JPS6187867A - スパツタリング装置 - Google Patents
スパツタリング装置Info
- Publication number
- JPS6187867A JPS6187867A JP59207058A JP20705884A JPS6187867A JP S6187867 A JPS6187867 A JP S6187867A JP 59207058 A JP59207058 A JP 59207058A JP 20705884 A JP20705884 A JP 20705884A JP S6187867 A JPS6187867 A JP S6187867A
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- JP
- Japan
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- plasma
- target
- cathode
- sputtering apparatus
- magnet
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
- H01J37/3405—Magnetron sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
- C23C14/354—Introduction of auxiliary energy into the plasma
- C23C14/357—Microwaves, e.g. electron cyclotron resonance enhanced sputtering
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は半導体製品の加工等の薄膜形成に用いられるス
パッタリング装置に関するものである。
パッタリング装置に関するものである。
この種のスパッタリング装置としては、マグネトロンス
パッタリング装置が広く用いられている。
パッタリング装置が広く用いられている。
この形式のスパッタリング装置は、例えば特公昭５３−
１９３１９号「カソードスパッタリング装置」に示され
るごとく、ターゲット材料を有する面を持つ陰瞳を設け
、この陰極のターゲツト面の反対側の面に一対の磁極を
設ける。この一対の磁極間に現われる磁力線の一部は、
ターゲット材料面上から出て湾曲し、この弧状の磁力線
と前記ターゲット材料面とに境界づけられた閉領域を形
成し、前記陰極と陽極間の印加電圧により発生した荷電
粒子を前記閉領域に保持している。この荷電粒子を該閉
領域に閉じ込めることによって２極スパツタリング装置
に比較し、低圧下での成膜あるいは、高密度プラズマに
よる高速成膜が可能となる。
１９３１９号「カソードスパッタリング装置」に示され
るごとく、ターゲット材料を有する面を持つ陰瞳を設け
、この陰極のターゲツト面の反対側の面に一対の磁極を
設ける。この一対の磁極間に現われる磁力線の一部は、
ターゲット材料面上から出て湾曲し、この弧状の磁力線
と前記ターゲット材料面とに境界づけられた閉領域を形
成し、前記陰極と陽極間の印加電圧により発生した荷電
粒子を前記閉領域に保持している。この荷電粒子を該閉
領域に閉じ込めることによって２極スパツタリング装置
に比較し、低圧下での成膜あるいは、高密度プラズマに
よる高速成膜が可能となる。
この方法は、電極に印加する交流あるいは直流の電力に
よって、プラズマの維持とプラズマ内からターゲツト面
に入射してくるイオンのエネルギ供給を行なっている。
よって、プラズマの維持とプラズマ内からターゲツト面
に入射してくるイオンのエネルギ供給を行なっている。
この装置において成膜速度を上昇せしめようとすると、
印加電力を増加してプラズマ密度を高くしなければなら
ないが、印加電力を大きくするとターゲツト面に入射す
るイオンのエネルギが増加し、ターゲツト面はスパッタ
される際にこのエネルギーの大部分を熱としてもらい、
温度が上昇する。ターゲットの温度が高くなりすぎると
、ターゲット内に大きな温度ストレスの発生による破壊
が起こる虞れがあり、あるいはターゲツト面の背部の接
着部に融解を生じる虞れがあるので成膜速度が抑えられ
ていた。このターゲット温度上昇を抑えた状態で成膜速
度を高める方法として、特開昭５８−７５８３９号に記
載のように、プラズマの発生をマイクロ波によって行な
うものがある。この方法は、前記スパッタ装置に、マイ
クロ波発振器を設けたもので、マイクロ波電力によりプ
ラズマ密度が高くなるため、ターゲットへのイオン入射
エネルギーを増加させることなく成膜速度を上昇させる
ことができる。しかし、この方法では、プラズマ発生領
域が前記のように磁力線とターゲツト面で囲まれた閉領
域と限定しているため、ターゲットの侵食領域も限定さ
れてしまう。成膜速度をさらに高めるためにマイクロ波
電力を上げると、限定された領域にのみスパッタが集中
するため、ターゲット内に過大な熱応力が発生する虞れ
があり、また、ターゲットの背面側の接着部が融解する
虞れも有る。
印加電力を増加してプラズマ密度を高くしなければなら
ないが、印加電力を大きくするとターゲツト面に入射す
るイオンのエネルギが増加し、ターゲツト面はスパッタ
される際にこのエネルギーの大部分を熱としてもらい、
温度が上昇する。ターゲットの温度が高くなりすぎると
、ターゲット内に大きな温度ストレスの発生による破壊
が起こる虞れがあり、あるいはターゲツト面の背部の接
着部に融解を生じる虞れがあるので成膜速度が抑えられ
ていた。このターゲット温度上昇を抑えた状態で成膜速
度を高める方法として、特開昭５８−７５８３９号に記
載のように、プラズマの発生をマイクロ波によって行な
うものがある。この方法は、前記スパッタ装置に、マイ
クロ波発振器を設けたもので、マイクロ波電力によりプ
ラズマ密度が高くなるため、ターゲットへのイオン入射
エネルギーを増加させることなく成膜速度を上昇させる
ことができる。しかし、この方法では、プラズマ発生領
域が前記のように磁力線とターゲツト面で囲まれた閉領
域と限定しているため、ターゲットの侵食領域も限定さ
れてしまう。成膜速度をさらに高めるためにマイクロ波
電力を上げると、限定された領域にのみスパッタが集中
するため、ターゲット内に過大な熱応力が発生する虞れ
があり、また、ターゲットの背面側の接着部が融解する
虞れも有る。
本発明は上述の事情に鑑みて為されたもので。
本発明の目的は、基板がプラズマによるダメージを受け
ることなく、ターゲット表面全体に高密度のプラズマを
発生させて成膜速度を上昇させることができ、しかも、
ターゲットの有効利用面積を拡大することのできるスパ
ッタリング装置を提供しようとするものである。
ることなく、ターゲット表面全体に高密度のプラズマを
発生させて成膜速度を上昇させることができ、しかも、
ターゲットの有効利用面積を拡大することのできるスパ
ッタリング装置を提供しようとするものである。
次に、上記目的を達成するための本発明の原理について
略述する。
略述する。
高密度のプラズマは、電子共振状態を作る様に磁場中に
マイクロ波を導入することによって作られる６前記プラ
ズマ内の荷電粒子は、磁力線を横切る方向への移動は制
限され、磁力線に沿った移動が支配的になるため、該磁
力線をターゲツト面に均等に引き込む手段を設けると、
基板がプラズマにさらされることなく、ターゲット全面
に高密度プラズマが生じ、ターゲットの利用率の向上と
高速成膜が可能となる。
マイクロ波を導入することによって作られる６前記プラ
ズマ内の荷電粒子は、磁力線を横切る方向への移動は制
限され、磁力線に沿った移動が支配的になるため、該磁
力線をターゲツト面に均等に引き込む手段を設けると、
基板がプラズマにさらされることなく、ターゲット全面
に高密度プラズマが生じ、ターゲットの利用率の向上と
高速成膜が可能となる。
上述の原理に基づいて前記の目的を達成するため、本発
明に係るスパッタリング装置は、ターゲット材料を設置
した陰極に対向離間せしめて基板ホルダを設置したスパ
ッタリング装置において、基板ホルダに装着した基板と
これに対向する陰極との側方にマイクロ波発生源、及び
、マイクロ波によってプラズマを発生するプラズマ発生
室を設けたことを特徴とする。
明に係るスパッタリング装置は、ターゲット材料を設置
した陰極に対向離間せしめて基板ホルダを設置したスパ
ッタリング装置において、基板ホルダに装着した基板と
これに対向する陰極との側方にマイクロ波発生源、及び
、マイクロ波によってプラズマを発生するプラズマ発生
室を設けたことを特徴とする。
以下、本発明の一実施例を第１図、第２図により説明す
る。第１図はスパッタリング成膜部の構造を示す断面図
である。
る。第１図はスパッタリング成膜部の構造を示す断面図
である。
陰極２の片面にターゲット１を設置し、該陰極２の裏側
の面（ターゲット取付面の反対側の面）に電磁石３を設
置する。
の面（ターゲット取付面の反対側の面）に電磁石３を設
置する。
前記のターゲット１に対向離間せしめて基板４を保持す
るように、基板ホルダ５を設置する。
るように、基板ホルダ５を設置する。
軸６は前記の陰極２を支承し、真空槽壁７に対して電気
的に絶縁してこれを貫通している。該陰極２は軸６を介
して高周波あるいは直流の電源８に接続する。一方、基
板ホルダ５はアースに接続されている。
的に絶縁してこれを貫通している。該陰極２は軸６を介
して高周波あるいは直流の電源８に接続する。一方、基
板ホルダ５はアースに接続されている。
陰極２と基板ホルダ５とが対向している部分の側方に当
たる位置において、真空槽壁７に窓１０を設け、この窓
１０に対して導波管９の一端を気密に取付ける。この導
波管９の他端にマイクロ波導体板１１を気密に取り付け
て真空を保持する。上記のマイクロ波導体板１１は、例
えば石英、アルミナ磁器などの如く、大気を通過させず
マイクロ波を通過させる材料で構成した板状部材である
。
たる位置において、真空槽壁７に窓１０を設け、この窓
１０に対して導波管９の一端を気密に取付ける。この導
波管９の他端にマイクロ波導体板１１を気密に取り付け
て真空を保持する。上記のマイクロ波導体板１１は、例
えば石英、アルミナ磁器などの如く、大気を通過させず
マイクロ波を通過させる材料で構成した板状部材である
。
上記のマイクロ波導体板１１の外側に、導波管１２を介
してマイクロ波発生源１３を設置する。
してマイクロ波発生源１３を設置する。
前記の導波管９はプラズマ発生部であり、該導波管９の
周囲には磁石１４．１５が配置しである。上記の磁石１
４は窓１０の近傍に、磁石１５はマイクロ波導体板１１
の周囲にそれぞれ配設する。これらの磁石１４．１５に
よる磁力線１６は、磁石３によるターゲツト面上の磁力
線の方向と同方向に設定する。スパッタ成膜室１７と導
波管９は、高真空排気された後雰囲気ガスを導入し所定
の真空度に保っておく。
周囲には磁石１４．１５が配置しである。上記の磁石１
４は窓１０の近傍に、磁石１５はマイクロ波導体板１１
の周囲にそれぞれ配設する。これらの磁石１４．１５に
よる磁力線１６は、磁石３によるターゲツト面上の磁力
線の方向と同方向に設定する。スパッタ成膜室１７と導
波管９は、高真空排気された後雰囲気ガスを導入し所定
の真空度に保っておく。
マイクロ波発生ｇ１３から発振されたマイクロ波は導波
管１２に導びかれ、マイクロ波導体板ＩＩを通過して導
波管９に入り、該導波管９の内の雰囲気ガスを電離して
プラズマ状態とする。磁石１４．１５からなる導波管９
の内の磁場強度を、電子がマイクロ波によって共振を起
こす電子サイクロトロン共振条件（例えば周波数２．４
５ＧＨｚのマイクロ波の場合、 ８７５ Ｇ ａｕｓｓ
）以上にすることにより、マイクロ波はプラズマに吸収
されやすくなり、導波管９内の雰囲気ガスのプラズマは
高密度（プラズマ密度１０”／ａｍ３以上）になる。該
プラズマは磁石１４゜１５によって構成される閉じ込め
磁場（ミラー磁場）により、導波管９の管壁方向へのプ
ラズマの拡散を抑制する。
管１２に導びかれ、マイクロ波導体板ＩＩを通過して導
波管９に入り、該導波管９の内の雰囲気ガスを電離して
プラズマ状態とする。磁石１４．１５からなる導波管９
の内の磁場強度を、電子がマイクロ波によって共振を起
こす電子サイクロトロン共振条件（例えば周波数２．４
５ＧＨｚのマイクロ波の場合、 ８７５ Ｇ ａｕｓｓ
）以上にすることにより、マイクロ波はプラズマに吸収
されやすくなり、導波管９内の雰囲気ガスのプラズマは
高密度（プラズマ密度１０”／ａｍ３以上）になる。該
プラズマは磁石１４゜１５によって構成される閉じ込め
磁場（ミラー磁場）により、導波管９の管壁方向へのプ
ラズマの拡散を抑制する。
また、磁石Ｉ５による磁場強度を磁石１４よりも強くす
る。これにより、大部分のプラズマは磁力線１６に沿っ
てスパッタ成膜室１７に導かれる。そして上記の磁力線
１６は磁石３によりターゲット１に引き込まれるため、
プラズマは空間的に広がることなくターゲット１の全面
に分布する。このプラズマは前記のように高密度プラズ
マであるため、ターゲツト１全面からスパッタされた多
量の粒子による高速成膜が可能となる。またプラズマ密
度はマイクロ波電力によって制御できるため、陰極３に
設けられた電源８を制御してプラズマ中のイオンのター
ゲット１への引き込み状態を制御でき、イオンのターゲ
ットへの入射量およびイオンの加速電圧の制御が可能と
なる。これによりイオンの衝突エネルギーを大きくする
ことなくイオンの入射量を増やすことができ、ターゲッ
ト表面への熱負荷を大きくすることなく高速成膜ができ
る。
る。これにより、大部分のプラズマは磁力線１６に沿っ
てスパッタ成膜室１７に導かれる。そして上記の磁力線
１６は磁石３によりターゲット１に引き込まれるため、
プラズマは空間的に広がることなくターゲット１の全面
に分布する。このプラズマは前記のように高密度プラズ
マであるため、ターゲツト１全面からスパッタされた多
量の粒子による高速成膜が可能となる。またプラズマ密
度はマイクロ波電力によって制御できるため、陰極３に
設けられた電源８を制御してプラズマ中のイオンのター
ゲット１への引き込み状態を制御でき、イオンのターゲ
ットへの入射量およびイオンの加速電圧の制御が可能と
なる。これによりイオンの衝突エネルギーを大きくする
ことなくイオンの入射量を増やすことができ、ターゲッ
ト表面への熱負荷を大きくすることなく高速成膜ができ
る。
本実施例（第１図）においては、１個の窓１０と１組の
プラズマ発生・導入手段とを設けて、一方向（図の右方
）からのみプラズマを供給したが。
プラズマ発生・導入手段とを設けて、一方向（図の右方
）からのみプラズマを供給したが。
複数個の窓ｌＯと複数組のプラズマ発生・導入手段とを
設けて多方向からプラズマを供給することもできる。
設けて多方向からプラズマを供給することもできる。
第２図は前記と異なる実施例を示す。本実施例（第２図
）が前例（第１図）と異なる点は、（ａ）。
）が前例（第１図）と異なる点は、（ａ）。
マイクロ波発生源−（図示せず）を一対設けて、矢印Ａ
、Ｂの如く対向する２方向からマイクロ波を供給するよ
うに構成したことと、（ｂ）、スパッタ成膜室内に設け
た磁石Ｉ８は、はぼ矩形に巻線してその平行な対向辺１
８ｂ、１８ｂを基板ホルダ（図示せず）の方向へ、即ち
本図において上方へ折り上げた形状に成形したことであ
る。１８ａは折り上げ成形の立ち上がり部、１８ｃは折
り上げていない辺である。
、Ｂの如く対向する２方向からマイクロ波を供給するよ
うに構成したことと、（ｂ）、スパッタ成膜室内に設け
た磁石Ｉ８は、はぼ矩形に巻線してその平行な対向辺１
８ｂ、１８ｂを基板ホルダ（図示せず）の方向へ、即ち
本図において上方へ折り上げた形状に成形したことであ
る。１８ａは折り上げ成形の立ち上がり部、１８ｃは折
り上げていない辺である。
この実施例（第２図）によれば、磁石１４．１５の磁力
線は磁石１８の立ち上がり部１８ａの作用により水平方
向に広がらず、該磁石１８の折り上げた辺１８ｂの作用
により上方（基板ホルダに向かう方向）への広がりも抑
えられ、該磁石１８の折り上げていない辺１８ｃの作用
によりターゲット１に導かれ、磁力線に沿って輸送され
るプラズマは前記実施例（第１図）に比して空間的な広
がりをより抑えているため、基板へのプラズマダメージ
の低減、及びプラズマ輸送効率の向上がさらに可能とな
る。
線は磁石１８の立ち上がり部１８ａの作用により水平方
向に広がらず、該磁石１８の折り上げた辺１８ｂの作用
により上方（基板ホルダに向かう方向）への広がりも抑
えられ、該磁石１８の折り上げていない辺１８ｃの作用
によりターゲット１に導かれ、磁力線に沿って輸送され
るプラズマは前記実施例（第１図）に比して空間的な広
がりをより抑えているため、基板へのプラズマダメージ
の低減、及びプラズマ輸送効率の向上がさらに可能とな
る。
上記２つの実施例（第１図、第２図）ともに、プラズマ
が空間的に拡散することなくターゲット全面に高密度で
発生し、かつプラズマの発生とターゲットへのイオンの
入射エネルギーの独立制御が行なえるため、スパッタリ
ング条件の最適化が可能となり、基板にプラズマダメー
ジを与えることなく成膜速度の増大、およびターゲット
全面にプラズマを発生させることによるターゲット利用
率の向上が可能となり、生産効率の向上に効果がある。
が空間的に拡散することなくターゲット全面に高密度で
発生し、かつプラズマの発生とターゲットへのイオンの
入射エネルギーの独立制御が行なえるため、スパッタリ
ング条件の最適化が可能となり、基板にプラズマダメー
ジを与えることなく成膜速度の増大、およびターゲット
全面にプラズマを発生させることによるターゲット利用
率の向上が可能となり、生産効率の向上に効果がある。
またマイクロ波は、プラズマへの吸収効率が高いため、
高真空での成膜が行なえ、高速成膜と合わせて高純度の
膜が得られる利点もある。
高真空での成膜が行なえ、高速成膜と合わせて高純度の
膜が得られる利点もある。
以上詳述したように１本発明のスパッタリング装置によ
れば、基板がプラズマによって損傷される虞れなく、タ
ーゲット表面全体に高密度のプラズマを発生させて成膜
速度を上昇させることができ、しかも、ターゲットの有
効利用面積を増大せしめることができるという優れた実
用的効果を奏する。
れば、基板がプラズマによって損傷される虞れなく、タ
ーゲット表面全体に高密度のプラズマを発生させて成膜
速度を上昇させることができ、しかも、ターゲットの有
効利用面積を増大せしめることができるという優れた実
用的効果を奏する。
第１図及び第２図はそれぞれ本発明の一実施例を示し、
第１図は成膜部の断面図、第２図は同じく斜視図である
。 １・・・ターゲット、２・・・陰極、３・・・磁石、４
・・・基板、５・・・基板ホルダ、６・・・軸、７・・
・真空槽壁、８・・・電源、９・・・導波管、１０・・
・窓、１１・・マイクロ波導体板、 １２・・・導波管
、１３・・・マイクロ波源、１４・・磁石。 １５・・・磁石、１６・・磁力線、１７・スパッタ成膜
室、１８・・・磁石、１８ａ・・・折り上げ形成の立上
り部、１８ｂ・・・折り上げた辺、１８ｃ・・・折り上
げていない辺。
第１図は成膜部の断面図、第２図は同じく斜視図である
。 １・・・ターゲット、２・・・陰極、３・・・磁石、４
・・・基板、５・・・基板ホルダ、６・・・軸、７・・
・真空槽壁、８・・・電源、９・・・導波管、１０・・
・窓、１１・・マイクロ波導体板、 １２・・・導波管
、１３・・・マイクロ波源、１４・・磁石。 １５・・・磁石、１６・・磁力線、１７・スパッタ成膜
室、１８・・・磁石、１８ａ・・・折り上げ形成の立上
り部、１８ｂ・・・折り上げた辺、１８ｃ・・・折り上
げていない辺。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ターゲット材料を設置した陰極に対向離間せしめて
基板ホルダを設置したスパッタリング装置において、基
板ホルダに装着した基板とこれに対向する陰極との側方
にマイクロ波発生源、及び、マイクロ波によってプラズ
マを発生するプラズマ発生室を設けたことを特徴とする
スパッタリング装置。 ２、前記の陰極は、ターゲットを設置した面の裏側に磁
石を設置し、この磁石の磁力線をプラズマ発生室に設け
た磁石の磁力線と連続せしめて、プラズマ発生室近傍の
磁力線がターゲットを通過するように誘導する構造であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のスパ
ッタリング装置。 ３、前記の陰極の裏側に設置した磁石は電磁石であって
、その励磁コイルをほぼ矩形に巻回して、その一対の対
向辺の部分をそれぞれ基板ホルダに近ずけるように折り
曲げた形状に構成したものであることを特徴とする特許
請求の範囲第２項に記載のスパッタリング装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59207058A JPS6187867A (ja) | 1984-10-04 | 1984-10-04 | スパツタリング装置 |
| DE8585110155T DE3566194D1 (en) | 1984-08-31 | 1985-08-13 | Microwave assisting sputtering |
| EP85110155A EP0173164B1 (en) | 1984-08-31 | 1985-08-13 | Microwave assisting sputtering |
| KR1019850006013A KR900006488B1 (ko) | 1984-08-31 | 1985-08-21 | 마이크로파 여기 스퍼터링 방법 및 장치 |
| US06/769,505 US4721553A (en) | 1984-08-31 | 1985-08-23 | Method and apparatus for microwave assisting sputtering |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59207058A JPS6187867A (ja) | 1984-10-04 | 1984-10-04 | スパツタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6187867A true JPS6187867A (ja) | 1986-05-06 |
Family
ID=16533505
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59207058A Pending JPS6187867A (ja) | 1984-08-31 | 1984-10-04 | スパツタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6187867A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62287072A (ja) * | 1986-06-06 | 1987-12-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜形成装置 |
| JPS63118064A (ja) * | 1986-11-07 | 1988-05-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 蒸着装置 |
| JPH11288799A (ja) * | 1998-01-26 | 1999-10-19 | Commiss Energ Atom | 永久磁石を用いた線形マイクロ波プラズマ発生装置 |
-
1984
- 1984-10-04 JP JP59207058A patent/JPS6187867A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62287072A (ja) * | 1986-06-06 | 1987-12-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜形成装置 |
| JPS63118064A (ja) * | 1986-11-07 | 1988-05-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 蒸着装置 |
| JPH11288799A (ja) * | 1998-01-26 | 1999-10-19 | Commiss Energ Atom | 永久磁石を用いた線形マイクロ波プラズマ発生装置 |
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