JPS61941A - 半導体レ−ザ光ピツクアツプ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ光ピツクアツプ装置Info
- Publication number
- JPS61941A JPS61941A JP59119835A JP11983584A JPS61941A JP S61941 A JPS61941 A JP S61941A JP 59119835 A JP59119835 A JP 59119835A JP 11983584 A JP11983584 A JP 11983584A JP S61941 A JPS61941 A JP S61941A
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- JP
- Japan
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- semiconductor laser
- disk
- distance
- resonator
- laser
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B7/00—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques
- G01B7/02—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring length, width or thickness
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/08—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers
- G11B7/085—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers with provision for moving the light beam into, or out of, its operative position or across tracks, otherwise than during the transducing operation, e.g. for adjustment or preliminary positioning or track change or selection
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/13—Optical detectors therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optical Head (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は光デイスクメモリ、オーディオ及びビデオディ
スク等の情報読み出しに用いる半導体レーザを光源とす
る光ピックアップ装置に関するものである。
スク等の情報読み出しに用いる半導体レーザを光源とす
る光ピックアップ装置に関するものである。
（従来例の構成とその問題点）
半導体レーザの出射光の一部が帰還した状態にあるのを
自己結合半導体レーザと呼び、この自己結合状態におか
れた半導体レーザは自己結合効果（Ｓｃ１．ｆ−Ｃｏｕ
ｐｌｅｄ−ＩＥｆｆｅｃｔｓ）を示す。代表的な自己結
合効果として ■） 発振しきい値が低下する。
自己結合半導体レーザと呼び、この自己結合状態におか
れた半導体レーザは自己結合効果（Ｓｃ１．ｆ−Ｃｏｕ
ｐｌｅｄ−ＩＥｆｆｅｃｔｓ）を示す。代表的な自己結
合効果として ■） 発振しきい値が低下する。
２）発振波長が長波長側にシフトし、縦モードが多モー
ド化する。
ド化する。
３） レーザダイオードの電極間の抵抗値が減少する。
等がある。この効果を利用して半導体レーザを光源兼光
検出器として光ピツクアップを構成することができる。
検出器として光ピツクアップを構成することができる。
このような光ピツクアップを５ＣＯＯＰ （Ｓｃｌｆ−
Ｃｏｕｐｌｅｄ−Ｏｐｔｉｃａｌ−Ｐｉｃｋｕｐ）とい
う。
Ｃｏｕｐｌｅｄ−Ｏｐｔｉｃａｌ−Ｐｉｃｋｕｐ）とい
う。
代表的な５ｃｏｏｐ方式には２種類あり、第１図（Ｊｌ
）に示すのは、ディスク１、レンズ２からの帰還光の有
無による出力光の増減を半導体レーザ素ｆ’□ ３の他
の端面に置いた光検出器４で受光する形式のもので、こ
れをＬ−３ＣＯＯＰと呼ぶ。また第１図（ｂ）に示すの
は戻り光によるレーザダイオード３間の抵抗値の減少を
端子電圧の変化として検出する形式のもので、これをＥ
−３ＣＯＯＰという。５ｃｏｏｐの大きな利点は半導体
レーザがそれ自身光検出器を兼ねているところであり、
光ピツクアップの大幅な小型・軽１７１．化を実現でき
る。
）に示すのは、ディスク１、レンズ２からの帰還光の有
無による出力光の増減を半導体レーザ素ｆ’□ ３の他
の端面に置いた光検出器４で受光する形式のもので、こ
れをＬ−３ＣＯＯＰと呼ぶ。また第１図（ｂ）に示すの
は戻り光によるレーザダイオード３間の抵抗値の減少を
端子電圧の変化として検出する形式のもので、これをＥ
−３ＣＯＯＰという。５ｃｏｏｐの大きな利点は半導体
レーザがそれ自身光検出器を兼ねているところであり、
光ピツクアップの大幅な小型・軽１７１．化を実現でき
る。
ところでディスク上に記録されている情報を読み出すに
は半導体レーザ光をディスク」−に常に焦点を結ばせて
いなければならない。ディスクは回転による面振れがあ
るので、フォーカスレンズをサーボ機構により光軸方向
に動かし、自動制御する必要がある。半導体レーザに縦
甲−モードでコヒーレンスの良いレーザを用いると、フ
ォーカスサーボが動作している時は半導体レーザとデ、
ｒスク間の光路長が変化するので戻り光の位相が変化し
、大きな雑音が発生する。
は半導体レーザ光をディスク」−に常に焦点を結ばせて
いなければならない。ディスクは回転による面振れがあ
るので、フォーカスレンズをサーボ機構により光軸方向
に動かし、自動制御する必要がある。半導体レーザに縦
甲−モードでコヒーレンスの良いレーザを用いると、フ
ォーカスサーボが動作している時は半導体レーザとデ、
ｒスク間の光路長が変化するので戻り光の位相が変化し
、大きな雑音が発生する。
（発明の目的）
本発明は半導体レーザの自己結合効果を用いて情報を読
み出す方式の光ピツクアップにおいて、戻り光による雑
音を低い値に抑えることを目的とする。
み出す方式の光ピツクアップにおいて、戻り光による雑
音を低い値に抑えることを目的とする。
（発明の構成）
この目的を達成するために、本発明の半導体レーり１光
ピックアップ装置は、半導体レーザとディスクとの間の
距離が変化しないように半導体レーザとレンズ系が一体
として光軸方向に駆動され、ディスクの変位に追随させ
てフォーカスサーボをかけるようにしている。この構成
によれば半導体レーザ内に戻るレーザ光の位相は常に一
定に保つことができ半導体レーザとディスク間の距離を
最適値に設定することにより読み出した信号の雑音成分
を大幅に減少させることができる。
ピックアップ装置は、半導体レーザとディスクとの間の
距離が変化しないように半導体レーザとレンズ系が一体
として光軸方向に駆動され、ディスクの変位に追随させ
てフォーカスサーボをかけるようにしている。この構成
によれば半導体レーザ内に戻るレーザ光の位相は常に一
定に保つことができ半導体レーザとディスク間の距離を
最適値に設定することにより読み出した信号の雑音成分
を大幅に減少させることができる。
（実施例の説明）
以１・本発明の実施例について詳しく説明する。
半導体レーザ内に戻り光が入っている状況は、レーザ自
身の共振器（共振器長２００〜３００μｍ）とレーザ端
面と外部反射鏡で形成された外部共振器（共振器長数十
ｍ）との複合共振器と見ることができる。この場合外部
共振器長が半導体レーザの実効共振器長（共振滞長×屈
折率（〜３．６））の整数倍になるとレーザ共振器の縦
モード間隔が外部共振器のモード間隔の整数倍と一致し
、わずかな外乱（外部共振器長の微少変動等）によりレ
ーザ光は著しくゆらぎ、雑音が発生する。第２図は外部
共振器長に対する半導体レーザ光の相対雑音強度（ＲＩ
Ｎ （ｄａ／ｕ２））の測定例である。実効共振器長
（この場合的０ 、９ ｒｍ ）を周期として雑音レベ
ルは約１０ｄＢの変動を繰り返している。レーザ光の雑
ｒｆに対応して端子間電圧も著しくゆらぐので、Ｌ−５
ＣＯＯＰ、Ｅ−８ＣＯＯＰいづ１１． ニおイテも読み
出した信号に雑音が乗ることになる。従って半導体レー
ザからディスクまでの距離（外部共振器長）を常に一定
に保ち、実効共振器長の整数倍にならないようにするこ
とにより雑音レベルを顕著に下げることが可能である。
身の共振器（共振器長２００〜３００μｍ）とレーザ端
面と外部反射鏡で形成された外部共振器（共振器長数十
ｍ）との複合共振器と見ることができる。この場合外部
共振器長が半導体レーザの実効共振器長（共振滞長×屈
折率（〜３．６））の整数倍になるとレーザ共振器の縦
モード間隔が外部共振器のモード間隔の整数倍と一致し
、わずかな外乱（外部共振器長の微少変動等）によりレ
ーザ光は著しくゆらぎ、雑音が発生する。第２図は外部
共振器長に対する半導体レーザ光の相対雑音強度（ＲＩ
Ｎ （ｄａ／ｕ２））の測定例である。実効共振器長
（この場合的０ 、９ ｒｍ ）を周期として雑音レベ
ルは約１０ｄＢの変動を繰り返している。レーザ光の雑
ｒｆに対応して端子間電圧も著しくゆらぐので、Ｌ−５
ＣＯＯＰ、Ｅ−８ＣＯＯＰいづ１１． ニおイテも読み
出した信号に雑音が乗ることになる。従って半導体レー
ザからディスクまでの距離（外部共振器長）を常に一定
に保ち、実効共振器長の整数倍にならないようにするこ
とにより雑音レベルを顕著に下げることが可能である。
これを実現するために、本発明の実施例では第３図に示
すように半導体レーザ３とフォーカスレンズ２からなる
光ピツクアップを構成する光学系を一体としてアクチュ
エータ５で光軸ｂ°向に駆動する構造となっている。こ
のようにすれば、ディスク１の振れに追随するようにフ
ォーカスサーボを動作させた時に半導体レーザ３とディ
スク１の距離は一定となり、この距離を雑音レベルが最
小となる値に調整しておけばよい。
すように半導体レーザ３とフォーカスレンズ２からなる
光ピツクアップを構成する光学系を一体としてアクチュ
エータ５で光軸ｂ°向に駆動する構造となっている。こ
のようにすれば、ディスク１の振れに追随するようにフ
ォーカスサーボを動作させた時に半導体レーザ３とディ
スク１の距離は一定となり、この距離を雑音レベルが最
小となる値に調整しておけばよい。
（発明の効果）
以上のように本発明の５ｃｏｏｐ方式による半導体レー
ザ光ピックアップ装置では、ディスクに記録されている
情報を読み出す時に、半導体レーザどディスク間の距離
を一定に保つことができ、その距離を半導体レーザの実
効共振器長の整数倍にならないようにすることにより、
レーザ光及び端子電圧に重畳している雑音レベルを下げ
ることができ、その実用的効果は大なるものがある。
ザ光ピックアップ装置では、ディスクに記録されている
情報を読み出す時に、半導体レーザどディスク間の距離
を一定に保つことができ、その距離を半導体レーザの実
効共振器長の整数倍にならないようにすることにより、
レーザ光及び端子電圧に重畳している雑音レベルを下げ
ることができ、その実用的効果は大なるものがある。
第１図（ａ）と（ｂ）は５ｃｏｏｐの光学系を示す図。
第２図は外部共振器長を変化させた時の半導体レーザの
雑音強度を示す図、第３図は本発明によるＳ ｃ； ０
０ Ｐ方式の光ピツクアップの構造図である。 Ｉ ・・・ ディスク、 ２ ・・・ レンズ、 ３
・・・半導体レーザ素子、 ４・・・光検出素子、 ５
・・・アクチュエータ。 特許出願人 松下電器産業株式会社 第１図 （ｂ） 第２図 （ｄＢ／Ｈｚ ） 第３図 一２０′、
雑音強度を示す図、第３図は本発明によるＳ ｃ； ０
０ Ｐ方式の光ピツクアップの構造図である。 Ｉ ・・・ ディスク、 ２ ・・・ レンズ、 ３
・・・半導体レーザ素子、 ４・・・光検出素子、 ５
・・・アクチュエータ。 特許出願人 松下電器産業株式会社 第１図 （ｂ） 第２図 （ｄＢ／Ｈｚ ） 第３図 一２０′、
Claims (1)
- 半導体レーザとレンズ系を一体として光軸方向に移動さ
せる機構を備え、フォーカスサーボを機能させた時に、
半導体レーザとディスク間の距離が変化しないようにし
たことを特徴とする半導体レーザ光ピックアップ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59119835A JPS61941A (ja) | 1984-06-13 | 1984-06-13 | 半導体レ−ザ光ピツクアツプ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59119835A JPS61941A (ja) | 1984-06-13 | 1984-06-13 | 半導体レ−ザ光ピツクアツプ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61941A true JPS61941A (ja) | 1986-01-06 |
Family
ID=14771431
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59119835A Pending JPS61941A (ja) | 1984-06-13 | 1984-06-13 | 半導体レ−ザ光ピツクアツプ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61941A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0598592A3 (en) * | 1992-11-17 | 1995-09-27 | Seiko Epson Corp | Laser emission unit, optical head and optical memory device. |
| EP0887898A1 (en) * | 1997-06-26 | 1998-12-30 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Semiconductor laser and optical pickup with the same |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS566039B2 (ja) * | 1971-12-13 | 1981-02-09 | ||
| JPS57198553A (en) * | 1982-05-24 | 1982-12-06 | Hitachi Ltd | Information processor |
-
1984
- 1984-06-13 JP JP59119835A patent/JPS61941A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS566039B2 (ja) * | 1971-12-13 | 1981-02-09 | ||
| JPS57198553A (en) * | 1982-05-24 | 1982-12-06 | Hitachi Ltd | Information processor |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0598592A3 (en) * | 1992-11-17 | 1995-09-27 | Seiko Epson Corp | Laser emission unit, optical head and optical memory device. |
| US5581523A (en) * | 1992-11-17 | 1996-12-03 | Seiko Epson Corporation | Laser emission unit, optical head and optical memory device |
| US5680384A (en) * | 1992-11-17 | 1997-10-21 | Seiko Epson Corporation | Laser emission unit, optical head and optical memory device |
| EP0887898A1 (en) * | 1997-06-26 | 1998-12-30 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Semiconductor laser and optical pickup with the same |
| US6122304A (en) * | 1997-06-26 | 2000-09-19 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Semiconductor laser and optical pickup with the same |
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