JPS6193825A - 温度制御装置 - Google Patents
温度制御装置Info
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- JPS6193825A JPS6193825A JP60155878A JP15587885A JPS6193825A JP S6193825 A JPS6193825 A JP S6193825A JP 60155878 A JP60155878 A JP 60155878A JP 15587885 A JP15587885 A JP 15587885A JP S6193825 A JPS6193825 A JP S6193825A
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Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F28—HEAT EXCHANGE IN GENERAL
- F28F—DETAILS OF HEAT-EXCHANGE AND HEAT-TRANSFER APPARATUS, OF GENERAL APPLICATION
- F28F27/00—Control arrangements or safety devices specially adapted for heat-exchange or heat-transfer apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/20—Means for supporting or positioning the object or the material; Means for adjusting diaphragms or lenses associated with the support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
- H01J2237/2001—Maintaining constant desired temperature
-
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
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- Y10S165/904—Radiation
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- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49758—During simulated operation or operating conditions
-
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-
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- Y10T29/53039—Means to assemble or disassemble with control means energized in response to activator stimulated by condition sensor
-
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- Y10T29/53039—Means to assemble or disassemble with control means energized in response to activator stimulated by condition sensor
- Y10T29/53061—Responsive to work or work-related machine element
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- Valve Device For Special Equipments (AREA)
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、真空室内で処理を受けている試料の温度を制
御する方法及び装置に係る。
御する方法及び装置に係る。
従来の技術
半導体装置の製造においては、シリコンウェハが真空室
内でイオンビームによって処理され、ウェハ表面に対し
て所望の変更が行なわれる。このような処理中には、ウ
ェハに熱が発生し、許容できない温度上昇を回避すべき
場合には、この熱を周囲に伝達しなければならない。
内でイオンビームによって処理され、ウェハ表面に対し
て所望の変更が行なわれる。このような処理中には、ウ
ェハに熱が発生し、許容できない温度上昇を回避すべき
場合には、この熱を周囲に伝達しなければならない。
発明の構成
本発明によれば、真空室内で処理を受けている試料の温
度を制御する装置であって、試料を支持する手段と、試
料に隣接しているが試料から離間された少なくとも１つ
のヒートシンクと、放射によって試料とヒートシンクと
の間の熱伝達の割合を変更するために試料とヒートシン
クとの間に゛配置された手段とを具備した装置が提供さ
れる。
度を制御する装置であって、試料を支持する手段と、試
料に隣接しているが試料から離間された少なくとも１つ
のヒートシンクと、放射によって試料とヒートシンクと
の間の熱伝達の割合を変更するために試料とヒートシン
クとの間に゛配置された手段とを具備した装置が提供さ
れる。
ヒートシンクの試料に向いた面は、試料によって放射さ
れる波長の範囲内で高い放射率を有しているのが好まし
い、というのは、これにより、ヒートシンクでの熱放射
の吸収率が最大となるからである。上記の放射による変
更手段は、複数の素子より成り、各素子は、熱放射を著
しく反射する面を有していると共に、ヒートシンクの高
放射率の面の一部分をより多く又はより少なく覆うよう
に動くことができる。１つの実施例では、これｉ
らの可動の素子が薄ｔ・翼であり、ヒートシン
クの面に垂直な向きと平行な向きとの間で回転できる第
２の実施例においては、処理を行なう領珊に試料を繰り
返し通せるようにすると共に、ヒートシンクの近くであ
るがヒートシンクから離れたところに繰り返し通せるよ
うにするために上記の支持手段が回転可能とされ、上記
の放射によって変更する手段は、熱放射を著しく反射す
る面を有した翼を備え、この翼は、ヒートシンクの高放
射率の面の一部分をより多く又はより少なく覆うように
動くことができる。支持手段は、°長手方向軸のまわり
で回転できる中空円筒ドラムであり、このドラムの内側
及び外側の両方に同心的な円筒状ヒートシンクが設けら
れる。
れる波長の範囲内で高い放射率を有しているのが好まし
い、というのは、これにより、ヒートシンクでの熱放射
の吸収率が最大となるからである。上記の放射による変
更手段は、複数の素子より成り、各素子は、熱放射を著
しく反射する面を有していると共に、ヒートシンクの高
放射率の面の一部分をより多く又はより少なく覆うよう
に動くことができる。１つの実施例では、これｉ
らの可動の素子が薄ｔ・翼であり、ヒートシン
クの面に垂直な向きと平行な向きとの間で回転できる第
２の実施例においては、処理を行なう領珊に試料を繰り
返し通せるようにすると共に、ヒートシンクの近くであ
るがヒートシンクから離れたところに繰り返し通せるよ
うにするために上記の支持手段が回転可能とされ、上記
の放射によって変更する手段は、熱放射を著しく反射す
る面を有した翼を備え、この翼は、ヒートシンクの高放
射率の面の一部分をより多く又はより少なく覆うように
動くことができる。支持手段は、°長手方向軸のまわり
で回転できる中空円筒ドラムであり、このドラムの内側
及び外側の両方に同心的な円筒状ヒートシンクが設けら
れる。
本発明の装置は、試料を熱放射に曝してその温度を上昇
させる手段を備えてもよい。
させる手段を備えてもよい。
又、本発明は、真空室内で処理を受けている試料の温度
を制御する方法であって、ヒートシンクの近くであるが
ヒートシンクから離して試料を支持し、試料からの放射
が入射するヒートシンクの面の実効熱放射率を試料の温
度に関連して変えることより成る方法も提供する。
を制御する方法であって、ヒートシンクの近くであるが
ヒートシンクから離して試料を支持し、試料からの放射
が入射するヒートシンクの面の実効熱放射率を試料の温
度に関連して変えることより成る方法も提供する。
以下、添付図面を参照して、本発明を一例として説明す
る。
る。
実施例
第１図を参照すると、真空室（図示せず）内に２つの支
持体１２によって支持されたシリコンウェハ１０が示さ
れており、このウエノ）は、下向きに入射する酸素イオ
ンビームＡが照射される。
持体１２によって支持されたシリコンウェハ１０が示さ
れており、このウエノ）は、下向きに入射する酸素イオ
ンビームＡが照射される。
ウェハ１０の処理中、イオンビームＡはウエノ）１０の
上面を走査され、温度が上昇すると共に、ウェハ１０内
に酸素原子が埋め込まれる。温度は、約５００℃の値に
おいて１０に以内に一定に保たれるのが好ましい。
上面を走査され、温度が上昇すると共に、ウェハ１０内
に酸素原子が埋め込まれる。温度は、約５００℃の値に
おいて１０に以内に一定に保たれるのが好ましい。
ウェハ１０は、ヒートシンク１４の上に支持されており
、ヒートシンク１４の上面１６は、赤外線を著しく放射
できるように黒くされている。
、ヒートシンク１４の上面１６は、赤外線を著しく放射
できるように黒くされている。
ヒートシンク１４は、冷却液で冷却される。ウェハ１０
とヒートシンク１４の表面１６との間に１１、多数の長
方形の翼２０が互いに平行に整列されて平行シャフト２
２に対して枢着されている。各翼２０の両面２４は、光
沢のあるもので、赤外線を著しく反射するようにされて
いる。駆動機構２６（概略的に示されている）が全ての
シャツ１−２２に接続されており、全ての翼２０を一緒
しこヒートシンク１４の表面１６に垂直な向きと平行な
向きとの間の所望の向きに回転させる。翼２０４ｔ、、
ヒートシンク１４の面１６に平行しこなったときしこ隣
接する翼２０同志の間にギャップ力１なくなるような幅
のものである。
とヒートシンク１４の表面１６との間に１１、多数の長
方形の翼２０が互いに平行に整列されて平行シャフト２
２に対して枢着されている。各翼２０の両面２４は、光
沢のあるもので、赤外線を著しく反射するようにされて
いる。駆動機構２６（概略的に示されている）が全ての
シャツ１−２２に接続されており、全ての翼２０を一緒
しこヒートシンク１４の表面１６に垂直な向きと平行な
向きとの間の所望の向きに回転させる。翼２０４ｔ、、
ヒートシンク１４の面１６に平行しこなったときしこ隣
接する翼２０同志の間にギャップ力１なくなるような幅
のものである。
ヒートシンク１４．翼２０及び駆動機構２６は温度制御
装置２８の部品であり、温度＄１．制御装置２８は、更
に、ウェハ１０の温度を測定する赤外線検出器３０と、
この検出器３０及び駆動機構２６に接続されたコンピュ
ータ３２とを含んでし）る。
装置２８の部品であり、温度＄１．制御装置２８は、更
に、ウェハ１０の温度を測定する赤外線検出器３０と、
この検出器３０及び駆動機構２６に接続されたコンピュ
ータ３２とを含んでし）る。
コンピュータ３２には、ランプ３４も接続されている。
操作時には、ウェハ１０が支持体１２上番こ配置され、
ランプ３４によって最初に所望の温度しこ加熱される。
ランプ３４によって最初に所望の温度しこ加熱される。
次にイオンビームによるＷｒ撃カス開始され、検出器３
０によって測定されたウニ／）１０の温度に従ってコン
ピュータ３２しこより所望の温度を保つように翼２０の
向きが制御される。翼２０は、ヒートシンクの面１６に
対して垂直に向いているときは、ウェハ１０からヒート
シンク１４の面１６への放射熱束に対して最低の作用を
及ぼすだけであるが、ヒートシンク１４の面１６に平行
な向きにされたときは゛、放射熱束を実質的に阻止する
。従ってウェハ１０の下面からの熱損失の割合を翼２０
の回転によって制御でき、ひいては、一定の温度を維持
できる。
０によって測定されたウニ／）１０の温度に従ってコン
ピュータ３２しこより所望の温度を保つように翼２０の
向きが制御される。翼２０は、ヒートシンクの面１６に
対して垂直に向いているときは、ウェハ１０からヒート
シンク１４の面１６への放射熱束に対して最低の作用を
及ぼすだけであるが、ヒートシンク１４の面１６に平行
な向きにされたときは゛、放射熱束を実質的に阻止する
。従ってウェハ１０の下面からの熱損失の割合を翼２０
の回転によって制御でき、ひいては、一定の温度を維持
できる。
装置２８は回転可能な翼２０を含んでいるが、別の温度
制御装置の場合は、ウェハ１０とヒートシンク１４との
間に有効面積を変えられる反射バリアを構成するような
別の手段、例えば一方の格子の反射部分が他方の格子の
反射部分と相補的であって互いにスライド移動できる２
つの平面型の反射格子、を含んでも良いことが理解され
よう。
制御装置の場合は、ウェハ１０とヒートシンク１４との
間に有効面積を変えられる反射バリアを構成するような
別の手段、例えば一方の格子の反射部分が他方の格子の
反射部分と相補的であって互いにスライド移動できる２
つの平面型の反射格子、を含んでも良いことが理解され
よう。
第２図を参照すると、多数のシリコンウェハ４０が円筒
状中空ドラム４２の内面に支持されており、このドラム
４２は、使用中、ウェハ４０をイオンビームＢの経路に
繰り返し通すように回軸される。ビームＢはこのように
広い面域、即ち、ドラム４２の内面全体を効果的に走査
し、従って１つのウェハ４０が受ける平均ビーム出力は
、第１図の装置の場合より小さいものとなる。いずれの
ウェハ４０の温度も、平衡状態においては、イオンビー
ムＢに通される間に得たエネルギがドラム４２の残りの
回転中に放射によって周辺に失われるようなものとなり
、従って平衡温度は、ドラム４２の回転中にウェハ４２
が通る近傍の全ての表面の平均熱放射率によって決まる
。
状中空ドラム４２の内面に支持されており、このドラム
４２は、使用中、ウェハ４０をイオンビームＢの経路に
繰り返し通すように回軸される。ビームＢはこのように
広い面域、即ち、ドラム４２の内面全体を効果的に走査
し、従って１つのウェハ４０が受ける平均ビーム出力は
、第１図の装置の場合より小さいものとなる。いずれの
ウェハ４０の温度も、平衡状態においては、イオンビー
ムＢに通される間に得たエネルギがドラム４２の残りの
回転中に放射によって周辺に失われるようなものとなり
、従って平衡温度は、ドラム４２の回転中にウェハ４２
が通る近傍の全ての表面の平均熱放射率によって決まる
。
ドラム４２と同心でそれぞれドラム４２の内側と外側に
ある２つの固定された円筒状ヒートシンク４４及び４６
と、ドラム４２とこれらのヒートシンク４４及び４６の
各々の間の環状ギャップに枢着された２つの半円筒状の
翼４８及び５０とによって温度が制御される。ヒートシ
ンク４４及び４６は、冷却液を通すことによって実質的
に一定の温度に保たれる。イオンビームＢは、内側のヒ
ートシンク４４の壁に設けられたスロット５２から出て
くる。水平面Ｐ−Ｐより下でドラム４２に面したヒート
シンク４４及び４６の面は、ドラム４２及びウェハ４０
によって放出される波長においてこれらの面が高い放射
率となるように黒くされ、一方、面Ｐ−Ｐより上のドラ
ム４２に面したヒートシンクの面は、低放射率の面とな
る。ように光沢仕上げされる。翼４８及び５０のドラム
４２に向いた面は光沢仕上げされ、一方翼４８及び５０
のそれぞれヒートシンク４４又は４６に向いた面は黒く
されている。翼４８及び５０は共通のシャフト（図示せ
ず）によって支持されており。
ある２つの固定された円筒状ヒートシンク４４及び４６
と、ドラム４２とこれらのヒートシンク４４及び４６の
各々の間の環状ギャップに枢着された２つの半円筒状の
翼４８及び５０とによって温度が制御される。ヒートシ
ンク４４及び４６は、冷却液を通すことによって実質的
に一定の温度に保たれる。イオンビームＢは、内側のヒ
ートシンク４４の壁に設けられたスロット５２から出て
くる。水平面Ｐ−Ｐより下でドラム４２に面したヒート
シンク４４及び４６の面は、ドラム４２及びウェハ４０
によって放出される波長においてこれらの面が高い放射
率となるように黒くされ、一方、面Ｐ−Ｐより上のドラ
ム４２に面したヒートシンクの面は、低放射率の面とな
る。ように光沢仕上げされる。翼４８及び５０のドラム
４２に向いた面は光沢仕上げされ、一方翼４８及び５０
のそれぞれヒートシンク４４又は４６に向いた面は黒く
されている。翼４８及び５０は共通のシャフト（図示せ
ず）によって支持されており。
ドラム４２及びウェハ４０をヒートシンク４４及び４６
の黒い下半分からシールドする位置と、ヒートシンク４
４及び４６の黒い面が完全に露出する位置との間で約１
８０°の角度にわたって一緒に回転できるようになって
いる。
の黒い下半分からシールドする位置と、ヒートシンク４
４及び４６の黒い面が完全に露出する位置との間で約１
８０°の角度にわたって一緒に回転できるようになって
いる。
黒い面と光沢仕上げされた面の全放射率の代表値はそれ
ぞれ０．８と０．１であり、従って第２図の装置の操作
時には、ドラム４２が回転する度にウェハ４０が通過す
る近傍の面の平均放射率は、翼４８及び５０をそれらの
両端位置間で移動させることにより、約０．１から０．
５まで可変となる。翼４８及び５ｏの移動は、赤外線検
出器（図示せず）によって測定された温度に基づし１て
行なわれ、制御システムは第１図を参照して上記したシ
ステムに類似である。
ぞれ０．８と０．１であり、従って第２図の装置の操作
時には、ドラム４２が回転する度にウェハ４０が通過す
る近傍の面の平均放射率は、翼４８及び５０をそれらの
両端位置間で移動させることにより、約０．１から０．
５まで可変となる。翼４８及び５ｏの移動は、赤外線検
出器（図示せず）によって測定された温度に基づし１て
行なわれ、制御システムは第１図を参照して上記したシ
ステムに類似である。
もしイオンビームＢがその幅にわたって（換言すればド
ラム４２の回転軸に平行に）非均−強度のものであれば
、半円筒状の翼４８及び５０に対して適当にカーブした
先端及び後端をもたせることにより、ウェハ４０の温度
の非均一性を補償できるこ、とが理解されよう。
ラム４２の回転軸に平行に）非均−強度のものであれば
、半円筒状の翼４８及び５０に対して適当にカーブした
先端及び後端をもたせることにより、ウェハ４０の温度
の非均一性を補償できるこ、とが理解されよう。
第１図は、温度制御装置を備えたシリコンウェハ処理装
置を示す概略側面図、そして第２図は、温度制御装置を
備えた別のつ、Ａ処理装置を示す断面図である。 １０・・・シリコンウェハ １２・・・支持体１４・・
・ヒートシンク １６・・・ヒートシンクの上面 ２０・・・翼 ２２・・・シャフト２６・
・・駆動機構 ２８・・・温度制御装置 ３０・・・赤外線検出器 ３２惨・・コンピュータ ４０・・・シリコンウエノ） ４２・・・ドラム Ｂ・・・イオンビーム ４４．４６・・・ヒートシンク ４８．５０・・・翼 ５２・・・スロット 鍔
置を示す概略側面図、そして第２図は、温度制御装置を
備えた別のつ、Ａ処理装置を示す断面図である。 １０・・・シリコンウェハ １２・・・支持体１４・・
・ヒートシンク １６・・・ヒートシンクの上面 ２０・・・翼 ２２・・・シャフト２６・
・・駆動機構 ２８・・・温度制御装置 ３０・・・赤外線検出器 ３２惨・・コンピュータ ４０・・・シリコンウエノ） ４２・・・ドラム Ｂ・・・イオンビーム ４４．４６・・・ヒートシンク ４８．５０・・・翼 ５２・・・スロット 鍔
Claims (3)
- （１）真空室内で処理を受けている試料の温度を制御す
る装置であって、試料を支持する手段と、試料に隣接し
た少なくとも１つのヒートシンクとを具備している装置
において、上記ヒートシンク（１４、４４、４６）が試
料（１０）から離されると共に、放射によって試料とヒ
ートシンクとの間の熱伝達の割合を変更するための手段
（２０、４８、５０）が試料とヒートシンクとの間に配
置されたことを特徴とする装置。 - （２）上記ヒートシンクの試料に向いた面（１６）は、
試料によって放射される波長の範囲内で高い放射率を有
しており、上記の放射による変更手段は、少なくとも１
つの可動素子（２０、４８、５０）を備え、各素子は熱
放射を著しく反射する面を有していて、上記ヒートシン
クの面のより大きな一部分又はより小さな一部分を覆う
ように動くことができる特許請求の範囲第（１）項に記
載の範囲。 - （３）ヒートシンクに隣接して試料を支持するようにし
て、真空室内で処理を受ける試料の温度を制御する方法
において、上記試料（１０）をヒートシンク（１４、４
４、４６）から離し、試料からの放射が入射するヒート
シンクの表面の実効熱放射率を試料の温度に関連して変
えることを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB848418062A GB8418062D0 (en) | 1984-07-16 | 1984-07-16 | Temperature control |
| GB8418062 | 1984-07-16 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6193825A true JPS6193825A (ja) | 1986-05-12 |
Family
ID=10563953
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60155878A Pending JPS6193825A (ja) | 1984-07-16 | 1985-07-15 | 温度制御装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4619030A (ja) |
| JP (1) | JPS6193825A (ja) |
| GB (2) | GB8418062D0 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015000994A (ja) * | 2013-06-13 | 2015-01-05 | 株式会社アルバック | 真空処理装置 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0728770B2 (ja) * | 1987-11-24 | 1995-04-05 | タカラベルモント株式会社 | 毛髪処理促進装置 |
| AT393334B (de) * | 1988-01-22 | 1991-09-25 | Ims Ionen Mikrofab Syst | Anordnung zur stabilisierung einer bestrahlten maske |
| US5044260A (en) * | 1990-06-21 | 1991-09-03 | Cts Consolidated Technical Services, Inc. | Air distribution unit |
| USD334977S (en) | 1990-06-21 | 1993-04-20 | Cts Consolidated Technical Services, Inc. | Air directing device |
| USD318724S (en) | 1990-06-21 | 1991-07-30 | Cts Consolidated Technical Services, Inc. | Design for an air distribution unit |
| JPH07115058A (ja) * | 1993-10-18 | 1995-05-02 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板冷却装置 |
| US6622515B2 (en) | 2000-12-19 | 2003-09-23 | Itb Solutions Llc | Interruptible thermal bridge system |
| US6351952B1 (en) | 2000-12-19 | 2002-03-05 | Goodfaith Innovations, Inc. | Interruptible thermal bridge system |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3174537A (en) * | 1959-06-30 | 1965-03-23 | Thompson Ramo Wooldridge Inc | Electromagnetic radiant energy response apparatus |
| US3062941A (en) * | 1959-12-14 | 1962-11-06 | Purdue Research Foundation | Radiation-sensitive infrared control |
| US3139881A (en) * | 1962-05-29 | 1964-07-07 | Hupp Corp | Infrared chicken brooder |
| US3225820A (en) * | 1962-11-01 | 1965-12-28 | Gen Precision Inc | Device for controlling temperature by heat conduction |
| US3682643A (en) * | 1969-07-15 | 1972-08-08 | Lawrence H Foster | Method for cooking foods using infrared radiation |
| GB2039387B (en) * | 1979-01-15 | 1983-02-23 | Pye Ltd | Automatic electrical control of temperature |
| US4319125A (en) * | 1979-07-20 | 1982-03-09 | Prince Fred J | Infra-red radiant heater system |
-
1984
- 1984-07-16 GB GB848418062A patent/GB8418062D0/en active Pending
-
1985
- 1985-07-08 GB GB08517285A patent/GB2163898B/en not_active Expired
- 1985-07-09 US US06/753,336 patent/US4619030A/en not_active Expired - Fee Related
- 1985-07-15 JP JP60155878A patent/JPS6193825A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015000994A (ja) * | 2013-06-13 | 2015-01-05 | 株式会社アルバック | 真空処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2163898B (en) | 1988-08-03 |
| GB8418062D0 (en) | 1984-08-22 |
| US4619030A (en) | 1986-10-28 |
| GB8517285D0 (en) | 1985-08-14 |
| GB2163898A (en) | 1986-03-05 |
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