JPH09246194A - 有機金属化合物原料用容器、有機金属化合物原料用複合容器および有機金属化学気相成長装置 - Google Patents
有機金属化合物原料用容器、有機金属化合物原料用複合容器および有機金属化学気相成長装置Info
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- JPH09246194A JPH09246194A JP8075220A JP7522096A JPH09246194A JP H09246194 A JPH09246194 A JP H09246194A JP 8075220 A JP8075220 A JP 8075220A JP 7522096 A JP7522096 A JP 7522096A JP H09246194 A JPH09246194 A JP H09246194A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 固体の有機金属化合物原料を用いる場合でも
原料の使用効率が高い有機金属化合物原料用容器を提供
する。また、複数の有機金属化合物原料用容器の温度を
ほぼ等しくする。 【解決手段】 固体の有機金属化合物原料２１、３１を
収納した半円筒状の形状を有するバブラ２、３を取り外
し可能な状態で互いに結合して同一の恒温槽に入れる。
バブラ２、３にガス導入管２２、３２およびガス排出管
２３、３３を設け、ガス排出管２３、３３を有機金属化
合物原料２１、３１中に達する長さにする。ガス排出管
２３およびガス導入管３２を互いに接続してバブラ２、
３を連通させ、直列に接続する。他の例ではバブラ２、
３を連通させず互いに独立して使用する。有機金属化合
物原料２１、３１が液体の場合には、ガス導入管２２、
３２を液面下に達する長さにし、ガス排出管２３、３３
を液面に達しない長さにする。
原料の使用効率が高い有機金属化合物原料用容器を提供
する。また、複数の有機金属化合物原料用容器の温度を
ほぼ等しくする。 【解決手段】 固体の有機金属化合物原料２１、３１を
収納した半円筒状の形状を有するバブラ２、３を取り外
し可能な状態で互いに結合して同一の恒温槽に入れる。
バブラ２、３にガス導入管２２、３２およびガス排出管
２３、３３を設け、ガス排出管２３、３３を有機金属化
合物原料２１、３１中に達する長さにする。ガス排出管
２３およびガス導入管３２を互いに接続してバブラ２、
３を連通させ、直列に接続する。他の例ではバブラ２、
３を連通させず互いに独立して使用する。有機金属化合
物原料２１、３１が液体の場合には、ガス導入管２２、
３２を液面下に達する長さにし、ガス排出管２３、３３
を液面に達しない長さにする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、有機金属化合物
原料用容器、有機金属化合物原料用複合容器および有機
金属化学気相成長装置に関する。
原料用容器、有機金属化合物原料用複合容器および有機
金属化学気相成長装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】化合物半導体の気相成長装置として、従
来、有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）装置が知られ
ている。図５は、このＭＯＣＶＤ装置において用いられ
る液体の有機金属化合物原料用容器、すなわちバブラを
示す。ここで、図５Ａは平面図、図５Ｂは図５ＡのＢ−
Ｂ線に沿っての断面図を示す。図５に示すように、この
従来のバブラ１００は円筒状の形状を有している。この
バブラ１００は気密性を有し、その内部に液体の有機金
属化合物原料１０１が収納されている。このバブラ１０
０の上部には、これとほぼ垂直にガス導入管１０２およ
びガス排出管１０３がそれぞれ接続されている。ガス導
入管１０２は、バブラ１００内に収納された有機金属化
合物原料１０１の液面下に達する長さを有する。また、
ガス排出管１０３は、バブラ１００内に収納された有機
金属化合物原料１０１の液面に達しない上部に位置す
る。符号１０４は、このバブラ１００に有機金属化合物
原料１０１を充填するための充填管を示す。ここで、ガ
ス導入管１０２、ガス排出管１０３および充填管１０４
は、いずれもハンドバルブ（図示せず）により遮断可能
な構造となっているとともに、気密性を保持して接続可
能な、例えばメタルパッキンを用いる接続ジョイント
（図示せず）により終端されている。
来、有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）装置が知られ
ている。図５は、このＭＯＣＶＤ装置において用いられ
る液体の有機金属化合物原料用容器、すなわちバブラを
示す。ここで、図５Ａは平面図、図５Ｂは図５ＡのＢ−
Ｂ線に沿っての断面図を示す。図５に示すように、この
従来のバブラ１００は円筒状の形状を有している。この
バブラ１００は気密性を有し、その内部に液体の有機金
属化合物原料１０１が収納されている。このバブラ１０
０の上部には、これとほぼ垂直にガス導入管１０２およ
びガス排出管１０３がそれぞれ接続されている。ガス導
入管１０２は、バブラ１００内に収納された有機金属化
合物原料１０１の液面下に達する長さを有する。また、
ガス排出管１０３は、バブラ１００内に収納された有機
金属化合物原料１０１の液面に達しない上部に位置す
る。符号１０４は、このバブラ１００に有機金属化合物
原料１０１を充填するための充填管を示す。ここで、ガ
ス導入管１０２、ガス排出管１０３および充填管１０４
は、いずれもハンドバルブ（図示せず）により遮断可能
な構造となっているとともに、気密性を保持して接続可
能な、例えばメタルパッキンを用いる接続ジョイント
（図示せず）により終端されている。
【０００３】この従来のバブラ１００においては、ＭＯ
ＣＶＤ装置の水素（Ｈ2 ）純化装置（図示せず）からの
Ｈ2 ガスがキャリアガスとして、ガス導入管１０２を通
じて有機金属化合物原料１０１中に導入される。このと
き、キャリアガスにより有機金属化合物原料１０１がバ
ブリングされて、その蒸気圧分の原料ガスがキャリアガ
スとともにガス排出管１０３からＭＯＣＶＤ装置のリア
クトラインを通じて反応器（ともに図示せず）に供給さ
れる。
ＣＶＤ装置の水素（Ｈ2 ）純化装置（図示せず）からの
Ｈ2 ガスがキャリアガスとして、ガス導入管１０２を通
じて有機金属化合物原料１０１中に導入される。このと
き、キャリアガスにより有機金属化合物原料１０１がバ
ブリングされて、その蒸気圧分の原料ガスがキャリアガ
スとともにガス排出管１０３からＭＯＣＶＤ装置のリア
クトラインを通じて反応器（ともに図示せず）に供給さ
れる。
【０００４】以上は、液体の有機金属化合物原料１０１
を用いる場合についてであるが、トリメチルインジウム
のような固体の有機金属化合物原料を用いる場合には、
バブリングによる原料ガスの供給を行うことができな
い。このため、固体の有機金属化合物原料を用いる場合
には、この固体の有機金属化合物原料を昇華させること
により蒸気圧分の原料ガスの供給が行われる。この場
合、この固体の有機金属化合物原料の結晶の形状を工夫
することによりその表面積を増大させ、この固体の有機
金属化合物原料を効率的に昇華させることにより、蒸気
圧の安定化を図る試みがなされている。
を用いる場合についてであるが、トリメチルインジウム
のような固体の有機金属化合物原料を用いる場合には、
バブリングによる原料ガスの供給を行うことができな
い。このため、固体の有機金属化合物原料を用いる場合
には、この固体の有機金属化合物原料を昇華させること
により蒸気圧分の原料ガスの供給が行われる。この場
合、この固体の有機金属化合物原料の結晶の形状を工夫
することによりその表面積を増大させ、この固体の有機
金属化合物原料を効率的に昇華させることにより、蒸気
圧の安定化を図る試みがなされている。
【０００５】しかしながら、上述の図５に示したバブラ
１００において、液体の有機金属化合物原料１０１の代
わりに固体の有機金属化合物原料を収納した場合には、
その使用がある程度進むと、バブラ１００の内部に固体
の有機金属化合物原料が充分残っているにもかかわら
ず、突然蒸気圧が下がるという問題があった。これは、
使用が進むにつれて固体の有機金属化合物原料の結晶の
形状が変化することが大きな要因として考えられる。
１００において、液体の有機金属化合物原料１０１の代
わりに固体の有機金属化合物原料を収納した場合には、
その使用がある程度進むと、バブラ１００の内部に固体
の有機金属化合物原料が充分残っているにもかかわら
ず、突然蒸気圧が下がるという問題があった。これは、
使用が進むにつれて固体の有機金属化合物原料の結晶の
形状が変化することが大きな要因として考えられる。
【０００６】この対策として、固体の有機金属化合物原
料を用いる場合には、バブラのガス導入管とガス排出管
との使い方を図５に示したバブラ１００と逆にする試み
がなされている。すなわち、図６に示すように、バブラ
２００の内部に固体の有機金属化合物原料２０１が収納
されている。ここで、図６Ａは平面図、図６Ｂは図６Ａ
のＢ−Ｂ線に沿っての断面図である。このバブラ２００
の上部には、これとほぼ垂直にガス導入管２０２および
ガス排出管２０３がそれぞれ接続されている。ここで、
ガス排出管２０３は、バブラ２００内の有機金属化合物
原料２０１の内部に達する長さを有している。また、ガ
ス導入管２０２は、バブラ２００内の有機金属化合物原
料２０１の内部に達しない上部に位置する。この場合、
有機金属化合物原料２０１が固体であるので、ガス排出
管２０３がこの有機金属化合物原料２０１中にディッピ
ングされていても、ガス排出管２０３に有機金属化合物
原料２０１が流入することがない。これにより、図５に
示したバブラ１００を用いる場合よりも、固体の有機金
属化合物原料２０１の使用効率が高い。
料を用いる場合には、バブラのガス導入管とガス排出管
との使い方を図５に示したバブラ１００と逆にする試み
がなされている。すなわち、図６に示すように、バブラ
２００の内部に固体の有機金属化合物原料２０１が収納
されている。ここで、図６Ａは平面図、図６Ｂは図６Ａ
のＢ−Ｂ線に沿っての断面図である。このバブラ２００
の上部には、これとほぼ垂直にガス導入管２０２および
ガス排出管２０３がそれぞれ接続されている。ここで、
ガス排出管２０３は、バブラ２００内の有機金属化合物
原料２０１の内部に達する長さを有している。また、ガ
ス導入管２０２は、バブラ２００内の有機金属化合物原
料２０１の内部に達しない上部に位置する。この場合、
有機金属化合物原料２０１が固体であるので、ガス排出
管２０３がこの有機金属化合物原料２０１中にディッピ
ングされていても、ガス排出管２０３に有機金属化合物
原料２０１が流入することがない。これにより、図５に
示したバブラ１００を用いる場合よりも、固体の有機金
属化合物原料２０１の使用効率が高い。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
図６に示したバブラ２００を用いた場合、固体の有機金
属化合物原料２０１の使用効率をある程度高めることは
できるものの、圧力が安定な状態で原料ガスを供給する
ことができる限界のときの固体の有機金属化合物原料２
０１の残量を、図５に示したバブラ１００に液体の有機
金属化合物原料１０１を収納して使用したときのこの有
機金属化合物原料１０１の残量と同程度にまですること
はできなかった。このため、固体の有機金属化合物原料
２０１の残量がかなりあるにもかかわらず、高価な有機
金属化合物原料２０１を交換せざるを得なかった。
図６に示したバブラ２００を用いた場合、固体の有機金
属化合物原料２０１の使用効率をある程度高めることは
できるものの、圧力が安定な状態で原料ガスを供給する
ことができる限界のときの固体の有機金属化合物原料２
０１の残量を、図５に示したバブラ１００に液体の有機
金属化合物原料１０１を収納して使用したときのこの有
機金属化合物原料１０１の残量と同程度にまですること
はできなかった。このため、固体の有機金属化合物原料
２０１の残量がかなりあるにもかかわらず、高価な有機
金属化合物原料２０１を交換せざるを得なかった。
【０００８】一方、ＭＯＣＶＤ装置において、成長させ
る化合物半導体の組成制御の観点から、同種の有機金属
化合物原料が収納された複数のバブラを使用し、これら
のバブラから同種の原料ガスを供給する場合がある。と
ころが、各バブラが入れられた恒温槽毎に微妙に保持温
度が異なるので、各バブラから得られる蒸気圧が異な
る。したがって、化合物半導体の成長を行う際の組成制
御に、その点を考慮に入れなければならず、成長条件が
制限されるなど、好ましくなかった。
る化合物半導体の組成制御の観点から、同種の有機金属
化合物原料が収納された複数のバブラを使用し、これら
のバブラから同種の原料ガスを供給する場合がある。と
ころが、各バブラが入れられた恒温槽毎に微妙に保持温
度が異なるので、各バブラから得られる蒸気圧が異な
る。したがって、化合物半導体の成長を行う際の組成制
御に、その点を考慮に入れなければならず、成長条件が
制限されるなど、好ましくなかった。
【０００９】したがって、この発明の目的は、固体の有
機金属化合物原料を用いる場合でも、原料の使用効率が
高い有機金属化合物原料用容器、有機金属化合物原料用
複合容器およびそれを用いた有機金属化学気相成長装置
を提供することにある。この発明の他の目的は、複数の
有機金属化合物原料用容器の温度をほぼ等しくすること
ができる有機金属化合物原料用容器、有機金属化合物原
料用複合容器およびそれを用いた有機金属化学気相成長
装置を提供することにある。
機金属化合物原料を用いる場合でも、原料の使用効率が
高い有機金属化合物原料用容器、有機金属化合物原料用
複合容器およびそれを用いた有機金属化学気相成長装置
を提供することにある。この発明の他の目的は、複数の
有機金属化合物原料用容器の温度をほぼ等しくすること
ができる有機金属化合物原料用容器、有機金属化合物原
料用複合容器およびそれを用いた有機金属化学気相成長
装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の第１の発明による有機金属化合物原料用
容器は、半円筒状の形状を有することを特徴とするもの
である。言い換えると、この有機金属化合物原料用容器
は、円筒をその中心軸を通る平面で二分割したときの一
方の部分に対応した形状を有する。
に、この発明の第１の発明による有機金属化合物原料用
容器は、半円筒状の形状を有することを特徴とするもの
である。言い換えると、この有機金属化合物原料用容器
は、円筒をその中心軸を通る平面で二分割したときの一
方の部分に対応した形状を有する。
【００１１】この発明の第２の発明による有機金属化合
物原料用複合容器は、半円筒状の形状を有する第１の有
機金属化合物原料用容器と、半円筒状の形状を有する第
２の有機金属化合物原料用容器とからなり、第１の有機
金属化合物原料用容器と第２の有機金属化合物原料用容
器とはそれらの平坦な側面で互いに結合していることを
特徴とするものである。
物原料用複合容器は、半円筒状の形状を有する第１の有
機金属化合物原料用容器と、半円筒状の形状を有する第
２の有機金属化合物原料用容器とからなり、第１の有機
金属化合物原料用容器と第２の有機金属化合物原料用容
器とはそれらの平坦な側面で互いに結合していることを
特徴とするものである。
【００１２】この発明の第３の発明による有機金属化合
物原料用複合容器は、半円筒状の形状を有する第１の有
機金属化合物原料用容器と、半円筒状の形状を有する第
２の有機金属化合物原料用容器とからなり、第１の有機
金属化合物原料用容器と第２の有機金属化合物原料用容
器とはそれらの平坦な側面で互いに結合しており、か
つ、互いに連通していることを特徴とするものである。
物原料用複合容器は、半円筒状の形状を有する第１の有
機金属化合物原料用容器と、半円筒状の形状を有する第
２の有機金属化合物原料用容器とからなり、第１の有機
金属化合物原料用容器と第２の有機金属化合物原料用容
器とはそれらの平坦な側面で互いに結合しており、か
つ、互いに連通していることを特徴とするものである。
【００１３】この発明の第４の発明による有機金属化合
物原料用複合容器は、円筒をその中心軸に対して平行な
平面で複数に分割したときの各分割部に対応した形状を
有する複数の有機金属化合物原料用容器からなり、複数
の有機金属化合物原料用容器が全体として円筒状の形状
をなすように互いに結合していることを特徴とするもの
である。
物原料用複合容器は、円筒をその中心軸に対して平行な
平面で複数に分割したときの各分割部に対応した形状を
有する複数の有機金属化合物原料用容器からなり、複数
の有機金属化合物原料用容器が全体として円筒状の形状
をなすように互いに結合していることを特徴とするもの
である。
【００１４】この発明の第５の発明による有機金属化学
気相成長装置は、半円筒状の形状を有する第１の有機金
属化合物原料用容器と、半円筒状の形状を有する第２の
有機金属化合物原料用容器とからなり、第１の有機金属
化合物原料用容器と第２の有機金属化合物原料用容器と
はそれらの平坦な側面で互いに結合している有機金属化
合物原料用複合容器を有することを特徴とするものであ
る。
気相成長装置は、半円筒状の形状を有する第１の有機金
属化合物原料用容器と、半円筒状の形状を有する第２の
有機金属化合物原料用容器とからなり、第１の有機金属
化合物原料用容器と第２の有機金属化合物原料用容器と
はそれらの平坦な側面で互いに結合している有機金属化
合物原料用複合容器を有することを特徴とするものであ
る。
【００１５】この発明の第６の発明による有機金属化学
気相成長装置は、半円筒状の形状を有する第１の有機金
属化合物原料用容器と、半円筒状の形状を有する第２の
有機金属化合物原料用容器とからなり、第１の有機金属
化合物原料用容器と第２の有機金属化合物原料用容器と
はそれらの平坦な側面で互いに結合しており、かつ、互
いに連通している有機金属化合物原料用複合容器が有す
ることを特徴とするものである。
気相成長装置は、半円筒状の形状を有する第１の有機金
属化合物原料用容器と、半円筒状の形状を有する第２の
有機金属化合物原料用容器とからなり、第１の有機金属
化合物原料用容器と第２の有機金属化合物原料用容器と
はそれらの平坦な側面で互いに結合しており、かつ、互
いに連通している有機金属化合物原料用複合容器が有す
ることを特徴とするものである。
【００１６】上述のように構成されたこの発明によれ
ば、半円筒状の形状を有する二つの有機金属化合物原料
用容器をそれらの平坦な側面で互いに結合することによ
り、全体として円筒状の形状にすることができ、これら
の有機金属化合物原料用容器を同一の恒温槽に入れるこ
とができる。これらの二つの有機金属化合物原料用容器
は、互いに独立して用いることもできるし、直列に接続
してたがいに連通した一つの有機金属化合物原料用複合
容器とすることもできる。後者の場合には、固体の有機
金属化合物原料を用いる場合にも、上流側の有機金属化
合物原料用容器内の有機金属化合物原料をほぼ完全に使
用することができる。
ば、半円筒状の形状を有する二つの有機金属化合物原料
用容器をそれらの平坦な側面で互いに結合することによ
り、全体として円筒状の形状にすることができ、これら
の有機金属化合物原料用容器を同一の恒温槽に入れるこ
とができる。これらの二つの有機金属化合物原料用容器
は、互いに独立して用いることもできるし、直列に接続
してたがいに連通した一つの有機金属化合物原料用複合
容器とすることもできる。後者の場合には、固体の有機
金属化合物原料を用いる場合にも、上流側の有機金属化
合物原料用容器内の有機金属化合物原料をほぼ完全に使
用することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態につい
て図面を参照しながら説明する。なお、実施形態の全図
において、同一または対応する部分には同一の符号を付
す。
て図面を参照しながら説明する。なお、実施形態の全図
において、同一または対応する部分には同一の符号を付
す。
【００１８】まず、この発明の第１の実施形態について
説明する。図１は、この第１の実施形態によるＭＯＣＶ
Ｄ装置の構成例を示す略線図である。図１に示すよう
に、このＭＯＣＶＤ装置においては、Ｈ2 純化装置１に
より高純度化されたＨ2 ガスがキャリアガスとしてバル
ブＶ1 を通じてバブラ２〜５のそれぞれに供給される。
符号Ｖ2 、Ｖ3 、Ｖ4 はバブラ２〜５のそれぞれに接続
されたバルブを示す。バブラ２〜５の中には、化合物半
導体の成長に用いられる有機金属化合物やドーピングに
用いられる有機金属化合物などの原料が収納されてい
る。符号６はガスボンベを示す。このガスボンベ６に
は、化合物半導体の成長に用いられる原料ガスやドーピ
ングに用いられる原料ガスなどが収納されている。符号
７はガスボンベ６に接続されたレギュレータを示す。
説明する。図１は、この第１の実施形態によるＭＯＣＶ
Ｄ装置の構成例を示す略線図である。図１に示すよう
に、このＭＯＣＶＤ装置においては、Ｈ2 純化装置１に
より高純度化されたＨ2 ガスがキャリアガスとしてバル
ブＶ1 を通じてバブラ２〜５のそれぞれに供給される。
符号Ｖ2 、Ｖ3 、Ｖ4 はバブラ２〜５のそれぞれに接続
されたバルブを示す。バブラ２〜５の中には、化合物半
導体の成長に用いられる有機金属化合物やドーピングに
用いられる有機金属化合物などの原料が収納されてい
る。符号６はガスボンベを示す。このガスボンベ６に
は、化合物半導体の成長に用いられる原料ガスやドーピ
ングに用いられる原料ガスなどが収納されている。符号
７はガスボンベ６に接続されたレギュレータを示す。
【００１９】バブラ２〜５にＨ2 純化装置１からのＨ2
ガスが供給されることにより、それぞれのバブラ２〜５
から原料ガスが、キャリアガスとしてのＨ2 ガスととも
に、リアクトライン８を通って反応器９に供給される。
反応器９内にはサセプタ１０が設置され、その上に半導
体基板１１が置かれる。また、ガスボンベ６内の原料ガ
スやドーピング用ガスなども、キャリアガスとしてのＨ
2 ガスとともに、リアクトライン８を通って反応器９に
供給される。
ガスが供給されることにより、それぞれのバブラ２〜５
から原料ガスが、キャリアガスとしてのＨ2 ガスととも
に、リアクトライン８を通って反応器９に供給される。
反応器９内にはサセプタ１０が設置され、その上に半導
体基板１１が置かれる。また、ガスボンベ６内の原料ガ
スやドーピング用ガスなども、キャリアガスとしてのＨ
2 ガスとともに、リアクトライン８を通って反応器９に
供給される。
【００２０】符号１２はベントラインを示す。この場
合、バブラ２〜５から発生される原料ガスまたはドーピ
ング用ガスのリアクトライン８とベントライン１２との
間での切り替えはバルブＶ5 、Ｖ6 の開閉により行うこ
とができるようになっている。また、同様に、ガスボン
ベ６から供給される原料ガスのリアクトライン８とベン
トライン１２との間での切り替えはバルブＶ7 、Ｖ8 の
開閉により行うことができるようになっている。符号１
３は、Ｈ2 純化装置１から供給されるＨ2 ガスの流量制
御のためのマスフローコンローラを示す。また、符号１
４は、ガスボンベ６から供給される原料ガスの流量制御
のためのマスフローコントローラを示す。
合、バブラ２〜５から発生される原料ガスまたはドーピ
ング用ガスのリアクトライン８とベントライン１２との
間での切り替えはバルブＶ5 、Ｖ6 の開閉により行うこ
とができるようになっている。また、同様に、ガスボン
ベ６から供給される原料ガスのリアクトライン８とベン
トライン１２との間での切り替えはバルブＶ7 、Ｖ8 の
開閉により行うことができるようになっている。符号１
３は、Ｈ2 純化装置１から供給されるＨ2 ガスの流量制
御のためのマスフローコンローラを示す。また、符号１
４は、ガスボンベ６から供給される原料ガスの流量制御
のためのマスフローコントローラを示す。
【００２１】このＭＯＣＶＤ装置において、バブラ４、
５には、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）などの液体の有
機金属化合物原料が収納されている。これらのバブラ
４、５は、例えば、図５に示した従来のバブラ１００と
同様に構成されている。一方、バブラ２、３には、例え
ばトリメチルインジウムのような固体の有機金属化合物
原料が収納されている。
５には、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）などの液体の有
機金属化合物原料が収納されている。これらのバブラ
４、５は、例えば、図５に示した従来のバブラ１００と
同様に構成されている。一方、バブラ２、３には、例え
ばトリメチルインジウムのような固体の有機金属化合物
原料が収納されている。
【００２２】図２は、バブラ２、３の詳細を示す。ここ
で、図２Ａは平面図、図２Ｂは図２ＡのＢ−Ｂ線に沿っ
ての断面図、図２Ｃは図２ＡのＣ−Ｃ線に沿っての断面
図である。図２に示すように、バブラ２、３はそれぞれ
同一の半円筒状の形状、すなわち、底面が半円の筒状の
形状を有している。これらのバブラ２、３はそれぞれの
平坦な側面で取り外し可能な状態で互いに結合され、全
体として円筒状の形状をなす一つの複合バブラを構成し
ている。
で、図２Ａは平面図、図２Ｂは図２ＡのＢ−Ｂ線に沿っ
ての断面図、図２Ｃは図２ＡのＣ−Ｃ線に沿っての断面
図である。図２に示すように、バブラ２、３はそれぞれ
同一の半円筒状の形状、すなわち、底面が半円の筒状の
形状を有している。これらのバブラ２、３はそれぞれの
平坦な側面で取り外し可能な状態で互いに結合され、全
体として円筒状の形状をなす一つの複合バブラを構成し
ている。
【００２３】これらのバブラ２、３はそれぞれ気密性を
有し、それぞれの内部に高純度の固体の有機金属化合物
原料２１、３１が収納されている。この場合、これらの
有機金属化合物原料２１、３１は同種のものである。バ
ブラ２の上部には、これとほぼ垂直にガス導入管２２お
よびガス排出管２３がそれぞれ接続されている。同様
に、バブラ３の上部には、これとほぼ垂直にガス導入管
３２およびガス排出管３３がそれぞれ接続されている。
ここで、ガス排出管２３、３３はともに、バブラ２、３
内に収納された有機金属化合物原料２１、３１中に達す
る長さを有する。また、ガス排出管２３、３３はとも
に、バブラ２、３内に収納された有機金属化合物原料２
１、３１中に達しない上部に位置する。符号２４、３４
は、それぞれバブラ２、３に有機金属化合物原料２１、
３１を充填するための充填管をそれぞれ示す。ガス導入
管２２、３２、ガス排出管２３、３３および充填管２
４、３４は、いずれもハンドバルブ（図示せず）により
遮断可能な構造となっているとともに、気密性を保持し
て接続可能な例えばメタルパッキンを用いる接続ジョイ
ント（図示せず）で終端されている。
有し、それぞれの内部に高純度の固体の有機金属化合物
原料２１、３１が収納されている。この場合、これらの
有機金属化合物原料２１、３１は同種のものである。バ
ブラ２の上部には、これとほぼ垂直にガス導入管２２お
よびガス排出管２３がそれぞれ接続されている。同様
に、バブラ３の上部には、これとほぼ垂直にガス導入管
３２およびガス排出管３３がそれぞれ接続されている。
ここで、ガス排出管２３、３３はともに、バブラ２、３
内に収納された有機金属化合物原料２１、３１中に達す
る長さを有する。また、ガス排出管２３、３３はとも
に、バブラ２、３内に収納された有機金属化合物原料２
１、３１中に達しない上部に位置する。符号２４、３４
は、それぞれバブラ２、３に有機金属化合物原料２１、
３１を充填するための充填管をそれぞれ示す。ガス導入
管２２、３２、ガス排出管２３、３３および充填管２
４、３４は、いずれもハンドバルブ（図示せず）により
遮断可能な構造となっているとともに、気密性を保持し
て接続可能な例えばメタルパッキンを用いる接続ジョイ
ント（図示せず）で終端されている。
【００２４】この場合、バブラ２のガス排出管２３とバ
ブラ３のガス導入管３２とは互いに接続されており、し
たがって、これらのバブラ２、３は互いに連通してい
る。言い換えると、これらのバブラ２、３は互いに直列
に接続されている。また、バブラ２のガス導入管２２
は、図１に示したＭＯＣＶＤ装置のマスフローコントロ
ーラ１３を介してＨ2 純化装置１と接続され、バブラ３
のガス排出管３３は、リアクトライン８およびベントラ
イン１２に接続されている。なお、互いに接続されたバ
ブラ２のガス排出管２３およびバブラ３のガス導入管３
２には、バブラ２、３の交換の際のパージや真空引きな
どのメンテナンスを行うことができるようなエアオペレ
ートバルブなどで遮断可能なパージライン（図示せず）
を設けるのが望ましい。
ブラ３のガス導入管３２とは互いに接続されており、し
たがって、これらのバブラ２、３は互いに連通してい
る。言い換えると、これらのバブラ２、３は互いに直列
に接続されている。また、バブラ２のガス導入管２２
は、図１に示したＭＯＣＶＤ装置のマスフローコントロ
ーラ１３を介してＨ2 純化装置１と接続され、バブラ３
のガス排出管３３は、リアクトライン８およびベントラ
イン１２に接続されている。なお、互いに接続されたバ
ブラ２のガス排出管２３およびバブラ３のガス導入管３
２には、バブラ２、３の交換の際のパージや真空引きな
どのメンテナンスを行うことができるようなエアオペレ
ートバルブなどで遮断可能なパージライン（図示せず）
を設けるのが望ましい。
【００２５】次に、上述のように構成されたバブラ２、
３の使用方法について説明する。図１に示したこのＭＯ
ＣＶＤ装置においては、全体として円筒状の形状をなす
ように互いに結合され、かつ、互いに直列に接続された
バブラ２、３は、同一の恒温槽（図示せず）に入れられ
ている。これらのバブラ２、３には、まず、Ｈ2 純化装
置１からキャリアガスとしてのＨ2 ガスが、ガス導入管
２２を通してバブラ２の内部に導入される。このとき、
このバブラ２の内部に収納された固体の有機金属化合物
原料２１が昇華し、その蒸気圧分の原料ガスが発生す
る。この原料ガスはキャリアガスとともに、ガス排出管
２３およびガス導入管３２を通りバブラ３の内部に導入
される。このとき、このバブラ３の内部に導入されたガ
ス中には、すでに蒸気圧分の原料ガスが含まれているた
め、バブラ３の内部に収納された固体の有機金属化合物
原料３１は昇華せず、減少しない。したがって、このバ
ブラ３に導入された原料ガスはキャリアガスとともにそ
のままガス排出管３３を通り、リアクトライン８を通し
て反応器９に供給される。
３の使用方法について説明する。図１に示したこのＭＯ
ＣＶＤ装置においては、全体として円筒状の形状をなす
ように互いに結合され、かつ、互いに直列に接続された
バブラ２、３は、同一の恒温槽（図示せず）に入れられ
ている。これらのバブラ２、３には、まず、Ｈ2 純化装
置１からキャリアガスとしてのＨ2 ガスが、ガス導入管
２２を通してバブラ２の内部に導入される。このとき、
このバブラ２の内部に収納された固体の有機金属化合物
原料２１が昇華し、その蒸気圧分の原料ガスが発生す
る。この原料ガスはキャリアガスとともに、ガス排出管
２３およびガス導入管３２を通りバブラ３の内部に導入
される。このとき、このバブラ３の内部に導入されたガ
ス中には、すでに蒸気圧分の原料ガスが含まれているた
め、バブラ３の内部に収納された固体の有機金属化合物
原料３１は昇華せず、減少しない。したがって、このバ
ブラ３に導入された原料ガスはキャリアガスとともにそ
のままガス排出管３３を通り、リアクトライン８を通し
て反応器９に供給される。
【００２６】この状態でＭＯＣＶＤ装置の稼動を続ける
と、バブラ２に収納された有機金属化合物原料２１の減
少が進むため、この有機金属化合物原料２１から必要な
蒸気圧分の原料ガスの供給が受けられなくなり、ついに
は、バブラ２に収納された有機金属化合物原料２１はほ
ぼ完全に無くなってしまう。しかしながら、このとき、
バブラ３にはまだ充分な量の有機金属化合物原料３１が
残っているため、この有機金属化合物原料３１から蒸気
圧分の原料ガスが供給される。
と、バブラ２に収納された有機金属化合物原料２１の減
少が進むため、この有機金属化合物原料２１から必要な
蒸気圧分の原料ガスの供給が受けられなくなり、ついに
は、バブラ２に収納された有機金属化合物原料２１はほ
ぼ完全に無くなってしまう。しかしながら、このとき、
バブラ３にはまだ充分な量の有機金属化合物原料３１が
残っているため、この有機金属化合物原料３１から蒸気
圧分の原料ガスが供給される。
【００２７】さらにこの状態でＭＯＣＶＤ装置の稼動を
続けると、従来と同様な理由から、バブラ３の有機金属
化合物原料３１の残量があるにもかかわらず、リアクト
ライン８に供給される原料ガスの圧力が減少する。この
場合には、一旦ＭＯＣＶＤ装置の運転を停止して、有機
金属化合物原料２１が空になったバブラ２を有機金属化
合物原料２１が充填された新たなものと交換する。この
交換の際には、途中まで使用したバブラ３をＨ2 純化装
置１に近い方、すなわち上流側に接続する。この場合、
バブラ３のガス排出管３３と新たなバブラ２のガス導入
管２２とを互いに接続する。また、バブラ３のガス導入
管３２をＨ2 純化装置１に接続し、新たなバブラ２のガ
ス排出管２３をリアクトライン８に接続する。このよう
にすることにより、バブラ３に収納された有機金属化合
物原料３１をほぼ完全に使用することができる。
続けると、従来と同様な理由から、バブラ３の有機金属
化合物原料３１の残量があるにもかかわらず、リアクト
ライン８に供給される原料ガスの圧力が減少する。この
場合には、一旦ＭＯＣＶＤ装置の運転を停止して、有機
金属化合物原料２１が空になったバブラ２を有機金属化
合物原料２１が充填された新たなものと交換する。この
交換の際には、途中まで使用したバブラ３をＨ2 純化装
置１に近い方、すなわち上流側に接続する。この場合、
バブラ３のガス排出管３３と新たなバブラ２のガス導入
管２２とを互いに接続する。また、バブラ３のガス導入
管３２をＨ2 純化装置１に接続し、新たなバブラ２のガ
ス排出管２３をリアクトライン８に接続する。このよう
にすることにより、バブラ３に収納された有機金属化合
物原料３１をほぼ完全に使用することができる。
【００２８】以上のように、この第１の実施形態によれ
ば、半円筒状の形状を有する二つのバブラ２、３を互い
に直列に接続して使用し、上流側のバブラ内の固体の有
機金属化合物原料を使い切ったら、固体の有機金属化合
物原料が充填された新たなバブラと交換するとともに、
そのバブラを下流側に接続して使用しているので、バブ
ラ２、３に収納された高純度ゆえ高価な固体の有機金属
化合物原料２１、３１をほぼ完全に使用することができ
る。このため固体の有機金属化合物原料の使用効率を向
上させることができる。これにより、このＭＯＣＶＤ装
置を用いて化合物半導体の成長を行う場合、その成長コ
ストを低減することができる。
ば、半円筒状の形状を有する二つのバブラ２、３を互い
に直列に接続して使用し、上流側のバブラ内の固体の有
機金属化合物原料を使い切ったら、固体の有機金属化合
物原料が充填された新たなバブラと交換するとともに、
そのバブラを下流側に接続して使用しているので、バブ
ラ２、３に収納された高純度ゆえ高価な固体の有機金属
化合物原料２１、３１をほぼ完全に使用することができ
る。このため固体の有機金属化合物原料の使用効率を向
上させることができる。これにより、このＭＯＣＶＤ装
置を用いて化合物半導体の成長を行う場合、その成長コ
ストを低減することができる。
【００２９】図３は、この発明の第２の実施形態による
ＭＯＣＶＤ装置の構成例を示す略線図である。また、図
４は、この第２の実施形態によるＭＯＣＶＤ装置に用い
られるバブラ２、３を示す。ここで、図４Ａは平面図、
図４Ｂは図４ＡのＢ−Ｂ線に沿っての断面図、図４Ｃは
図４ＡのＣ−Ｃ線に沿っての断面図である。図３および
図４に示すように、この第２の実施形態においては、バ
ブラ２、３の接続状態が第１の実施形態と異なる。
ＭＯＣＶＤ装置の構成例を示す略線図である。また、図
４は、この第２の実施形態によるＭＯＣＶＤ装置に用い
られるバブラ２、３を示す。ここで、図４Ａは平面図、
図４Ｂは図４ＡのＢ−Ｂ線に沿っての断面図、図４Ｃは
図４ＡのＣ−Ｃ線に沿っての断面図である。図３および
図４に示すように、この第２の実施形態においては、バ
ブラ２、３の接続状態が第１の実施形態と異なる。
【００３０】すなわち、図４に示したバブラ２のガス導
入管２２およびバブラ３のガス導入管３２は、それぞれ
図３に示したＭＯＣＶＤ装置のマスフローコントローラ
１３を介してＨ2 純化装置１に接続されている。また、
バブラ２のガス排出管２３およびバブラ３のガス排出管
３３は、それぞれリアクトライン８およびベントライン
１２に接続されている。この場合、バブラ２、３は互い
に連通しておらず、互いに独立して使用される。このと
き、これらのバブラ２、３は同一の恒温槽（図示せず）
内に入れられている。その他のことは、第１の実施形態
と同様であるので、説明を省略する。
入管２２およびバブラ３のガス導入管３２は、それぞれ
図３に示したＭＯＣＶＤ装置のマスフローコントローラ
１３を介してＨ2 純化装置１に接続されている。また、
バブラ２のガス排出管２３およびバブラ３のガス排出管
３３は、それぞれリアクトライン８およびベントライン
１２に接続されている。この場合、バブラ２、３は互い
に連通しておらず、互いに独立して使用される。このと
き、これらのバブラ２、３は同一の恒温槽（図示せず）
内に入れられている。その他のことは、第１の実施形態
と同様であるので、説明を省略する。
【００３１】次に、上述のように構成されたバブラ２、
３の使用方法について説明する。このＭＯＣＶＤ装置に
おいては、例えば成長される化合物半導体の組成制御を
目的として、バブラ２、３に同種の固体の有機金属化合
物原料２１、３１を収納し、これらのバブラ２、３から
同種の原料ガスを供給する。このとき、バブラ２、３
は、異なるマスフローコントローラ１３を通してＨ2 純
化装置１からキャリアガスとしてのＨ2 ガスの供給を受
ける。また、バブラ２、３は、これらがともに入れられ
た同一の恒温槽（図示せず）により温度制御される。
３の使用方法について説明する。このＭＯＣＶＤ装置に
おいては、例えば成長される化合物半導体の組成制御を
目的として、バブラ２、３に同種の固体の有機金属化合
物原料２１、３１を収納し、これらのバブラ２、３から
同種の原料ガスを供給する。このとき、バブラ２、３
は、異なるマスフローコントローラ１３を通してＨ2 純
化装置１からキャリアガスとしてのＨ2 ガスの供給を受
ける。また、バブラ２、３は、これらがともに入れられ
た同一の恒温槽（図示せず）により温度制御される。
【００３２】この第２の実施形態によれば、次のような
効果が得られる。すなわち、同種の原料ガスを供給する
互いに独立した二つのバブラ２、３が同一の恒温槽に入
れられ、温度制御されているので、これらのバブラ２、
３の温度をほぼ等しくすることができ、したがって、そ
れぞれのバブラ２、３から供給される原料ガスの圧力を
ほぼ等しくすることができる。このため、バブラ２、３
から供給される原料ガスの圧力制御を容易に行うことが
できる。また、化合物半導体の組成の制御性を高めるこ
とができる。
効果が得られる。すなわち、同種の原料ガスを供給する
互いに独立した二つのバブラ２、３が同一の恒温槽に入
れられ、温度制御されているので、これらのバブラ２、
３の温度をほぼ等しくすることができ、したがって、そ
れぞれのバブラ２、３から供給される原料ガスの圧力を
ほぼ等しくすることができる。このため、バブラ２、３
から供給される原料ガスの圧力制御を容易に行うことが
できる。また、化合物半導体の組成の制御性を高めるこ
とができる。
【００３３】さらに、同種の原料ガスを供給する独立し
た二つのバブラ２、３が、同一の恒温槽に入れられてい
るので、ＭＯＣＶＤ装置の恒温槽の個数を減らすことが
できる。これにより、ＭＯＣＶＤ装置の構成を簡略化す
ることができる。
た二つのバブラ２、３が、同一の恒温槽に入れられてい
るので、ＭＯＣＶＤ装置の恒温槽の個数を減らすことが
できる。これにより、ＭＯＣＶＤ装置の構成を簡略化す
ることができる。
【００３４】以上、この発明の実施形態について具体的
に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定され
るものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の
変形が可能である。
に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定され
るものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の
変形が可能である。
【００３５】例えば、上述の第１および第２の実施形態
における有機金属化合物原料２１、３１は、トリメチル
インジウム以外の他の固体の有機金属化合物原料であっ
てもよい。さらに、固体の有機金属化合物原料２１、３
１の代わりに液体の有機金属化合物原料を用いてもよ
い。この場合、バブラ２のガス導入管２２は、バブラ２
に収納された有機金属化合物原料２１の液面下に達する
長さにする。同様に、バブラ３のガス導入管３２は、バ
ブラ３に収納された有機金属化合物原料３１の液面下に
達する長さにする。また、バブラ２のガス排出管２３お
よびバブラ３のガス排出管３３は、液面に達しない上部
に位置する。
における有機金属化合物原料２１、３１は、トリメチル
インジウム以外の他の固体の有機金属化合物原料であっ
てもよい。さらに、固体の有機金属化合物原料２１、３
１の代わりに液体の有機金属化合物原料を用いてもよ
い。この場合、バブラ２のガス導入管２２は、バブラ２
に収納された有機金属化合物原料２１の液面下に達する
長さにする。同様に、バブラ３のガス導入管３２は、バ
ブラ３に収納された有機金属化合物原料３１の液面下に
達する長さにする。また、バブラ２のガス排出管２３お
よびバブラ３のガス排出管３３は、液面に達しない上部
に位置する。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、固体の有機金属化合物原料を用いた場合にも原料の
使用効率を高くすることができる。また、複数の有機金
属化合物原料用容器の温度をほぼ等しくすることができ
る。
ば、固体の有機金属化合物原料を用いた場合にも原料の
使用効率を高くすることができる。また、複数の有機金
属化合物原料用容器の温度をほぼ等しくすることができ
る。
【図１】この発明の第１の実施形態によるＭＯＣＶＤ装
置の構成例を示す略線図である。
置の構成例を示す略線図である。
【図２】この発明の第１の実施形態によるＭＯＣＶＤ装
置における固体の有機金属化合物原料用のバブラを示す
平面図および断面図である。
置における固体の有機金属化合物原料用のバブラを示す
平面図および断面図である。
【図３】この発明の第２の実施形態によるＭＯＣＶＤ装
置の構成例を示す略線図である。
置の構成例を示す略線図である。
【図４】この発明の第２の実施形態によるＭＯＣＶＤ装
置における固体の有機金属化合物原料用のバブラを示す
平面図および断面図である。
置における固体の有機金属化合物原料用のバブラを示す
平面図および断面図である。
【図５】従来の液体の有機金属化合物原料用のバブラを
示す平面図および断面図である。
示す平面図および断面図である。
【図６】従来の固体の有機金属化合物原料用のバブラを
示す平面図および断面図である。
示す平面図および断面図である。
１・・・Ｈ2 純化装置、２〜５・・・バブラ、８・・・
リアクトライン、１２・・・ベントライン、２１，３１
・・・有機金属化合物原料、２２，３２・・・ガス導入
管、２３，３３・・・ガス排出管、２４，３４・・・充
填管
リアクトライン、１２・・・ベントライン、２１，３１
・・・有機金属化合物原料、２２，３２・・・ガス導入
管、２３，３３・・・ガス排出管、２４，３４・・・充
填管
Claims (10)
- 【請求項１】 半円筒状の形状を有することを特徴とす
る有機金属化合物原料用容器。 - 【請求項２】 上記有機金属化合物原料用容器はその上
部にガス導入管およびガス排出管がそれぞれ接続されて
いることを特徴とする請求項１記載の有機金属化合物原
料用容器。 - 【請求項３】 半円筒状の形状を有する第１の有機金属
化合物原料用容器と、 半円筒状の形状を有する第２の有機金属化合物原料用容
器とからなり、 上記第１の有機金属化合物原料用容器と上記第２の有機
金属化合物原料用容器とはそれらの平坦な側面で互いに
結合していることを特徴とする有機金属化合物原料用複
合容器。 - 【請求項４】 上記第１の有機金属化合物原料用容器の
上部に第１のガス導入管および第１のガス排出管がそれ
ぞれ接続され、上記第２の有機金属化合物原料用容器の
上部に第２のガス導入管および第２のガス排出管がそれ
ぞれ接続されていることを特徴とする請求項３記載の有
機金属化合物原料用複合容器。 - 【請求項５】 半円筒状の形状を有する第１の有機金属
化合物原料用容器と、 半円筒状の形状を有する第２の有機金属化合物原料用容
器とからなり、 上記第１の有機金属化合物原料用容器と上記第２の有機
金属化合物原料用容器とはそれらの平坦な側面で互いに
結合しており、かつ、互いに連通していることを特徴と
する有機金属化合物原料用複合容器。 - 【請求項６】 上記第１の有機金属化合物原料用容器の
上部に第１のガス導入管および第１のガス排出管がそれ
ぞれ接続され、上記第２の有機金属化合物原料用容器の
上部に第２のガス導入管および第２のガス排出管がそれ
ぞれ接続されていることを特徴とする請求項５記載の有
機金属化合物原料用複合容器。 - 【請求項７】 上記第１のガス排出管と上記第２のガス
導入管とが互いに接続されていることを特徴とする請求
項６記載の有機金属化合物原料用複合容器。 - 【請求項８】 円筒をその中心軸に対して平行な平面で
複数に分割したときの各分割部に対応した形状を有する
複数の有機金属化合物原料用容器からなり、 上記複数の有機金属化合物原料用容器が全体として円筒
状の形状をなすように互いに結合していることを特徴と
する有機金属化合物原料用複合容器。 - 【請求項９】 半円筒状の形状を有する第１の有機金属
化合物原料用容器と、 半円筒状の形状を有する第２の有機金属化合物原料用容
器とからなり、 上記第１の有機金属化合物原料用容器と上記第２の有機
金属化合物原料用容器とはそれらの平坦な側面で互いに
結合している有機金属化合物原料用複合容器を有するこ
とを特徴とする有機金属化学気相成長装置。 - 【請求項１０】 半円筒状の形状を有する第１の有機金
属化合物原料用容器と、 半円筒状の形状を有する第２の有機金属化合物原料用容
器とからなり、 上記第１の有機金属化合物原料用容器と上記第２の有機
金属化合物原料用容器とはそれらの平坦な側面で互いに
結合しており、かつ、互いに連通している有機金属化合
物原料用複合容器を有することを特徴とする有機金属化
学気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8075220A JPH09246194A (ja) | 1996-03-05 | 1996-03-05 | 有機金属化合物原料用容器、有機金属化合物原料用複合容器および有機金属化学気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8075220A JPH09246194A (ja) | 1996-03-05 | 1996-03-05 | 有機金属化合物原料用容器、有機金属化合物原料用複合容器および有機金属化学気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09246194A true JPH09246194A (ja) | 1997-09-19 |
Family
ID=13569929
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8075220A Pending JPH09246194A (ja) | 1996-03-05 | 1996-03-05 | 有機金属化合物原料用容器、有機金属化合物原料用複合容器および有機金属化学気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09246194A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006291258A (ja) * | 2005-04-07 | 2006-10-26 | Tohoku Univ | 成膜装置および成膜方法 |
| KR101029894B1 (ko) * | 2003-07-08 | 2011-04-18 | 토소 화인켐 가부시키가이샤 | 고체 유기 금속 화합물용 충전 용기 및 그 충전 방법 |
| JP2016192515A (ja) * | 2015-03-31 | 2016-11-10 | 株式会社東芝 | 気化システム |
| KR102208303B1 (ko) * | 2019-09-25 | 2021-01-28 | 주식회사 레이크머티리얼즈 | 유기금속 화합물 공급 장치 |
-
1996
- 1996-03-05 JP JP8075220A patent/JPH09246194A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101029894B1 (ko) * | 2003-07-08 | 2011-04-18 | 토소 화인켐 가부시키가이샤 | 고체 유기 금속 화합물용 충전 용기 및 그 충전 방법 |
| JP2006291258A (ja) * | 2005-04-07 | 2006-10-26 | Tohoku Univ | 成膜装置および成膜方法 |
| JP2016192515A (ja) * | 2015-03-31 | 2016-11-10 | 株式会社東芝 | 気化システム |
| KR102208303B1 (ko) * | 2019-09-25 | 2021-01-28 | 주식회사 레이크머티리얼즈 | 유기금속 화합물 공급 장치 |
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