動を抑え、光信号検出素子のバラツキを補償し
、温度変動に強く、更Ｋ Ｅｌ／Ｎ比の高い、安定した
光信列検出装置を提供するところにある。
ー装置等の受信部において、微弱な光信号を増幅する目
的で使用する場合、検出しようとする光信号中に含まれ
る同相成分の靴音は除去でまずＢｌＮ比の点で不利であ
る。中た。従来技術における光信号検出素子の温度変動
を抑える方法では、信号経路から変動分を得る為、光信
号検出装置の電子回路の変動も同時に抑え、出力信号を
一定Ｋｍつ利点もあるが、電流増倍型光検出素子の雑音
レベルを一定に保つことかで酉ず、ま次、無信号時に光
信号検出素子がブレークダウン電圧に達するといへよ）
な問題点を有していたう本発明は従来のこのような問題
点を解決するもので、その目的とするところは、同相成
分の雑音を除去し１ｍｍ動駆動よる光信号検出素子の増
倍率の変動を抑え、光信号検出素子のバラツキを補償し
、温度変動に強く、更Ｋ Ｅｌ／Ｎ比の高い、安定した
光信列検出装置を提供するところにある。
ｒ問題点を解決するための手段〕
上記問題点を解決する友めに１本発明の光信号検出装置
は、複数の光信号検出素子と、前記光信号検出素子にバ
イアス電圧を供給するための手段と、光信＠検出素子の
温度変動を検出する温度検出手段と、前記温度検出手段
で検出し几温度変動を入力信号として、前記バイアス電
圧供給手段のバイアス電圧を制御する手段と、酊記搾数
光信号検出紫子のバイアス電圧のバラツキを補償する手
段を有することを特徴とする。
は、複数の光信号検出素子と、前記光信号検出素子にバ
イアス電圧を供給するための手段と、光信＠検出素子の
温度変動を検出する温度検出手段と、前記温度検出手段
で検出し几温度変動を入力信号として、前記バイアス電
圧供給手段のバイアス電圧を制御する手段と、酊記搾数
光信号検出紫子のバイアス電圧のバラツキを補償する手
段を有することを特徴とする。
本発明は以上の構成を有するので、同相成分の雑音を含
んだ光信号を受光した場合、差動構成の光信号検出素子
により同相成分の雑音は依り除かれ、差動構成としたと
き、光信列検出素子の特性の違いＫより生じる位相差は
バイアス電圧補償回路によって抑えられ、安定し念差齢
型光信号検出回路となる。また、温度補償回路により、
温度変動による光信号検出素子の増倍率の変動を抑先る
ことができるのである、 〔実施例〕 ｒＩＡｊＫ本発明のプロヤク図を示す。
んだ光信号を受光した場合、差動構成の光信号検出素子
により同相成分の雑音は依り除かれ、差動構成としたと
き、光信列検出素子の特性の違いＫより生じる位相差は
バイアス電圧補償回路によって抑えられ、安定し念差齢
型光信号検出回路となる。また、温度補償回路により、
温度変動による光信号検出素子の増倍率の変動を抑先る
ことができるのである、 〔実施例〕 ｒＩＡｊＫ本発明のプロヤク図を示す。
本発明の光信号検出装置は、第１図忙示すように、差動
型に配置きれた光検出素子１．２と、光源３の光信号レ
ベルの変動に供う１気信号レベル７の変動を抑える利得
制御回路４を有し、光信号検出素子の温度変動を検出す
る温度検出器５による信号を入力信号とする温度補償回
路６により制御されるバイアス電圧併給回路７により、
同相成分の雑音を除去し、温度変動による光信号検出素
子の増倍率の変動を一定に伐り。ま念、光信号検出素子
を差動構成とし几場合に問題となる光信号検出素子のバ
イアス電圧のバラツキは、バイアス電圧補償回路８によ
り調節する。
型に配置きれた光検出素子１．２と、光源３の光信号レ
ベルの変動に供う１気信号レベル７の変動を抑える利得
制御回路４を有し、光信号検出素子の温度変動を検出す
る温度検出器５による信号を入力信号とする温度補償回
路６により制御されるバイアス電圧併給回路７により、
同相成分の雑音を除去し、温度変動による光信号検出素
子の増倍率の変動を一定に伐り。ま念、光信号検出素子
を差動構成とし几場合に問題となる光信号検出素子のバ
イアス電圧のバラツキは、バイアス電圧補償回路８によ
り調節する。
次に本発明の一実施例の回路図を第２図に示す。
第２図のよへに、光信列検出素子であるアバランシェ・
フォトダイオード１０．１１と周辺回路から構成ばれて
いる。
フォトダイオード１０．１１と周辺回路から構成ばれて
いる。
温度検出素子１２の信号は、基準温度に対応する基準１
圧１５と比較これ、基準電圧との差圧対応した偏差信号
として、バイアス電圧設定回路１４に供給ばれ、バイア
ス電圧供給回路１５の２次電圧を制御する。この２次電
圧は低域通過フィルタ１６により高周波成分を除去され
、バイアス電圧補償回路１７によって、光信号検出素子
（アバランシェ・フォトダイオード）のバラツキに対応
したバイアス電圧に変換して、光信＠検出素子に供給さ
れる。
圧１５と比較これ、基準電圧との差圧対応した偏差信号
として、バイアス電圧設定回路１４に供給ばれ、バイア
ス電圧供給回路１５の２次電圧を制御する。この２次電
圧は低域通過フィルタ１６により高周波成分を除去され
、バイアス電圧補償回路１７によって、光信号検出素子
（アバランシェ・フォトダイオード）のバラツキに対応
したバイアス電圧に変換して、光信＠検出素子に供給さ
れる。
光信号は、光信号検出素子１０．１１で電気信号清流に
変換ばれ、差動増幅器２０によって差信号成分が取り出
ジれる。また、光源自身の１１１子回路の変動による信
号レベルの臂ｖｌは、前記差動増幅器２０に接続上れる
可変利得増幅器２１により一定レベルに保念れる。
変換ばれ、差動増幅器２０によって差信号成分が取り出
ジれる。また、光源自身の１１１子回路の変動による信
号レベルの臂ｖｌは、前記差動増幅器２０に接続上れる
可変利得増幅器２１により一定レベルに保念れる。
以上示した実施例は一例にすぎず、温度検出素子として
、サーミスタ等を用いる、バイアス電圧供給回路の２次
−（高圧偵）を直接制御する等の回路構成としてもよい
。
、サーミスタ等を用いる、バイアス電圧供給回路の２次
−（高圧偵）を直接制御する等の回路構成としてもよい
。
本発明は、以−ト説明したようＫ、光信号検出素子を差
動構成とすることＫより、理論的には６ｄＢのＥｌ／Ｎ
比の向上が計らね、ま念、光信号検出素子の温度変動補
償回路を信号系とは独立に設けることにより、信号系の
雑音の影響を受けることなく、温度変＠による光信列検
出素子の増倍率の変動を一定レベル以下に保てる効果が
ある。
動構成とすることＫより、理論的には６ｄＢのＥｌ／Ｎ
比の向上が計らね、ま念、光信号検出素子の温度変動補
償回路を信号系とは独立に設けることにより、信号系の
雑音の影響を受けることなく、温度変＠による光信列検
出素子の増倍率の変動を一定レベル以下に保てる効果が
ある。
また、一般に光＠列検出素子はバイアス渭圧忙よって容
量値が変化するが、本発明のバイアス電圧補償回路を用
いれば１等価的に２つの光信号検出素子の容量を等しく
でき、容量の違いにより高い周波数域で生じる位相差を
なくする効果もある。
量値が変化するが、本発明のバイアス電圧補償回路を用
いれば１等価的に２つの光信号検出素子の容量を等しく
でき、容量の違いにより高い周波数域で生じる位相差を
なくする効果もある。
また、本発明の温度補償回路は信号系とけ独立している
ので、無償４４時でも光信号検出素子のバイアス雪圧が
ブレークダウン電圧に達することはｔ「〈、光信号検出
素子を保護する効果もある。
ので、無償４４時でも光信号検出素子のバイアス雪圧が
ブレークダウン電圧に達することはｔ「〈、光信号検出
素子を保護する効果もある。
第１図は、本発明の回路構成のブロック図、第２１！！
！ｌは本発明の一実施例を示す図である。 以 上
！ｌは本発明の一実施例を示す図である。 以 上
Claims (1)
- 複数の光信号検出素子と、前記光信号検出素子にバイア
ス電圧を供給するための手段と、光信号検出素子の温度
変動を検出する温度検出手段と、前記温度検出手段で検
出した温度変動を入力信号として、前記バイアス電圧供
給手段のバイアス電圧を制御する手段と、前記複数光信
号検出素子のバイアス電圧のバラツキを補償する手段を
有することを特徴とする光信号検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59208912A JPS6187440A (ja) | 1984-10-04 | 1984-10-04 | 光信号検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59208912A JPS6187440A (ja) | 1984-10-04 | 1984-10-04 | 光信号検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6187440A true JPS6187440A (ja) | 1986-05-02 |
Family
ID=16564174
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59208912A Pending JPS6187440A (ja) | 1984-10-04 | 1984-10-04 | 光信号検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6187440A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6422122A (en) * | 1987-07-17 | 1989-01-25 | Fujitsu Ltd | Light reception circuit |
| WO2019230147A1 (ja) * | 2018-05-29 | 2019-12-05 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光差分検出器及び検査装置 |
-
1984
- 1984-10-04 JP JP59208912A patent/JPS6187440A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6422122A (en) * | 1987-07-17 | 1989-01-25 | Fujitsu Ltd | Light reception circuit |
| WO2019230147A1 (ja) * | 2018-05-29 | 2019-12-05 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光差分検出器及び検査装置 |
| JP2019207946A (ja) * | 2018-05-29 | 2019-12-05 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光差分検出器及び検査装置 |
| US11243113B2 (en) | 2018-05-29 | 2022-02-08 | Hamamatsu Photonics K.K. | Optical difference detector and inspection device |
| US11733091B2 (en) | 2018-05-29 | 2023-08-22 | Hamamatsu Photonics K.K. | Optical difference detector and inspection device |
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