JPS6194319A - 揮発性物質の気化装置 - Google Patents
揮発性物質の気化装置Info
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- JPS6194319A JPS6194319A JP59216642A JP21664284A JPS6194319A JP S6194319 A JPS6194319 A JP S6194319A JP 59216642 A JP59216642 A JP 59216642A JP 21664284 A JP21664284 A JP 21664284A JP S6194319 A JPS6194319 A JP S6194319A
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- gas pipe
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/24—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using chemical vapour deposition [CVD]
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- H—ELECTRICITY
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- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
- H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
- H10P14/3414—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being group IIIA-VIA materials
- H10P14/3418—Phosphides
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、気相エピタキシャル成長および化学輸送成長
法（ＣＶ Ｄ ； Ｃｈｅｍｉｃａｌ ＶＩＬｐｏｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）等に原料ガスとして用いられる
揮発性物質の気化装置に関するものである。
法（ＣＶ Ｄ ； Ｃｈｅｍｉｃａｌ ＶＩＬｐｏｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）等に原料ガスとして用いられる
揮発性物質の気化装置に関するものである。
従来例の構成とその問題点
化合物半導体の気相エピタキシャル成長（例えばハライ
ド気相エピタキシャル成長法や有機金属熱分解法）やｃ
ｖｎ法による電極形成（例えばモリブデン電極の形成）
等、化合物半導体デバイスやシリコン半導体装置の製造
プロセスにおいて、揮発性物質を気化させて原料ガスと
して用いている。
ド気相エピタキシャル成長法や有機金属熱分解法）やｃ
ｖｎ法による電極形成（例えばモリブデン電極の形成）
等、化合物半導体デバイスやシリコン半導体装置の製造
プロセスにおいて、揮発性物質を気化させて原料ガスと
して用いている。
以下に従来の揮発性物質の気化装置について第１図に基
づいて説明する。１はキャリアガス流入ロ側ガス管、２
はキャリアガス入口側バルブ、３は揮発性物質、４は揮
発性物質の入った容器、６はキャリアガス流出口側ガス
管、６はキャリアガス出口側バルブ、７および８は他の
ガス管との継手部である。第１図のように従来の揮発性
物質の気化装置は、継手部７，８で気相成長装置等のガ
ス管９，１ｏに接続し、キャリアガスをキャリアガス流
入口側ガス管１側からバルブ２を通って揮発性物質の入
った室４に送り込み、揮発性物質３を気化させて、バル
ブらを通ってキャリアガス流出口側ガス管から装置へ流
出させる構造となっていた。
づいて説明する。１はキャリアガス流入ロ側ガス管、２
はキャリアガス入口側バルブ、３は揮発性物質、４は揮
発性物質の入った容器、６はキャリアガス流出口側ガス
管、６はキャリアガス出口側バルブ、７および８は他の
ガス管との継手部である。第１図のように従来の揮発性
物質の気化装置は、継手部７，８で気相成長装置等のガ
ス管９，１ｏに接続し、キャリアガスをキャリアガス流
入口側ガス管１側からバルブ２を通って揮発性物質の入
った室４に送り込み、揮発性物質３を気化させて、バル
ブらを通ってキャリアガス流出口側ガス管から装置へ流
出させる構造となっていた。
ところがこのような構造では、揮発性物質の供給終了後
、ガス管の１２．１３ の部分に揮発性物質の気化ガ
スを含んだキャリアガスが残留してしまう。このため、
揮発性物質の気化装置を交換する場合、継手部７および
８を取ジはずしたとき、ガス管に残留していた揮発性物
質の気化ガスが回れ出してしまう。これは作業者に１１
シ好ましくないことでちり、まだ揮発性物質が有機金属
であると、有機金属は空気（酸素）と激しく反応するた
め自然発火し、たいへん危険であった。また、揮発性物
質がガス管内に残るため、管壁に付着して管内を汚染す
る原因となったり、混晶成長の原料ガスとして使用する
場合だと混晶比を変えてしまう原因にもなった。したが
って、混晶の組成制御や不純物ドーピング量の制御、ま
た多層薄膜成長の場合の界面急峻性制御等を困難なもの
にしていた。
、ガス管の１２．１３ の部分に揮発性物質の気化ガ
スを含んだキャリアガスが残留してしまう。このため、
揮発性物質の気化装置を交換する場合、継手部７および
８を取ジはずしたとき、ガス管に残留していた揮発性物
質の気化ガスが回れ出してしまう。これは作業者に１１
シ好ましくないことでちり、まだ揮発性物質が有機金属
であると、有機金属は空気（酸素）と激しく反応するた
め自然発火し、たいへん危険であった。また、揮発性物
質がガス管内に残るため、管壁に付着して管内を汚染す
る原因となったり、混晶成長の原料ガスとして使用する
場合だと混晶比を変えてしまう原因にもなった。したが
って、混晶の組成制御や不純物ドーピング量の制御、ま
た多層薄膜成長の場合の界面急峻性制御等を困難なもの
にしていた。
そこで、成長装置等の側の配管で、第２図のようにガス
管９と１０を直結するバイパス管１４を設け、揮発性物
質の気化終了後、バイパス管１４にキャリアガスを流し
て残留ガスを除去する方法もとられたが、ガス管の一部
１６．１６にはキャリアガスが流れないため残留ガスを
完全に除去するには相当の長い時間を要した。また、真
空ポンプ等でガス管内の残留ガスを排気する方法もある
が、装置が複雑となり、手間も要する。更にポンプで使
用している油の蒸気がガス管内に入り込む可能性もあり
、好ましくない。
管９と１０を直結するバイパス管１４を設け、揮発性物
質の気化終了後、バイパス管１４にキャリアガスを流し
て残留ガスを除去する方法もとられたが、ガス管の一部
１６．１６にはキャリアガスが流れないため残留ガスを
完全に除去するには相当の長い時間を要した。また、真
空ポンプ等でガス管内の残留ガスを排気する方法もある
が、装置が複雑となり、手間も要する。更にポンプで使
用している油の蒸気がガス管内に入り込む可能性もあり
、好ましくない。
発明の目的
本発明は、上記従来の問題点を解消するものであυ、キ
ャリアガス流入ロ側ガス管およびキャリアガメ流出ロ側
ガス管内に、揮発性物質の気化ガスを残留させないよう
にし、または残留ガスをかんたんに取り除くことによシ
、ガス管内を常にクリーンに保つとともに、揮発性物質
の気化装置の一交換を安全に行なえる揮発性物質の気化
装置を提供することを目的とする。
ャリアガス流入ロ側ガス管およびキャリアガメ流出ロ側
ガス管内に、揮発性物質の気化ガスを残留させないよう
にし、または残留ガスをかんたんに取り除くことによシ
、ガス管内を常にクリーンに保つとともに、揮発性物質
の気化装置の一交換を安全に行なえる揮発性物質の気化
装置を提供することを目的とする。
発明の構成
本発明は、ガス流の入口側と出口側とにバルブを備え、
他の装置のガス配管に接続して用いる揮発性物質の気化
装置において、ガス流の入口側のバルブプとガス流入口
側のガス管継手部との間のガス管と、ガス流の出口側の
バルブとガス流出口側のガス管継手部との間のガス管と
を直結したバイパスガス経路を備え、かつ前記バイパス
ガス経路の途中にバルブを備えていることを特徴とする
揮発性物質の気化装置で゛ある。
他の装置のガス配管に接続して用いる揮発性物質の気化
装置において、ガス流の入口側のバルブプとガス流入口
側のガス管継手部との間のガス管と、ガス流の出口側の
バルブとガス流出口側のガス管継手部との間のガス管と
を直結したバイパスガス経路を備え、かつ前記バイパス
ガス経路の途中にバルブを備えていることを特徴とする
揮発性物質の気化装置で゛ある。
また、ガス流の入口側と出口側とにバルブを備え、他の
装置のガス配管に接続して用いる揮発性物質の気化装置
において、ガス流の入口側と出口側のバルブがガス流を
２方向に切り換えることのできる２方向切換バルブであ
り、それぞれの１方向は揮発性物質の入った容器と接続
され、他方向は、互いに直結されてバイパスガス経路を
形成していることを特徴とする揮発性物質の気化装置で
ある。
装置のガス配管に接続して用いる揮発性物質の気化装置
において、ガス流の入口側と出口側のバルブがガス流を
２方向に切り換えることのできる２方向切換バルブであ
り、それぞれの１方向は揮発性物質の入った容器と接続
され、他方向は、互いに直結されてバイパスガス経路を
形成していることを特徴とする揮発性物質の気化装置で
ある。
また、ガス流の入口側と出口側とにバルブをＳｍえ、他
の装置のガス配管に接続して用いる揮発性物質の気化装
置において、ガス流の人口側もしくは出口側のどちらか
一方のバルブプが、ガス流を２方向に切や換えることの
できる２方向切換バルブであり、そのバルブプの１方向
は揮発性物質の入・った容器と接続され、他方向は前記
２方向切換バルブでないバルブとガス管継手部との間の
ガス経路と直結され、バイパスガス経路を形成している
ことを特徴とする揮発性物質の気化装置である。
の装置のガス配管に接続して用いる揮発性物質の気化装
置において、ガス流の人口側もしくは出口側のどちらか
一方のバルブプが、ガス流を２方向に切や換えることの
できる２方向切換バルブであり、そのバルブプの１方向
は揮発性物質の入・った容器と接続され、他方向は前記
２方向切換バルブでないバルブとガス管継手部との間の
ガス経路と直結され、バイパスガス経路を形成している
ことを特徴とする揮発性物質の気化装置である。
実施例の説明
本発明による揮発性物質の気化装置の具体的な実施例を
第３図に示す。第３図において第１図と同一部分には同
一番号を付す。２１がキャリアガス流入ロ側ガス管１と
キャリアガス流出口側ガス管６とを直結するバイパス用
のガス経路としてのガス管であり、このガス管２１には
キャリアガスを流したり止めたりするバルブ２２が備っ
ている。
第３図に示す。第３図において第１図と同一部分には同
一番号を付す。２１がキャリアガス流入ロ側ガス管１と
キャリアガス流出口側ガス管６とを直結するバイパス用
のガス経路としてのガス管であり、このガス管２１には
キャリアガスを流したり止めたりするバルブ２２が備っ
ている。
上記のような構造の気化装置であれば、揮発性物質の供
給終了時にキャリアガス入口側バルブ２およびキャリア
ガス出口側バルブ６を閉じ、バルブ２２を開くことによ
って、キャリアガスをガス管２１に流す。したがってガ
ス管１，６にはキャリアガスが流れるため、揮発性物質
の気化ガスは残留しない。このため、気化装置を交換す
る際、継手部７，８をはずしても揮発性物質が漏れ出る
ことはなく、安全に作業ができ、また、ガス管内に残留
ガスが残らないため、ガス管内を常にクリーンに保つこ
とができる。
給終了時にキャリアガス入口側バルブ２およびキャリア
ガス出口側バルブ６を閉じ、バルブ２２を開くことによ
って、キャリアガスをガス管２１に流す。したがってガ
ス管１，６にはキャリアガスが流れるため、揮発性物質
の気化ガスは残留しない。このため、気化装置を交換す
る際、継手部７，８をはずしても揮発性物質が漏れ出る
ことはなく、安全に作業ができ、また、ガス管内に残留
ガスが残らないため、ガス管内を常にクリーンに保つこ
とができる。
本発明の他の実施例を第４図に示す。第４図において第
１図および第３図と同一部分には同一番号を示す。第３
図と異なる点は、第４図においてキャリアガス入ロ側バ
ｌレブ３１およびキャリアがス呂ロ側バルブ３２をガス
流を２方向に切換えられる特殊なバルブ（第６図に基本
的な概略構造を示す。）に変え、これらの２方向切換バ
ルブのそれぞれ一方向は揮発性物質の入った容器４へ接
続され、他方向は互いに直結する形でバイパス用のガス
経路２１を備えていることである。この２方向切換バル
ブの概略構造を第６図に示す。このバルブは操作するこ
とにより、中の弁５０が上下に動く。この弁６０の動き
によって入口５１から入ったガスは出口５２もしくは出
口５３のどちらか一方へ導かれて出ていく。この図の場
合、例えば弁５０が下にあるとガスは出口５２から排出
される。
１図および第３図と同一部分には同一番号を示す。第３
図と異なる点は、第４図においてキャリアガス入ロ側バ
ｌレブ３１およびキャリアがス呂ロ側バルブ３２をガス
流を２方向に切換えられる特殊なバルブ（第６図に基本
的な概略構造を示す。）に変え、これらの２方向切換バ
ルブのそれぞれ一方向は揮発性物質の入った容器４へ接
続され、他方向は互いに直結する形でバイパス用のガス
経路２１を備えていることである。この２方向切換バル
ブの概略構造を第６図に示す。このバルブは操作するこ
とにより、中の弁５０が上下に動く。この弁６０の動き
によって入口５１から入ったガスは出口５２もしくは出
口５３のどちらか一方へ導かれて出ていく。この図の場
合、例えば弁５０が下にあるとガスは出口５２から排出
される。
そして弁６ｏが上が９点線の部分にくるとガスは出口５
３から排出される。したがってこのような２方向切換バ
ルブ３１および３２の操作により、キャリアガスを揮発
性物質の入った容器４に送り込んだり、バイパス用のガ
ス経路２１へ送ったりすることができるため、第３図の
実施例に比べ、バルブ操作が少なくて済むとともに、揮
発性物質の気化ガスがガス管１および５に残留しない。
３から排出される。したがってこのような２方向切換バ
ルブ３１および３２の操作により、キャリアガスを揮発
性物質の入った容器４に送り込んだり、バイパス用のガ
ス経路２１へ送ったりすることができるため、第３図の
実施例に比べ、バルブ操作が少なくて済むとともに、揮
発性物質の気化ガスがガス管１および５に残留しない。
したがって第３図の実施例と同じ効果が得られる。
また、２方向切換バルブはキャリアガス入口側もしくは
出口側のどちらか一方だけ用い、他方は通常のバルブプ
を用いてもよい。その−例を第６図に示す。この図の場
合は、キャリアガス入口側に２方向切換バルブ６１を用
いた場合である。この図のように、２方向切換バルブ６
１の一方向は、揮発性物質の入った容器４と接続され、
他方向はキャリアガス出口側のバルブ６とガス管継手部
８との間のキャリアガス流出口側ガス管５と直結され、
バイパス用のガス経路２１を形成している。
出口側のどちらか一方だけ用い、他方は通常のバルブプ
を用いてもよい。その−例を第６図に示す。この図の場
合は、キャリアガス入口側に２方向切換バルブ６１を用
いた場合である。この図のように、２方向切換バルブ６
１の一方向は、揮発性物質の入った容器４と接続され、
他方向はキャリアガス出口側のバルブ６とガス管継手部
８との間のキャリアガス流出口側ガス管５と直結され、
バイパス用のガス経路２１を形成している。
このような構造でも第３図の実施例と同じ効果が得られ
ることはいうまでもない。またこの第６図とは逆にキャ
リアガス出口側に用いられ、通常のパｌレプを入口側に
用いた場合も、明らかに同じ効果が得られる。
ることはいうまでもない。またこの第６図とは逆にキャ
リアガス出口側に用いられ、通常のパｌレプを入口側に
用いた場合も、明らかに同じ効果が得られる。
なおこれまでのバルブプ２，６，２２，３１．３２゜６
１は手動式でも電磁バルブでも空気圧作動型バルブであ
ってもかまわない。
１は手動式でも電磁バルブでも空気圧作動型バルブであ
ってもかまわない。
第７図に、揮発性物質として有機金属、トリエチルイン
ジウム（ＴＲＩ）を用いて化合物半導体ＩｎＰをエビタ
キシャｌし成長させる有機金属熱分解法（ＭＯＣＶＤ）
に本発明を用いた場合を示す。なお、第１図および第３
図と同一部分には同一番号を付す。
ジウム（ＴＲＩ）を用いて化合物半導体ＩｎＰをエビタ
キシャｌし成長させる有機金属熱分解法（ＭＯＣＶＤ）
に本発明を用いた場合を示す。なお、第１図および第３
図と同一部分には同一番号を付す。
ＩｎＰ を成長する前にキャリアガス（Ｈ２）を水素ポ
ンベ４１からマスフロー４２で流量制御し、ガス管９，
１．２１．５．１０および４３を通して排ガス処理装置
４４へ流す。これは、ＴＲＩへ送り込むキャリアガスの
流量をあらかじめコントローｌししておくためである。
ンベ４１からマスフロー４２で流量制御し、ガス管９，
１．２１．５．１０および４３を通して排ガス処理装置
４４へ流す。これは、ＴＲＩへ送り込むキャリアガスの
流量をあらかじめコントローｌししておくためである。
ＩｎＰ成長開始とともにキャリアガスをバルブ２，６を
開、バルブプ２２を閉にすることにより、ＴＥＩの気化
装置４６へ送シ込み、ＴＥＩ の気化させる。また同
時に、バルブ４６を閉、バルブプ４７を開にすることに
より、ＴＥＩの気化ガスを反応炉４８に送シ込み、Ｉ
ｎＰをエビタキンヤル成長させる。成長終了時にはバル
ブ４６を開、４７を閉にし、またバルブ２，６を閉、２
２を開にすることによって、ガス管内のＴＲＩ の残留
ガスをキャリアガスによって排ガス処理装置４４へ流し
てしまう。したがってガス管９．１．２１．５，１０内
にＴＩＥＩ Ｏ）気化力ｙ、は残らない。なお、４９は
Ｐの原料ガスであるＰＨ３（ホヌフィンボンベ）７０は
基板、７１はサセ７’タフ２は加熱装置、７３は減圧成
長用の真空ポンプである。
開、バルブプ２２を閉にすることにより、ＴＥＩの気化
装置４６へ送シ込み、ＴＥＩ の気化させる。また同
時に、バルブ４６を閉、バルブプ４７を開にすることに
より、ＴＥＩの気化ガスを反応炉４８に送シ込み、Ｉ
ｎＰをエビタキンヤル成長させる。成長終了時にはバル
ブ４６を開、４７を閉にし、またバルブ２，６を閉、２
２を開にすることによって、ガス管内のＴＲＩ の残留
ガスをキャリアガスによって排ガス処理装置４４へ流し
てしまう。したがってガス管９．１．２１．５，１０内
にＴＩＥＩ Ｏ）気化力ｙ、は残らない。なお、４９は
Ｐの原料ガスであるＰＨ３（ホヌフィンボンベ）７０は
基板、７１はサセ７’タフ２は加熱装置、７３は減圧成
長用の真空ポンプである。
以上のような実施例によれば、ＴＥＩ の気化装置の交
換は、かんたんに安全に行なえるとともにガス管の汚染
が防止される。なお、実施例としてＴＲＩ を用いたＭ
ＯＣＶＤ法による場合についてのみ説明しだが、それに
限らず、化合物半導体のハフイド気相エピタキシャル成
長に原料ガスとして用いられるＡｓａ１５Ｐ ａ４１
Ａ Ｓ Ｂ ｒｓ等のｖ族ハＩ：Ｉ ’ｙ’ ７化物や
、ＣＶＤ法による電極形成に用いられるＭＯＣＪ５など
の気化装置にも本発明を適応できる。
換は、かんたんに安全に行なえるとともにガス管の汚染
が防止される。なお、実施例としてＴＲＩ を用いたＭ
ＯＣＶＤ法による場合についてのみ説明しだが、それに
限らず、化合物半導体のハフイド気相エピタキシャル成
長に原料ガスとして用いられるＡｓａ１５Ｐ ａ４１
Ａ Ｓ Ｂ ｒｓ等のｖ族ハＩ：Ｉ ’ｙ’ ７化物や
、ＣＶＤ法による電極形成に用いられるＭＯＣＪ５など
の気化装置にも本発明を適応できる。
発明の効果
本発明にかかる揮発性物質の気化装置は、キャリアガス
流入口側ガス管とキャリアガス流出口側ガス管とを直結
するバイパス用のガス経路と、キャリアガスを揮発性物
質の入った容器か、バイパスガス経路かのどちらかに流
すことを操作する２方向切換バルブを備えることによジ
、キャリアガス流入口側ガス管およびキャリアガス流出
口側ガス管内に揮発性物質の気化ガスを残留させること
がなくなる。このだめ、揮発性物質の気化装置を安全に
簡単に交換できる。また、残留ガスのガス管壁付着によ
るガス管内の汚染を防ぎ、更に混晶制御、不純物ドーピ
ング量制御、多層源１閥成長の場合の界面急峻性制御を
精密に行なえ、その実用的な効果は非常に大なるもので
ある。
流入口側ガス管とキャリアガス流出口側ガス管とを直結
するバイパス用のガス経路と、キャリアガスを揮発性物
質の入った容器か、バイパスガス経路かのどちらかに流
すことを操作する２方向切換バルブを備えることによジ
、キャリアガス流入口側ガス管およびキャリアガス流出
口側ガス管内に揮発性物質の気化ガスを残留させること
がなくなる。このだめ、揮発性物質の気化装置を安全に
簡単に交換できる。また、残留ガスのガス管壁付着によ
るガス管内の汚染を防ぎ、更に混晶制御、不純物ドーピ
ング量制御、多層源１閥成長の場合の界面急峻性制御を
精密に行なえ、その実用的な効果は非常に大なるもので
ある。
第１図は従来の揮発性物質の気化装置の模式図、第２図
は従来の揮発性物質の気化装置の成長装置側配管への接
続図、第３図は本発明の一実施例である揮発性物質の気
化装置の模式図、第４図は本発明の第２の実施例である
揮発性物質の気化装置の模式図、第６図はガス流を２方
向に切り換えら′れるバルブの構造模式図、第６図は本
発明の第３の実施例である揮発性物質の気化装置の模式
図、第７図は本発明の一実施例である揮発性物質の気化
装置をＭＯＣＶＤ装置に接続した場合のガス配管系統概
略図である。 １・・・・・・ガス流入口側ガス管、２・・・・・・ガ
ス流入口側バルブ、３・・・・・・揮発性物質、４・・
・・・・容器、５・・・・・・ガス流出口側ガス管、６
・・・・・・ガス流出口側バルブ、７，８・・・・・・
ガス管継手部、２１・・・・・・バイパスガス経路、
２２・・・・・・バルブ、３１，３２．６１・・・・・
２方向切換バルブ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第３図 ２１？？ 第４図 第５図 ↓
は従来の揮発性物質の気化装置の成長装置側配管への接
続図、第３図は本発明の一実施例である揮発性物質の気
化装置の模式図、第４図は本発明の第２の実施例である
揮発性物質の気化装置の模式図、第６図はガス流を２方
向に切り換えら′れるバルブの構造模式図、第６図は本
発明の第３の実施例である揮発性物質の気化装置の模式
図、第７図は本発明の一実施例である揮発性物質の気化
装置をＭＯＣＶＤ装置に接続した場合のガス配管系統概
略図である。 １・・・・・・ガス流入口側ガス管、２・・・・・・ガ
ス流入口側バルブ、３・・・・・・揮発性物質、４・・
・・・・容器、５・・・・・・ガス流出口側ガス管、６
・・・・・・ガス流出口側バルブ、７，８・・・・・・
ガス管継手部、２１・・・・・・バイパスガス経路、
２２・・・・・・バルブ、３１，３２．６１・・・・・
２方向切換バルブ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第３図 ２１？？ 第４図 第５図 ↓
Claims (3)
- （１）ガス流の入口側と出口側とにバルブを備え、他の
装置のガス配管に接続して用いる揮発性物質の気化装置
において、前記ガス流の入口側のバルブとガス流入口側
のガス管継手部との間のガス管と、前記ガス流の出口側
のバルブとガス流出口側のガス管継手部との間のガス管
とを直結したバイパスガス経路を備え、かつ前記バイパ
スガス経路の途中にバルブを備えていることを特徴とす
る揮発性物質の気化装置。 - （２）ガス流の入口側と出口側とにバルブを備え他の装
置のガス配管に接続して用いる揮発性物質の気化装置に
おいて、前記ガス流の入口側と出口側のバルブが、ガス
流を２方向に切り換えることのできる２方向切換バルブ
であり、それぞれの１方向は前記揮発性物質の入った容
器と接続され、他方向は互いに直結されてバイパスガス
経路を形成していることを特徴とする揮発性物質の気化
装置。 - （３）ガス流の入口側と出口側とにバルブを備え、他の
装置のガス配管に接続して用いる揮発性物質の気化装置
において、前記ガス流の入口側もしくは出口側のどちら
か一方のバルブが、ガス流を２方向に切り換えることの
できる２方向切換バルブであり、この２方向切換バルブ
の１方向は前記揮発性物質の入った容器と接続され、他
方向は前記２方向切換バルブでないバルブとガス管継手
部との間のガス経路と直結され、バイパスガス経路を形
成していることを特徴とする揮発性物質の気化装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59216642A JPS6194319A (ja) | 1984-10-16 | 1984-10-16 | 揮発性物質の気化装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59216642A JPS6194319A (ja) | 1984-10-16 | 1984-10-16 | 揮発性物質の気化装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6194319A true JPS6194319A (ja) | 1986-05-13 |
Family
ID=16691632
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59216642A Pending JPS6194319A (ja) | 1984-10-16 | 1984-10-16 | 揮発性物質の気化装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6194319A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5122393A (en) * | 1987-04-08 | 1992-06-16 | British Telecommunications Public Limited Company | Reagent source for molecular beam epitaxy |
| KR20190032219A (ko) | 2017-09-19 | 2019-03-27 | 가부시키가이샤 호리바 에스텍 | 농도 제어 장치 및 재료 가스 공급 장치 |
-
1984
- 1984-10-16 JP JP59216642A patent/JPS6194319A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5122393A (en) * | 1987-04-08 | 1992-06-16 | British Telecommunications Public Limited Company | Reagent source for molecular beam epitaxy |
| KR20190032219A (ko) | 2017-09-19 | 2019-03-27 | 가부시키가이샤 호리바 에스텍 | 농도 제어 장치 및 재료 가스 공급 장치 |
| US10718050B2 (en) | 2017-09-19 | 2020-07-21 | Horiba Stec, Co., Ltd | Concentration control apparatus and material gas supply system |
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