JPS63118064A - 蒸着装置 - Google Patents
蒸着装置Info
- Publication number
- JPS63118064A JPS63118064A JP61265937A JP26593786A JPS63118064A JP S63118064 A JPS63118064 A JP S63118064A JP 61265937 A JP61265937 A JP 61265937A JP 26593786 A JP26593786 A JP 26593786A JP S63118064 A JPS63118064 A JP S63118064A
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- JP
- Japan
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- vapor deposition
- magnetic field
- microwave
- deposition apparatus
- deposition source
- Prior art date
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、蒸着装置とぐにマイクロ波と磁場を印加して
イオン化を促進させた蒸着装置に関するものである。
イオン化を促進させた蒸着装置に関するものである。
従来の技術
真空を利用した薄膜を形成する方法として蒸着法、スパ
ッタ法、イオンブレーティング法、気相成長法などがあ
る。化合物薄膜の形成や膜質をよぐするためイオン化を
促進する方法としてイオンブレーティング法がある。第
２図に従来のイオンブレーティング法の蒸着装置を示す
。１は蒸着源、７はグリッド電極、６は基板、４は真空
槽、６は蒸着物である。
ッタ法、イオンブレーティング法、気相成長法などがあ
る。化合物薄膜の形成や膜質をよぐするためイオン化を
促進する方法としてイオンブレーティング法がある。第
２図に従来のイオンブレーティング法の蒸着装置を示す
。１は蒸着源、７はグリッド電極、６は基板、４は真空
槽、６は蒸着物である。
蒸着源１の蒸着物６より発生した電気的に中性あるいは
イオン化した蒸着粒子のうちイオンを、負電位にしであ
るグリッド電極７によって加速して、基板６に至らしめ
て、良質な膜を得るものである（麻蒔立男著「薄膜作成
の基礎」第６章、６章、７章）。
イオン化した蒸着粒子のうちイオンを、負電位にしであ
るグリッド電極７によって加速して、基板６に至らしめ
て、良質な膜を得るものである（麻蒔立男著「薄膜作成
の基礎」第６章、６章、７章）。
発明が解決しようとする問題点
ところが上記のような構成によると、イオン化を促進さ
せるだめの電極７が必要となり、活性化したイオンによ
る電極へのスパッタリングによって膜中に不純物として
電極材料が混入してしまう。
せるだめの電極７が必要となり、活性化したイオンによ
る電極へのスパッタリングによって膜中に不純物として
電極材料が混入してしまう。
本発明は、上記のような間順に鑑み電極がなくかつイオ
ン化を促進させて良質な膜形成を可能にする蒸着装置を
提供するものである。
ン化を促進させて良質な膜形成を可能にする蒸着装置を
提供するものである。
問題点を解決するための手段
本発明は蒸着源の周辺にマイクロ波を導入する手段と磁
場を印加する手段を有したことによって上記の問題を解
決するものである。
場を印加する手段を有したことによって上記の問題を解
決するものである。
作 用
本発明は、蒸着源から発生した電気的に中性の中性粒子
およびイオンを、基板に至るまでにマイクロ波と磁場に
よってイオン化および励起するものでちる。すなわちマ
イクロ波を用いるので電極が不必要であり、また磁場強
度を電子サイクロトロン共鳴条件を満たす磁場強度にす
ることにより、高エネルギーでかつ高密度の電子を発生
し、中性粒子およびイオンを励起およびイオン化を促進
できる。その結果、励起およびイオンした粒子によって
良質な膜を得ることができる。
およびイオンを、基板に至るまでにマイクロ波と磁場に
よってイオン化および励起するものでちる。すなわちマ
イクロ波を用いるので電極が不必要であり、また磁場強
度を電子サイクロトロン共鳴条件を満たす磁場強度にす
ることにより、高エネルギーでかつ高密度の電子を発生
し、中性粒子およびイオンを励起およびイオン化を促進
できる。その結果、励起およびイオンした粒子によって
良質な膜を得ることができる。
実施例
第１図に本発明の装置の概略図を示す。１は蒸着源、２
はマイクロ波用の同軸円筒状アンテナ、３は磁場コイル
である。
はマイクロ波用の同軸円筒状アンテナ、３は磁場コイル
である。
蒸着源１は、同軸円筒状アンテナ２の内軸８と一体化す
るように配置されており、蒸着源１から放出される蒸着
粒子の飛りゅう方向はマイクロ波（２，４５ＧＨｚ）の
伝搬方向９と一致している。また同軸円筒状アンテナ２
より伝搬されたマイクロ波の電界方向１１に対して垂直
方向すなわち、蒸着粒子の飛りゅう方向と同方向に磁場
（磁力線１１）を印加できるように磁場コイル３を同軸
円筒状アンテナ２の外周に配置した。また磁場の強度Ｂ
０は、マイクロ波の周波数で決まる電子サイクロトロン
共鳴条件（２，４５ＧＨｚの場合、Ｂ０＝０．０８を満
たすようにした。
るように配置されており、蒸着源１から放出される蒸着
粒子の飛りゅう方向はマイクロ波（２，４５ＧＨｚ）の
伝搬方向９と一致している。また同軸円筒状アンテナ２
より伝搬されたマイクロ波の電界方向１１に対して垂直
方向すなわち、蒸着粒子の飛りゅう方向と同方向に磁場
（磁力線１１）を印加できるように磁場コイル３を同軸
円筒状アンテナ２の外周に配置した。また磁場の強度Ｂ
０は、マイクロ波の周波数で決まる電子サイクロトロン
共鳴条件（２，４５ＧＨｚの場合、Ｂ０＝０．０８を満
たすようにした。
以上のような構成にして酸化インジウムの形成について
以下述べる。
以下述べる。
真空槽４内に酸素を導入して、１．３Ｘ１０−２Ｐａに
する。そして蒸着物６（インジウム）を入れた蒸着源１
よりインジウムを蒸発させて全体の圧力を３Ｘ１０
Ｐａにした。
する。そして蒸着物６（インジウム）を入れた蒸着源１
よりインジウムを蒸発させて全体の圧力を３Ｘ１０
Ｐａにした。
そしてマイクロ波のパワーを２０ｏ’Ｗとし、蒸着源１
付近で電子サイクロトロン共鳴放電をつくった。このよ
うにしてインジウムと酸素の励起およびイオン化された
粒子によって基板５に酸化インジウムの膜を得た。
付近で電子サイクロトロン共鳴放電をつくった。このよ
うにしてインジウムと酸素の励起およびイオン化された
粒子によって基板５に酸化インジウムの膜を得た。
台
その結果１００ｍの良好な導電性の酸化インジウム膜を
うろことができた。
うろことができた。
なお、実施例においては、酸化インジウムを蒸着物とし
て用いたが、蒸発粒子をうるものであれば、何でもよく
。まだ酸素を導入したが、その他のガスを導入してもよ
くまた導入しなくてもよへそれから、マイクロ波の導入
手段として同軸円筒状のアンテナを用いたが、蒸着源１
の周辺にヘリカルアンテナや、導波管を配置してもよい
。
て用いたが、蒸発粒子をうるものであれば、何でもよく
。まだ酸素を導入したが、その他のガスを導入してもよ
くまた導入しなくてもよへそれから、マイクロ波の導入
手段として同軸円筒状のアンテナを用いたが、蒸着源１
の周辺にヘリカルアンテナや、導波管を配置してもよい
。
また、磁場を印加する手段として、ここでは磁場コイル
を用いたが、蒸着粒子とほぼ同じ方向に磁場を印加でき
る手段であれば何を用いてもよい。
を用いたが、蒸着粒子とほぼ同じ方向に磁場を印加でき
る手段であれば何を用いてもよい。
また、ここでは１つの蒸着源で構成しているが２以上の
蒸着源でもよい。
蒸着源でもよい。
また、マイクロ波を導入する位置は、蒸着源の外周に配
置したが、位置や方法はマイクロ波を導入できれば何で
もよい。
置したが、位置や方法はマイクロ波を導入できれば何で
もよい。
発明の効果
以上のように本発明は、少なくとも１つの蒸着源の周辺
にマイクロ波を導入する手段と磁場を印加する手段とを
有したことによって、イオン化が促進されるという優れ
た効果を有して工業的に高い価値をもつ。
にマイクロ波を導入する手段と磁場を印加する手段とを
有したことによって、イオン化が促進されるという優れ
た効果を有して工業的に高い価値をもつ。
第１図は本発明の蒸着装置の断面概略図、第２図は従来
のイオンブレーティング法の蒸着装置の断面概略図であ
る。 １・・・・・・蒸着源、２・・・・・・同軸円筒状アン
テナ、３・・・・・・磁場コイル、４・・・・・・真空
槽、６・・・・・・基板、６・・・・・・蒸着物、７・
・・・・・グリッド電極。
のイオンブレーティング法の蒸着装置の断面概略図であ
る。 １・・・・・・蒸着源、２・・・・・・同軸円筒状アン
テナ、３・・・・・・磁場コイル、４・・・・・・真空
槽、６・・・・・・基板、６・・・・・・蒸着物、７・
・・・・・グリッド電極。
Claims (5)
- （１）少なくとも１つの蒸着源の周辺にマイクロ波を導
入する手段と磁場を印加する手段とを有したことに特徴
とする蒸着装置。 - （２）蒸着源から放出される蒸着粒子とマイクロ波の伝
搬方向を一致させたことを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の蒸着装置。 - （３）蒸着源の外周に同軸円筒状のアンテナをマイクロ
波の導入手段としたことを特徴とした特許請求の範囲第
２項記載の蒸着装置。 - （４）マイクロ波の電界方向に直角方向に磁場を印加し
前記磁場の強度を、マイクロ波の周波数で決まる電子サ
イクロトロン共鳴条件以上にしたことを特徴とする特許
請求の範囲第３項記載の蒸着装置。 - （５）蒸着源を同軸円筒状のアンテナの内軸と一体化す
ることを特徴とする特許請求の範囲第３項又は第４項記
載の蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61265937A JPH089773B2 (ja) | 1986-11-07 | 1986-11-07 | 蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61265937A JPH089773B2 (ja) | 1986-11-07 | 1986-11-07 | 蒸着装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63118064A true JPS63118064A (ja) | 1988-05-23 |
| JPH089773B2 JPH089773B2 (ja) | 1996-01-31 |
Family
ID=17424151
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61265937A Expired - Lifetime JPH089773B2 (ja) | 1986-11-07 | 1986-11-07 | 蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH089773B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0297664A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-10 | Res Dev Corp Of Japan | 超高純度成膜装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57123968A (en) * | 1981-01-26 | 1982-08-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Formation of zinc oxide film by plasma vapor phase method |
| JPS6187869A (ja) * | 1984-10-05 | 1986-05-06 | Hitachi Ltd | スパツタ装置 |
| JPS6187867A (ja) * | 1984-10-04 | 1986-05-06 | Hitachi Ltd | スパツタリング装置 |
-
1986
- 1986-11-07 JP JP61265937A patent/JPH089773B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57123968A (en) * | 1981-01-26 | 1982-08-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Formation of zinc oxide film by plasma vapor phase method |
| JPS6187867A (ja) * | 1984-10-04 | 1986-05-06 | Hitachi Ltd | スパツタリング装置 |
| JPS6187869A (ja) * | 1984-10-05 | 1986-05-06 | Hitachi Ltd | スパツタ装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0297664A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-10 | Res Dev Corp Of Japan | 超高純度成膜装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH089773B2 (ja) | 1996-01-31 |
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