JPH01319934A - 電磁放射照射による半導体円板の急速熱処理方法 - Google Patents

電磁放射照射による半導体円板の急速熱処理方法

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JPH01319934A
JPH01319934A JP1113545A JP11354589A JPH01319934A JP H01319934 A JPH01319934 A JP H01319934A JP 1113545 A JP1113545 A JP 1113545A JP 11354589 A JP11354589 A JP 11354589A JP H01319934 A JPH01319934 A JP H01319934A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野） この発明は、少なくとも１つの照射源を備え半導体円板
の加熱に必要なエネルギーの大部分を供給する主照射装
置を使用し、電磁放射照射によって半導体円板を急速熱
処理する方法に関するものである。
〔従来の技術〕
半導体板上に電子デバイスを製作するに当たってＲＴＰ
と呼ばれている急速熱処理法（Ｒａｐｉｄ　Ｔｈｅｒｍ
ａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ）が次第に重要性を増して
きた。
この熱処理に際しては半導体円板が個別に処理室に運ば
れ、特定の雰囲気内で例えば強力な光源からの放射によ
り極めて急速にかつできるだけ均等に加熱される。その
際一般に温度が円板の中央の測定点において高温計で測
定される。この高温計は光源の出力従って光の強度を調
整して所定の温変−時間サイクルができるだけ精確に保
持されるようにする。イオン注入に際して結晶欠陥を回
復するための典型的な温度−時間サイクルでは、１１０
０°Ｃまでの加熱速度が毎秒３００°Ｃ１続く焼もどし
時間は１１００’Ｃにおいて５秒間であり、以後毎秒１
００°Ｃの冷却速度となる。
急速熱処理に際して高い収率の達成の前提となるのは、
半導体円板上の温度分布が充分−様になることである。
しかしこの条件は半導体円板の直径が大きい場合今なお
満足できる程度に解明されていない問題を提起する。
以下第８図と第９図を参照してこれらの問題を説明する
。第８図において１は半導体円板であり、その上面２が
全面的に等強度の電磁放射３によって照射される。半導
体円板１の周縁部５に増強入射する熱放射４により、半
導体円板ｌの周縁部５は半導体円板上の中央部６よりも
低温になる。
第９図には加熱相り、と焼もどし相ｔ２を含む温度処理
中の半導体円板１の中央部６においての放射強度■８の
経過とその周縁部５においての放射強度Ｉ、の経過（こ
れらは互いに等しい）の外に半導体円板１の中央部６に
おいての温度ＴＨの経過とその周縁部５においての温度
Ｔｌｌの経過が示されている。これらの経過曲線から半
導体円板上の照射強度骨を均等にするとき、温度分布が
不均等になることが明らかである。これは半導体円板１
の周縁部５に付加された表面で熱放射が増強されている
ことに基づ（ものである。
従来の技術に関しては更に第１０図と第１１図について
説明する。
第１Ｏ図の半導体円板１は、その周縁部５がその中央部
６よりも増強されて照射される。照射放射の強度分布は
輻を異にする矢印をもって概略的に示されている。この
原理に基づく処理方法は公知の急速熱処理装置（例えば
パリアン（Ｖａｒｉａｎ）社のＶＡＣ６０５７等）に温
度分布改善の目的で採用されている。この場合半導体円
板１の周縁部５の照射強度ＩＲに対するその中央部６の
照射強度Ｉ８の比は全熱処理過程中一定である。
第１１図には加熱相１．と焼もどし相ｔ２を含む温度処
理中の半導体円板１の中央部６の照射強度の経過とその
周縁部５の照射強度の経過、ならびに中央部６の温度Ｔ
Ｍの経過とその周縁部５の温度Ｔ、の経過が示されてい
る。
照射出力は半導体円板ｌの中央部６の高温計測定に基づ
いて円板中央部６において所定の温度−時間サイクルＴ
Ｈ（ｔｌが保持されるように調整される。加熱相１．中
は極めて高い強度１．、■、で照射され、その際周縁部
５の方が照射強度が高くより急速に温度が上昇する。
半導体円板１の中央部６が規定温度Ｔ、に達したとき、
その周縁部５の温度は温度上昇速度が貰いため著しく高
くなっている。焼もとし相１．において始めて強度比Ｉ
Ｎ／Ｉｍが一定となることにより、ある時間の後に規定
値Ｔ、の均等温度分布が達成される。照射を遮断した後
の冷却相り。
では周縁部５の方が中央部６よりも象、速に冷却する。
半導体円板１の周縁部５の温度−時間経過’ｒ＊（ｔ）
はこのような動的特性の結果、円板中央部６の温度−時
間経過”ｒ１４（ｔ）から異なっている。この場合静的
焼もどし相における均等温度分布に達するまでの時間は
、半導体円板の質量と規定温度Ｔ、に関係する。例えば
直径６インチの半導体円板で規定温度Ｔ、を１１００°
Ｃとするときこの時間は５ないし１０秒であるから、短
時間例えば５秒後では周縁部５の温度はその中央部６の
温度より５０°Ｃまで高くなり得る。この温度差は焼も
どじ時間が短くなる程重要となる。
急速熱処理の本来の利点、即ち高速度の温度上昇と高温
に保持する時間の短いことは、収量を限定する温度の不
均等性のため完全に発揮させることは不可能である。こ
の温度の不均等性は特にシリコンベースの電子デバイス
の製作に投入される直径６インチの大型半導体円板に対
して不利な作用を及ぼす。
総ての公知の象、速熱処理においては、動的特性に基づ
く温度不均等性に対して対抗手段が採られていない。
〔発明が解決しようとする課題〕
この発明の目的は、全熱処理過程中卒導体円板上に均等
な温度分布を可能にする電磁放射照射による半導体円板
の急速熱処理法を提供することである。
〔課題を解決するための手段〕
この目的は冒頭に挙げた熱処理法において、（ａ）　　
円板の中央部に向けられた電磁放射とその周縁部に向け
られた電磁放射の強度が互いに等しくなる主照射装置を
使用して、半導体円板の少なくとも一方の面を照射する
こと、 働）半導体円板の周縁部に増強入射する熱放射を補償す
るため半導体円板を加熱する電磁放射を付加的に周縁区
域に向け、その強度を全熱処理過程中中央部と周縁部の
温度が互いに等しくなるように時間と共に変化させる ことによって達成される。
［実施例〕 この発明の実施例を以下に第１図ないし第７図を参照し
て説明する。
第１図にこの発明の方法に従って処理される半導体円板
の中央部と周縁部の放射強度と温度の時間経過を示す。
第２図ないし第７図はこの発明の方法を実行する装置を
示すものでその中箱２．３．５．６．７図は半導体円板
の表面に垂直な断面図であり、第４図は装置の平面図で
ある。
この発明による半導体円板の２．速熱処理方法を具体的
に説明するため、第１図に示す短い温度上昇時間ｔ１、
半導体円板を一定温度に保持しなければならない焼もど
し時間ｔ２および冷却時間り。
から成る熱処理を取り上げる。
半導体円板の上表面が主照射装置により全面的に照射さ
れ、その際円板中央部の照射強度■工はその周縁部の照
射強度■、に等しい。
半導体円板の周縁部に増強入射する熱放射を補償するた
め半導体円板の周縁部に付加的に電磁放射を向け、その
強度Ｉ２を、全焼もどし処理中周縁部の温度Ｔ、が中央
部の温度Ｔ８に等しくなるように時間的に変化させる。
その際付加照射強度Ｔ２の経過は主照射装置の強度■０
、Ｉえの経過に関係する。温度上昇時間り、の後半導体
円板に吸収されたエネルギーと半導体円板から放出され
たエネルギーの間に平衡が成立すると、中央部と周縁部
に互いに等しい一定の温度Ｔ、を保っための放射強度Ｉ
Ｈ，Ｌおよび■２を一定に保つことができる。
低速度の温度上昇加熱の場合、付加照射■２は高速度の
温度上昇加熱の場合より低い温度で開始しなければなら
ない、これは加熱時間が長くなると半導体円板周縁部に
対する熱放射に基づく温度の不拘゛等性が既に低い温度
において形成されることによる。
主照射の遮断後（ｒ＋＜−１ｍ−０）冷却時間ｔ。
の間半導体円板の中央部と周縁部の冷却速度が等しくな
るから、付加的な照射■２は熱処理時間ｔ２の後ゆるや
かにゼロになるよう制御する。
半導体円板中央部の照射強度■。とその周縁部の全照射
強度■□＋Ｉ２を比べることにより、この発明の方法で
は半導体円板表面の７Ｓ磁放射照射の相対的な強度分布
が時間的に変化することが示される。
第１図に示された曲線は、１１００°Ｃまでの加熱速度
が毎秒３００°ｃ、１ｉｏｏ℃においての焼もどし時間
が５秒および自然熱放射による冷却相という典型的な熱
処理イサクルに対するものである。
第２図に示すように、半導体円板１の周縁部５に増強入
射する熱放射の補償には反射遮壁６１を設けることがで
きる。この遮壁の側壁は断面が半円形に曲げられ、半導
体円板周縁部５がら放射される熱放射を反射して元に還
すように円板１の縁端を囲んでいる。これによって半導
体円板周縁部の熱放射は常に自己調整代に補償される。
反射遮壁６１は良反射性の材料例えば金属で作られる。
主照射装置６２としてはアーク灯６３が使用される。こ
のアーク灯の上方には、半導体円板１の上面全体が等し
い強度で照射されるように湾曲成形された反射体６４が
設けられる０図の矢印は放射進路を図式的に示す。
第３図に示されている装置では、第２図に示された主照
射装置６２の外に半導体円板１の周縁部５を取り囲む環
状の光源７１とそれを取り囲む放物線断面の反射体７２
が設けられる。主照射：！ｉ１′１１゜の強度■工と１
の調整と環状光源７１の強度Ｉ２の＠御は半導体円板の
中央部と周縁部での温度測定を通して行われる。光源７
１の照射強度■２は半導体円板の中央部６と周縁部５に
おいて測定された温度の差に基づいて調整される。温度
測定には例えば高温計７３．７４が使用される。窩温計
は問題となる温度範囲の測定に好適であり無接触測定で
あるから敏感な半導体円板にとって有利である。
第４図は第３図の装置の平面図であって、環状の光源７
１例えばタングステンランプと放物線断面の反射体７２
が半導体円板の周縁部５を取り囲んで同心的に設けられ
ている。
第５図に示すこの発明による方法の別の実施態様では、
半導体円板１の周縁部５に増強入射する熱放射の補償に
対して環状の加熱放射体９１を半導体円板の周囲に設け
ることができる。この放射体には例えばシリコンに似た
放射率を示す炭化シリコンを含ませてもよい。付加照射
強度■２の調整は、第３図について述べたように半導体
円板の中央部６と周縁部５においての高温計測定による
。
付加照射強度の時間に関係する調整を行う別の方法とし
ては、加熱放射体９１を両頭矢印で示すように半導体円
板表面に垂直に移動させて加熱体９１と半導体円板の間
の間隔を変えることが可能である。
主照射装置６２は第２図に示したものに等しい。
第６図、第７図に示したこの発明の別の実施態様では、
主照射装置６２として反射体１０１又は１１１を備える
照射源１０３又は６３が半導体円板１の上方に設けられ
る。これらの反射体は半導体円板から特定の間隔を保つ
とき半導体円板の上面全体が均等な強度１．、■、で照
射される形態に作られている。ここでは半導体円板１は
移動可能であり、例えば石英ピン１０２で支持される。
反射体１０１１１１の形態は、照射源１０３又は６３か
らの半導体円板１の間隔を特定の方向に変えるとき半導
体円板ｌの周縁部に入射する放射が半導体円板の中央部
に入射する放射よりも高い強度を示すように作られてい
る。従って両頭矢印で示す半導体円板の移動により半導
体円板の周縁部に増強入射する熱放射が補償される。そ
の際半導体円板ｌの動きは、第３図について述べたよう
に高温計測定を通して制御される。反射体としては半導
体円板１と多数の光源１０３、例えばタングステンラン
プから成る照射源の全体を包囲する反射室１０１を使用
することができる。
主照射装置としてはこの外に照射′ｔＡ６３と半導体円
板１の上に張られた湾曲反射体１１１を備える単一照射
源６３を使用することができる。この反射体の寸法は所
望の間隔に関係する照射強度分布が達成されるように選
定される。
この発明は、半導体円板の下面又はその上面と下面とが
１つの主照射装置によって照射される場合に拡張するこ
とも可能である。
追加照射の強度！２の制御は、予め計算した必要な強度
値曲線を利用して行うことも可能である。
この発明による方法は、あらゆる温度においても又多数
段熱処理サイクルの場合にも採用可能である。
【図面の簡単な説明】
第１図ないし第７図はこの発明による熱処理サイクル中
の放射照射強度の時間経過と半導体円板の急速熱処理を
実施する装置の概要を示し、第８図ないし第１１図は従
来公知の半導体円板会、速熱処理法の実施情況を説明す
る図面である。 １・・・半導体円板 ５・・・円板周縁部 ６・・・円板中央部 ６１・・・反射遮壁 ６２・・・主照射装五 ＦＩＧ　？ ＦＩＧ　７ ＦＩＧ　８ ＦＩＧ　ＴＯ Ｆ−ｔ＋４−ｍ−ｔ２−一

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １）少なくとも１つの照射源を備え半導体円板の加熱に
    必要なエネルギーの大部分を送り出す主照射装置を使用
    して電磁使用して放射照射により半導体円板を急速熱処
    理する方法において、 （ａ）半導体円板（１）の少なくとも１面を照射し、そ
    の際円板の中央部（６）に向けら れた電磁放射とその周縁部（５）に向けら れた電磁放射との強度（Ｉ＿Ｍ、Ｉ＿Ｒ）が互いに等し
    くなる主照射装置（６２）が使用 されること、 （ｂ）半導体円板（１）の周縁部（５）に増強入射する
    熱放射を補償するため、半導体円 板を加熱する電磁放射が付加されて周縁部 （５）に向けられ、その強度（Ｉ＿Ｚ）は全熱処理過程
    中中央部（６）と周縁部（５） の温度（Ｔ＿Ｍ、Ｔ＿Ｒ）が等しくなるように時間と共
    に変化すること を特徴とする電磁放射照射による半導体円板の急速熱処
    理方法。 ２）半導体円板（１）の周縁部（５）に増強入射する熱
    放射を補償するため、半円形断面の反射遮壁（６１）が
    半導体円板（１）を取り囲んで設けられ、半導体円板の
    周縁部（５）からの熱放射を反射して周縁部照射が自己
    調整式に補償されることを特徴とする請求項１記載の方
    法。 ３）半導体円板（１）の周縁部（５）に増強入射する熱
    放射を補償するため、環状の光源（７１）とこの環状光
    源を取り囲む反射体（７２）が半導体円板（１）を取り
    囲んで設けられることを特徴とする請求項１記載の方法
    。 ４）半導体円板の周縁部（５）に増強入射する熱放射を
    補償するため、半導体円板（１）の周縁部（５）を取り
    囲んで環状の加熱放射体（９１）が設けられることを特
    徴とする請求項１記載の方法。 ５）環状の加熱放射体（９１）の放射強度（Ｉ＿Ｚ）が
    その半導体円板の表口に垂直方向の移動によって変化し
    、その際加熱放射体（９１）と半導体円板（１）の周縁
    部（５）との間の間隔も変化することを特徴とする請求
    項４記載の方法。 ６）（ａ）主照射装置として反射体（１０１、１１１）
    を備える照射源（１０３、６３）が半 導体円板（１）の上方に設けられ、この照 射源が半導体円板（１）と反射体（１０１、１１１）の
    間隔が特定の大きさのとき中央 部（６）と周縁部（５）に入射する放射強 度（Ｉ＿Ｍ、Ｉ＿Ｒ）が互いに等しく、半導体円板（１
    ）と反射体（１０１、１１１）の 間隔が別の大きさのとき半導体円板（１） の周縁部（５）に入射する放射強度（Ｉ＿Ｍ＋Ｉ＿Ｚ）
    が半導体円板（１）の中央部（６）に入射する放射強度
    （１１）より大きくな るように構成されていること、 （ｂ）半導体円板（１）の周縁部（５）に増強入射する
    熱放射を補償するため、半導体円 板（１）の周縁部（５）に入射する放射を 反射体（１０１、１１１）と半導体円板（ １）との間隔を変えることによって増強す ること を特徴とする請求項１記載の方法。 ７）半導体円板の表面に平行に並べて配置された多数の
    光源（１０３）から成る主照射装置（６２）が使用され
    、反射体として半導体円板（１）と光源（１０３）の全
    体を収容する反射室（１０１）が使用されることを特徴
    とする請求項６記載の方法。 ８）単一の照射源（６３）および半導体円板（１）と照
    射源（６３）の上に張られている湾曲した反射体（１１
    １）が主照射装置として使用され、反射体（１１１）の
    寸法は所定の間隔に対応した放射強度分布が達成される
    ように選定されていることを特徴とする請求項６記載の
    方法。 ９）半導体円板（１）の周縁部（５）に付加的に向けら
    れた放射の強度（Ｉ＿Ｚ）の時間的変化が半導体円板の
    周縁部（５）と中央部（６）において行われた温度測定
    を通して制御されることを特徴とする請求項１ないし８
    の１つに記載の方法。 １０）半導体円板（１）の周縁部（５）に付加的に向け
    られた放射の強度（Ｉ＿Ｚ）の時間的変化があらかじめ
    計算された所望強度値曲線に基づいて制御されることを
    特徴とする請求項１ないし８の１つに記載の方法。 １１）温度測定が高温計（７３、７４）を使用して実施
    されることを特徴とする請求項９記載の方法。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002534803A (ja) * 1999-01-06 2002-10-15 ステアーグ アール ティ ピー システムズ インコーポレイテッド 熱処理チャンバにおいて半導体ウェハを加熱するための加熱装置
JP2003513442A (ja) * 1999-10-28 2003-04-08 シュテアク エルテーペー システムズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング サブストレートを熱処理する方法及び装置
JP2004342748A (ja) * 2003-05-14 2004-12-02 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置
KR20140018915A (ko) * 2011-03-11 2014-02-13 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 램프 조립체를 이용한 기판 하부의 오프­각도형 가열
KR20150048189A (ko) * 2012-08-30 2015-05-06 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 반사성 증착 링들 및 그를 포함하는 기판 프로세싱 챔버들

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5179677A (en) * 1990-08-16 1993-01-12 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for substrate heating utilizing various infrared means to achieve uniform intensity
US5198371A (en) * 1990-09-24 1993-03-30 Biota Corp. Method of making silicon material with enhanced surface mobility by hydrogen ion implantation
JP2780866B2 (ja) * 1990-10-11 1998-07-30 大日本スクリーン製造 株式会社 光照射加熱基板の温度測定装置
JPH04152518A (ja) * 1990-10-16 1992-05-26 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
DE4109956A1 (de) * 1991-03-26 1992-10-01 Siemens Ag Verfahren zum kurzzeittempern einer halbleiterscheibe durch bestrahlung
US5192802A (en) * 1991-09-25 1993-03-09 Mcneil-Ppc, Inc. Bioadhesive pharmaceutical carrier
US5215588A (en) * 1992-01-17 1993-06-01 Amtech Systems, Inc. Photo-CVD system
US5229304A (en) * 1992-05-04 1993-07-20 At&T Bell Laboratories Method for manufacturing a semiconductor device, including optical inspection
US5418885A (en) * 1992-12-29 1995-05-23 North Carolina State University Three-zone rapid thermal processing system utilizing wafer edge heating means
US5395794A (en) * 1993-04-22 1995-03-07 Sklyarevich; Vladislav E. Method of treating semiconductor materials
KR100297282B1 (ko) * 1993-08-11 2001-10-24 마쓰바 구니유키 열처리장치 및 열처리방법
US5467220A (en) * 1994-02-18 1995-11-14 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for improving semiconductor wafer surface temperature uniformity
US5561735A (en) * 1994-08-30 1996-10-01 Vortek Industries Ltd. Rapid thermal processing apparatus and method
US5930586A (en) * 1997-07-03 1999-07-27 Motorola, Inc. Method and apparatus for in-line measuring backside wafer-level contamination of a semiconductor wafer
US5960158A (en) * 1997-07-11 1999-09-28 Ag Associates Apparatus and method for filtering light in a thermal processing chamber
US6080965A (en) * 1997-09-18 2000-06-27 Tokyo Electron Limited Single-substrate-heat-treatment apparatus in semiconductor processing system
US5930456A (en) * 1998-05-14 1999-07-27 Ag Associates Heating device for semiconductor wafers
US5970214A (en) * 1998-05-14 1999-10-19 Ag Associates Heating device for semiconductor wafers
US6210484B1 (en) 1998-09-09 2001-04-03 Steag Rtp Systems, Inc. Heating device containing a multi-lamp cone for heating semiconductor wafers
US6174388B1 (en) 1999-03-15 2001-01-16 Lockheed Martin Energy Research Corp. Rapid infrared heating of a surface
US6303411B1 (en) 1999-05-03 2001-10-16 Vortek Industries Ltd. Spatially resolved temperature measurement and irradiance control
US6403923B1 (en) 1999-09-03 2002-06-11 Mattson Technology, Inc. System for controlling the temperature of a reflective substrate during rapid heating
US6359263B2 (en) 1999-09-03 2002-03-19 Steag Rtp Systems, Inc. System for controlling the temperature of a reflective substrate during rapid heating
US6259072B1 (en) 1999-11-09 2001-07-10 Axcelis Technologies, Inc. Zone controlled radiant heating system utilizing focused reflector
US6353210B1 (en) 2000-04-11 2002-03-05 Applied Materials Inc. Correction of wafer temperature drift in a plasma reactor based upon continuous wafer temperature measurements using and in-situ wafer temperature optical probe
US6423605B1 (en) * 2000-11-09 2002-07-23 Gyrotron Technology, Inc. Method and apparatus for forming ultra-shallow junction for semiconductor device
US6594446B2 (en) * 2000-12-04 2003-07-15 Vortek Industries Ltd. Heat-treating methods and systems
KR100443122B1 (ko) 2001-10-19 2004-08-04 삼성전자주식회사 반도체 소자 제조장치용 히터 어셈블리
US7445382B2 (en) * 2001-12-26 2008-11-04 Mattson Technology Canada, Inc. Temperature measurement and heat-treating methods and system
AU2003287837A1 (en) 2002-12-20 2004-07-14 Vortek Industries Ltd Methods and systems for supporting a workpiece and for heat-treating the workpiece
JP5630935B2 (ja) * 2003-12-19 2014-11-26 マトソン テクノロジー、インコーポレイテッド 工作物の熱誘起運動を抑制する機器及び装置
TWI249588B (en) * 2004-08-11 2006-02-21 Ind Tech Res Inst One kind of cavity apparatus of energy wave reflection device
US7184657B1 (en) 2005-09-17 2007-02-27 Mattson Technology, Inc. Enhanced rapid thermal processing apparatus and method
US7133604B1 (en) 2005-10-20 2006-11-07 Bergstein David M Infrared air heater with multiple light sources and reflective enclosure
JP5967859B2 (ja) * 2006-11-15 2016-08-10 マトソン テクノロジー、インコーポレイテッド 熱処理中の被加工物を支持するシステムおよび方法
DE102007058002B4 (de) * 2007-12-03 2016-03-17 Mattson Thermal Products Gmbh Vorrichtung zum thermischen Behandeln von scheibenförmigen Halbleitersubstraten
WO2009137940A1 (en) 2008-05-16 2009-11-19 Mattson Technology Canada, Inc. Workpiece breakage prevention method and apparatus
KR20170043936A (ko) * 2015-10-14 2017-04-24 현대자동차주식회사 블랭크 가열 장치
CN111071501B (zh) * 2019-12-31 2021-04-20 中国科学院力学研究所 一种真空环境下模态试验结构温度补偿器

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5764936A (en) * 1980-10-09 1982-04-20 Ushio Inc Annealing device
JPS5764937A (en) * 1980-10-09 1982-04-20 Ushio Inc Annealing device
JPS5959876A (ja) * 1982-09-30 1984-04-05 Ushio Inc 光照射炉の運転方法
JPS5977289A (ja) * 1982-10-26 1984-05-02 ウシオ電機株式会社 光照射炉
JPS6032317A (ja) * 1983-08-03 1985-02-19 Hitachi Ltd 半導体ウエハの熱処理方法および熱処理装置
JPS60247934A (ja) * 1984-05-23 1985-12-07 Hitachi Ltd 熱処理装置
JPS6130239U (ja) * 1984-07-27 1986-02-24 ニチデン機械株式会社 赤外線加熱装置
JPS6220308A (ja) * 1985-07-19 1987-01-28 Hitachi Ltd 熱処理方法および装置
JPS6246516A (ja) * 1985-08-26 1987-02-28 Hitachi Ltd 熱処理装置
JPS62293622A (ja) * 1986-06-12 1987-12-21 Kokusai Electric Co Ltd 半導体基板の熱処理装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3627590A (en) * 1968-12-02 1971-12-14 Western Electric Co Method for heat treatment of workpieces
US3763348A (en) * 1972-01-05 1973-10-02 Argus Eng Co Apparatus and method for uniform illumination of a surface
US4115163A (en) * 1976-01-08 1978-09-19 Yulia Ivanovna Gorina Method of growing epitaxial semiconductor films utilizing radiant heating
SE7710800L (sv) * 1976-10-05 1978-04-06 Western Electric Co Forfarande for astadkommande av ett epitaxiellt skikt pa ett substrat
US4101759A (en) * 1976-10-26 1978-07-18 General Electric Company Semiconductor body heater
GB2060998B (en) * 1979-10-17 1983-12-14 Itt Ind Ltd Semiconductor annealing
JPS56100412A (en) * 1979-12-17 1981-08-12 Sony Corp Manufacture of semiconductor device
JPS56100426A (en) * 1980-01-14 1981-08-12 Ushio Inc Device and method for annealing
JPS5750427A (en) * 1980-09-12 1982-03-24 Ushio Inc Annealing device and annealing method
US4469529A (en) * 1981-12-04 1984-09-04 Ushio Denki Kabushiki Kaisha Method for heating semiconductor wafer by means of application of radiated light with supplemental circumferential heating
US4468259A (en) * 1981-12-04 1984-08-28 Ushio Denki Kabushiki Kaisha Uniform wafer heating by controlling light source and circumferential heating of wafer
JPS58135630A (ja) * 1982-02-08 1983-08-12 Fujitsu Ltd 半導体層のアニ−ル方法
JPS61289620A (ja) * 1985-06-18 1986-12-19 Sony Corp 半導体薄膜の熱処理方法
US4888302A (en) * 1987-11-25 1989-12-19 North American Philips Corporation Method of reduced stress recrystallization

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5764936A (en) * 1980-10-09 1982-04-20 Ushio Inc Annealing device
JPS5764937A (en) * 1980-10-09 1982-04-20 Ushio Inc Annealing device
JPS5959876A (ja) * 1982-09-30 1984-04-05 Ushio Inc 光照射炉の運転方法
JPS5977289A (ja) * 1982-10-26 1984-05-02 ウシオ電機株式会社 光照射炉
JPS6032317A (ja) * 1983-08-03 1985-02-19 Hitachi Ltd 半導体ウエハの熱処理方法および熱処理装置
JPS60247934A (ja) * 1984-05-23 1985-12-07 Hitachi Ltd 熱処理装置
JPS6130239U (ja) * 1984-07-27 1986-02-24 ニチデン機械株式会社 赤外線加熱装置
JPS6220308A (ja) * 1985-07-19 1987-01-28 Hitachi Ltd 熱処理方法および装置
JPS6246516A (ja) * 1985-08-26 1987-02-28 Hitachi Ltd 熱処理装置
JPS62293622A (ja) * 1986-06-12 1987-12-21 Kokusai Electric Co Ltd 半導体基板の熱処理装置

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002534803A (ja) * 1999-01-06 2002-10-15 ステアーグ アール ティ ピー システムズ インコーポレイテッド 熱処理チャンバにおいて半導体ウェハを加熱するための加熱装置
JP2003513442A (ja) * 1999-10-28 2003-04-08 シュテアク エルテーペー システムズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング サブストレートを熱処理する方法及び装置
JP2004342748A (ja) * 2003-05-14 2004-12-02 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置
KR20140018915A (ko) * 2011-03-11 2014-02-13 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 램프 조립체를 이용한 기판 하부의 오프­각도형 가열
JP2014514734A (ja) * 2011-03-11 2014-06-19 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ランプアセンブリを使用した基板下面のオフアングル加熱
US9818587B2 (en) 2011-03-11 2017-11-14 Applied Materials, Inc. Off-angled heating of the underside of a substrate using a lamp assembly
US9863038B2 (en) 2011-03-11 2018-01-09 Applied Materials, Inc. Off-angled heating of the underside of a substrate using a lamp assembly
KR20150048189A (ko) * 2012-08-30 2015-05-06 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 반사성 증착 링들 및 그를 포함하는 기판 프로세싱 챔버들

Also Published As

Publication number Publication date
EP0345443A3 (en) 1990-03-28
EP0345443A2 (de) 1989-12-13
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US4981815A (en) 1991-01-01
JP2961123B2 (ja) 1999-10-12
EP0345443B1 (de) 1995-10-25

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