JPS6191364A - プラスチツク上への無電解メツキ方法 - Google Patents
プラスチツク上への無電解メツキ方法Info
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- JPS6191364A JPS6191364A JP59213987A JP21398784A JPS6191364A JP S6191364 A JPS6191364 A JP S6191364A JP 59213987 A JP59213987 A JP 59213987A JP 21398784 A JP21398784 A JP 21398784A JP S6191364 A JPS6191364 A JP S6191364A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
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- H05K2203/0756—Uses of liquids, e.g. rinsing, coating, dissolving
- H05K2203/0773—Dissolving the filler without dissolving the matrix material; Dissolving the matrix material without dissolving the filler
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はプラスチック上への無電解メッキ方法に関する
ものである。
ものである。
従来のプラスチック上への無電解メッキは第2図の如く
素材(1)を有機溶剤や酸化剤、酸、アルカリ等でエツ
チングして(4)、スズ(珀−パラジウム(It)系を
主とするメッキ触媒(4)を吸着させて(B)から無電
解メッキ(5)を施こすのが一般的な方法である。
素材(1)を有機溶剤や酸化剤、酸、アルカリ等でエツ
チングして(4)、スズ(珀−パラジウム(It)系を
主とするメッキ触媒(4)を吸着させて(B)から無電
解メッキ(5)を施こすのが一般的な方法である。
ところが、従来技術によれば無電解メッキの析出のしや
すさ、つきまわり性、外観、及びメッキの ゛密着
性の全て満足できるのはほとんどABS系の樹脂に限定
されてしまう、但しこの系の樹脂は物理的、化学的特性
があまり良くない。また、素材メーカーからはいくつか
のメッキグレードの樹脂が発売されているがこれらのも
つ各々な物理的、化学的特性には限界があり、用途が限
られてしま ゛うという欠点があるため、総じてプ
ラスチック上への無電解メッキの適用範囲Fiきわめて
狭いものであった。さらにこういった欠点を除去すべく
第3図に示したような・方法のためのABS系樹脂コ−
テ仁ング剤が市販されている。すなわち、素材(1)を
化学的、物理的に活性化して(5)上記ABS系コーテ
ィング剤(6)ヲコーティングしくB)、周知の方法で
エツチング処理後、触媒核(4)全形成して0、無電解
メッキ(5)を施こす(ハ)ものである。しかし、上記
の方法ではメッキとコーティング層の密着性は向上する
ものの、素材の種類によっては素材とコーティング剤の
密着性が充分に得られないという欠点があり広くプラス
チック全般に適用できるものではない。
すさ、つきまわり性、外観、及びメッキの ゛密着
性の全て満足できるのはほとんどABS系の樹脂に限定
されてしまう、但しこの系の樹脂は物理的、化学的特性
があまり良くない。また、素材メーカーからはいくつか
のメッキグレードの樹脂が発売されているがこれらのも
つ各々な物理的、化学的特性には限界があり、用途が限
られてしま ゛うという欠点があるため、総じてプ
ラスチック上への無電解メッキの適用範囲Fiきわめて
狭いものであった。さらにこういった欠点を除去すべく
第3図に示したような・方法のためのABS系樹脂コ−
テ仁ング剤が市販されている。すなわち、素材(1)を
化学的、物理的に活性化して(5)上記ABS系コーテ
ィング剤(6)ヲコーティングしくB)、周知の方法で
エツチング処理後、触媒核(4)全形成して0、無電解
メッキ(5)を施こす(ハ)ものである。しかし、上記
の方法ではメッキとコーティング層の密着性は向上する
ものの、素材の種類によっては素材とコーティング剤の
密着性が充分に得られないという欠点があり広くプラス
チック全般に適用できるものではない。
前述したように従来技術では無電解メッキのつきまわり
が優れ、外観が良くかつメッキ層の密着性が良好なメッ
キは限られた素材にしか施せず適用範囲がきわめて狭い
という問題点を有していた。
が優れ、外観が良くかつメッキ層の密着性が良好なメッ
キは限られた素材にしか施せず適用範囲がきわめて狭い
という問題点を有していた。
本発明のプラスチック上へのメッキ方法は、第1図に示
した如く、無電解メッキを施こそうとするプラスチック
表面(りにニトリルゴム、クロロブレンゴムをはじめと
する合成ゴムの一種或いは二種以上の混合物の皮膜(2
)全形成【7ω)、さらにその表面にABS系樹脂を含
む皮膜(5)全形成して(Qその後、化学゛エツチング
処理と周知の触媒核(4)形成処理を行なって(2)無
電解メッキ(5)?施こす[F]ことを特徴とする。
した如く、無電解メッキを施こそうとするプラスチック
表面(りにニトリルゴム、クロロブレンゴムをはじめと
する合成ゴムの一種或いは二種以上の混合物の皮膜(2
)全形成【7ω)、さらにその表面にABS系樹脂を含
む皮膜(5)全形成して(Qその後、化学゛エツチング
処理と周知の触媒核(4)形成処理を行なって(2)無
電解メッキ(5)?施こす[F]ことを特徴とする。
なお本発明で適用される合成ゴム皮膜(以下、アンダー
コートと記す。)の組成は自由であり、ABS系樹脂を
含む皮膜(以下、オーバーコートと記す。)の組成につ
いては少なくともABS系樹脂され含まれていれば他は
何でも良いが、強いて上げればABS単独、或いはフェ
ノール系樹脂、エポキシ系門脂を混合することが望まし
い。またメッキの付きまわり性や密着性を確保するため
にこれらの皮膜は総厚で1μm以上あることが好ましい
O 以下、実施例に従って本発明の詳細な説明する。
コートと記す。)の組成は自由であり、ABS系樹脂を
含む皮膜(以下、オーバーコートと記す。)の組成につ
いては少なくともABS系樹脂され含まれていれば他は
何でも良いが、強いて上げればABS単独、或いはフェ
ノール系樹脂、エポキシ系門脂を混合することが望まし
い。またメッキの付きまわり性や密着性を確保するため
にこれらの皮膜は総厚で1μm以上あることが好ましい
O 以下、実施例に従って本発明の詳細な説明する。
〔実施例−1〕
本発明をナイロン−6への無電解メッキに適用した。
アンダーコート用材料、及びオーバーコート用材料は以
下に示したとおりである。
下に示したとおりである。
(アンダーコート剤)
(オーバーコート剤)
コーティングは等速引き上げ法で行ない、アンダーコー
ト5μm’に形成し160℃で30分焼成後オーバーコ
ート2μmを形成し160℃で2時間焼成したーこの材
料を以下に示したような組成のエツチング液に60℃で
2分間浸漬後、次亜硫酸ナトリウムで中和し、以後、周
知の無電解前処理プロセスすなわち、塩化第1スズ−塩
化ノくフジラム−塩酸系キャタリスト浸漬、硫酸系アク
セレーター浸漬を経て、無電解ニッケルメッキを施した
。
ト5μm’に形成し160℃で30分焼成後オーバーコ
ート2μmを形成し160℃で2時間焼成したーこの材
料を以下に示したような組成のエツチング液に60℃で
2分間浸漬後、次亜硫酸ナトリウムで中和し、以後、周
知の無電解前処理プロセスすなわち、塩化第1スズ−塩
化ノくフジラム−塩酸系キャタリスト浸漬、硫酸系アク
セレーター浸漬を経て、無電解ニッケルメッキを施した
。
(エツチング液−クロム酸混液)
以下に、従来のナイロン−6への無電解メッキ方法と本
発明との比較を示す0 表1 ナイロン6上への無電解メッキ比較表1からも明
らかなように本発明によれば、一般に無電解ニッケルが
つきまわりに<<、密着性も得にくいナイロン−6への
無電解メッキのメッキ特性を向上させることが可能にな
った。また、この他のナイロン−66やナイロンMXD
−6など全てのナイロンにこの実施例−1の内容があて
はま−た。
発明との比較を示す0 表1 ナイロン6上への無電解メッキ比較表1からも明
らかなように本発明によれば、一般に無電解ニッケルが
つきまわりに<<、密着性も得にくいナイロン−6への
無電解メッキのメッキ特性を向上させることが可能にな
った。また、この他のナイロン−66やナイロンMXD
−6など全てのナイロンにこの実施例−1の内容があて
はま−た。
〔実施例−2〕
本発明を7エノール樹脂上の無電解メッキへ適用した。
アンダーコート用材料、及びオーバーコート用材料は以
下のとおりである。
下のとおりである。
(アンダーコート剤)
(オーバーコート剤)
コーティングはエアースプレーガンを用いたスプレー塗
装法とし、アンダーコート10μm形成後150℃30
分焼成1次にオーバーコート10μmを形成して80℃
2時間焼成した。以下の工程は実施例−1と同様で行な
った。この結果、メy * W4 (7) k’ −ル
強度は従来(7) 0.1〜0.3 kg・cm−’か
ら1.5〜2−5kfcm−”へと増加し、かつ光沢の
あるメッキ外観が得られた。
装法とし、アンダーコート10μm形成後150℃30
分焼成1次にオーバーコート10μmを形成して80℃
2時間焼成した。以下の工程は実施例−1と同様で行な
った。この結果、メy * W4 (7) k’ −ル
強度は従来(7) 0.1〜0.3 kg・cm−’か
ら1.5〜2−5kfcm−”へと増加し、かつ光沢の
あるメッキ外観が得られた。
〔実施例−3〕
本発明を通常無電解メッキが析出しにくいポリ塩化ビニ
ルに適用した。
ルに適用した。
アンダーコート用材料、オーバーコート用材料の組成は
以下のとおりである。
以下のとおりである。
(アンダーコート剤D
(オーバーコート剤)
コーティングはフローコーター法で行ない、アンダーコ
ートは15μm、オーバーコートは10μmとした。ア
ンダーコート後60℃で30分乾燥後オーバーコートし
室温で24時間乾燥した。
ートは15μm、オーバーコートは10μmとした。ア
ンダーコート後60℃で30分乾燥後オーバーコートし
室温で24時間乾燥した。
以下の工程は実施例−1と同様で行ない、従来無電解メ
ッキの析出困難であったポリ塩化ビニル上ベビール強度
1.5〜z、skg・CffL−” という密着性の良
いメッキ層が形成できた。
ッキの析出困難であったポリ塩化ビニル上ベビール強度
1.5〜z、skg・CffL−” という密着性の良
いメッキ層が形成できた。
〔実施例−4〕
実施例−1と同じコート剤、工程でガラスファイバーと
メタルパウダーを混入したナイロン−66に無電解メッ
キを施した。
メタルパウダーを混入したナイロン−66に無電解メッ
キを施した。
以下にコート厚みを変化させてそのビール強度の変化を
表2に示す。
表2に示す。
表2 ナイロン66上への無電解メッキ比較表表2より
明らかなとおりコーティング厚みは総厚で1,0μm以
上であることが望ましく、それ以下であるとエツチング
時に皮膜が破壊されるか、メッキつきまわりが悪く密着
性が出ないことになる。また総厚5μm以上になるとビ
ール強度は安定した。
明らかなとおりコーティング厚みは総厚で1,0μm以
上であることが望ましく、それ以下であるとエツチング
時に皮膜が破壊されるか、メッキつきまわりが悪く密着
性が出ないことになる。また総厚5μm以上になるとビ
ール強度は安定した。
以上述べたように、本発明によれば被メッキ体であるプ
ラスチック表面に合成ゴムを含むアンダーコート層とA
BS樹脂を含むオーバーコート層を形成することにより
通常無電解メッキが困難なプラスチック素材にも密着性
、外観共に優れた無電解メッキが施こせ、プラスチック
のメタライジングの可能性に幅が出るという効果を有す
る。
ラスチック表面に合成ゴムを含むアンダーコート層とA
BS樹脂を含むオーバーコート層を形成することにより
通常無電解メッキが困難なプラスチック素材にも密着性
、外観共に優れた無電解メッキが施こせ、プラスチック
のメタライジングの可能性に幅が出るという効果を有す
る。
なお、本発明は、全てのプラスチック及び複合プラスチ
ック材料の成形品、シートなどに適用が可能である。
ック材料の成形品、シートなどに適用が可能である。
第1図A−Eは本発明の工程全示す断面図。
第2図A−C、第5図A−Dは従来法の工程断面図。
1・・・・・・プラスチック素材
2・・・・・・アンダーコート層
3・・・・・・オーバーコートIM
4・・・・・・触媒核層
5・・・・・・無電解メッキ層
6・・・・・・ABSコーチインク層
以層
比上人 株式会社諏訪精工舎
第11喝 第ユ圓
Claims (2)
- (1)無電解メッキを施こそうとするプラスチック表面
にニトリルゴム、クロロプレンゴム、ウレタンゴムをは
じめとする合成ゴムの一種或いは二種以上の混合物を含
む、皮膜を形成し、さらにその表面にABS系樹脂を含
む皮膜を形成後、エッチング処理及び無電解メッキ処理
を行なうことを特徴とするプラスチック上への無電解メ
ッキ方法。 - (2)上記のプラスチック表面に形成された皮膜の総厚
で1.0μm以上である特許請求の範囲第1項に記載さ
れたプラスチック上への無電解メッキ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59213987A JPS6191364A (ja) | 1984-10-12 | 1984-10-12 | プラスチツク上への無電解メツキ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59213987A JPS6191364A (ja) | 1984-10-12 | 1984-10-12 | プラスチツク上への無電解メツキ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6191364A true JPS6191364A (ja) | 1986-05-09 |
Family
ID=16648372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59213987A Pending JPS6191364A (ja) | 1984-10-12 | 1984-10-12 | プラスチツク上への無電解メツキ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6191364A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0460226A4 (ja) * | 1989-12-22 | 1994-02-02 | Sankei Giken Kogyo Kabushiki Kaisha |
-
1984
- 1984-10-12 JP JP59213987A patent/JPS6191364A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0460226A4 (ja) * | 1989-12-22 | 1994-02-02 | Sankei Giken Kogyo Kabushiki Kaisha |
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