JPS6192049U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6192049U JPS6192049U JP17565684U JP17565684U JPS6192049U JP S6192049 U JPS6192049 U JP S6192049U JP 17565684 U JP17565684 U JP 17565684U JP 17565684 U JP17565684 U JP 17565684U JP S6192049 U JPS6192049 U JP S6192049U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- furnace
- vertical
- trays
- tray
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 239000002699 waste material Substances 0.000 claims 1
Landscapes
- Furnace Details (AREA)
Description
第１図は本考案の実施例の概要を示す縦断面図
、第２図は従来の縦形半導体熱処理炉の一例の概
要を示す縦断面図である。 Ｆ…炉本体、Ｗ…半導体基板、５…上・下に駆
動されるアーム、６…回転駆動機、７…トレイ支
持台、８…トレイ、１１…ガス供給管、１１ａ…
ガス噴出孔、１２…ガス排出管、１２ａ…ガス吸
気孔。
、第２図は従来の縦形半導体熱処理炉の一例の概
要を示す縦断面図である。 Ｆ…炉本体、Ｗ…半導体基板、５…上・下に駆
動されるアーム、６…回転駆動機、７…トレイ支
持台、８…トレイ、１１…ガス供給管、１１ａ…
ガス噴出孔、１２…ガス排出管、１２ａ…ガス吸
気孔。
Claims (1)
- 上端側が閉鎖され下端側が開放された筒状をな
し内壁にヒータを備えて略垂直に配置された縦形
の炉本体と、熱処理すべき複数の半導体基板を上
下に対向するもの相互に所定の間隔をおいて垂直
方向に重ねて保持するトレイと、前記炉本体とト
レイとの垂直方向の関係位置を相対的に変化させ
て前記トレイを前記炉本体の下方から該炉本体内
に出し入れする駆動機構と、前記トレイに保持さ
れて前記炉本体内に挿入された半導体基板に所要
のガス又は空気を供給して廃気を炉外に排出する
ガス給排機構とを有する縦形半導体熱処理炉にお
いて、前記ガス給排機構は前記炉本体内に挿入さ
れる前記トレイを間にして相対向するように該炉
本体内に配設されたガス供給管及びガス排出管を
具備し、前記ガス供給管には前記トレイ上の各半
導体基板の面に平行に前記ガス又は空気を流すよ
うに所定の間隔で複数のガス噴出孔が並設され、
前記ガス排出管には前記各ガス噴出孔に対向する
位置にガス吸気孔が並設されていることを特徴と
する縦形半導体熱処理炉。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17565684U JPS6192049U (ja) | 1984-11-21 | 1984-11-21 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17565684U JPS6192049U (ja) | 1984-11-21 | 1984-11-21 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6192049U true JPS6192049U (ja) | 1986-06-14 |
Family
ID=30733257
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17565684U Pending JPS6192049U (ja) | 1984-11-21 | 1984-11-21 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6192049U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62160537U (ja) * | 1986-01-17 | 1987-10-13 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55118631A (en) * | 1979-03-07 | 1980-09-11 | Fujitsu Ltd | Diffusion furnace for treatment of semiconductor wafer |
| JPS55140233A (en) * | 1979-04-18 | 1980-11-01 | Fujitsu Ltd | Chemical gaseous-phase growing device |
| JPS5730859U (ja) * | 1980-07-23 | 1982-02-18 |
-
1984
- 1984-11-21 JP JP17565684U patent/JPS6192049U/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55118631A (en) * | 1979-03-07 | 1980-09-11 | Fujitsu Ltd | Diffusion furnace for treatment of semiconductor wafer |
| JPS55140233A (en) * | 1979-04-18 | 1980-11-01 | Fujitsu Ltd | Chemical gaseous-phase growing device |
| JPS5730859U (ja) * | 1980-07-23 | 1982-02-18 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62160537U (ja) * | 1986-01-17 | 1987-10-13 |