JPS6189707A - 表面弾性波装置 - Google Patents
表面弾性波装置Info
- Publication number
- JPS6189707A JPS6189707A JP21056684A JP21056684A JPS6189707A JP S6189707 A JPS6189707 A JP S6189707A JP 21056684 A JP21056684 A JP 21056684A JP 21056684 A JP21056684 A JP 21056684A JP S6189707 A JPS6189707 A JP S6189707A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- saw
- semiconductor
- acoustic wave
- surface acoustic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 2
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 abstract description 2
- 208000037516 chromosome inversion disease Diseases 0.000 abstract 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02566—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of semiconductor substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02842—Means for compensation or elimination of undesirable effects of reflections
- H03H9/0285—Means for compensation or elimination of undesirable effects of reflections of triple transit echo
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、半導体基板と、その上に作成された圧電体薄
膜と、その表面の両端近傍に設けられた櫛形電極とを含
む表面弾性波（以下本明細書においてはＳＡＷと略記す
る。）装置に関する。
膜と、その表面の両端近傍に設けられた櫛形電極とを含
む表面弾性波（以下本明細書においてはＳＡＷと略記す
る。）装置に関する。
ＳＡＷ装置においては、素子の端面からＳＡＷの反射が
あると、そわが装置の特性に悪影響馨与える。例えば、
ＳＡＷフィルタでは、フィルタの挿入損失の悪化や帯域
内のりップルの原因となる。
あると、そわが装置の特性に悪影響馨与える。例えば、
ＳＡＷフィルタでは、フィルタの挿入損失の悪化や帯域
内のりップルの原因となる。
そこで、第４図に示１ように、素子の端面からの反射な
防ぐために、端面近傍に吸音拐装置（のが。
防ぐために、端面近傍に吸音拐装置（のが。
従来からの一般的な方法であった。第４図中１は半導体
基板上に形成された圧電膜から成る圧電基板、２は櫛形
電極、３は吸音材’ｔ−表わす。
基板上に形成された圧電膜から成る圧電基板、２は櫛形
電極、３は吸音材’ｔ−表わす。
しかし、０の方法では小さな装置では吸音相３ヶ適切に
載置するのが難しいという欠点があるし。
載置するのが難しいという欠点があるし。
吸音材の―く位置や、形状、量など馨−ボにするεとが
困難であり、製品の特性のばらつきの一因となるという
欠点もあった。
困難であり、製品の特性のばらつきの一因となるという
欠点もあった。
本発明の目的は、端面からのＳＡＷの反射な有効に防止
する、旨頭に述べた種類のＳＡＷ装置を提供することで
ある。
する、旨頭に述べた種類のＳＡＷ装置を提供することで
ある。
上記目的を達成するため忙５本発明によるＳＡＷ装置は
、櫛形電極のさらに外側にそれぞれ１個の金属電極が設
けられており、該電極に半導体基板表面が強反転となる
ような電圧が印加されるごとヲ装旨とする。本発明の有
利な実施の態様においては、上記金属電極の互に対向す
る側の辺はＳＡＷの進行方向に対して傾斜している。
、櫛形電極のさらに外側にそれぞれ１個の金属電極が設
けられており、該電極に半導体基板表面が強反転となる
ような電圧が印加されるごとヲ装旨とする。本発明の有
利な実施の態様においては、上記金属電極の互に対向す
る側の辺はＳＡＷの進行方向に対して傾斜している。
以下に、図面ン参照しながら、実施例を用いて本発明ン
一層詳細に説明するが、そわらは的示に過ぎず、本発明
の枠を越えることなしにいろいろな変形や改良があり得
ることは勿論である。
一層詳細に説明するが、そわらは的示に過ぎず、本発明
の枠を越えることなしにいろいろな変形や改良があり得
ることは勿論である。
第１図は本発明によるＳＡＷ装置の斜視図で。
図中第４図と共通する引用番号は第４図におけるものと
同じ部分を表わす。
同じ部分を表わす。
半導体基＆４とその一表面上に設けられた圧電膜５が圧
電基＃１１ン構成する。半導体基板４は。
電基＃１１ン構成する。半導体基板４は。
表面ン酸化または窒化して酸化膜や窒化膜を形成したも
のであっても良い。圧電基板ｌの裏面には、裏面電極６
が設けらｔ、接地されている。櫛形電極２Ω外１１ｉ１
Ｖｃ、イなわち従来第４図に示す吸音材３が置かれてい
た位置に金属電極７が設げられ、裏面電極６との間にバ
イアス電圧ｖＢが印加される。バイアス電圧ＶＢは、半
導体基数４表面が強反転になるような電圧とする。
のであっても良い。圧電基板ｌの裏面には、裏面電極６
が設けらｔ、接地されている。櫛形電極２Ω外１１ｉ１
Ｖｃ、イなわち従来第４図に示す吸音材３が置かれてい
た位置に金属電極７が設げられ、裏面電極６との間にバ
イアス電圧ｖＢが印加される。バイアス電圧ＶＢは、半
導体基数４表面が強反転になるような電圧とする。
また、金属電極７は、その互に対向している辺が、ＳＡ
Ｗの進行方向に対し斜めになるように設置される。金属
電極７の辺ンこのように設定するのは、金属電極７の端
面からのＳＡＷの反射波を、櫛形電極２ｇｔ！ｌに戻ら
ないようにするためである。
Ｗの進行方向に対し斜めになるように設置される。金属
電極７の辺ンこのように設定するのは、金属電極７の端
面からのＳＡＷの反射波を、櫛形電極２ｇｔ！ｌに戻ら
ないようにするためである。
第１図に示す金属電極７が設置されている部分は、いわ
ゆるモノリシックＭＩＳ（金属／′絶縁体／牛導体）構
造になっている。
ゆるモノリシックＭＩＳ（金属／′絶縁体／牛導体）構
造になっている。
このような構造ケ伝播するＳＡＷは、金属と半導体の間
に印加されたバイアス電圧によって、その伝播損失ケ大
きく変える。伝播損失とバイアス電圧の関係の−ｐＨケ
温度をパラメータとして第２図に示１゜第２図に見られ
るように、伝播損失はある電圧領域で急激に大きくなり
、１００ ｄＢ ７ｃｍにも達する。このような電圧で
は、ＳＡＷは、僅かな距離ケ伝播するだけで、丁ぐに消
えてしまう。
に印加されたバイアス電圧によって、その伝播損失ケ大
きく変える。伝播損失とバイアス電圧の関係の−ｐＨケ
温度をパラメータとして第２図に示１゜第２図に見られ
るように、伝播損失はある電圧領域で急激に大きくなり
、１００ ｄＢ ７ｃｍにも達する。このような電圧で
は、ＳＡＷは、僅かな距離ケ伝播するだけで、丁ぐに消
えてしまう。
ＳＡＷが急激に減衰する領域は、半導体が強反転になる
ような電圧領域に対応する。第３図にＣ−Ｖ特性（容量
−電圧特性）（曲線ａ）と伝播損失の推移（曲線ｂ）の
比較ン示す。図示のように。
ような電圧領域に対応する。第３図にＣ−Ｖ特性（容量
−電圧特性）（曲線ａ）と伝播損失の推移（曲線ｂ）の
比較ン示す。図示のように。
伝播損失が急激に大きくなるのは、半導体表面が強反転
になる時（破線の左側）である。
になる時（破線の左側）である。
以上のように半導体が強反転となるようなバイアス電圧
ケ印加１れば、その部分でＳＡＷケ急激にｔｉｋ衰させ
ることができるから、その部分で表面波ケ吸収し１反射
ケ防ぐことができる。
ケ印加１れば、その部分でＳＡＷケ急激にｔｉｋ衰させ
ることができるから、その部分で表面波ケ吸収し１反射
ケ防ぐことができる。
本発明の金属電極には櫛形電極と同じ金属を用いること
ができ、かつ櫛形電極の製造と同じ方法（写真蝕刻法）
で、しかも櫛形電極の製造と同時に製造することができ
るから、吸音材を置く方法と比較して工程ン減らすこと
ができる。また、金属′＃を極の位置および形状はフォ
トマスクのパターンで決筺るから、常に同一の条件で製
造されるので、製品のばらつきが少ないという長所も得
られる。
ができ、かつ櫛形電極の製造と同じ方法（写真蝕刻法）
で、しかも櫛形電極の製造と同時に製造することができ
るから、吸音材を置く方法と比較して工程ン減らすこと
ができる。また、金属′＃を極の位置および形状はフォ
トマスクのパターンで決筺るから、常に同一の条件で製
造されるので、製品のばらつきが少ないという長所も得
られる。
第１図は本発明によるＳＡＷ装置の斜視図、第２図は伝
播損失とバイアス電圧の関係を示すグラフ、第３図は伝
播損失および静電容量とバイアス電圧の関係χ示１グラ
フ、第４図は従来のＳＡＷ装置の上面図である。 １・・・圧電基板、２・・・櫛形Ｔｔ極、３・・・吸音
材、４・・・半導体基板、５・・・圧電膜、６・・・裏
面電、極、７・・・金属電極。 特許出願人 クラリオン株式会社 代理人 弁理士 永 １）武 三 部・・、、゛、゛
ノ
播損失とバイアス電圧の関係を示すグラフ、第３図は伝
播損失および静電容量とバイアス電圧の関係χ示１グラ
フ、第４図は従来のＳＡＷ装置の上面図である。 １・・・圧電基板、２・・・櫛形Ｔｔ極、３・・・吸音
材、４・・・半導体基板、５・・・圧電膜、６・・・裏
面電、極、７・・・金属電極。 特許出願人 クラリオン株式会社 代理人 弁理士 永 １）武 三 部・・、、゛、゛
ノ
Claims (2)
- （１）半導体基板と、その上に作成された圧電体薄膜と
、その表面の両端近傍に設けられた櫛形電極とを含む表
面弾性波装置において、上記櫛形電極のさらに外側にそ
れぞれ１個の金属電極が設けられており、該金属電極に
上記半導体基板表面が強反転となるような電圧が印加さ
れることを特徴とする表面弾性波装置。 - （２）上記金属電極の互に対向する側の辺が表面弾性波
の進行方向に対して傾斜していることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の表面弾性波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21056684A JPS6189707A (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 | 表面弾性波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21056684A JPS6189707A (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 | 表面弾性波装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6189707A true JPS6189707A (ja) | 1986-05-07 |
| JPH033410B2 JPH033410B2 (ja) | 1991-01-18 |
Family
ID=16591441
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21056684A Granted JPS6189707A (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 | 表面弾性波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6189707A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0210908A (ja) * | 1988-06-28 | 1990-01-16 | Clarion Co Ltd | 弾性表面波素子 |
-
1984
- 1984-10-09 JP JP21056684A patent/JPS6189707A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0210908A (ja) * | 1988-06-28 | 1990-01-16 | Clarion Co Ltd | 弾性表面波素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH033410B2 (ja) | 1991-01-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7368857B2 (en) | Piezoelectric resonator element, piezoelectric, resonator, and piezoelectric oscillator | |
| KR19980071551A (ko) | 탄성 표면파 장치 | |
| JPH033411B2 (ja) | ||
| JPH0218614B2 (ja) | ||
| US6369491B1 (en) | Surface acoustic wave device and method for manufacturing the same | |
| JPH0582768B2 (ja) | ||
| JPS6146609A (ja) | 圧電振動子 | |
| CN109417371A (zh) | 弹性波装置 | |
| JP3106912B2 (ja) | 端面反射型表面波装置の製造方法 | |
| JPS6189707A (ja) | 表面弾性波装置 | |
| US5710529A (en) | Surface acoustic wave filer device having a cascade filter structure and a piezoelectric substrate having mirror-polished surfaces | |
| JPS63260313A (ja) | 弾性表面波コンボルバ | |
| KR100496405B1 (ko) | 압전 진동자와 그것을 이용한 필터 | |
| JPH10209801A (ja) | 表面波装置 | |
| JPH05183375A (ja) | 圧電薄膜発振子 | |
| JP3341407B2 (ja) | 端面反射型表面波装置 | |
| JPH0228921B2 (ja) | ||
| JPH06268469A (ja) | 表面波装置 | |
| JP2625520B2 (ja) | 弾性表面波コンボルバの製造方法 | |
| JPH09148879A (ja) | 弾性表面波デバイス | |
| JP2001339272A (ja) | 圧電共振子 | |
| JPH05199058A (ja) | 表面波装置の製造方法 | |
| JPS6224983Y2 (ja) | ||
| JP3198563B2 (ja) | 表面波装置 | |
| JP3456810B2 (ja) | 弾性表面波フィルタ |