JPS6190486A - 放電励起型短パルスレ−ザ装置 - Google Patents
放電励起型短パルスレ−ザ装置Info
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- JPS6190486A JPS6190486A JP21284384A JP21284384A JPS6190486A JP S6190486 A JPS6190486 A JP S6190486A JP 21284384 A JP21284384 A JP 21284384A JP 21284384 A JP21284384 A JP 21284384A JP S6190486 A JPS6190486 A JP S6190486A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は２気体レーザのうち、放電励起型短パルスレー
ザを対象とするものであって、特に七の［極構造に関す
るものである。
ザを対象とするものであって、特に七の［極構造に関す
るものである。
レーザ発振１に得るために汀、レーザ媒質中で空間的に
均一な放電全行うことが必要条件である。
均一な放電全行うことが必要条件である。
ところが、エキシマレーザやＴＫＡＣＯ黛レーザなどの
短パルスレーザに右いてげ、その動作圧力が数気圧とい
う面圧である九め、放電が収束しｔアークになり易い。
短パルスレーザに右いてげ、その動作圧力が数気圧とい
う面圧である九め、放電が収束しｔアークになり易い。
これを防ぐため、主放電に先立って予め主放電領域に均
一に電子の種をばらまいておく予備電離を行うことが通
例となっている。
一に電子の種をばらまいておく予備電離を行うことが通
例となっている。
以下、第７図〜第１０因をもとに従来の技術について説
明する。
明する。
第７因汀１例えば（佐藤他、エレクトロ二クス二８月号
、 ５ａ１ｐ（１９ｓｓ）） １どに示されているｔｙ
ｖ予備電離方式エキシマレーザｖＰｒ１ｔを示す断面図
であり、図において、（１）は高電圧電源、（２）はキ
ャパシター、（３１ｒｓｉ［抵抗１４１Ｈコイ／’１６
１ｉ＊ヤバシター、 （６ａ）、 （６’ｂ）は予備電
離ピン、（７Ｉげギャップ。
、 ５ａ１ｐ（１９ｓｓ）） １どに示されているｔｙ
ｖ予備電離方式エキシマレーザｖＰｒ１ｔを示す断面図
であり、図において、（１）は高電圧電源、（２）はキ
ャパシター、（３１ｒｓｉ［抵抗１４１Ｈコイ／’１６
１ｉ＊ヤバシター、 （６ａ）、 （６’ｂ）は予備電
離ピン、（７Ｉげギャップ。
（８）に陰極、（９）に陽極、（１０１ａ主放′Ｒ域、
Ｂｔｕげスイッチである。
Ｂｔｕげスイッチである。
第８図汀、後述するような上記従来例の欠点を補うべく
改良された他の従来例であり１例えば（Ｊ、Ｌａｃｈａ
ｍｂｒｅ ａｔ ＆ｔ、、工ＥＫＥ Ｊｏｕｒｎａｌ
ｏｆ ＱｕａｎｔｕｍＥ１８０ｔｒＯｎｉＣ＃： ｖｏ
ｌ Ｑｌ−９＋ ＮＯ，４，４５９７（１９７３） 。
改良された他の従来例であり１例えば（Ｊ、Ｌａｃｈａ
ｍｂｒｅ ａｔ ＆ｔ、、工ＥＫＥ Ｊｏｕｒｎａｌ
ｏｆ ＱｕａｎｔｕｍＥ１８０ｔｒＯｎｉＣ＃： ｖｏ
ｌ Ｑｌ−９＋ ＮＯ，４，４５９７（１９７３） 。
Ｍ、Ｂｌａｎｃｈａｒｃｌ Ｉｔ ａｔ、、 Ｊｏｕｒ
ｎａｌ Ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ 、Ｐｈ７−ａｉｃａ：
ｖｏｌ ４５． Ｎｏ、３．１３１）Ｆ （１９）４
））などに示されているＴＫＡＣＯｎレーザ装置を示す
断面図である。
ｎａｌ Ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ 、Ｐｈ７−ａｉｃａ：
ｖｏｌ ４５． Ｎｏ、３．１３１）Ｆ （１９）４
））などに示されているＴＫＡＣＯｎレーザ装置を示す
断面図である。
但し、第８図のＩ！ｌ！Ｊ路系は、第７図のものと同一
のものとじｔため、これら文献例とは多少異なっている
。図において、α２１は誘電体、ｆ１３はキャパシター
、Ｑ４１σ補助電極、呻はメツシュ陰極、ｕＧは予ｍ放
電域である。
のものとじｔため、これら文献例とは多少異なっている
。図において、α２１は誘電体、ｆ１３はキャパシター
、Ｑ４１σ補助電極、呻はメツシュ陰極、ｕＧは予ｍ放
電域である。
第９図汀、上記第８図の変形例であって１例えば（Ｙ、
Ｐａｎ ａｔ ａｚ、、 Ｔｈｅ Ｒｅｖｉｅｗ ｏ
ｆ ＳｃｉｅｎｔｉｆｉｃＩｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ：
ｖｏｘ、 ４３． Ｎｏ、４．６６２ｐ （１９’７２
） ）に示されているＴＥＡＯＯ＊レーザ装置の！極部
構造を示す断面図である。図において、ａηけパイレッ
クスガラス管、Ｃ１８１げ導層、 ＤＩは予備放電空間
、■げ鏑製給電部、仰げプラスチック支持台、■に絶縁
物である。
Ｐａｎ ａｔ ａｚ、、 Ｔｈｅ Ｒｅｖｉｅｗ ｏ
ｆ ＳｃｉｅｎｔｉｆｉｃＩｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ：
ｖｏｘ、 ４３． Ｎｏ、４．６６２ｐ （１９’７２
） ）に示されているＴＥＡＯＯ＊レーザ装置の！極部
構造を示す断面図である。図において、ａηけパイレッ
クスガラス管、Ｃ１８１げ導層、 ＤＩは予備放電空間
、■げ鏑製給電部、仰げプラスチック支持台、■に絶縁
物である。
第１０図は第８図の畑の変形例であり、各ｆ号は第８図
２よび第９因中のものと同一部分を示す。
２よび第９因中のものと同一部分を示す。
次に、これらの従来例の動作について説明する。
第７図において、為電圧ｗ１源（りから供給される電荷
は、まずキャパシター（２）に蓄積される。次いで、ス
イッチ（１）１が導通状態になると、！？ヤノ（ジター
（２）からスイッチ（ＩＩ）、さちにアースラインを介
して陽極（９）と予備電離ピン（６ｂ）を！Ｄ予備電離
ビン（６ａ）、キャパシター（６）ｌコイル＋４１ｆｃ
経てキャノくジター（２）にもどるという［ｆｉループ
によって、キャノくジター（２）に蓄積されていた電荷
に、キャノ（ジター（６）に移行される。この移行過程
の際に、予備電離ピン（６ａ）、 （６ｂ）閾に設けら
れた微小なギャップＩ？＋にぶいてアーク放１！が起こ
り、このアーク放電から紫外光が発生する。この紫外光
ＶＣよって主放電球叫において党１４１埴が起こり（以
下、紫外光予備電離と称する）、主放電域＋ｌｏｔに１
０’−１ａ６個／ｃｍ’以上の電子が空間的に均一に供
給され、主放電の際に局部的にストリーマか成長するの
を押え、アーク放電管抑制する慟欧をする。一方、この
間にもキャパシター１６１への［荷の移行は進行してお
り。
は、まずキャパシター（２）に蓄積される。次いで、ス
イッチ（１）１が導通状態になると、！？ヤノ（ジター
（２）からスイッチ（ＩＩ）、さちにアースラインを介
して陽極（９）と予備電離ピン（６ｂ）を！Ｄ予備電離
ビン（６ａ）、キャパシター（６）ｌコイル＋４１ｆｃ
経てキャノくジター（２）にもどるという［ｆｉループ
によって、キャノくジター（２）に蓄積されていた電荷
に、キャノ（ジター（６）に移行される。この移行過程
の際に、予備電離ピン（６ａ）、 （６ｂ）閾に設けら
れた微小なギャップＩ？＋にぶいてアーク放１！が起こ
り、このアーク放電から紫外光が発生する。この紫外光
ＶＣよって主放電球叫において党１４１埴が起こり（以
下、紫外光予備電離と称する）、主放電域＋ｌｏｔに１
０’−１ａ６個／ｃｍ’以上の電子が空間的に均一に供
給され、主放電の際に局部的にストリーマか成長するの
を押え、アーク放電管抑制する慟欧をする。一方、この
間にもキャパシター１６１への［荷の移行は進行してお
り。
陰極（８１と陽極（９１の間の電圧に上昇している。や
がて、この電圧が破壊電圧に達すると、上記予備電離の
効果によって主放電域（１（Ｉ において空間的に均一
なパルス放電が得られる。
がて、この電圧が破壊電圧に達すると、上記予備電離の
効果によって主放電域（１（Ｉ において空間的に均一
なパルス放電が得られる。
第８図の幼作は、予備を離郷を除いて、第７図と同様で
あるので、ここでけ予ｇ１電離の動作機構を説明する。
あるので、ここでけ予ｇ１電離の動作機構を説明する。
スイッチ１）１）が導通状態になるＩ２１（ｐＪにおい
ては、メック陰極線極弘と補助電極αＩの間にはほとん
ど′シ位差が生じていないが、スイッチ（１）１が導通
状態と７１！り、キャパシター（２）からキャパシター
（５）への１！荷の移行が始まると、メツシュｍ ｉ
Ｊ５１と補助電憾（１４１との間に妬い電界か発生し、
予備放電空間ｃｌｅにおいて誘電体（１２１を介した放
１ｔか起こる・（以下、この過程を気中予備放電と称す
る）。この故゛電より発生する紫外光は、上記第７因の
ようなアーク放電からのものよりも弱く、索外光子備電
離の効果も＠まるか、この従来例の場合げ、むＬろ予備
放電空間ＯＧで生成し几電子の一部がメツシュ陰極呻２
通りぬけ主、＊’＊域＋１（１の空間のうちメツシュ陰
極１）６１の近傍に直置供給され、これが主放ｉ！？空
間的に均一に起こさせる檀峨子となるという予備電に１
砿構が考えられている。
ては、メック陰極線極弘と補助電極αＩの間にはほとん
ど′シ位差が生じていないが、スイッチ（１）１が導通
状態と７１！り、キャパシター（２）からキャパシター
（５）への１！荷の移行が始まると、メツシュｍ ｉ
Ｊ５１と補助電憾（１４１との間に妬い電界か発生し、
予備放電空間ｃｌｅにおいて誘電体（１２１を介した放
１ｔか起こる・（以下、この過程を気中予備放電と称す
る）。この故゛電より発生する紫外光は、上記第７因の
ようなアーク放電からのものよりも弱く、索外光子備電
離の効果も＠まるか、この従来例の場合げ、むＬろ予備
放電空間ＯＧで生成し几電子の一部がメツシュ陰極呻２
通りぬけ主、＊’＊域＋１（１の空間のうちメツシュ陰
極１）６１の近傍に直置供給され、これが主放ｉ！？空
間的に均一に起こさせる檀峨子となるという予備電に１
砿構が考えられている。
第９図はｇａ図の変形で、補助ｇ極を導線αりとして、
これをプラスチック支持台０で支えられたｖｇ成体であ
るパイレックスガラスｇａｒ＋中に配置し。
これをプラスチック支持台０で支えられたｖｇ成体であ
るパイレックスガラスｇａｒ＋中に配置し。
各４ｇ１）１）を銅製の給電部翰に談合して同電位に保
持しているものである。また、陰極（８）は予備放電空
間四において気中予備放電が起こりやすいように、複数
の突起を設けた構造となっている。動作機構は上記第８
図のものと同様である。
持しているものである。また、陰極（８）は予備放電空
間四において気中予備放電が起こりやすいように、複数
の突起を設けた構造となっている。動作機構は上記第８
図のものと同様である。
第１０図は第８図における誘電体ａ？と補助電極θ４を
ガラス管０秒と、その中に通され７＋：専＃Ｉ（＋７１
で置き換えたものであり、動作機構は上記第８図のもの
と同様である。
ガラス管０秒と、その中に通され７＋：専＃Ｉ（＋７１
で置き換えたものであり、動作機構は上記第８図のもの
と同様である。
ところで、嬉８■ないし第１０図に示した従来例におい
て、陰極］８）まｔげメツシュ陰極ａ６）とガラス管０
７＋またけ誘電体１）２’との間の距離（ａ下、予備放
電空間の厚みと称する）は、予備放電空間（ｌαまたは
Ｈに投入される電力に影響し、ま九それ自身が予備放電
空間０５′１友は四の体積を決めるものであるから、結
果として上記陰極と平行な面で考え九単位面積当りの電
子数を決める１に要なファクターである。
て、陰極］８）まｔげメツシュ陰極ａ６）とガラス管０
７＋またけ誘電体１）２’との間の距離（ａ下、予備放
電空間の厚みと称する）は、予備放電空間（ｌαまたは
Ｈに投入される電力に影響し、ま九それ自身が予備放電
空間０５′１友は四の体積を決めるものであるから、結
果として上記陰極と平行な面で考え九単位面積当りの電
子数を決める１に要なファクターである。
第８図の例においては、陽極（９１とメツシュ陰極ｃ１
６１との距離に比べて、かな９小さい厚みの予備放電空
間ｔ１６１が設けられているのが通常である。この予備
放電空間ＯｆＡの厚みの影響を定量的に観測し７２：報
告例灯ないが、ａ下のような傾向があることは明らかで
ある。すなわち、上記予備放１）空関ＯＱの厚みが薄く
なるほど、気中予備放電の開始電圧は小さくなり、上記
空間（＋６１への投入成力も小さくなってしまう。しｔ
がって、十分な予備１に離効果を得ようとする際には、
ある程度の予備放電空間間（＋１）１の厚みｔ−設ける
必要がある。但し、予備放電に消賀される電力の主７ｆ
１）１）に／ｊｌ賃さｎる電力に対する割合は、極力少
なく押えておく方が、レーザの゛電力効率の点から社好
ましいので、上記予備放電空間（Ｉ８１Ｌｖ厚みは、陽
極（９１とメツシュ酸ｇｕｓｔとの間の距離（ａ下、主
放電ギャップ長と称する）に比較すれば十分短かいもの
にとどめておく方が蓋ましいＯ 第９図２よび第１Ｏ図の央り例においても同様にガラス
ｆｉ１７１とＩＩＪＧ ［ｔｌｌ）もしくはメツシュ＄
４ａ−との間にげ、予備放電空間四が設けられるような
構造となっている。
６１との距離に比べて、かな９小さい厚みの予備放電空
間ｔ１６１が設けられているのが通常である。この予備
放電空間ＯｆＡの厚みの影響を定量的に観測し７２：報
告例灯ないが、ａ下のような傾向があることは明らかで
ある。すなわち、上記予備放１）空関ＯＱの厚みが薄く
なるほど、気中予備放電の開始電圧は小さくなり、上記
空間（＋６１への投入成力も小さくなってしまう。しｔ
がって、十分な予備１に離効果を得ようとする際には、
ある程度の予備放電空間間（＋１）１の厚みｔ−設ける
必要がある。但し、予備放電に消賀される電力の主７ｆ
１）１）に／ｊｌ賃さｎる電力に対する割合は、極力少
なく押えておく方が、レーザの゛電力効率の点から社好
ましいので、上記予備放電空間（Ｉ８１Ｌｖ厚みは、陽
極（９１とメツシュ酸ｇｕｓｔとの間の距離（ａ下、主
放電ギャップ長と称する）に比較すれば十分短かいもの
にとどめておく方が蓋ましいＯ 第９図２よび第１Ｏ図の央り例においても同様にガラス
ｆｉ１７１とＩＩＪＧ ［ｔｌｌ）もしくはメツシュ＄
４ａ−との間にげ、予備放電空間四が設けられるような
構造となっている。
次に、第８図ないし第１０図に示した従来例の予備電離
機構について、さらに詳しく言及する。
機構について、さらに詳しく言及する。
これらの従来例でけ第７ｕの従来例と異なフ、主放電？
空間的に均一に起こすための１電子倉主放電械（Ｉｏｔ
の空間全体に均一に供給するのでなく。
空間的に均一に起こすための１電子倉主放電械（Ｉｏｔ
の空間全体に均一に供給するのでなく。
陰極の近傍にのみ供給している。この方式の有効性は次
のようＩｃ説明される。すなわち、例えば（Ｊ、工、Ｌ
ｅｖａｔｔｅｒ ｅｔ ａｔ、、 Ｊｏｕｒｎａｌ ｏ
ｆ ＡｐｐｌｉｅｃＬ Ｐｈｙ−ｅｉｃｓ： ｖｏｌ、
５１． Ｎｏ、ｌ、 ２１０Ｆ （１９８０） ）に４
告されているように、アーク放′４を抑制する罠めＶｃ
ぽ。
のようＩｃ説明される。すなわち、例えば（Ｊ、工、Ｌ
ｅｖａｔｔｅｒ ｅｔ ａｔ、、 Ｊｏｕｒｎａｌ ｏ
ｆ ＡｐｐｌｉｅｃＬ Ｐｈｙ−ｅｉｃｓ： ｖｏｌ、
５１． Ｎｏ、ｌ、 ２１０Ｆ （１９８０） ）に４
告されているように、アーク放′４を抑制する罠めＶｃ
ぽ。
空間電荷電界の効果により局所的にストリーマが進展す
るのを防げば良いので、暎−近傍に１）毫子？供給して
尉けば、第６図に示すように種電子σ＃極（９）に引っ
ばられて電子なだれｔＡｔ−形収する一ｇ、やがて電子
なだれ一同志がオーバラップすることにより空間電荷電
界の局所的な勾配全収り除き、ストリーマの暴走を防ぐ
ことかできるのである。
るのを防げば良いので、暎−近傍に１）毫子？供給して
尉けば、第６図に示すように種電子σ＃極（９）に引っ
ばられて電子なだれｔＡｔ−形収する一ｇ、やがて電子
なだれ一同志がオーバラップすることにより空間電荷電
界の局所的な勾配全収り除き、ストリーマの暴走を防ぐ
ことかできるのである。
したがって、陰極と平行な而で考えた単位面状当りの種
電子の教？、できるだけ多く供給した方が予ば電離効果
が大きいことになる。
電子の教？、できるだけ多く供給した方が予ば電離効果
が大きいことになる。
以上のように構成されている従来の放電＠起型短パルス
レーザ装置ｒ！、それぞれ次のような問題点があった。
レーザ装置ｒ！、それぞれ次のような問題点があった。
ｇ’ｙ図に示し九装置け、゛主電極＋８１ 、 ＋９１
の両側から紫外光によって予備′ｄ１ｊ！［？行う構造
であり、紫外光のｆｉ透深さＩｃば＠界がある九め、生
放′磁城（１のの幅を広げることができず１例えばエキ
シマレーザにおいては６〜８ｍｍ Ｘ ２０〜２５ｍｍ
（！−言った長方形断面のレーザビームしか収り出す
ことができなかった。
の両側から紫外光によって予備′ｄ１ｊ！［？行う構造
であり、紫外光のｆｉ透深さＩｃば＠界がある九め、生
放′磁城（１のの幅を広げることができず１例えばエキ
シマレーザにおいては６〜８ｍｍ Ｘ ２０〜２５ｍｍ
（！−言った長方形断面のレーザビームしか収り出す
ことができなかった。
第８図に示した従来例は、上ｔの問題点ｆｈｌａ決する
ために考えられ７′ｌ：構造であり、メツシュ省極弘の
背面から予備電線するため主１ｆｌ電域（ｌ（ト）の鴫
を広げることが可能となっている。先述したようにこの
タイプのに米列でａ１通常メツシュ暎補槽υが誘電体ａ
ｚからある距＠ｒｍして設けられている（Ｍ、Ｂｌａｎ
ｃｈａｒｃｌ ａｔ ａｔ、 、 、７０ｕｒｎａ１０
ｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙ−ｓｉｃａ： ＶＯｌ、
４５． ＮＯ，３，１３１）Ｆ （１９７４）の例で
ａ３ｍｒｎ ）が、以下ば）、（ロ）のような問題点を
有する。
ために考えられ７′ｌ：構造であり、メツシュ省極弘の
背面から予備電線するため主１ｆｌ電域（ｌ（ト）の鴫
を広げることが可能となっている。先述したようにこの
タイプのに米列でａ１通常メツシュ暎補槽υが誘電体ａ
ｚからある距＠ｒｍして設けられている（Ｍ、Ｂｌａｎ
ｃｈａｒｃｌ ａｔ ａｔ、 、 、７０ｕｒｎａ１０
ｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙ−ｓｉｃａ： ＶＯｌ、
４５． ＮＯ，３，１３１）Ｆ （１９７４）の例で
ａ３ｍｒｎ ）が、以下ば）、（ロ）のような問題点を
有する。
ピ） メツシュ陰極ｕ５１と誘電体１？の関の空間で生
成する電子の内、できる限り多くの電子をメツシュ陰極
９Ｂ＋を通り向けて主放電域に供給した方か予備１）４
ｍ効果の点で有利であることげ明らかである。
成する電子の内、できる限り多くの電子をメツシュ陰極
９Ｂ＋を通り向けて主放電域に供給した方か予備１）４
ｍ効果の点で有利であることげ明らかである。
そこで、予備電１ｍ！空関０６１の厚み全できるだけ錦
（。
（。
すなわち予備電離空間０６１の体積を小さくしてやれば
、気中予備放電入力ごＩＩｌが増し、メツシュ陰極０４
に平行な平面で考え穴場合の単位面槓当りの生成電子数
を増すことになるし、生成しｔ電子がメツシュ陰４σシ
に遵するまでに分子との衝突により散乱される割合やイ
オンとの再結合に工りｒｆ４威してしまう割合が謙少す
るので電管しい。しかしなから、従来例Ｖｃヤいてすで
に説明し次ように、気中予備放電にふいて汀予備′−離
空間錘の厚み金薄くして、かつ投入電力を変らない（も
しくげ増丁）ようにすることは不可能である。
、気中予備放電入力ごＩＩｌが増し、メツシュ陰極０４
に平行な平面で考え穴場合の単位面槓当りの生成電子数
を増すことになるし、生成しｔ電子がメツシュ陰４σシ
に遵するまでに分子との衝突により散乱される割合やイ
オンとの再結合に工りｒｆ４威してしまう割合が謙少す
るので電管しい。しかしなから、従来例Ｖｃヤいてすで
に説明し次ように、気中予備放電にふいて汀予備′−離
空間錘の厚み金薄くして、かつ投入電力を変らない（も
しくげ増丁）ようにすることは不可能である。
（ロ） レーザのパルス発振を運いＩｆｉり返しで行な
う際にげ埴極呻がイオンのｆ突により加熱されるため、
この熱の放牧が！［ｌ＃どなる。メツシュ陰極ｌｌ６）
と誘電体１）２１との間でａ％窒間が狭く、はとんど対
流のない状態であるので、温度勾配に基づ〈熱＠運しか
起こらない。したがってメツシュ陰極亀１と酵覗体１２
’げ、でなるだけ近接した方が有利であるが、上述した
気中予備放電の投入電力の減少という関租が生ずる。
う際にげ埴極呻がイオンのｆ突により加熱されるため、
この熱の放牧が！［ｌ＃どなる。メツシュ陰極ｌｌ６）
と誘電体１）２１との間でａ％窒間が狭く、はとんど対
流のない状態であるので、温度勾配に基づ〈熱＠運しか
起こらない。したがってメツシュ陰極亀１と酵覗体１２
’げ、でなるだけ近接した方が有利であるが、上述した
気中予備放電の投入電力の減少という関租が生ずる。
第１０図の従来例においても同様の問題点がある。
第９図の例でけ、気中予備放電て生じた１子が供給され
易い形となっているが、陰極１８１の長手方向（紙面に
垂直な方向）にわたって陰［１８１の突起部とパイレッ
クスガラス管ａηとｔｌＥ−に平行に保つコト、および
パイレックスガラス管口の中心に専＠ｏｓ’ｌｔつすぐ
に通すことが事獲上電しく、鴎檀＋ＪＩＩＯ長手方向に
おいて気中予備放電が起こりやすい所°と起こりにくい
所のむらが生じるという問題点や、＃Ｅ極槽構造のもの
が複雑で製作が困峨であるという問題点があつｔ。
易い形となっているが、陰極１８１の長手方向（紙面に
垂直な方向）にわたって陰［１８１の突起部とパイレッ
クスガラス管ａηとｔｌＥ−に平行に保つコト、および
パイレックスガラス管口の中心に専＠ｏｓ’ｌｔつすぐ
に通すことが事獲上電しく、鴎檀＋ＪＩＩＯ長手方向に
おいて気中予備放電が起こりやすい所°と起こりにくい
所のむらが生じるという問題点や、＃Ｅ極槽構造のもの
が複雑で製作が困峨であるという問題点があつｔ。
この発≠灯、誘電体を介した放電を予備放電とする放電
励起型短パルスレーザ袋ｍにぶいて、促米の気中故醒で
ａｇＪり隨せなかった。予備電離空間の厚みというファ
クターと予備放電の投入４力というファクターと金それ
ぞれ独立なものとし。
励起型短パルスレーザ袋ｍにぶいて、促米の気中故醒で
ａｇＪり隨せなかった。予備電離空間の厚みというファ
クターと予備放電の投入４力というファクターと金それ
ぞれ独立なものとし。
それによって予備放ｔｌｔを誘電体表面上のと（薄い厚
みの空間で発生させるという思想に基づいてなされたも
ので、Ａ体的には簡易な電離構造で、かつ誘電体表面上
で、主放電域に対応する部分にわたって゛均一でシカ密
度の高い予備放電を発生させ。
みの空間で発生させるという思想に基づいてなされたも
ので、Ａ体的には簡易な電離構造で、かつ誘電体表面上
で、主放電域に対応する部分にわたって゛均一でシカ密
度の高い予備放電を発生させ。
これにより安、巨性および信幀性が扁（、かつ大口径の
レーザビーム！−１ｉｙ、り出すことが可能な短］（ル
スレーザｆｃｉｔ＋得ることを目的とするものである。
レーザビーム！−１ｉｙ、り出すことが可能な短］（ル
スレーザｆｃｉｔ＋得ることを目的とするものである。
この発明に係る放電励起型短パルスレーザ装置け、レー
ザ光軸方向を長手方向とし、相対向して配設された陰極
と陽極よりなる。主電極と、上記陰極の背面部に！ＥＥ
Ｌ、誘′シ体を介して上記陰極と対向する補助戒櫂と、
上記主ｔｊｄｉ間にパルス電圧を印加するパルス１）２
１）Ｍと、上記パルスｌ！ｌ！回路の一部を形成するか
、ま九に上記パルスｔｇＩ烙とは独立したものであって
、上記補助成極と陰極の間に電圧を印加する回路とを備
える放電励起型短パルスレーザ袋置において、上記陰極
が１５１畝個の開孔部を有する４を体であｊ７、かつ上
記陰極と上＆！訪電体とを密着させて配置し、上記肪酸
体表面に沿面放電を生成させることにより、上記主成極
間で発生する主放電の種となる電子を分布させるように
構成したものである。
ザ光軸方向を長手方向とし、相対向して配設された陰極
と陽極よりなる。主電極と、上記陰極の背面部に！ＥＥ
Ｌ、誘′シ体を介して上記陰極と対向する補助戒櫂と、
上記主ｔｊｄｉ間にパルス電圧を印加するパルス１）２
１）Ｍと、上記パルスｌ！ｌ！回路の一部を形成するか
、ま九に上記パルスｔｇＩ烙とは独立したものであって
、上記補助成極と陰極の間に電圧を印加する回路とを備
える放電励起型短パルスレーザ袋置において、上記陰極
が１５１畝個の開孔部を有する４を体であｊ７、かつ上
記陰極と上＆！訪電体とを密着させて配置し、上記肪酸
体表面に沿面放電を生成させることにより、上記主成極
間で発生する主放電の種となる電子を分布させるように
構成したものである。
このような陰極構代において汀、予１り放電σ誘電体（
Ｉ２１の表面に沿つ友方向に形収されるため、放電の維
持電圧（ある沿面距離を放電させる際の放電場にかかる
電圧）σ、沿面距離によって決まり。
Ｉ２１の表面に沿つ友方向に形収されるため、放電の維
持電圧（ある沿面距離を放電させる際の放電場にかかる
電圧）σ、沿面距離によって決まり。
予備放可部の厚みには依存しない。したがって。
上記沿面距離を大抵〈とυ維持電圧を大きくすることに
より投入域力を増す一力、上記予備放′（部の厚みを薄
くすれば、極めて微少な体積に大きな故ｉ１電力を投入
することが可能となり、放電電力密度の増大に伴って誘
電体表面の単位面積当りに生成する電子数が増加すると
共に予儲放電部の厚みか薄いことから、上記電子の主放
電９間への供給も有利になる。また、放電電力密ｆを著
しく高めれば、紫外光の発光彊（も強くなり、紫外光子
備電縞の効果も、かなりプラスされ、上：！ｉ！、電子
数のさらなる増加にを与することになる。
より投入域力を増す一力、上記予備放′（部の厚みを薄
くすれば、極めて微少な体積に大きな故ｉ１電力を投入
することが可能となり、放電電力密度の増大に伴って誘
電体表面の単位面積当りに生成する電子数が増加すると
共に予儲放電部の厚みか薄いことから、上記電子の主放
電９間への供給も有利になる。また、放電電力密ｆを著
しく高めれば、紫外光の発光彊（も強くなり、紫外光子
備電縞の効果も、かなりプラスされ、上：！ｉ！、電子
数のさらなる増加にを与することになる。
また、これらの作用に加えて、陰極とＩＩ導電体全Ｉｒ
啜接触させているので、第８図および第１０図に示し７
？、従来例に比べて陰極の放熱が容易であり、早匹繰り
返しのパルスレーザ発振にも酎えうる。
啜接触させているので、第８図および第１０図に示し７
？、従来例に比べて陰極の放熱が容易であり、早匹繰り
返しのパルスレーザ発振にも酎えうる。
さらに、第９図の従来例に比べると陰極構造が極めて簡
単となり、かつ予備放電空間の厚みも精度よく設定する
ことがで癒るという効果を得ることができる。
単となり、かつ予備放電空間の厚みも精度よく設定する
ことがで癒るという効果を得ることができる。
以下、この発−〇−実地例として、この発明をエキシマ
レーザに通用した場合全一にとり１図ｒもとに説明する
。
レーザに通用した場合全一にとり１図ｒもとに説明する
。
第１図（７）、げ）はこの発明の一実瘤例に係る陰極部
を示すそれぞれ断面および平面図であり、Ｂ極部以外は
第８図に示す従来例と同一である。図において、ＣＡ４
げ複数個の開孔部（２）を有する導電体、すなわち陰極
であり、陰極（至）とｖＩ４体ｏｚとげ密着して配置さ
れてめる。また、補助電極ａ化１極＠の背ｒｆＪｆ１６
Ｖｃ存在し、ｖｊ成体ａｚを介して陰極＠と対向するよ
うに配置され、この例では誘電体ｔｌ？の内部に埋め込
まれている。ただし、陰極（至）の背面とけ陽極と対向
する面の裏ｒｆＪを言う。な劇、この例ではｓｉｔ体１
２’にけアルミナを用い、陰極（至）はこのアルミナ（
１２１上にニッケルを５ｃメｍの厚みでメツ中すること
により形成された導電膜である。開孔ｇ＠けエツチング
により形成されている。
を示すそれぞれ断面および平面図であり、Ｂ極部以外は
第８図に示す従来例と同一である。図において、ＣＡ４
げ複数個の開孔部（２）を有する導電体、すなわち陰極
であり、陰極（至）とｖＩ４体ｏｚとげ密着して配置さ
れてめる。また、補助電極ａ化１極＠の背ｒｆＪｆ１６
Ｖｃ存在し、ｖｊ成体ａｚを介して陰極＠と対向するよ
うに配置され、この例では誘電体ｔｌ？の内部に埋め込
まれている。ただし、陰極（至）の背面とけ陽極と対向
する面の裏ｒｆＪを言う。な劇、この例ではｓｉｔ体１
２’にけアルミナを用い、陰極（至）はこのアルミナ（
１２１上にニッケルを５ｃメｍの厚みでメツ中すること
により形成された導電膜である。開孔ｇ＠けエツチング
により形成されている。
回路系としては４８図に示し九従来例と陶様の容量移行
方式を用いた。従来例で説明したように２つのキャパシ
ターの間で容穢移行が行なわれ、主電極間の電圧が上昇
する間に、陰極＠と補助電憾１）４との間に延圧が発生
し、第４図■、何１にそれ。
方式を用いた。従来例で説明したように２つのキャパシ
ターの間で容穢移行が行なわれ、主電極間の電圧が上昇
する間に、陰極＠と補助電憾１）４との間に延圧が発生
し、第４図■、何１にそれ。
それ平面図およびｔｈ面図で示すように陰極＠の開孔部
−１かつ誘電体Ｕ？の表面で沿面放電（至）が起こる。
−１かつ誘電体Ｕ？の表面で沿面放電（至）が起こる。
この沿面放電ωは誘罐体０？表面に沿う方向に起こり、
その伸展距離げ放電ギャップにかかる電圧（これを以前
に維持電圧と定義した。陰極−と補助！ｔｈｃ極Ｏ引間
にがかる即加璽圧とａ異なる。）によって定まる。し７
ｃがって維持電圧は１）９面放面放電間孔部＠全塘めつ
〈丁まで高くすることができ。
その伸展距離げ放電ギャップにかかる電圧（これを以前
に維持電圧と定義した。陰極−と補助！ｔｈｃ極Ｏ引間
にがかる即加璽圧とａ異なる。）によって定まる。し７
ｃがって維持電圧は１）９面放面放電間孔部＠全塘めつ
〈丁まで高くすることができ。
陰極（至）の厚み（沿面放ｉ１■の厚みにはソ対応する
）には依存しない。この結果１本実施例においては陰極
＠の厚みを２０μｍＫまで薄くシ、なおかつ十分な電力
を予備放ｉ’ｉｔ（本笑め例でげ沿面放電）に投入する
ことができる。下表ユに、この際のｓａ蹟条件の一例を
まとめると共に、第５図に放電状況の概略ｆｒ断面図で
示す。
）には依存しない。この結果１本実施例においては陰極
＠の厚みを２０μｍＫまで薄くシ、なおかつ十分な電力
を予備放ｉ’ｉｔ（本笑め例でげ沿面放電）に投入する
ことができる。下表ユに、この際のｓａ蹟条件の一例を
まとめると共に、第５図に放電状況の概略ｆｒ断面図で
示す。
麦ユ
この−合の予備放電のピーク電ａは１．２Ａ／ｃがであ
つ次、因よｐ明らがなようにフィラメント放電が全く混
在しない、きれいなグロー状放電が得られている。
つ次、因よｐ明らがなようにフィラメント放電が全く混
在しない、きれいなグロー状放電が得られている。
促米の放電励起型エキシマレーザの報告例においては、
主放電域餉の幅が主放電ギャップ長よりも小さい放電し
か優られていな−の＃Ｃ対し、本実Ｎｅｔ ｆｆ’ｌ
テｔ’ｓ Ｈｅ バッファ中で主放電ギャップ長（ユ６
ｍｍ）の約１．５倍である２２關の主放電域（］ｗの福
が痔られて忘り本発明による予備電離方式の有効性が示
される。
主放電域餉の幅が主放電ギャップ長よりも小さい放電し
か優られていな−の＃Ｃ対し、本実Ｎｅｔ ｆｆ’ｌ
テｔ’ｓ Ｈｅ バッファ中で主放電ギャップ長（ユ６
ｍｍ）の約１．５倍である２２關の主放電域（］ｗの福
が痔られて忘り本発明による予備電離方式の有効性が示
される。
また、陰極＠と肪電体赫が密着構造であるので、従来例
に比較して陰極＠の熱放散が速（、速い繰ｐ返しでレー
ザパルス発振を行なう際にも陰極＠が赤熱されず、従来
のメツシュ′を極のように赤熱によるたるみゃ、うねり
に起因する主放電ギャップ長の不償いからアーク放＠
ｆｌに発圧してしまうといった問題点を解決で！友。
に比較して陰極＠の熱放散が速（、速い繰ｐ返しでレー
ザパルス発振を行なう際にも陰極＠が赤熱されず、従来
のメツシュ′を極のように赤熱によるたるみゃ、うねり
に起因する主放電ギャップ長の不償いからアーク放＠
ｆｌに発圧してしまうといった問題点を解決で！友。
さらＫｆｆ、 ＃Ｅ極ａσ檎造が簡単であると共に、そ
の構造上、声ｍ単位で陰極ａの厚み、ひいてげ沿面子伽
放ｖｌに）の厚みを襦度良く設定することができる。加
えて低米のように誘電体と陰極と１４極の３つの空間的
配置′４ｒ考える必要かなく、訪′１体と！Ｓ極、もし
くげ陰極と陽極の何れかの相対位置を設定しさえすれば
良く、製作上Ｍ利である。
の構造上、声ｍ単位で陰極ａの厚み、ひいてげ沿面子伽
放ｖｌに）の厚みを襦度良く設定することができる。加
えて低米のように誘電体と陰極と１４極の３つの空間的
配置′４ｒ考える必要かなく、訪′１体と！Ｓ極、もし
くげ陰極と陽極の何れかの相対位置を設定しさえすれば
良く、製作上Ｍ利である。
第２図（７）、 Ｇ（）はこの発明の他の実施例に係る
陰極部を示すそれぞれ新面および平ｄＩＪ図である。陰
極０として厚さｌ１ｍ〜３ｍｍ （この例では１００声
ｍ）の金属メツシュを用い、？１助′Ｉｔ極０４Ｉを誘
電体Ｉｔ？の表面で、＠極（至）が！＃されている面の
反対側の面に密着させｔ点を除けば、第１図（７５，（
イ）に示す実施例と向−であり、同様の効果を奏する。
陰極部を示すそれぞれ新面および平ｄＩＪ図である。陰
極０として厚さｌ１ｍ〜３ｍｍ （この例では１００声
ｍ）の金属メツシュを用い、？１助′Ｉｔ極０４Ｉを誘
電体Ｉｔ？の表面で、＠極（至）が！＃されている面の
反対側の面に密着させｔ点を除けば、第１図（７５，（
イ）に示す実施例と向−であり、同様の効果を奏する。
ｇ３図σこの発明のさらに他の実施例に係る主ｄｔ極部
を示す断面図である。この実施例においては１例えばロ
ゴスキー型やチャン型に代表されるように、陰極■表面
近傍にヤける電界が陰極の中心部から週ざかるにつれて
徐々に緩和されるように、陰極＠と！ｌＩ電導電？を＃
衡（９１方向に凸なる形状としており、隋極■噌部への
電界の集中によるアークの生成を防止することができる
。
を示す断面図である。この実施例においては１例えばロ
ゴスキー型やチャン型に代表されるように、陰極■表面
近傍にヤける電界が陰極の中心部から週ざかるにつれて
徐々に緩和されるように、陰極＠と！ｌＩ電導電？を＃
衡（９１方向に凸なる形状としており、隋極■噌部への
電界の集中によるアークの生成を防止することができる
。
ＬＬ第１図の実施例では回路系として容置移行型を用い
九が、これに限られるものではなく１ＬＣ反伝ｍ、ブル
ームライン！！！ ｅ ｐｙｓ ｇなどであってもよい
し、また、沿面放電の回路系が主放電の回路系に組込１
れ九ものであっても両１！２１ｖ＆が別別の独立したも
のであっても差し支えない。
九が、これに限られるものではなく１ＬＣ反伝ｍ、ブル
ームライン！！！ ｅ ｐｙｓ ｇなどであってもよい
し、また、沿面放電の回路系が主放電の回路系に組込１
れ九ものであっても両１！２１ｖ＆が別別の独立したも
のであっても差し支えない。
また、陰極（至）としてアルミナにニッケルをメン中し
、エツチングによって開孔部＠を作成し文例をｉ！１図
に示したが、もちろんこの！！ｌ！法に限られるわけで
はなく１例えがパンチングメタルヲ誇電体ａ？上に接置
、屯しくけ圧着することも可能であるし、その他の方式
によっても何ら差し支えない・−！た、誘電体Ｉ？の材
料もアルミナに限られるわけではなく２他のセラミック
あるいはガラス等であってもよい。但し、誘電体１）２
１の誘を率は高いほど、またその厚みは薄いほど、沿面
放電（支）の投入゛成力を増すことになり好ましい。
、エツチングによって開孔部＠を作成し文例をｉ！１図
に示したが、もちろんこの！！ｌ！法に限られるわけで
はなく１例えがパンチングメタルヲ誇電体ａ？上に接置
、屯しくけ圧着することも可能であるし、その他の方式
によっても何ら差し支えない・−！た、誘電体Ｉ？の材
料もアルミナに限られるわけではなく２他のセラミック
あるいはガラス等であってもよい。但し、誘電体１）２
１の誘を率は高いほど、またその厚みは薄いほど、沿面
放電（支）の投入゛成力を増すことになり好ましい。
さらに、上記実施例で汀補助〔１４１を誘電体ｏｒに密
着させる構造としたが、場合によっては誘電体Ｏ７から
離して設置してもよい。但し、離して設置し７を場合Ｆ
！、補助”成極Ｏ（と肪、＜体ａ？との間に無駄な放電
が投入されることになるので、上紀采市例のように、で
きるだけＭＷ体ａｚとぎ眉′させて用いる方が前ましい
。この際、Ｎ助電極−表面に紡′一体膜を形成させ尺構
造としてもよい。
着させる構造としたが、場合によっては誘電体Ｏ７から
離して設置してもよい。但し、離して設置し７を場合Ｆ
！、補助”成極Ｏ（と肪、＜体ａ？との間に無駄な放電
が投入されることになるので、上紀采市例のように、で
きるだけＭＷ体ａｚとぎ眉′させて用いる方が前ましい
。この際、Ｎ助電極−表面に紡′一体膜を形成させ尺構
造としてもよい。
また、上肥冥范例でげ開孔臼の形を円か１）４型メツシ
ユとしたが、もちろん本発明の主旨がらみて開孔（至）
の形に何ら劃１ｇ１Ｉを設ける鳴のではない。
ユとしたが、もちろん本発明の主旨がらみて開孔（至）
の形に何ら劃１ｇ１Ｉを設ける鳴のではない。
また、沿酊放電伺に影響する構造因子として、開孔５（
４）の孔径があり、沿面放電ωの電力密度に関連するｗ
造因子として、陰極＠の厚みがあるが、本発明のｌ！要
なポイントである、沿面放電（至）を予ｗ１！ｉ電とし
て用いることにより、開孔部＠の孔傷（最大維持電圧を
決める因子でちる）と陰極（至）の厚み（予備放電空間
の＃み？決める因子である）とを最適の予備電離効果を
与えるように、それぞれ独立に設定しうるという効果か
ら考えて、これらの２つの構造因子に何ら制限を設ける
もので汀ない。但し、陰極−に関してに、主放電時にイ
オンによる＠撃を受けるため薄すぎると寿命の点で問題
があるので、１μｍ以上に必要であろうし、−刃厚すぎ
ると沿ｒｉＪ故幇（至）の投入電力−Ｋが低くなると共
に、檀這子金主放１ｊｌ域に供給する妨げとなるので、
３ｍｍ ｇ下が望ましい。さらに実用上げ、１０ｐｒｎ
〜２ｍｍのものを用いた方が好ましい。
４）の孔径があり、沿面放電ωの電力密度に関連するｗ
造因子として、陰極＠の厚みがあるが、本発明のｌ！要
なポイントである、沿面放電（至）を予ｗ１！ｉ電とし
て用いることにより、開孔部＠の孔傷（最大維持電圧を
決める因子でちる）と陰極（至）の厚み（予備放電空間
の＃み？決める因子である）とを最適の予備電離効果を
与えるように、それぞれ独立に設定しうるという効果か
ら考えて、これらの２つの構造因子に何ら制限を設ける
もので汀ない。但し、陰極−に関してに、主放電時にイ
オンによる＠撃を受けるため薄すぎると寿命の点で問題
があるので、１μｍ以上に必要であろうし、−刃厚すぎ
ると沿ｒｉＪ故幇（至）の投入電力−Ｋが低くなると共
に、檀這子金主放１ｊｌ域に供給する妨げとなるので、
３ｍｍ ｇ下が望ましい。さらに実用上げ、１０ｐｒｎ
〜２ｍｍのものを用いた方が好ましい。
最後に、上記実施例ではエキシマレーザへの適用を例に
とり説明したが、もちろんＴＥＡＣ！ＯＩＩレーザなど
他のレーザにも適用可能であることはいうまでもない。
とり説明したが、もちろんＴＥＡＣ！ＯＩＩレーザなど
他のレーザにも適用可能であることはいうまでもない。
但し、エキ７マレーザにおいてａ。
ＴＩＣＡＣＯ露レーザよりも放電が麺しく、主放電の福
も塾いものしか潜られていないのが現状である。
も塾いものしか潜られていないのが現状である。
一方、主放電ギヤツブ長？大きくすることけ印加回圧を
大争〈せねばならないので、Ｖ＆源谷量の点で限りがあ
り、レーザ出力を増すためにげ、どうしても主放電の幅
を広げたいという茨求があった。
大争〈せねばならないので、Ｖ＆源谷量の点で限りがあ
り、レーザ出力を増すためにげ、どうしても主放電の幅
を広げたいという茨求があった。
こうした背景から、不発−がエキシマレーザに与える影
響は峙に大きく、レーザ出力の増大、レーザビームの大
口径化を可能とするものである。
響は峙に大きく、レーザ出力の増大、レーザビームの大
口径化を可能とするものである。
以上のように、この褪明によれば、陰極が複数個の開孔
部ｔＶする４１）体であり、かつ上記補槽と訪１を体と
ケ密庸させて配置し、上記訪゛成体表面に沿面放％Ｉｌ
を生成させることにより、生Ｖｔ＋Ｊｉ閾で発生する主
放電の種となる電子を分布させるように構成したので、
予備放電の投入電力と予備放電空間の厚みとを独立な因
子として収扱うことができ、上記ｉ１′ｉｔ体表面に投
入寛力密にの１％ｉい予備放＠を行なわしめる仁とを可
能にしたものであゃ、これによって広い生成ｉｔｓにわ
たって均一なグロー状放電ｆ得ることができる。結果と
してレーザビームの大口径化セよび出力増加が可能にな
ると共に、電極構造の点でも簡易なものとなり、また上
記陰極の熱放散が楽になり、速い繰り返しのレーザ発振
にも耐えつるようになるなど、Ｖ−ザの信頼性向上とい
う効果も伴せて奏するものである。
部ｔＶする４１）体であり、かつ上記補槽と訪１を体と
ケ密庸させて配置し、上記訪゛成体表面に沿面放％Ｉｌ
を生成させることにより、生Ｖｔ＋Ｊｉ閾で発生する主
放電の種となる電子を分布させるように構成したので、
予備放電の投入電力と予備放電空間の厚みとを独立な因
子として収扱うことができ、上記ｉ１′ｉｔ体表面に投
入寛力密にの１％ｉい予備放＠を行なわしめる仁とを可
能にしたものであゃ、これによって広い生成ｉｔｓにわ
たって均一なグロー状放電ｆ得ることができる。結果と
してレーザビームの大口径化セよび出力増加が可能にな
ると共に、電極構造の点でも簡易なものとなり、また上
記陰極の熱放散が楽になり、速い繰り返しのレーザ発振
にも耐えつるようになるなど、Ｖ−ザの信頼性向上とい
う効果も伴せて奏するものである。
第１図（７）、ば）はそれぞれこの発明の一実綿例に係
る＊＋Ｍ部分を示す断面Ｓ２よび模式平面図、第２図（
７）、（イ）げそれぞれこの発明の他の夷Ｎ例に係る陰
極部分を示す断面図および模式平面図、第３図げこの発
明のさらに他の実残例に係る生電極部ケ示す断面図、第
４図■、げ）はそれぞれ沿面放電の様子？示す平面図お
よび断面図、嬉５図は第１図にその要部を示すこの発明
の一実施例による装置の主放電の様子を示すｖｈ面図、
第６図は電子なだれの進展機構を説明する晩中図、第７
図、禰８図はそれぞれ便米の放電励起型短パルスレーザ
装置１ｔを示す断面図、＠９図、第１０図はそれぞれ従
来の放電励起型短パルスレーザ装置の主を極部を示すＩ
ＦｒＩｆｉｅｇＪテアル。 Ｍ Ｉｃ ＃ ｖｓ テ、（８１、Ｑ５Ｊ 、 １２４
ｆｌ陰極、Ｉ９１＃−ｊ陽極、（１ｚは誘１を体、０４
）σ補助寛唖、（ハ）け一孔部、田げ沿面放電である。 なお、各図中向−符８ａ同−″！友汀相当部分を示す吃
のとする。
る＊＋Ｍ部分を示す断面Ｓ２よび模式平面図、第２図（
７）、（イ）げそれぞれこの発明の他の夷Ｎ例に係る陰
極部分を示す断面図および模式平面図、第３図げこの発
明のさらに他の実残例に係る生電極部ケ示す断面図、第
４図■、げ）はそれぞれ沿面放電の様子？示す平面図お
よび断面図、嬉５図は第１図にその要部を示すこの発明
の一実施例による装置の主放電の様子を示すｖｈ面図、
第６図は電子なだれの進展機構を説明する晩中図、第７
図、禰８図はそれぞれ便米の放電励起型短パルスレーザ
装置１ｔを示す断面図、＠９図、第１０図はそれぞれ従
来の放電励起型短パルスレーザ装置の主を極部を示すＩ
ＦｒＩｆｉｅｇＪテアル。 Ｍ Ｉｃ ＃ ｖｓ テ、（８１、Ｑ５Ｊ 、 １２４
ｆｌ陰極、Ｉ９１＃−ｊ陽極、（１ｚは誘１を体、０４
）σ補助寛唖、（ハ）け一孔部、田げ沿面放電である。 なお、各図中向−符８ａ同−″！友汀相当部分を示す吃
のとする。
Claims (6)
- （１）レーザ光軸方向を長手方向とし、相対向して配設
された陰極と陽極よりなる主電極と、上記陰極の背面部
に存在し、誘電体を介して上記陰極と対向する補助電極
と、上記主電極間にパルス電圧を印加するパルス回路と
、上記パルス回路の一部を形成するか、または上記パル
ス回路とは独立したものであつて、上記補助電極と陰極
の間に電圧を印加する回路とを備える放電励起型短パル
スレーザ装置において、上記陰極が複数個の開孔部を有
する導電体であり、かつ上記陰極と上記誘電体とを密着
させて配置し、上記誘電体表面に沿面放電を生成させる
ことにより、上記主電極間で発生する主放電の種となる
電子を分布させるように構成したことを特徴とする放電
励起型短パルスレーザ装置。 - （２）陰極として１μｍ〜３ｍｍの厚みを有する開孔性
金属板を用いる特許請求の範囲第１項記載の放電励起型
短パルスレーザ装置。 - （３）陰極として１μｍ〜３ｍｍの厚みを有する金属メ
ッシュを用いる特許請求の範囲第１項記載の放電励起型
短パルスレーザ装置。 - （４）陰極は誘電体に形成された導電膜である特許請求
の範囲第１項記載の放電励起型短パルスレーザ装置。 - （５）陰極表面近傍における電界が陰極中心部から遠ざ
かるにつれて徐々に緩和されるように、上記陰極と誘電
体を陽極方向に凸なる形状とした特許請求の範囲第１項
ないし第４項の何れかに記載の放電励起型短パルスレー
ザ装置。 - （６）補助電極は誘電体の表面で陰極が密着されている
面の反対側の面に密着されているか、または上記導電体
の内部に埋め込まれている特許請求の範囲第１項ないし
第５項の何れかに記載の放電励起型短パルスレーザ装置
。
Priority Applications (11)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21284384A JPS6190486A (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 | 放電励起型短パルスレ−ザ装置 |
| US06/782,568 US4686682A (en) | 1984-10-09 | 1985-10-01 | Discharge excitation type short pulse laser device |
| EP93100550A EP0543795B1 (en) | 1984-10-09 | 1985-10-02 | Discharge excitation type short pulse laser device |
| EP94114362A EP0637106B1 (en) | 1984-10-09 | 1985-10-02 | Discharge excitation type laser device |
| DE3587852T DE3587852T2 (de) | 1984-10-09 | 1985-10-02 | Kurzpulslaservorrichtung vom Entladungsanregungstyp. |
| EP85112484A EP0177888B1 (en) | 1984-10-09 | 1985-10-02 | Discharge excitation type short pulse laser device |
| DE19853588118 DE3588118T2 (de) | 1984-10-09 | 1985-10-02 | Entladungsangeregter Laser zur Erzeugung kurzer Pulse |
| DE19853588088 DE3588088T2 (de) | 1984-10-09 | 1985-10-02 | Entladungsangeregter Laser zur Erzeugung kurzer Pulse |
| EP93100578A EP0542718B1 (en) | 1984-10-09 | 1985-10-02 | Discharge excitation type short pulse laser device |
| DE19853588137 DE3588137T2 (de) | 1984-10-09 | 1985-10-02 | Entladungsangeregtes Lasergerät |
| CA000492327A CA1259122A (en) | 1984-10-09 | 1985-10-04 | Discharge excitation type short pulse laser device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21284384A JPS6190486A (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 | 放電励起型短パルスレ−ザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6190486A true JPS6190486A (ja) | 1986-05-08 |
| JPH0344429B2 JPH0344429B2 (ja) | 1991-07-05 |
Family
ID=16629254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21284384A Granted JPS6190486A (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 | 放電励起型短パルスレ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6190486A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1988000403A1 (fr) * | 1986-06-30 | 1988-01-14 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Laser a gaz |
| JPS63229777A (ja) * | 1987-03-18 | 1988-09-26 | Mitsubishi Electric Corp | パルスレ−ザ装置 |
| JPH04221869A (ja) * | 1990-12-21 | 1992-08-12 | Mitsubishi Electric Corp | エキシマレーザ装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4729355U (ja) * | 1971-04-26 | 1972-12-04 | ||
| JPS4975093A (ja) * | 1972-10-17 | 1974-07-19 | ||
| JPS5810872A (ja) * | 1981-07-14 | 1983-01-21 | Toshiba Corp | 太陽電池の製造方法 |
| JPS5848485A (ja) * | 1981-09-16 | 1983-03-22 | Mitsubishi Electric Corp | パルスレ−ザ発振器 |
-
1984
- 1984-10-09 JP JP21284384A patent/JPS6190486A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4729355U (ja) * | 1971-04-26 | 1972-12-04 | ||
| JPS4975093A (ja) * | 1972-10-17 | 1974-07-19 | ||
| JPS5810872A (ja) * | 1981-07-14 | 1983-01-21 | Toshiba Corp | 太陽電池の製造方法 |
| JPS5848485A (ja) * | 1981-09-16 | 1983-03-22 | Mitsubishi Electric Corp | パルスレ−ザ発振器 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPS63229777A (ja) * | 1987-03-18 | 1988-09-26 | Mitsubishi Electric Corp | パルスレ−ザ装置 |
| JPH04221869A (ja) * | 1990-12-21 | 1992-08-12 | Mitsubishi Electric Corp | エキシマレーザ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0344429B2 (ja) | 1991-07-05 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |