JPH0210908A - 弾性表面波素子 - Google Patents
弾性表面波素子Info
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- JPH0210908A JPH0210908A JP63162250A JP16225088A JPH0210908A JP H0210908 A JPH0210908 A JP H0210908A JP 63162250 A JP63162250 A JP 63162250A JP 16225088 A JP16225088 A JP 16225088A JP H0210908 A JPH0210908 A JP H0210908A
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- semiconductor substrate
- substrate
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/0296—Surface acoustic wave [SAW] devices having both acoustic and non-acoustic properties
- H03H9/02976—Surface acoustic wave [SAW] devices having both acoustic and non-acoustic properties with semiconductor devices
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
- G06G—ANALOGUE COMPUTERS
- G06G7/00—Devices in which the computing operation is performed by varying electric or magnetic quantities
- G06G7/12—Arrangements for performing computing operations, e.g. operational amplifiers specially adapted therefor
- G06G7/19—Arrangements for performing computing operations, e.g. operational amplifiers specially adapted therefor for forming integrals of products, e.g. Fourier integrals, Laplace integrals or correlation integrals; for analysis or synthesis of functions using orthogonal functions
- G06G7/195—Arrangements for performing computing operations, e.g. operational amplifiers specially adapted therefor for forming integrals of products, e.g. Fourier integrals, Laplace integrals or correlation integrals; for analysis or synthesis of functions using orthogonal functions using electro- acoustic elements
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は特にスペクトラム拡散通信方式で使用されるコ
ンボルバ、弾性表面波（以下本明細書においてはＳＡＷ
と略記する。）フィルタ、ＳＡＷ遅延線５等で使用さ
れる ＳＡＷ装置に関する。
ンボルバ、弾性表面波（以下本明細書においてはＳＡＷ
と略記する。）フィルタ、ＳＡＷ遅延線５等で使用さ
れる ＳＡＷ装置に関する。
［発明の概要コ
半導体基板と、その上に作成された圧電体薄膜と、その
表面の両端近傍に設けられた少なくとも一つの櫛形電極
を含むＳＡＷ装置において、上記櫛形電極のさらに外側
の位置で、しかも上記圧電体薄膜の直下に、上記半導体
基板とは異なる導電型の半導体層が上記半導体基板の一
部に設けられている。
表面の両端近傍に設けられた少なくとも一つの櫛形電極
を含むＳＡＷ装置において、上記櫛形電極のさらに外側
の位置で、しかも上記圧電体薄膜の直下に、上記半導体
基板とは異なる導電型の半導体層が上記半導体基板の一
部に設けられている。
上記半導体基板と上記圧電体薄膜の間に絶縁体層が介在
していても良い。
していても良い。
［従来の技術］
ＳＡＷ装置では、素子の端面から表面波の反射があると
、デバイス特性に悪影響を与える。例えば、ＳＡＷ フ
ィルタではフィルタの挿入損失の悪化や帯域内のりップ
ルの原因となる。そこで、素子の端面からの反射を防ぐ
ために、端面近傍に吸音材を置くのが、従来からの一般
的な方法であった。このような装置の上面図を第６図に
示す。
、デバイス特性に悪影響を与える。例えば、ＳＡＷ フ
ィルタではフィルタの挿入損失の悪化や帯域内のりップ
ルの原因となる。そこで、素子の端面からの反射を防ぐ
ために、端面近傍に吸音材を置くのが、従来からの一般
的な方法であった。このような装置の上面図を第６図に
示す。
図中、１ は圧電基板、２は櫛形電極、３は吸音材を表
わす。
わす。
一方、（圧電体薄膜／半導体基板）構造を有する ＳＡ
Ｗ装置では、吸音材を置く方法以外に、第７図に示す構
造によっても、 ＳＡＷの反射を防ぐことができる。第
７図中、第６図と共通する引用番号は第６図におけるも
のと同じか、またはそれに対応する部分を表わし、４
は半導体基板、５ は裏面電極、６ は金属電極を表わ
す。
Ｗ装置では、吸音材を置く方法以外に、第７図に示す構
造によっても、 ＳＡＷの反射を防ぐことができる。第
７図中、第６図と共通する引用番号は第６図におけるも
のと同じか、またはそれに対応する部分を表わし、４
は半導体基板、５ は裏面電極、６ は金属電極を表わ
す。
第７図の構造では、金属電極６ と裏面電極５ の間に
バイアスＶｎを印加し、半導体表面を強反転状態にする
ことによって、金属下を通るＳＡＷ を減衰させ、その
結果として端面からのＳＡＷの反射を防ぐことができる
。第７図に示す構造の詳細な説明は本出願人が先に提出
した「表面弾性波装置」（特願昭５９ ２１０５６６ 号）において既に述べた。
バイアスＶｎを印加し、半導体表面を強反転状態にする
ことによって、金属下を通るＳＡＷ を減衰させ、その
結果として端面からのＳＡＷの反射を防ぐことができる
。第７図に示す構造の詳細な説明は本出願人が先に提出
した「表面弾性波装置」（特願昭５９ ２１０５６６ 号）において既に述べた。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、第６図に示す方法では小さな装置では吸
音材を上手に置くのが難しいという欠点があるし、吸音
材の置く位置や形状、量などを一定にすることが困難で
あり、製品のばらつきの一因となるという欠点もある。
音材を上手に置くのが難しいという欠点があるし、吸音
材の置く位置や形状、量などを一定にすることが困難で
あり、製品のばらつきの一因となるという欠点もある。
第７図に示す構造では、金属電極６ を、写真蝕刻技術
によって製造できるから、第６図に示す構造の欠点を克
服できるという長所がある。しかしながら、第７図に示
す構造ではバイアス源Ｖａが必要であり、素子をシステ
ムに応用する場合、全体として部品点数が増えるという
欠点がある。
によって製造できるから、第６図に示す構造の欠点を克
服できるという長所がある。しかしながら、第７図に示
す構造ではバイアス源Ｖａが必要であり、素子をシステ
ムに応用する場合、全体として部品点数が増えるという
欠点がある。
［発明の目的］
本発明の目的は、（圧電体薄膜／半導体基板）構造を有
する ＳＡＷ装置において、上述した欠点を克服するよ
うな素子を実現できる。具体的しこはバイアス源Ｖｓが
不要な構造を有する弾性表面波素子を提供することであ
る。
する ＳＡＷ装置において、上述した欠点を克服するよ
うな素子を実現できる。具体的しこはバイアス源Ｖｓが
不要な構造を有する弾性表面波素子を提供することであ
る。
［１１題を解決するための手段］
上記目的を達成するために、本発明による弾性表面波素
子は、第１導電型の半導体基板と、該半導体基板の上に
形成された圧電体膜と、該圧電膜上に設けられた少なく
とも一つの櫛形電極と、平面的に見て上記櫛形電極に対
し基板の端部側の位置で、かつ上記圧電体膜直下の上記
第１導電型半導体基板上面部に設けられた第２導電型領
域とを含むことを要旨とする。
子は、第１導電型の半導体基板と、該半導体基板の上に
形成された圧電体膜と、該圧電膜上に設けられた少なく
とも一つの櫛形電極と、平面的に見て上記櫛形電極に対
し基板の端部側の位置で、かつ上記圧電体膜直下の上記
第１導電型半導体基板上面部に設けられた第２導電型領
域とを含むことを要旨とする。
上記半導体基板と上記圧電体薄膜の間に絶縁体層が介在
していても良い。
していても良い。
［作用］
半導体基板と圧電体薄膜によって構成されるＳＡＷ装置
においで、従来構造においては、第７図に示すように、
金属電極６ を設置しているのに対し、半導体基板４
中に異なる導電型の半導体部を設置することによって、
端面からの表面波の反射を防ぐ。
においで、従来構造においては、第７図に示すように、
金属電極６ を設置しているのに対し、半導体基板４
中に異なる導電型の半導体部を設置することによって、
端面からの表面波の反射を防ぐ。
［実施例］
以下に、図面を参照しながら、実施例を用いて本発明を
一層詳細に説明するが、それらは例示に過ぎず１本発明
の枠を越えることなしにいろいろな変形や改良があり得
ることは勿論である。
一層詳細に説明するが、それらは例示に過ぎず１本発明
の枠を越えることなしにいろいろな変形や改良があり得
ることは勿論である。
第１図（ａ）は本発明による弾性表面波素子の上面図、
（ｂ）および（ｃ）は断面図であり、８はｎ型半導体基
板、８′はｎ型半導体領域、９ はｐ型半導体基板、９
′はｎ型半導体領域を表わす。
（ｂ）および（ｃ）は断面図であり、８はｎ型半導体基
板、８′はｎ型半導体領域、９ はｐ型半導体基板、９
′はｎ型半導体領域を表わす。
断面図（ｂ）は、 ｎ型半導体基板に Ｐ 型半導体部
を設けた場合の構造であり、断面図（ｃ）は、 ｐ型半
導体基板に ｎ型半導体部を設けた場合の構造である。
を設けた場合の構造であり、断面図（ｃ）は、 ｐ型半
導体基板に ｎ型半導体部を設けた場合の構造である。
異種導電型半導体部の位置は、櫛形電極２ と装置の端
面の中間部に設置するものとする。なお、第１図には、
圧電膜／半導体構造が示されているが、第２図のように
、圧電膜１／絶縁体１０／半導体８，９構造を採ること
も可能である。第２図の構造は、半導体表面の界面準位
の数を減少させ、素子特性をより安定化できるため、第
１図に示す構造より有利な構造と言える、 さらに、第３図のように、圧電膜１／絶縁体１０／半導
体８，９／高濃度半導体１１構造を採ることも可能であ
る。その場合には、異種導電型半導体の存在する部分以
外の領域で、表面波の伝播損失を減少させることができ
るため、コンボルバ等への応用において、特に有利な構
造である。
面の中間部に設置するものとする。なお、第１図には、
圧電膜／半導体構造が示されているが、第２図のように
、圧電膜１／絶縁体１０／半導体８，９構造を採ること
も可能である。第２図の構造は、半導体表面の界面準位
の数を減少させ、素子特性をより安定化できるため、第
１図に示す構造より有利な構造と言える、 さらに、第３図のように、圧電膜１／絶縁体１０／半導
体８，９／高濃度半導体１１構造を採ることも可能であ
る。その場合には、異種導電型半導体の存在する部分以
外の領域で、表面波の伝播損失を減少させることができ
るため、コンボルバ等への応用において、特に有利な構
造である。
本発明における圧電膜としては、ＺｎＯやＡＱＮ膜等の
薄膜を用いることが可能であり、半導体としては、Ｓｉ
やＧａＡｓ等を用いることが可能であり、第２図および
第３図における絶縁体としては、５ｉ０２膜やＳ ｉ
Ｎ ｘ膜等を用いることが可能である。また、異種導電
型半導体は、不純物の拡散によって形成してもよいし、
イオン注入によって形成しても良い。
薄膜を用いることが可能であり、半導体としては、Ｓｉ
やＧａＡｓ等を用いることが可能であり、第２図および
第３図における絶縁体としては、５ｉ０２膜やＳ ｉ
Ｎ ｘ膜等を用いることが可能である。また、異種導電
型半導体は、不純物の拡散によって形成してもよいし、
イオン注入によって形成しても良い。
なお、本発明の基本構造を示す第１図では、二つの櫛形
電極の間には何の構造も示されていないが、本発明は、
櫛形電極と素子の端面の間での構造についての改良を提
示しているものであり、その他の部分の構造については
、特に限定しない。
電極の間には何の構造も示されていないが、本発明は、
櫛形電極と素子の端面の間での構造についての改良を提
示しているものであり、その他の部分の構造については
、特に限定しない。
すなわち、第１図において二つの櫛形電極の間に、複数
のストリップ電極や、ゲート電極、または他の櫛形電極
が存在してもよい。したがって、本発明は、ＳＡＷ フ
ィルタのみならず、ＳＡＷ遅延線、マツチドフィルタ、
およびＳＡＷコンボルバ、等において、素子端面からの
ＳＡＷの反射の影響を減少するための手段として広く応
用できるものである。
のストリップ電極や、ゲート電極、または他の櫛形電極
が存在してもよい。したがって、本発明は、ＳＡＷ フ
ィルタのみならず、ＳＡＷ遅延線、マツチドフィルタ、
およびＳＡＷコンボルバ、等において、素子端面からの
ＳＡＷの反射の影響を減少するための手段として広く応
用できるものである。
以下上記実施例の動作を説明する。
本発明は、第７図に示す従来構造においてバイアスＶＢ
を印加することによって起こる現象を、無バイアスで生
起させようとするものである。以下、それが可能である
ことを説明する。なお、以下では、 ｎ型半導体基板に
、異種導電型半導体として ｐ型半導体部を設置した場
合について説明するが、 ｐ型半導体基板に ｎ型半導
体部を設けた場合については、電圧の極性を反転すれば
、定性的には全く同様である。
を印加することによって起こる現象を、無バイアスで生
起させようとするものである。以下、それが可能である
ことを説明する。なお、以下では、 ｎ型半導体基板に
、異種導電型半導体として ｐ型半導体部を設置した場
合について説明するが、 ｐ型半導体基板に ｎ型半導
体部を設けた場合については、電圧の極性を反転すれば
、定性的には全く同様である。
今、第４図の構造を仮定する。第４図は本発明の異種導
電型半導体の存在する部分において、圧電体表面と半導
体の裏面に、金属電極１２゜１２′を設置した構造であ
る。この構造は、従来構造を示す第７図において、異種
導電型半導体を付加した構造でもある。
電型半導体の存在する部分において、圧電体表面と半導
体の裏面に、金属電極１２゜１２′を設置した構造であ
る。この構造は、従来構造を示す第７図において、異種
導電型半導体を付加した構造でもある。
第４図の構造を伝播する表面波の伝播損失は、電極間に
印加されたバイアス電圧ｖ８に依存する。Ｖａと伝播損
失の関係は、ｐ型半導体層の有無や、各半導体層の不純
物密度および層厚によって異なる。第５図に Ｚ ｎ
Ｏ／ Ｓ Ｌ構造で、表面波の伝播モードがセザワ波で
ある場合の例を示す。
印加されたバイアス電圧ｖ８に依存する。Ｖａと伝播損
失の関係は、ｐ型半導体層の有無や、各半導体層の不純
物密度および層厚によって異なる。第５図に Ｚ ｎ
Ｏ／ Ｓ Ｌ構造で、表面波の伝播モードがセザワ波で
ある場合の例を示す。
第５図の■は第４図において ｐ 型半導体層９″が存
在しない場合の特性であり、■は ９層 ９′が存在す
る場合の特性である。■は第７図に示す従来構造の場合
の特性に対応する。なお、第５図はｎ型半導体８ のド
ナー密度がＩ Ｘ １０１４０−３． ｐ 型半
導体層９′のアクセプタ密度Ｎ＾と層厚Ｌ＾が、それぞ
れＮＡ＝ ２ Ｘ １０１５Ｃ！＋１−３．
ＬＡ ＝ ０．５μｍ であり、ＳＡＷの周波数が２１
５ＭＨｚの場合の特性を、シュミレーションで求めたも
のである。第５図には比較のためにＣ−Ｖ特性（容量−
電圧特性）も点線で示しである。Ｃ−■特性を見ると、
ＳＡＷの伝播損失は、半導体の表面状態がｎ 型半導体
にとって反転状態になる場合に非常に大きくなることが
分かる。本発明ではＳＡＷ を減衰させることによって
ＳＡＷの反射を防ぐことを目的としており、そのため
には、上述した反転状態を作り出す必要がある。従来構
造の特性のを見ると、そのような状態にするには、数Ｖ
程度の負バイアスを印加するｉ要があることがわかる。
在しない場合の特性であり、■は ９層 ９′が存在す
る場合の特性である。■は第７図に示す従来構造の場合
の特性に対応する。なお、第５図はｎ型半導体８ のド
ナー密度がＩ Ｘ １０１４０−３． ｐ 型半
導体層９′のアクセプタ密度Ｎ＾と層厚Ｌ＾が、それぞ
れＮＡ＝ ２ Ｘ １０１５Ｃ！＋１−３．
ＬＡ ＝ ０．５μｍ であり、ＳＡＷの周波数が２１
５ＭＨｚの場合の特性を、シュミレーションで求めたも
のである。第５図には比較のためにＣ−Ｖ特性（容量−
電圧特性）も点線で示しである。Ｃ−■特性を見ると、
ＳＡＷの伝播損失は、半導体の表面状態がｎ 型半導体
にとって反転状態になる場合に非常に大きくなることが
分かる。本発明ではＳＡＷ を減衰させることによって
ＳＡＷの反射を防ぐことを目的としており、そのため
には、上述した反転状態を作り出す必要がある。従来構
造の特性のを見ると、そのような状態にするには、数Ｖ
程度の負バイアスを印加するｉ要があることがわかる。
したがって、従来構造では、バイアスを印加するための
バイアス源が不可欠である。一方、２層９′がある場合
の特性■では、Ｃ−■特性も伝播損失の特性も、■と比
較して正バイアス側にシフトしている。このシフト量は
、アクセプタ密度ＮＡと層厚ＬＡの積に依存する（定性
的にはＮＡＸ ＬＡを増加させるとシフト量も増加する
）、このシフト量が十分な値となるようにＮ＾と ＬＡ
を設定すれば、第５図の■のようにバイアス電圧がＯｖ
の時に。
バイアス源が不可欠である。一方、２層９′がある場合
の特性■では、Ｃ−■特性も伝播損失の特性も、■と比
較して正バイアス側にシフトしている。このシフト量は
、アクセプタ密度ＮＡと層厚ＬＡの積に依存する（定性
的にはＮＡＸ ＬＡを増加させるとシフト量も増加する
）、このシフト量が十分な値となるようにＮ＾と ＬＡ
を設定すれば、第５図の■のようにバイアス電圧がＯｖ
の時に。
ＳＡＷの伝播損失を非常に大きくすることが可能である
。このような場合は、バイアスを印加する必要が無いた
め、バイアス源は不必要である。
。このような場合は、バイアスを印加する必要が無いた
め、バイアス源は不必要である。
すなわち、 ｎ型半導体にＰ型半導体のような異種導電
型半導体層を設置することにより、バイアス源を必要と
せずに ＳＡＷ を減衰させることが可能であり、それ
によって端面からの ＳＡＷの反射を防ぐことができる
。 ｐ 型半導体に ｎ型半導体層を設置する場合も、
動作原理は同様である。以上が本発明において異種導電
型半導体層を設置する理由である。
型半導体層を設置することにより、バイアス源を必要と
せずに ＳＡＷ を減衰させることが可能であり、それ
によって端面からの ＳＡＷの反射を防ぐことができる
。 ｐ 型半導体に ｎ型半導体層を設置する場合も、
動作原理は同様である。以上が本発明において異種導電
型半導体層を設置する理由である。
なお、本発明の動作原理は基本的に音響−電気相互作用
を利用しており、その意味では構造的に電気機械結合定
数の大きな構造が望ましい。その点において、ＺｎＯ／
ＳｉＯ２／Ｓｉ構造で、しかも表面波がセザワ波である
場合は、大きな結合定数を持っており、有利な構造と言
える。その場合、Ｓｉの面方位を（１１０）とし、 Ｓ
ＡＷの伝播方向を［１００］とすると、電気機械結合定
数を特に大きくすることができるため、極めて有利であ
る。また、Ｓｉの面方位を（１００）とし１表面波の伝
播方向を［１１０］としても、電気機械結合定数が可成
り大きいので上記の条件の次に有利と言える。
を利用しており、その意味では構造的に電気機械結合定
数の大きな構造が望ましい。その点において、ＺｎＯ／
ＳｉＯ２／Ｓｉ構造で、しかも表面波がセザワ波である
場合は、大きな結合定数を持っており、有利な構造と言
える。その場合、Ｓｉの面方位を（１１０）とし、 Ｓ
ＡＷの伝播方向を［１００］とすると、電気機械結合定
数を特に大きくすることができるため、極めて有利であ
る。また、Ｓｉの面方位を（１００）とし１表面波の伝
播方向を［１１０］としても、電気機械結合定数が可成
り大きいので上記の条件の次に有利と言える。
本発明は半導体基板と圧電体薄膜で構成されるＳＡＷデ
バイス全般に応用できる。具体的には。
バイス全般に応用できる。具体的には。
ＳＡＷ フィルタ、 ＳＡＷ コンボルバ、マツチドフ
ィルタ、メモリコリレータ、等に応用可能である。
ィルタ、メモリコリレータ、等に応用可能である。
［発明の効果］
以上説明した通り２本発明の構造は１通常のＩＣｆＲ造
時のプロセス技術によって実現できるので、吸音材を置
く方法と較べて製造が容易で、製品のばらつきを少なく
することができる。また、素子の動作時においてもバイ
アス電源が不要であるため、素子周辺の部品点数を増や
す必要が無く、コストの低減に役立つという利点も得ら
れる。
時のプロセス技術によって実現できるので、吸音材を置
く方法と較べて製造が容易で、製品のばらつきを少なく
することができる。また、素子の動作時においてもバイ
アス電源が不要であるため、素子周辺の部品点数を増や
す必要が無く、コストの低減に役立つという利点も得ら
れる。
第１図は本発明による弾性表面波素子の上面図。
および断面図、第２図は他の一つの本発明による弾性表
面波素子の部分断面図、第３図はさらに他の一つの本発
明による弾性表面波素子の部分断面図、第４図は本発明
の詳細な説明するための弾性表面波素子の部分断面図、
第５図は本発明の詳細な説明するためのグラフ、第６図
は従来の弾性表面波素子の上面図、第７図は他の一つの
従来の弾性表面波素子の斜視図である。 １・・・・・・・・・圧電膜、２・・・・・・・・櫛形
電極、８・・・・・・・・・ｎ型半導体基板、８′・・
・・・・・・・ｎ型半導体領域、９・・・・・・・・・
Ｐ型半導体基板、９′・・・・・・・・・ Ｐ型半導体
領域、１０・・・・・・・・・絶縁体、１１・・・・・
・・・・高不純物濃度半導体基板、１２．１２’・・・
・・・・・・電極、１３・・・・・・・・・バイアス電
源。 特許出願人 クラリオン株式会社
面波素子の部分断面図、第３図はさらに他の一つの本発
明による弾性表面波素子の部分断面図、第４図は本発明
の詳細な説明するための弾性表面波素子の部分断面図、
第５図は本発明の詳細な説明するためのグラフ、第６図
は従来の弾性表面波素子の上面図、第７図は他の一つの
従来の弾性表面波素子の斜視図である。 １・・・・・・・・・圧電膜、２・・・・・・・・櫛形
電極、８・・・・・・・・・ｎ型半導体基板、８′・・
・・・・・・・ｎ型半導体領域、９・・・・・・・・・
Ｐ型半導体基板、９′・・・・・・・・・ Ｐ型半導体
領域、１０・・・・・・・・・絶縁体、１１・・・・・
・・・・高不純物濃度半導体基板、１２．１２’・・・
・・・・・・電極、１３・・・・・・・・・バイアス電
源。 特許出願人 クラリオン株式会社
Claims (5)
- （１） （ａ）第１導電型の半導体基板、 （ｂ）該半導体基板の上に形成された圧電体膜、（ｃ）
該圧電膜上に設けられた少なくとも一つの櫛形電極、お
よび （ｄ）平面的に見て上記櫛形電極に対し基板の端部側の
位置で、かつ上記圧電体膜直下の上記第１導電型半導体
基板上面部に設けられた第２導電型領域 を含むことを特徴とする弾性表面波素子。 - （２） （ａ）第１導電型の半導体基板、 （ｂ）該半導体基板の上に形成された絶縁膜、（ｃ）さ
らに該絶縁膜の上に形成された圧電体膜、（ｄ）該圧電
膜上に設けられた少なくとも一つの櫛形電極、および （ｅ）平面的に見て上記櫛形電極に対し基板の端部側の
位置で、かつ上記圧電体膜直下の上記第１導電型半導体
基板上面部に設けられた第２導電型領域 を含むことを特徴とする弾性表面波素子。 - （３）上記半導体基板が半導体／高不純物濃度半導体構
成から成ることを特徴とする、特許請求の範囲第２項記
載の弾性表面波素子。 - （４）弾性波モードがセザワ波で、半導体がＳｉであり
、該Ｓｉの面方位は（１１０）で。 伝播方向は［１００］であることを特徴とする、特許請
求の範囲第１項または第２項記載の弾性表面波素子。 - （５）弾性波モードがセザワ波で、半導体がＳｉであり
、該Ｓｉの面方位は（１００）で、伝播方向は［１１０
］であることを特徴とする、特許請求の範囲第１項また
は第２項記載の弾性表面波素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63162250A JPH0210908A (ja) | 1988-06-28 | 1988-06-28 | 弾性表面波素子 |
| US07/368,787 US4943751A (en) | 1988-06-28 | 1989-06-20 | Surface acoustic wave element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63162250A JPH0210908A (ja) | 1988-06-28 | 1988-06-28 | 弾性表面波素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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Citations (2)
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Patent Citations (2)
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|---|---|---|---|---|
| JPS6189707A (ja) * | 1984-10-09 | 1986-05-07 | Clarion Co Ltd | 表面弾性波装置 |
| JPS6264113A (ja) * | 1985-09-13 | 1987-03-23 | Clarion Co Ltd | 弾性表面波装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2025213438A1 (zh) * | 2024-04-12 | 2025-10-16 | 中国科学技术大学 | 基于多系数耦合模态的声表面波谐振器及其制备方法 |
Also Published As
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