JPS6188517A - ウエハ処理装置 - Google Patents

ウエハ処理装置

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Publication number
JPS6188517A
JPS6188517A JP59209232A JP20923284A JPS6188517A JP S6188517 A JPS6188517 A JP S6188517A JP 59209232 A JP59209232 A JP 59209232A JP 20923284 A JP20923284 A JP 20923284A JP S6188517 A JPS6188517 A JP S6188517A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
wafers
carbon
heated
uniformly
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59209232A
Other languages
English (en)
Inventor
Junji Sakurai
桜井　潤治
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP59209232A priority Critical patent/JPS6188517A/ja
Publication of JPS6188517A publication Critical patent/JPS6188517A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
    • H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
    • H10P14/3404—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being Group IVA materials
    • H10P14/3408—Silicon carbide
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/24—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using chemical vapour deposition [CVD]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
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    • H10P14/3404—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being Group IVA materials
    • H10P14/3411—Silicon, silicon germanium or germanium

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体ウェハを複数個まとめてエピタキシャル
成長、各種物質の気相成長（ＣＶＤ）等の処理を行う装
置に係り、特にウェハを均一加熱できろウェハ処理装置
に関する。
近年大規模集積回路（ＬＳＩ）の高集積化に伴いチップ
サイズは大きくなり、かつ量産効率を高めるため使用す
るウェハは大口径化され、直径が６インチ、あるいはそ
れ以上のウェハが量産工程に使用されるようになった。
従って大口径ウェハに対する各種装置の問題点を解決し
ておく必要がある。
〔従来の技術〕
第２図は従来例によるウェハ処理装置の模式的な断面図
である。
図において、１は炉芯管、２は蓋、３はウェハホルダ（
またはウェハバスケット）、４は各ウェハ、５はヒータ
である。１，２．３は石英よりなる。
ウェハの大口径化に伴い、ウェハを平行に並べた図示の
ようなＨｏｔ　Ｗａｌｌ型の装置では、ウェハの中心部
と周辺との温度差が大きくなる。
また炉芯管１が高温になり、−酸化珪素（Ｓｉｎ）が蒸
発してウェハ表面に付着し、欠陥の原因になったり、モ
ノシラン（ＳｉＨａ）等が管壁で熱分解しＳｉが堆積し
、これが剥離して塵埃の発生源になる等の不都合があっ
た。
第３図は他の従来例によるウェハ処理装置の模式的な断
面図である。
図において、６は石英よりなるヘルジャ、７はウェハ４
を載せるカーボンに炭化珪素（ＳｉＣ）や珪素（Ｓｉ）
等を被覆してなるサセプタ、８は石英よりなるスカート
、９は渦巻状の高周波（ＲＦ）加熱コイルである。
この場合は、ＲＦコイル９より電力を受けたサセプタ７
から、ウェハ４を加熱すると表裏の温度差でウェハ４が
そる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
ウェハが大口径化されるに伴い、ウェハを均一に加熱す
ることは難しくなった。
〔問題点を解決するための手段〕
上記問題点の解決は、複数個のウェハを略平行に間隔を
おいて並べ、該ウェハの間隙に該ウェハから離して発熱
体を配置してなる本発明によるウェハ処理装置により達
成される。
〔作用〕
ウェハの各間隙に発熱体としてカーボンウェハをウェハ
から離して配置し、炉芯管の外からＲＦ電力を印加して
カーボンウェハを加熱し、カーボンウェハ表面より輻射
される赤外線でウェハを均一加熱する。
特にウェハ処理においては真空、または減圧で行う処理
が多く、対流による熱移動が期待できないため本発明に
よる効果は大きい。
〔実施例〕
第１図は本発明によるウェハ処理装置の模式的な断面図
である。
図において、１は炉芯管、２は蓋、４は各ウェハ、１０
は発熱体としてのカーボンにＳｉＣやＳｉ等を被覆して
なるカーボンウェハ、１１はＲＦコイルである。
この例では、ウェハが大口径化されても、ウェハ４はＲ
Ｆコイル１０により加熱されたカーボンウェハ１０より
輻射される赤外線によりウエノ＼４は半径方向、厚さ方
向とも均一に加熱される。
実施例として８″ψウエハを５ｍｍ間隔に並べ、それら
の間隙にウェハ４と同じ口径、厚さのカーボンウェハ１
０を配置し、外部よりＲＦ電力によりカーボンウェハ１
０を加熱してＳｉのエピタキシャル成長を行った。
エピタキシャル成長層の膜厚は第２図の従来例では土２
０％以上であるが、本発明によると±５５／６以下とな
った。
実施例では、横型炉について本発明を適用したが、縦型
炉についても同様に適用可能である。
〔発明の効果〕
以上詳細に説明したように本発明によれば、ウェハが大
口径化されても、ウェハを半径方向、厚さ方向ともに均
一に加熱できる。真空、減圧装置に対しては特に効果が
ある。
さらに半導体ウェハと発熱体ウェハを搭載したハスケソ
トごと前処理し、そのまま熱処理することも可能になり
、自動化プロセスに適している。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明によるウェハ処理装置の模式的な断面図
、 第２図は従来例によるウェハ処理装置の模式的な断面図
、 第３図は他の従来例によるウェハ処理装置の模式的な断
面図である。 図において、 １は炉芯管、　　　　　　２は蓋、 ３はウェハホルダ、　　　４はウエノ風５はヒータ、　
　　　　　６はベルジャ、７はサセプタ、　　　　　８
はスカート、９．１１はＲＦコイル、　１０は発熱体を
示す。 革／［ｇ 革２　区 草３０

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 複数個のウェハを略平行に間隔をおいて並べ、該ウェハ
    の間隙に該ウェハから離して発熱体を配置してなること
    を特徴とするウェハ処理装置。
JP59209232A 1984-10-05 1984-10-05 ウエハ処理装置 Pending JPS6188517A (ja)

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JP59209232A JPS6188517A (ja) 1984-10-05 1984-10-05 ウエハ処理装置

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JP59209232A JPS6188517A (ja) 1984-10-05 1984-10-05 ウエハ処理装置

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JPS6188517A true JPS6188517A (ja) 1986-05-06

Family

ID=16569542

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59209232A Pending JPS6188517A (ja) 1984-10-05 1984-10-05 ウエハ処理装置

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JP (1) JPS6188517A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003068658A (ja) * 2001-08-28 2003-03-07 Sony Corp 熱処理装置及び半導体素子の製造方法
JP2009141205A (ja) * 2007-12-07 2009-06-25 Tokyo Electron Ltd 処理装置及び処理方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003068658A (ja) * 2001-08-28 2003-03-07 Sony Corp 熱処理装置及び半導体素子の製造方法
JP2009141205A (ja) * 2007-12-07 2009-06-25 Tokyo Electron Ltd 処理装置及び処理方法

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