JPS6197659A - 光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線、可視光線、
赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感受性の
ある光受容部材に関する。さらに詳しくは、レーザー光
などの可干渉性光を用いるのに適した光受容部材に関す
る。

〔従来技術〕

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することにより靜電潜像を形成し１次
いて該潜像を現像、必要に応じて転写、定着などの処理
を行ない１画像を記録する方法がよく知られている。中
でも電子写真法を使用した画像形成法では、レーザーと
じては小型で安価なＨｅ−Ｍｅレーザーあるいは半導体
レーザー（通常は８５０〜Ｉ１２０ｎｍの発光波長を有
する）で像記録を行なうことが一般である。

特に、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写真用
の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が他の
ｓｉの光受容部材と比べて格段に優れている点に加えて
、ビッカース硬度が高く、社ｉ的には無公害である点で
例えば特開昭５４−８８３４１号公報や特開昭５８−８
３？４［１号公報に開示されているシリコン原子を含む
非晶質材料（以後ｒ　ａ−ＳｉＪと略記する）から成る
光受容部材が注目されている。

当年ら、光受容層を単層構成のａ−Ｓｉ層とすると、そ
の高光感度を保持しつつ、電子写真用として要求される
１０ｔ２ΩＣ厘以上の暗抵抗を確保するには、水素原子
やハロゲン原子或いはこれ等に加えてポロン原子とを特
定のＪｌ範囲で層中に制御された形で構造的に含有させ
る必要性がある為に、層形成のコントロールを厳密に行
う必要がある等、光受容部材の設計に於ける許容度に可
成りの制限がある。

この設計上の許容度を拡大出来る。詰り、ある程度低暗
抵抗であっても、その高光感度を有効に利用出来る様に
したものとしては、例えば、特開昭５４−１２１７４３
号公報、特開昭５７−４０５３号公報、特開昭５７−４
１７２号公報に記載されである様に光受容層を伝導特性
の異なる暦を積層した二層以上の層構成として、光受容
層内部に空乏層を形成したり、或いは特開昭５７−５２
１７８号、同５２１７９号、同５２１８０号、同５８１
５１１号、同５８１８０号、同５８１８１号の各公報に
記載されである様に支持体と光受容層の間、又は／及び
光受容層の上部表面に障壁層を設けた多層構造としたり
して、見掛は上の暗抵抗を高めた光受容部材が提案され
ている。

この様な提案によって、ａ　−９ｉ系先光受容材はその
商品化設計」：の許容度に於いて、或いは製造上の管理
の容易性及び生産性に於いて飛躍的に進展し、商品化に
向けての開発スピードが急速化している。

この様な光受容層が多層構造の光受容部材を用いてレー
ザー記録を行う場合、各層の層厚に班がある為に、レー
ザー光が可干渉性の単色光であるので、光受容層のレー
ザー光照射側自由表面、光受容層を構成する各層及び支
持体と光受容層との層界面（以後、この自由表面及び層
界面の両者を併せた意味で「界面」と称す）より反射し
て来る反射光の各々が干渉を起す可能性がある。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ、画像不良の要因となる。殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合には１画像
の見悪くさは顕著となる。

まして、使用する半導体レーザー光の波長領域が長波長
になるにつれ光受容層に於ける該レーザー光の吸収が減
少してくるので前記の干渉現象は顕著である。

この点を図面を以って説明する。

第１図に、光受容部材の光受容層を構成するある層に入
射した光Ｔｏと上部界面１０２で反射した反射光ＲＩ、
下部界面１０１で反射した反射光Ｒ２を示している。

層の平均層厚をｄ、屈折率をｎ、光の波長をλ厚差で不
均一であると、反射光Ｒ１＋Ｒ２が２ｎｄ＝ｍλ（ｍは
整数、反射光は強め合う）と２ｎｄ＝（ｍ＋−）入（ｍ
は整数、反射光は弱め合う）の条件のどちらに合うかに
よって、ある層の吸収光量および透過光量に変化を生じ
る。

多層構成の光受容部材においては、第１図に示す干渉効
果が各層で起り、第２図に示すように、それぞれの干渉
による相乗的悪影響が生じる。その為に該干渉縞模様に
対応した干渉縞が転写部材上に転写、定着された可視画
像に現われ、不良画像の原因となっていた。

この不都合を解消する方法としては、支持体表面をダイ
ヤモンド切削して、±５００Ａ〜±　ｔｏｏｏ。

人の偲凸を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開
昭５８−１ｆ１２９７５号公報）アルミニウム支持体表
面を黒色アルマイト処理したり、或いは、樹脂中にカー
ボン、着色顔料、染料を分散したりして光吸収層を設け
る方法（例えば特開昭５７−１８５８４５号公報）１．
アルミニウム支持体表面を梨地状のアルマイト処理した
り、サンドブラストにより砂目状の微細凹凸を設けたり
しで、支持体表面に光散乱反射防止層を設ける方法（例
えば特開昭５７−１８５５４号公報）等が提案されてい
る。

丙午ら、これ等従来の方法では、画像上に現われる干渉
縞模様を完全に解消することが出来なかった。

即ち、第１の方法は支持体表面を特定の大きさの凹凸が
多数設けられただけである為、確かに光散乱効果による
干渉縞模様の発現防止にはなっているが、光散乱として
は依然として正反射光成分が残存している為に、該正反
射光による干渉縞模様が残存することに加えて、支持体
表面での光散乱効果の為に照射スポットに拡がりが生じ
、実質的な解像度低下の要因となっていた。

第２の方法は、黒色アルマイト処理程度では、完全吸収
は無理であって、支持体表面での反射光は残存する。又
１着色顔料分散樹脂層を設ける場合はａ　−！Ｊ　ｉ　
Ｎを形成する際、樹脂層よりの脱気現象が生じ、形成さ
れる光受容層の層品質が著しｌ低下すること、樹脂層が
ａ−９ｉ層形成の際のプラズマによってダメージを受け
て、本来の吸収機能を低減させると共に、表面状態の悪
化によるその後のａ−９ｔ層の形成に悪影響を与えるこ
と等の不都合さを有する。

支持体表面を不規則に荒す第３方法の場合には、第３図
に示す様に、例えば入射光Ｉｏは、光受容層３０２の表
面でその一部が反射されて反射光Ｒ１となり、残りは、
光受容層３０２の内部に進入して透過光■１　となる、
透過光ＩＩは、支持体３０２の表面に於いて、その一部
は、光散乱されて拡散光ＫＩ　Ｊ２　＋に３・・・とな
り、残りが正反射されて反射光Ｒ２となり、その一部が
出射光Ｒ３となって外部に出て行く、従って、反射光Ｒ
０と干渉する成分である出射光Ｒ３が残留する為、依然
として干渉縞模様は完全に消すことが出来ない。

又、干渉を防止して光受容層内部での多重反射を防止す
る為に支持体３０１の表面の拡散性を増加させると、光
受容層内で光が拡散してｌ＼レーションを生ずる為解像
度が低下するという欠点もあった。

特に、多層構成の光受容部材においては、第４図に示す
ように、支持体４０１表面を不規則に荒しても、第１層
４０２での表面での反射光Ｒ２，第２層での反射光Ｒ１
，支持体４０１面での正反射光Ｒ３の夫々が干渉して、
光受容部材の各層厚にしたがって干渉縞模様が生じる。

従って、多層構成の光受容部材においては、支持体４０
１表面を不規則に荒すことでは、干渉縞を完全に防止す
ることは不可能であった− 又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロット間に於いてバラツ
キが多く、且つ同一ロットに於いても粗面度に不均一が
あって、製造管理上具合が怒かった。加えて、比較的大
きな突起がランダムに形成される機会が多く、斯かる大
きな突起が光受容層の局所的ブレークダウンの原因とな
っていた。

又、単に支持体表面５０１を規則的に荒した場合、第５
図に示すように、通常、支持体５０１表面の凹凸形状に
沿って、光受容層５０２が堆積するため、支持体５０１
”の凹凸の傾斜面と光受容層５０２の凹凸の傾斜面とが
平行になる。

したがって、その部分では入射光は２ｎｄｌ＝ｍ入また
は２ｎｄ＋　＝　（ｍ＋５４）入が成立ち、夫々明部ま
たは暗部となる。また、光受容層全体では光受容層の層
厚ｄ＋　、ｄ２．ｔｌｓ　、ｄａの夫々の差のあるため
明暗の縞模様が現われる。

従って、支持体５０１表面を規則的に荒しただけでは、
干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、第３図において、一層構成の
光受容部材で説明した支持体表面での正反射光と、光受
容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界面での
反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受容部材
の干渉縞模様発現度合より一層複雑となる。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、前述の欠点を解消した光に感受性のあ
る新規な光受容部材を提供することである。

本発明の別の目的は、可干渉性単色光を用いる画像形成
に適すると共に製造管理が容易である光受容部材を提供
することである。

本発明の更に別の目的は１画像形成時に現出する干渉縞
模様と反転現像時の斑点の現出を同時にしかも完全に解
消することができる光受容部材を提供することでもある
。

本発明のもう１つの別の目的は、電気的耐圧性及び光感
度が高く、電子写真特性に優れた光受容部材を提供する
ことでもある。

本発明の更にもう１つの目的は、濃度が高く、ハーフト
ーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得る
ことが出来る電子写真用に適した光受容部材を提供する
ことでもある。

本発明の他の目的は、光受容部材の表面における機械的
耐久性、特に耐摩耗性及び光受容特性に優れた光受容部
材を提供することでもある。

〔発明の概要〕 本発明の光受容部材は、支持体と、シリコン原子とゲル
マニウム原子を含む非晶質材料で構成された第１の層と
、シリコンを原子を含む非晶質材料で構成され、光導電
性を示す第２の層と、シリコン原子と炭素原子とを含む
非晶質材料からなる表面層とが前記支持体側より順に設
けられた多層構成の光受容層とを有しており、前記第１
の層及び前記第２の層の少なくとも一方に伝導性を支配
する物質が含有されると共に、前記光受容層は。

酸素原子、炭素原子、窒素原子の中から選択される少な
くとも一種を含有し、且つショートレンジ内に１対以上
の非平行な界面を有し、該非平行な界面が層厚方向と垂
直な面内の少なくとも一方向に多数配列している事を特
徴とする。

以下、本発明を図面に従って具体的に説明する。

第６図は１本発明の基本原理を説明するための説明図で
ある。

本発明は装置の要求解像力よりも微小な凹凸形状を有す
る支持体（不図示）上に、その凹凸の傾斜面に沿って多
層構成の光受容層を有し、該光受容層は第６図の一部に
拡大して示されるように。

第２７！！’１１０２の層厚がｄｓからｄ＆と連続的に
変化している為に、界面６０３と界面８０４とは互いに
傾向きを有している。従って、この微小部分（シ電−ト
レンジ）ｔに入射した可干渉性光は該微小部分ｌに於て
干渉を起し、微小な干渉縞模様を生ずる。

又、第７図に示す様に第１暦７０１と第２層７０２の界
面７０３と第２ｍ７０２の自由表面７Ｇ４とが非平行で
あると、ｗＳ７図の（Ａ）に示す様に入射光Ｔｏに対す
る反射光Ｒ，と出射光Ｒ３とはその進行方向が互いに異
る為、界面７０３と７０４とが平行　　　　　　　　　
　１な場合（第７図のｒ　（Ｂ）　Ｊ　）に比べて干渉
の度合が減少する。

従って、第７図の（Ｃ）に示す様に、一対の界面が平行
な関係にある場合（ｒ　（Ｂ）　Ｊ　）よりも非平行な
場合（ｒ　（Ａ）　Ｊ　）は干渉しても干渉縞模様の明
暗の差が無視し得る程度に小さくなる。

その結果、微小部分の入射光量は平均化される。

このことは、第６図に示す様に第２層８０２の層厚がマ
クロ的にも不均一（ｄ７’＋ｄｅ）であっても同様に云
える為、全層領域に於て入射光量が均一になる（第６図
のｒ　（Ｄ）Ｊ参照）。

また、光受容層が多層構成である場合に於いて照射側か
ら第２層まで可干渉性光が透過した場合に就いて本発明
の効果を述べれば、第８図に示す様に、入射光１．に対
して１反射光Ｒ１＋Ｒ２＋Ｒ３Ｒ，、Ｒ５が存在する。

その九番々の層で第７図を似って前記に説明したことが
生ずる。

従って、光受容層全体で考えると干渉は夫々の層での相
乗効果となる為１本発明によれば、光受容層を構成する
層の数が増大するにつれ、より一層干渉効果を防止する
ことが出来る。

又、微小部分内に於て生ずる干渉縞は、微小部分の大き
さが照射光スポット径より小さい為、即ち、解像度限界
より小さい為１画像に現われることはない、又、仮に画
像に現われているとしても眼の分解能以下なので実質的
には何等支障を生じない。

本発明に於いて、凹凸の傾斜面は反射光を一方向へ確実
に揃える為に、鏡面仕上げとされるのが望ましい。

本発明に適した微小部分の大きさｌ（凹凸形状の一周期
分）は、照射光のスポット径をＬとすれば、ｌ≦Ｌであ
る・ 又本発明の目的をより効果的に達成する為には微小部分
ｌに於ける層厚の差（ｄｓ　−ｄｉ　）は、照射光の波
長を入とすると、 に （ｎ：第２層６０２の屈折率） であるのが望ましい。

本発明に於ては、多層構造の光受容層の微小部分ｌの層
厚内（以後「微小カラム」と称す）に於て、少なくとも
いずれか２つの層界面が非平行な関係にある様に各層の
層厚が微小カラム内に於て制御されるが、この条件を満
足するならば該微小カラム内にいずれか２つの層界面が
平行な関係にあっても良い。

但し、平行な層界面を形成する層は、任意の２つの位置
に於ける層厚の差が 以下である様に全領域に於て均一層厚に形成されるのが
望ましい。

光受容層を構成する第１の層、第２の層各層の形成には
本発明の目的をより効果的且つ容易に達成する為に、層
厚を光学的レベルで正確に制御できることからプラズマ
気相法ＣＰＣＶＤ法）、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法が採用
される。

支持体表面に設けられる凹凸は、Ｖ字形状の切刃を有す
るバイトをフライス盤、旋盤等の切削加工機械の所定位
置に固定し、例えば円筒状支持体を予め所望に従って設
計されたプログラムに従って回転させながら規則的に所
定方向に移動させることにより、支持体表面を正確に切
削加工することで所望の凹凸形状、ピッチ、深さで形成
される。この様な切削加工法によって形成される凹凸が
作り出す逆Ｖ字形線状突起部は１円筒状支持体の中心軸
を中心にした螺旋構造を有する。逆Ｖ字形突起部の螺旋
構造は、二重、三重、多Ｍ螺旋構造、又は交叉螺旋構造
とされても差支えない。

或いは、ｔ１旋構造に加えて中心軸に沿った直線構造を
導入しても良い。

支持体表面に設けられる凹凸の凸部の縦断面形状は形成
される各層の微小カラム内に於ける層厚の管理された不
均一化と、支持体と該支持体上に直接設けられる層との
間の良好な密着性や所望の電気的接触性を確保する為に
逆Ｖ字形とされるが、好ましくは第９図に示される様に
実質的に二等辺三角形、直角三角形成いは不等辺三角形
とされるのが望ましい、これ等の形状の中殊に二等辺三
角形、直角三角形が望ましい。

本発明に於ては、管理された状態で支持体表面に設けら
れる凹凸の各ディメンジョンは、以下の点を考慮した上
で、本発明の目的を結果的に達成出来る様に設定される
。

即ち、第１は光受容層を構成するａ−８ｉＮは。

層形成される表面の状態に構造敏感であって１表面状態
に応じて層品質は大きく変化する。

従って、　　ａ−９ｉＭの層品質の低下を招来しない様
に支持体表面に設けられる凹凸のディメンジョンを設定
する必要がある。

第２には光受容層の自由表面にａｉ端な凹凸があると４
画像形成後のクリーニングに於てクリーニングを完全に
行なうことが出来なくなる。

また、ブレードクリーニングを行う場合、プレートのい
たみが早くなるという問題がある。

上記した層堆積上の問題点、電子写真法のプロセス上の
問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を検討した結果、
支持体表面の！ＬＪのピッチは、好ましくは５００ｕ”
　０．３ｕ　、より好ましくは２００−〜Ｉｕ、最適に
は５０−〜５ｕであるのが望ましい。

又、凹部の最大の深さは、好ましくは０．１μ〜５μ、
より好ましくは０．３ｕ〜３ｕ、最適には０．８−〜２
μとされるのが望ましい、支持体表面の凹部のピッチと
最大深さが上記の範囲にある場合、凹部（又は線上突起
部）の［１面の傾さは。

好ましくは１度〜２０度、より好ましくは３度〜１５度
、最適には４度〜１０度とされるのが望ましい。

又、この様な支持体上に堆積される各層の層厚の不均一
性に基く層厚差の最大は、同一ピッチ内で好ましくは０
．１ｕ〜２ｕ、より好ましくは０．１ｕ〜　１．５ｇ、
最適には０．２．Ｎ１−とされるのが望ましい。

さらに本発明の光受容部材における光受容層はシリコン
原子とゲルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成され
た第１の層とシリコン原子を含む非晶質材料で構成され
、光導電性を示す第２の層とシリコン原子と炭素原子と
を含む非晶質材料からなる第３の暦とが支持体側より順
に設けられた多層構成となっており、優れた電気的、光
学的、光導電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を
示す。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
１画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ハーフトーンが群明に出て、且つ解像度の高い、高品
質の画像を安定して繰返し得ることができる。

更に１本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ光
応答が速い。

本発明の光受容部材において、第２の層上に設けられる
シリコン原子と炭素原子を含む非晶質材料からなる表面
層には１機械的耐久性に対する保護層としてのｍき、お
よび、光学的には１反射防止層としての働きを主に荷わ
せることが出来る。

上記表面層は１次の条件を満たす時、反射防止層として
の機能を果すのに適している。

即ち１表面層の屈折率ｎ１層厚をｄ、入射光の波長を入
とすると。

の時、又は、その奇数倍のとき１表面層は１反射防止層
として適している。

又、第２の暦の屈折率をｎ篭とした場合、表面層の屈折
率ｎが、 ｎ；屓 す時１表面層は１反射防止層として最適である。

ａ−９ｉ：Ｒを第２の暦として用いる場合、ａ−９ｉ：
Ｈの屈折率は、約３．３であるので、表面層としては、
屈折率１．８２の材料が適している。

ａ−！ＪｉＣ：Ｈは、Ｃの量を調整することにより、こ
のような値の屈折率とすることが出来、かつ、機械的耐
久性、居間の密着性、及び電気的特性も十分に満足させ
ることが出来るので１表面層の材料としては最適なもの
である。

また表面層を、反射防止層としての役割に重点を置く場
合には１表面層の層厚としては、’　０．０５〜２ｕと
されるのがより望ましい。

以下、図面に従って、本発明の光受容部材に就いて詳細
に説明する。

第１０図は、本発明の実施態様例の光受容部材の層構成
を説明するために模式的に示した模式的構成図である。

第１０図に示す光受容部材！００４は、光受容部材用と
しての支持体１００！の上に、光受容層１０００を有し
４該光受容Ｍ１０００は自由表面１００５を一方の端面
に有している。

光受容層１０００は支持体１００１側よりゲルマニウム
原子と、必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン原子
（Ｘ）とを含有するａ−９ｉ（以後ｒａ−９ｉＧｅ　（
Ｈ、Ｘ）　Ｊと略記する）で構成された第１の層（Ｇ）
　１００２と、必要に応じて水素原子又は／及びハロゲ
ン原子（Ｘ）とを含有するａ−９ｉ（以後ｒａ−５ｉ　
（Ｈ、Ｘ）　Ｊと略記する）で構成され、光導電性を有
する第２の層（Ｓ）　１００３と、シリコン原子と炭素
原子とを含む非晶質材料からなる表面層ｔｏ　ｏ　ｅと
が順に積層された層構造を有する。

第１０図に示される光受容部材１００４においては。

第２の層１００３上に形成される表面＠ｔｏｏｅは、自
由表面を有し、主に耐温性、連続繰返し使用特性。

電気的耐圧性、ａ械的耐久性、光受容特性において１本
発明の目的を達成する為ら設けられる。

本発明に於ける表面層１００８は、シリコン原子（Ｓｉ
）と炭素原子（Ｃ）と、必要に応じて水素原子（）Ｉ）
及び／又はハロゲン原子ＣＸ）とを含む非晶質材料（以
後、ｒａ−（ＳｉｇＣｔ−ｘ）ｙ（ＨｌＸ）ｔ−ｙ　Ｊ
と記す、但し、　Ｑ　＜　ｘ、　　ｙ＜−１）で構成さ
れる。

ａ−（Ｓｉｘ　Ｃｔ　−Ｘ　）ｙ　（Ｈ，Ｘ）　ｔ−ｙ
で構成される表面層１００Ｂの形成はグロー放電法のよ
うなプラズマ気相法（ＰＣＶＤ法）、アロ１．’ｉｔ光
ＣＶＯ法、熱ＣＶＤ法。

スパッタリング法、エレクトロンビーム法等によって成
される。これ等の製造法は、製造条件。

設備資本投下の負荷程゛度、製造規模、作製される光導
電部材に所望される特性等の要因によって適宜選択され
て採用されるが、所望する特性を有する光導電部材を製
造するための作製条件の制御が比較的容易である。シリ
コン原子と共に炭ｌ１Ｍ子及びハロゲン原子を１作製す
る表面層１００Ｂ中に導入するのが容易に行える等の利
点から、グロー放電法或いはスパッタリング法が好適に
採用される。

更に１本発明に於いては、グロー放電法とスパッタリン
グ法とを同一装置系内で併用して表面７１１００１１形
成してもよい。

グロー放電法によって表面層ｔｏｏｅを形成するには、
　ａ−（Ｓｉｌｌｃ１＋ｌｌ　）ｙ　（Ｈ，Ｘ）ｔ−ｙ
形成用の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスと所定量の
混合比で混合して、支持体の設置しである堆積室に導入
し、導入されたガスをグロー放電衛生起させることによ
りガスプラズマ化して、前記支持体に既に形成されであ
る第１から第２の層上にａ−（ＳｌｘＣｔ−ｘ）ｙ　（
Ｈｌり　トｙを堆積させれば良い。

本発明に於いて、　ａ−（ＳｉｘＣ＋−ｘ）ｙ（）１．
　Ｘ）＋−ｙ　形ｄｔ用の原料ガスとしては、シリコン
原子（Ｓｉ）、　炭［原子（Ｃ）、水素原子（１１）及
びハロゲン原子（Ｘ）の中の少なくとも一つをその構成
原子として含有するガス状の物質又はガス化し得る物質
をガス化したものの中の大概のものが使用され得る。

Ｓｉ、　Ｃ、）ｌ、　Ｘ　ｃＦ）中（Ｆ）　−”）トＬ
テＳｉを構）＆原子とする原料ガスを使用する場合には
、＠えば、ｓｉを構成原子とする原料ガスと、Ｃを構成
原子とする原料ガスと、必要に応じてＨをｍｌ＆原子と
する原料ガス及び／又はＸを構Ｉ＆原子とする原料ガス
とを所望の混合比で混合して使用するか、又はＳｉを構
成原子とする原料ガスと、Ｃ及びＨを構成原子とする原
料ガス及び／又はＣ及びＸを構！＆原子とする原料ガス
とを、これも又、所望の混合比で混合するか、或いは、
Ｓｉを構ｄｔ原子とする原料ガスと、Ｓｒ、　Ｃおよび
Ｈの３つを構成原子とする原料ガス又はＳｉ、　Ｃおよ
びＸの３つを構成原子とする原料ガスとを混合して使用
することができる。

又、別には、ＳｉとＨとを構成原子とする原料ガスに、
Ｃを構成原子とする原料ガスを混合して使用しても良い
し、ＳｉとＸとを構成原子とする原料ガスにＣを構成原
子とする原料ガスを混合して使用してもよい。

本発明に於いて１表面７３１００１１中に含有されるハ
ロゲン原子（Ｘ）として好適なものは、Ｆ、α。

Ｂｒ、　１であり、殊にＦ、αが望ましいものである。

本発明に於いて、表面７１１００Ｂを形成するのに有効
に使用される原料ガスと成り得るものとしては、常温常
圧に於いてガス状態のもの又は容易にガス化し得る物質
を挙げることができる。

本発明に於いて９表面Ｊｉｉ’　１００１１形成用の原
料ガスとして有効に使用されるのは、ＳｉンＨとを構Ｉ
Ｉｔ原子トｔ　ａＳｉ＆、　５ｒｚＨｓ　、　５ｉａＨ
ｓ　、　ＳＩＪ皇＠等ＣＶシテン（Ｓ　ｉ　１ａｎｅ）
類等の水素化硅素ガス、ＣとＨとを構成原子とする１例
えば炭素原子数１〜４の飽和度化水素、炭素数２〜４の
エチレン系炭化水素、炭素数２〜３のアセチレン系炭化
水素、ハロゲン単体、ハロゲン化水素、ハロゲン間化合
物、ハロゲン化硅素、ハロゲン置換水素化硅素、水素化
硅素等を挙げることができる。

具体的には、飽和炭化水素としては、メタン（ＣＨ，＞
、工１　ン（Ｃ２）１ｓ）　−プロパ７ＣＣ，Ｈ，）　
。

ｎ−ブタ７　（ｎ−ＣＪｉｏ）　、ペンタン（ＧｓＨｔ
ｚ）　、ｘチレン系炭化水素としては、エチレン（ｃ２
Ｈ４）　、プロピレン（ちＨも）、ブテン−１（ＣＪｓ
　）　、ブテン−２（ＣＪａ　）　、　インブチレン（
ＣｎＨｅ　）　、ペンテン（ＣｓＨ＋ｏ）　、アセチレ
ン系炭化水素としては、アセチレン（０２Ｈ２）、メチ
ルアセチレン（０３Ｈａ）、ブチン（Ｃａ）Ｉ６）　、
ハロゲン単体としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素の
ハロゲンガス、ハロゲン化水素としては、ＦＨ，ＨＩ、
　　ＩＩα、　ＨＢｒ　、ハロゲン間化合物としては、
　ＢｒＦ　、αＦ、αＦ３．αＦＳ、ＢｒＦ５、ＥｒＦ
３．　ＩＦ７　、　　ＩＦ５．ｔａ、　ＩＢｒ　、　ハ
ロゲン化硅素としてはＳｉＦ４．　Ｓｉ２Ｆ６　、　Ｓ
ｉα３Ｂｒ　、　Ｓｉα２８　ｒ２　。

Ｓ１αＢｒ３　、５ｉＣ１３１ＳｉＢｒ４　、　ハロゲ
ン置換水素化硅ａｌｌ　トＬ　テｌｌ　５ｉＨｚＦｚ、
　５ｉＨｚＧ２．、　５ｒＨｃｔ、　。

ＳｉＨ３α、５ｉＨ３Ｂｒ、　５ｉＨ２Ｂｒ２　、５ｉ
）ＩＢｒ３水素化硅素としては、５ｉＨａ、５ｉ２Ｈ，
、５ｉ３Ｈ＠　、　５ｉａＨ，。等のシラン（Ｓｉｌａ
ｆｉ＠）類１等々を挙げることができる。

これ等の他に、　ＣＦａ、Ｃα４　、　ＣＢｒ４．　Ｃ
ＨＦ３、ＣＨ２Ｆ、　、　ＣＩ＋／、ＣＨ３Ｃｊ　、　
Ｃ）Ｉ３Ｂｒ　、　Ｃ１４３１，ｃ２ＨｓＣ１等のハロ
ゲン置換パラフィン系炭化水素、　ＳＦ４　。

ＳＦ、等のフッ素化硫黄化合物；　５ｉ（ＣＨａ）＊　
。

５ｉ（Ｃ２Ｈｓ）ｎ等のケイ化アルキルやＳｉＣ（＋ｌ
：Ｈｓｈ。

Ｓｉα２（ＣＨ３）２　、　Ｓｉα３ＣＨ３等のハロゲ
ン含有ケイ化アルキル等のシラン誘導体も有効なものと
して挙げることができる。

これ等の表面層１００Ｂ形成物質は、形成される表面ｆ
ｉ　１００ｅ中に、所定の組成比でシリコン原子、炭素
原子及びハロゲン原子と必要に応じて水素原子が含有さ
れる様に、表面層１００６の形成の際に所望に従って選
択されて使用される。

例えば、シリコン原子と炭＊原子と水素原子との含有が
容易に成し得て、且つ所望の特性の層が形成され得る５
ｉ（ＣＨ３）＊と、ハロゲン原子を含有さセルモ＋７）
　トシテｆ）　５ｉＨＣ１３、５ｉ）ｌｚｃｉ２　、　
！１ｌ（ｊ　４或いは、ＳｉＨ３α等を所定の混合比に
してガス状態で表面！１００Ｂ形成用のａｍ内に導入し
てグロー放電を生起させることによッテａ−（ＳｉｘＣ
ｔ−ｘ）ｙ　（ａ　＋Ｈ）１−１から成る表面Ｍ！！ｔ
ｏｏｅを形成することができる。

スパッタリング法によって表面Ｍ　１００１１を形成す
るには、単結晶又は多結晶のＳｉウェーハー又はＣウェ
ーハーあるいはＳｉとＣが混合されて含有されているウ
ェーハーをターゲットとして、これらを必要に応じてハ
ロゲン原子又は／及び水素原子を構成要素として含む種
々のガス雰囲気中でスパッタリングすることによって行
えばよい。

例えば、Ｓｉウェーハーをターゲットとして使用すれば
、Ｃと、Ｈ及び／又はＸを導入するための原料ガスを、
必要に応じて稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入
し、これらのガスのガスプラズマを１成して前記Ｓｉウ
ェーハーをスパッタリングすれば良い。

また、別法としては、ＳｉとＣとは別々のターゲットと
して、又はＳｉとＣの混合した一枚のターゲットを使用
することによって、必要に応じて水素原子又は／及びハ
ロゲン原子を含有するガス雰囲気中でスパッタリングす
ることによって成される。Ｃ，Ｈ及びＸの導入用の原料
ガスとなる物質としては、先述したグロー放電の例で示
した表面層１００８形成用の物質がスパッタリング法の
場合にも有効な物質としで使用され得る。

本発明に於いて１表面！１００８をグロー放電法又はス
パッタリング法で形成する際に使用される稀釈ガスとし
ては、所謂・希ガス、例えばＨｅ、　Ｍｅ。

ｋｒ等が好適なものとして挙げることができる。

本発明に於ける表面層１００’８は、その要求される特
性が所望通りに与えられる様に注意深く形成される。

即ち、Ｓｉ、　Ｃ、必要に応じてＨ又は／及びＸを構成
原子とする物質は、その作成条件によって構造的には結
晶からアモルファスまでの形態を取り、電気物性的には
、導電性から半導体性、絶縁性までの間の性質を、又光
導電的性質から非光導電的性質を各々示すので本発明に
おいては、目的に応じた所望の特性を有する＆−Ｃｊｌ
ｘ　ＣＬ　−Ｘ　）Ｗ　（Ｉｌ、　Ｘ）ドアが形成され
る様に、所望に従ってその作成条件の選択が厳密に威さ
れる０例えば１表面！１００Ｂを電気的耐圧性の向上を
主な目的として設ける場合には、ａ−（Ｓｉｘ　Ｃ＋　
−＊　）ｙ　（ＨｌＸ）　ｔ−ｖは使用ＪＥＩ境に於い
て電気絶縁性的挙動の顕著な非晶質材料として作成され
る。

又、連続繰返し使用特性や使用Ｓ境特性の向上を主たる
目的として表面Ｍ１００８が設けられる場合には上記の
電気絶縁性の度合はある程度緩和され、照射される光に
対しである程度の感度を有する非晶質材料としテａ−（
Ｓｉ＋ｃＣ＋−＊）ｙ（Ｈ，Ｘ）＋−ｙが作成される。

第２の層１００３の表面上にａ−（ＳｉｘＣ１確）−（
Ｈ，Ｘ）　ｔ−ｙから成る表面層ｔｏｏｅを形成する際
、層形成中の支持体温度は、形成される層の構造及び特
性を左右する重要な因子の一つであって１本発明におい
ては、目的とする特性を有するａ−（Ｓｉｘ　Ｃ１−Ｘ
　）ｙ　（Ｈ，Ｘ）　ｔ−ｖが所望通りに作成され得る
様に暦作成時の支持体温度が厳密に制御されるのが望ま
しい。

未発明に於ける、所望の目的が効果的に達成されるため
の表面＠　１ｏｏｅの形成法に併せて適宜最適範囲が選
択されて１表面層１００ｍの形成が実行されるが、好ま
しくは２０〜４００℃より好適には５０〜３５０℃、最
適には１００〜３００℃とされるのが望ましいものであ
る０表面層１００Ｂの形成には、暦を構成する原子の組
成比の微妙な制御が他の方法に比べて比較的古島である
本等のために、グロー放電法やスパッタリング法の採用
が有利であるが、これ等の層形成法で表面７！！　１０
０８を形成する場合には、前記の支持体温度と同様に層
形成の際の放電パワーが作成されるａ−（Ｓｉ＋＋　ｃ
、　−１１）ｙ　（Ｈ，Ｘ）　ｒ−ｙの特性を左右する
重要な因子の一つである。

本発明に於ける目的が効果的に達成されるための特性を
有するａ−（ＳｉｘＣｔ−ｘ）ｙ　（ＨｌＸ）ｔ−ｙが
生産性良く効果的に作成されるための放電パワー条件と
しては、好ましくは１０〜ｔｏｏｏｗ　、より好適には
２０〜７５０Ｗ、最適には５０〜ｓｓｏｗとされるのが
望ましいものである。

堆積室内のガス圧としては、好ましくは０．０１〜Ｉ　
Ｔａｒｒ、好適には、０．１−０−５Ｔｏｒｒ程度とさ
れるのが望ましい。

本発明に於いては表面層１００８を作成するための支持
体温度、放電パワーの望ましい数値範囲として前記した
範囲の債が挙げられるが、これ等の層作成ファクターは
、独立的に別々に決められるものでなく、所望特性のａ
−（９ｉｘ　ｃ、　−ＩＩ　）ｙ　（）１．Ｘ）　Ｉ−
ｙかも成る表面層１８０８が形成されるように相互的有
機的関連性に基づいて各層作成ファクターの最適値が決
められるのが望ましい。

本発明の光導電部材に於ける表面層１００８に含有され
る炭素原子の量は１表面層１００ｅの作成条件と同様、
本発明の目的を達成する所望の特性が得られる表面層１
００Ｂが形成される重要な因子の一つである。

本発明に於ける表面層１００８に含有される炭素°原子
の量は、表面層１００Ｂを構成する非晶質材料の種類及
びその特性に応じて適宜所望に応じて決められるもので
ある。

即ち、前記一般弐ａ−（Ｓｉｗ　Ｃｓ　−ｘ　）ｙ　（
Ｈ，Ｘ）　ｓ−ｙで示される非晶質材料は、大別すると
、シリコン原子と炭素原子とで構成される非晶質材料（
以後。

ｒａ−９ｉａＣｘ−ａ　Ｊと記す、但し、Ｏ＜　ａ＜　
１）、　シリコン原子と炭素原子と水素原子とで構成さ
れる非晶質材料（以後、’１ｌ−（ＪｉｂＣｔ−ｂ）ｅ
）Ｉｔ−ａＪと記す、但し、　０　＜　ｂ、　ｃ＜　１
）　、シリコン原子と炭Ｎ原子とハロゲン原子と必要に
応じて水素原子とで構成される非晶質材料（以後、　　
ｒａ−（ＳｉｉＣｔ−ａ）ｓ（ｎ、　Ｘ）＋−＊　Ｊと
記す、但し、０　（ｄ、　ｅ　＜　１）に分類される。

本発明に於いて、表面ｆｉ　１００＋１がａ−５ｔ＠Ｃ
ｌ＋　１１　テ構成される場合、表面層１００８に含有
される炭素原子の量は、好ましくは、　Ｉ　Ｘ１０＝　
〜９０ａｔａｍｉｃ％。

より好適には１〜８０ａｔｏｍｉｃ％、最適にはｌＯ〜
７５ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましいものである。

！＋ｌち、先のａ−８ｉａＣｓ−ａのａの表示で行えば
、ａが好ましくは０．１〜ｏｔｓｓｓｓｓ、より好適に
は０．２〜Ｏ，ＳＳ、最適には０．２５〜０．１１Ｃ’
ある。

一方、本発明に於いて１表面層ｔｏｏｅがａ−（Ｓｉ、
Ｃ１−ｂ　）ａ　）Ｉｔ−ｅで構成される場合１表面層
１００Ｂに含有される炭素原子の量は、好ましくはｔｘ
ｔｏ’〜８０ａｔｏ＠ｉｃ％とされ、より好ましくはｌ
Ｎ９０ａｔｏｍｉｃ％、最適には１０〜８０ａｔｏａｉ
ｃ％とされるのが望ましいものである。水素原子の含有
量としては、好ましくは１〜４０ａｔｏａ＋ｃ％、より
好ましくは２〜３５ａｔｏ層ｉｃ％、最適には５〜３０
ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましく、これ等の範囲に
水素含有量がある場合に形成される光受容部材は、実際
面に於いて優れたものとして充分適用させ得る。

即ち、先の−Ｃ５ｌｈＣｓ−ｈ）ｅＨ＊−０の表示で行
えば。

ｂが好ましくは０．１〜ｏ、５ｅａｅｓ、より好適には
０．１〜０．９＋１．最適には０．１５〜Ｇ、１３、Ｃ
が好ましくは０．６〜Ｇ、９１１．より好適には０．８
５〜０．１１８．最適には０．７〜０．８５であるのが
望ましい。

表面層１００Ｂが、　ａ−（ＳｉｘＣｔ−ａ）＊（Ｈ，
Ｘ）＋−＠　テ構成される場合には、表面層１００Ｂ中
に含有される炭素原子の含有量としては、好ましくは、
　ＩＸＩＧ’〜９０ａｔｏｍｉｃ％、より好適には１〜
８０ａｔｏ＊ｉｃ％、最適には１０〜８０ａｔｏ■ｉｃ
％とされるのが望ましいものである。ハロゲン原子の含
有量としては、好ましくは、　１〜２０ａｔｏｍｉｃ％
とされるのが望ましく、これ等の範囲にハロゲン原子含
有量がある場合に作成される光受容部材を実際面に充分
適用させ得るものである。必要に応じて含有される水素
原子の含有量としては、好ましくは１ｉｌａｔｏ■ｉｃ
％以下、より好適には＋３ａｔｏ■ｉｃ％以下とされる
のが望ましいものである。

即ち、先のａ−（Ｓｉ４Ｃｔ−ｉ）ｅ（Ｈ，Ｘ）ｓ−ｓ
のｄ、　ｅの表示で行えば、すが好ましくは、０．１〜
ｏ、５ｓｓｓｓより好適には０．１〜０．９Ｂ、最適に
は０．１５〜０．８、ｅが好ましくは０．８〜０．８８
、より好適には０．８２〜０．３９、最適には０．８５
〜０．８８であるのが望ましい。

本発明に於ける表面層１００Ｂの層厚の数値範囲は１本
発明の目的を効果的に達成するための重要な因子の一つ
である。

本発明の目的を効果的に達成する様に、所期の目的に応
じて適宜所望に従って決められる。

又１表面層１００８の層厚は、該層中に含有される炭素
原子の量や第１から第２の層の層厚との関係に於いても
、各々の暦に要求される特性に応じた有機的な関連性の
下に所望に従って適宜決定される必要がある。

更に加え得るに、生産性や量産性を加味した経済性の点
においても考慮されるのが望ましい。

本発明に於ける表面Ｐｊ１００Ｂの層厚としては、好ま
しくは０．００３〜３０ｕ、より好適には０．００４〜
２０ｕ、最適にはｏ、ｏｏｓ〜ＩＯμｓとされるのが望
ましいものである。

本発明の光受容部材１００４に於いては、少なくとも第
１の層（Ｇ　）　１００２又は／及び第２のＮＣ３）１
００３に伝導特性を支配する物質（Ｃ）が含有されてお
り、該物質（Ｃ）が含有される層に所望の伝導特性が与
えられている。

本発明に於いては、第１のＭ　（Ｇ）　１００２又は／
及び第２の層（Ｓ）１００３に含有される伝導特性を支
配する物質（Ｃ）は、物質（Ｃ）が含有される層の全層
領域に万遍なく均一に含有されても良く、物質（Ｃ）が
含有される層の一部の層領域に偏在する様に含有されて
も良い。

本発明に於いて伝導特性を支配する物質（Ｃ）を第１の
層ＣＧ）の一部の層領域に偏在する様に第１の層（Ｇ）
中に含有させる場合には、前記物質（Ｃ）の含有される
層領域（ＰＮ）は、第１の層（Ｇ）の端部層領域として
設けられるのが望ましい、殊に、第１のＭ　ＣＧ）の支
持体側の端部層領域として前記層領域（ＰＮ）が設けら
れる場合には、該層領域（ＰＮ）中に含有される前記物
質（Ｃ）の種類及びその含有量を所望に応じて適宜選択
することによって支持体から第２のＷ　（Ｓ）中への特
定の極性の電荷の注入を効果的に阻止することが出来る
。

本発明の光受容部材に於いては、伝導特性を制御するこ
との出来る物質（Ｃ）を、光受容層の一部°を構成する
第１の層ＣＧ）中に、前記したように該！　（Ｇ）の全
域に万遍なく、或いは層厚方向に偏在する様に含有させ
るのが好ましいものであるが、更には、第１のＭ　（Ｇ
）に加えて第１の層（Ｇ）上に設けられる第２の層（Ｓ
）中にも前記物質（Ｃ）を含有させても良い。

又、別の好適な実施態様例に於いては前記物質（Ｃ）は
、第１のＦＦ　（Ｇ）には含有させずに、！４２の層（
Ｓ）のみ含有される。

この場合、前記物質（Ｃ）は、第２の層（Ｓ）の全層領
域に万遍なく含有させても良いし、或いは、第２のＭ　
（Ｓ）の一部の層領域のみに含有させて偏在させても良
い、偏在させる場合には、第２のＰＩ！１（Ｓ）の第１
の暦（Ｇ）側の端部層領域に含有させるのが好ましく、
この場合には、前記物質（Ｃ）の種類及びその含＃Ｉ量
を適宜選択することで支持体側から第２の層（Ｓ）への
特定の極性の電荷の注入を結果的に阻止することが出来
る。

第２のＭ　（Ｓ）中に前記物質（Ｃ）を含有させる場合
には、第１の層（Ｇ）中に含有される前記物質（Ｃ）の
種類やその含有量及びその含有の仕方は、その都度所望
に応じて適宜状められる。

本発明に於いては、！ｓ２の層（Ｓ）中に前記物質（Ｃ
）を含有させる場合、好ましくは、少なくとも第１の層
（Ｇ）との接触界面を含む層領域中に前記物質（Ｃ）を
含有させるのが望ましい。

第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）の両方に伝導特性を支
配する物質ＣＣ）を含有させる場合、第１の層（Ｇ）に
於ける前記物質（Ｃ）が含有されている層領域と、第２
の層（Ｓ）に於ける前記物質（Ｃ）が含有されている層
領域とが、互いに接触する様に設けるのが望ましい、・ 又、第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）とに含有される前
記物質（Ｃ）は、第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）とに
於いて同種類でも異種類であっても良く、又、その含有
量は各層に於いて、同じでも異っていても良い。

丙午ら１本発明に於いては、各層に含有される前記物質
（Ｃ）が両者に於いて同種類である場合には、第１のＭ
　（Ｇ）中の含有量を充分多くするか、又は、電気的特
性の異なる種類の物質（Ｃ）を所望の各層に、夫々含有
させるのが好ましい。

本発明に於いては、少なくとも光受容層を構成する第１
の層（Ｇ）又は／及び第２の層（Ｓ）の中に、伝導特性
を支配する物質（Ｃ）を含有させることにより、該物質
（Ｃ）の含有される層領域〔第１のＭ　（Ｇ）又は第２
の層（Ｓ）の一部又は全部の層領域のいずれでも良い〕
の伝導特性を所望に従って任意に制御することが出来る
ものであるが、この様な物質（Ｃ）としては、所謂、半
導体分野で云われる不純物を挙げることが出来１本発明
に於いては、形成される光受容層を構成するａ−９ｉ　
（Ｈ、Ｘ）又は／及びａ−”５ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）に対し
て、ｐ型伝導特性を与えるｐｙｉ１不純物及びｎ型伝導
特性を与えるｎ型不純物を挙げることが出来る。

具体的には％ｐ！！！不純物としては周期律表第■族に
属する原子（第■族原子）１例えば、Ｂ（硼素）、Ａｊ
（アルミニウム）　、　Ｇａ　（ガリウム）、Ｉｎ（イ
ンジウム）、Ｔｌ（タリウム）等があり、殊に好適に用
いられるのは、Ｂ、Ｇａである。

ｎ型不純物としては１周期律表第Ｖ族に属する原子（第
Ｖ族原子）１例えば、Ｐ（燐）、Ａｓ（砒素）、５ｂ（
７ンチモン）、Ｂｉ（ビスマス）等であり、殊に、好適
に用いられるのは。

Ｐ、Ａｓである。

本発明に於いて、伝導特性を制御する物質（Ｃ）が含有
される層領域（ＰＮ）に於けるその含有量は、該層領域
（ＰＮ）に要求される伝導性、或いは、該層領域（ＰＮ
）が支持体に直に接触して設けられる場合には、その支
持体との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連
性に於いて、適宜選択することが出来る。

又、前記層領域（ＰＮ）に直に接触して設けられる他の
層領域や、該他の層領域との接触界面の於ける特性との
関係も考慮されて、伝導特性を制御する物質（Ｃ）の含
有量が適宜選択される。

本発明に於いて１Ｍ領域（ＰＮ）中に含有される伝導特
性を制御する物質（Ｃ）の含有量としては、好ましくは
０．０１〜５ＸＩＱ’　　ａｔｏｍｉｃ　ｐＨ１１、よ
り好適には０．５〜ｌ　Ｘ　１０’　　ａｔｏｍｉｃ　
ｐｐｍ　、最適には、　　１〜５　Ｘ　１０３ａｔｏｓ
ｉｃ　ｐｐｍとされるのが望ましい。

本発明に於いて、伝導特性を支配する物質（Ｃ）が含有
される層領域（ＰＮ）に於ける該物質（Ｃ）の含有量を
、好ましくは３０　ａｔｏ麿ｔｃ　ｐｐｍ以上、より好
適には５０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、最適にはｒｏ
ｏ　ａｔｏｓｔｃ　ｐｐｍ以上とすることによって、例
えば該含有させる物質（Ｃ）が前記のｐ型不純物の場合
には、光受容層の自由表面がΦ極性に帯電処理を受けた
際に支持体側からの光受容層中への電子の注入を効果的
に阻止することが出来、又。

前記含有させる物質（Ｃ）が前記のｎ５！！不純物の場
合には、光受容層の自由表面が０極性に帯電処理を受け
た際に支持体側から光受容層中への正札の注入を効果的
に阻止することが出来る。

上記の様な場合には、前述した様に、前記層領域（ＰＮ
）を除いた部分の層領域（Ｚ）には１層領域（ＰＮ）に
含有される伝導特性を支配する物質の伝導型の極性とは
別の伝導型の極性の伝導特性を支配する物質（Ｃ）を含
有させても良いし、或いは、同極性の伝導型を有する伝
導特性を支配する物質を層領域（ＰＮ）に含有させる実
際の量よりも一段と少ない量にして含有させても良いも
のである。

この様な場合、前記層領域（Ｚ）中に含有される前記伝
導特性を支配する物質の含有量としては、層領域（Ｐ　
Ｎ）に含有される前記物質＜Ｃ＞の極性や含有量に応じ
て所望に従って適宜決定されるもにであるが、好ましく
は、　　ｏ、ｏｏｔ〜１００１０００ａｔｏ　ｐｐｍ　
、より好適には０．０５〜５００　ａｔｏｍｉｃｐｐｍ
　、最適には０．１〜２００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍと
されるのが望ましい。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）及び層領域（Ｚ）に同
種の伝導性を支配する物質（Ｃ）を含有させる場合には
、層領域（Ｚ）に於ける含有量としては、好ましくは３
０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以下とするのが望ましい。

本発明に於いては、光受容層に、一方の極性の伝導型を
有する伝導性を支配する物質を含有させた層領域と、他
方の極性の伝導型を有する伝導性を支配する物質を含有
させた層領域とを直に接触する様に設けて、該接触領域
に所謂空乏層を設けることも出来る。

詰り１例えば、光受容層中に、前記のｐ型不純物を含有
する層領域と前記のｎ型不純物を含有する層領域とを直
に接触する様に設けて所謂ｐ−ｎ接合を形成して、空乏
層を設けることが出来る。

第１のＷ（Ｇ）　１００２中に含有されるゲルマニウム
原子は、該第１の暦（Ｇ）　１００２の層厚方向及び支
持体の表面と平行な面内方向に連続的であつて、且つ均
一な分布状態となる様に前記第１の層（Ｇ）１００２中
に含有される。

本発明に於いては、第１の７１　（Ｇ）上に設けられる
第２のＷ　（Ｓ）中には、ゲルマニウム原子は含有され
ておらず、この様な層構造に光受容層を形成することに
よって、可視光領域をふくむ比較的短波長から比較的長
波長連の全領域の波長の光に対して光感度が優れている
光受容部材として得るものである。

又、第１の層（Ｇ）中、に於けるゲルマニウム原子の分
布状態は全層領域にゲルマニウム原子が連続的に分布し
ているので、半導体レーザ等を使用した場合の、第２の
層（Ｓ）では殆ど吸収しきれない長波長側の光を第１の
層ＣＧ）に於いて、実質的に完全に吸収することが出来
、支持体面からの反射による干渉を防止することが出来
る。

又、本発明の光受容部材に於いては、第１の層（Ｇ）と
第２の暦（Ｓ）とを構成する非晶質材料の夫々がシリコ
ン原子という共通の構成要素を有しているので積゛層界
面に於いて化学的な安定性の確保が充分酸されている。

本発明において、第１のＷｊｌ）中に含有されるゲルマ
ニウム原子の含有量としては１本発明の目的が効果的に
達成される様に所望に従って適宜法められるが、好まし
くは１〜９．５Ｘ、１０Ｓ１０５ａｔｏ　ＰＰ＋１　、
より好ましくは１００〜８Ｘ１０’ａｔｏｓｉｃ　ＰＰ
−とされるのが望ましい。

本発明に於いて第１のＷ　（Ｇ）と第２の層（Ｓ）との
層厚は１本発明の目的を効果的に達成させる為の重要な
因子の１つであるので形成される光受容部材に所望の特
性が充分与えられる様に、光受容部材の設計の際に充分
なる注意が払われる必要がある。

本発明に於いて、第１のＪｌ　（Ｇ）の層厚丁ａは、好
ましくは３０Ａ〜５０ａ、より好ましくは、４０Ａ〜４
０ｐ、最適には、５０Ａ〜３０ＩＬとされるのが望まし
い。

又、第２の！！！、ＣＦ）の層厚Ｔは、好ましくは０．
５〜３０＃Ｌ、より好ましくは１〜８０勝最適には２〜
５０鉢とされるのが望ましい。

第１の暦（Ｇ）の層厚τＢと第２の層（Ｓ）の層厚Ｔの
和（Ｔ、＋Ｔ）としては、両層領域に要求される特性と
光受容層全体に要求される特性との相互間の有機的関連
性に基いて、光受容部材の層設針の際に所望に従って、
適宜決定される。

本発明の光受容部材に於いては、上記の（Ｔ１十Ｔ〕の
数値範囲としては、好ましくはｔＮｔｏ。

鉢、より好適には１〜８０μ、ａ適には２〜５０８Ｌと
されるのが望ましい。

本発明のより好ましい実施態様例に於いては。

上記の層厚Ｔ、及び層厚Ｔとしては、好ましくはＴ、　
／　Ｔ≦１なる関係を満足する際に、夫々に対して適宜
適切な数値が選択されるのが望ましい。

上記の場合に於ける層厚Ｔ＠及び層厚Ｔの数値の選択に
於いて、より好ましくは、丁Ｉ／Ｔ≦０．９．最適には
丁ｌ／Ｔ≦０．８なる関係が満足される様に層厚Ｔｌ及
び層厚Ｔの値が決定されるのが望ましいものである。

本発明に於いて、第１の暦（Ｇ）中に含有されるゲルマ
ニウム原子の含有量がＩ　Ｘ　１０’　　ａｔｏ■ｉｃ
ｐｐｍ以上の場合には、ｌｉｔの暦（Ｇ）の層厚Ｔ、と
じては、可成り薄くされるのが望ましく、好ましくは３
０μ以下、より好ましくは２５鉢以下、最適には２０．
以下とされるのが望ましい。

本発明において、光受容層を構成する第１の層（Ｇ）及
び第２の層（Ｓ）中に必要に応じて含有されるハロゲン
原子（Ｘ）としては、具体的には、フッ素、塩素、臭素
、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好適なものと
して挙げることが出来る。

本発明において、　　ａ　−９ｉｄｅ　（Ｈ，Ｘ）　テ
構成される第１の層（Ｇ）を形成するには例えばグロー
放電法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティン
グ法等の放電現象を利用する真空堆積法によって成され
る０例えば、グロー放電法によって、ａ−ＳｉＧｅ（Ｈ
，Ｘ）で構成される第１の層（Ｇ）を形成するには、基
本的には、シリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給
用の原料ガスとゲルマニウム原子（Ｇｅ）を供給し得る
Ｇｅ供給用の原料ガスと必要に応じて水素原子（Ｈ）導
入様の原料ガス又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の
原料ガスを、内部が減圧にし得る塩８１室内に所望のガ
ス圧状態で導入して、該堆積室内にグロー放電を生起さ
せ、予め所定位置に設置されである所定の支持体表面上
に含有されるゲルマニウム原子の分ｌａ濃度を所望の変
化率曲線に従って制御し乍らａ−ＳｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）か
ら成る層を形成させれば良い、又、スパッタリング法で
形成する場合には。

例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスをベ
ースとした混合ガスの雰囲気中でＳｉで構成されたター
ゲットとＧｅで構成されたターゲットの二枚を使用して
、又はＳｉとＧｅの混合されたターゲットを使用してス
パッタリングする際、必要に応じて水素原子（Ｈ）又は
／及び／Ｘロゲン原子（Ｘ）導入用のガスをスパッタリ
ング用の堆積室に導入してやれば良い。

本発明において使用されるＳｉ供給用の原料ガスと成り
得る物質としては、　Ｓ：Ｈ４，！９ｉ２Ｈ６。

５ｉ３ＨＢ　、　５ｉ４Ｈ１ｏ等のガス状態の又ガス化
し得る水素化硅素（シラン類）が有効に使用されるもの
として挙げられ、殊に１層作虞作業時の取扱い易さ、Ｓ
ｉ供給効率の良さ等の点でＳ　ｌ　）［４１Ｓ　ｉ　２
Ｈ６＋が好ましいものとして挙げられる。

Ｇｅ供給用の原料ガスと成り得る物質としては、　Ｑ＠
Ｈ４，Ｇｅ２Ｈ６、ＧｅｘＨｅ　＊　ＧｅａＨＩｏ、　
Ｇｅ５Ｈｔｚ　１Ｇｅ６Ｈ１４１Ｇｌ！７８　＋６．　
Ｇｅ（ＩＨ１１１１Ｇｅａ　２゜等のガス状Ｒｒｙ＞又
はガス化し得る水素化ゲルマニウムが有効に使用される
ものとして挙げられ、殊に、居作成作業時の取扱い易さ
、Ｇｅ供給効率の良さ等の点で、ＧｅＨ４、Ｇｅ２Ｈ６
、Ｏｆ！３Ｈ１１が好ましいものとして挙げられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
１例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の
又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる
。

又、更には、シリコンｇ４とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化し得る。ハロゲン原子を含
む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明において
は挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素ノハロゲ
ンカス、ＢｒＦ、αＦ、ＣｌＦ３　、　ＢｒＦ５　。

ＢｒＦｉ　、ＩＦ３　、１Ｆ？　、ｒα、　ＩＢｒ等の
ハロゲン間化合物を挙げることが出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えばＳ
ｉＦ４．　Ｓｉ２Ｆ６．　Ｓｉα４　、　ＳｉＢｒ４等
のハロゲン化硅素を好ましいものとして挙げる事が出来
る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光受容部材を形成す
る場合には、Ｇｅ供給用の原料ガスと共にＳｉを供給し
得る原料ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも
、所望の支持体上にハロゲン原子を含むａ−ＳｉＧｅか
ら成る第１の層（Ｃ，）を形成する事が出来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む第１のＭ　
（Ｇ）を作成する場合、基本的には１例えばＳｉ供給用
の原料ガスとなるハロゲン化硅素とＧｅ供給用の原料ガ
スとなる水素化ゲルマニウムとＡｒ、Ｆ２．Ｈｅ等のガ
ス等を所定の混合比とガス流量になる様にして第１の層
ＣＧ）を形成する堆積室に導入し、グロー放電を生起し
てこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成することによっ
て。

所望の支持体上に第１のＭ　（Ｇ）を形成し得るもので
あるが、水素原子の導入割合の制御を一層容易になる様
に計る為にこれ等のガスに更に水素ガス又は水素原子を
含む硅素化合物のガスも所望量混合して層形成しても良
い。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

反応性スパッタリン、グ法或いはイオンブレーティング
法に依ってａ　−３ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ）から成る第１の
層（Ｇ）を形成するには、例えばスパッタリング法の場
合にはＳｉから成るターゲットとＧｅから成るターゲ−
／　）の二枚を、或いはＳＩとＧｅから成るターゲット
を使用して、これを所望のガスプラズマ雰囲気中でスパ
ッタリングし、イオンブレーティング法の場合には１例
えば、多結晶シリコン又１士単結晶シリコンと多結晶ゲ
ルマニウム又は単結晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源とし
て蒸着ボートに収容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或い
はエレクトロンビーム法ＩＢ法）等によって加熱蒸発さ
せ飛翔蒸発物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させ
る番で行う事が出来る。

この際、スパッタリング法、イオンブレーティング法の
何れの場合にも形成される層中にハロゲン原子を導入す
るには、前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子
を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスの
プラズマ雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合辷は、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｆ２．或いは前記したシラン類又は／
及び水素化ゲルマニウム等のガス類をスパッタリング用
の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形成
してやれば良（〜。

未発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の他に、ＨＦ、Ｈα、　ＨＢｒ。

Ｈｌ等のハロゲン化水素、　ＳｉＨ２Ｆ２　＋　ＳｉＨ
２Ｉ２　＊ＳｉＨ２α２　、５ｉＨＣ１３、５ｉＨ２Ｂ
ｒ２　、５ｉＨｆｌｒ３等のハロゲン置換水素化硅素、
及びＧｅ１ｌＦ３　、　ＣＩＩＨ２Ｆ２　、　ＧｅＨ３
Ｆ。

Ｇｅｌα３　　、　　ＧｅＦ２α２　　、　ＧｅＯ２０
，ＧｅＨＢｒ３１ＧｅＨ２Ｂｒ２　、　ＧｓＨ３８ｒ、
　Ｇｅ旧ｓ　＋　ＧｅＦ２１２　、　ＧａＯ２１等の水
素化ハロゲン化ゲルマニウム等の水素原子を構成要素の
１つとするハロゲン化物、　ＧｅＦ４１Ｇｅαａ　、　
ＧｅＢｒ４　、　Ｇｅ１．、　ＧｇＦ２．　Ｇｅα２　
、　ＧｅＢｒ２１ＧｅＩ２等のハロゲン化ゲルマニウム
、等々のガス状態の或いはガス化し得る物質も有効な第
１の層（Ｇ）形成用の出発物質として挙げる事が出来る
。

これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化物は、第
１の層ＣＧ）形成の際に層中にハロゲン原子の導入と同
時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な水素
原子も導入されるのｆ１本発明においては好適なハロゲ
ン導入用のｌＸ料として使用される。

水素原子を第１の層ＣＧ）中に構造的に導入するには、
上記の他にＦ２．或いはＳｉＨ４，５ｉ２Ｈｂ　＊５ｉ
３Ｈｓ　、　５ｉＪｔｏ等の水素化硅素をＧｅを供給す
る為のゲルブニウム又はゲルマニウム化合物と、或いは
、　ＧｅＨ４＊　Ｇｅ２Ｈ６、Ｇｅ３Ｈａ　＋　Ｇｓａ
Ｈｔｏ　＊　Ｇｅ１ｓＨ１２＊Ｇｅ６１（１４、Ｇｓｔ
Ｈｔａ　＋　Ｇｅ６Ｈ１８１ＧｅｇＨ２６等の水素化ゲ
ルマニウムとＳｉを供給する為のシリコン又はシリコン
化合物とを堆積室中に共存させて放電を生起させる事で
も行う事が出来る。

本発明の好ましい例において、形成される光受容層を構
成する第１の暦（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）の
量又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン
原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は、好まし、〈は０．０１〜４
０　ａｔｏｍｉｃ％、より好適には０．０５〜３０　ａ
ｔｏｍｉｃ％、最適には０．１〜２５ａｔｏｍｉｃ％と
されるのが望ましい。

第１の層（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）又は／及
びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには１例えば支持
体温度又は／及び水素原子（Ｈ）、或いはハロゲン原子
（Ｘ）を含有させる為に使用される出発物質の堆積装置
系内へ導入する量、放電々力等を制御してやれば良い。

本発明に於いテ、　ａ　−９ｉ　（Ｈ，Ｘ）　Ｍ構成さ
れる第２の層（Ｓ）を形成するには、前記した第１の層
（Ｇ）形成用の出発物質ＣＩ）の中より、Ｇｅ供給用の
原料ガスとなる出発物質を除いた出発物質〔第２の層（
Ｓ）形成用の出発物質（■）〕を使用して、第１の層（
Ｇ）を形成する場合と、同様の方法と条件に従って行う
ことが出来る。

即ち、本発明において、　　ａ　−９ｉ　（Ｈ，Ｘ）で
構成される第２の層（Ｓ）を形成するには例えばグロー
放電法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティン
グ法等の放電現象を利用する真空堆積法によって成され
る０例えば、グロー放電法によってａ−８ｔ（Ｈ，Ｘ）
で構成される第２の層（Ｓ）を形成するには、基本的に
は前記したシリコン原子（Ｓりを供給し得るＳＬ供給用
の原料ガスと共に、必要に応じて水素原子（Ｈ）導入用
の又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、
内部が減圧にし得る堆積室内に導入して。

該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位置に設
置されである所定の支持体表面上にａ−９ｉ（Ｈ，Ｘ）
からなる暦を形成させれば良い、又、スパッタリング法
で形成する場合には、例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガス
又はこれ等のガスをベースとした混合ガスの雰囲気中で
Ｓｔで構成されたターゲットをスパッタリングする際、
水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の
ガスをスパッタリング用の堆積室に導入しておけば良い
。

光受容層を構成する層中に、　伝導特性を制御する物質
（Ｃ）、例えば、第ｍ族原子或いは第Ｖ族原子を構造的
に導入して前記物質（Ｃ）の含有された層領域（ＰＮ）
を形成するには１層形成の際に、第ｍ族原千尋入用の出
発物質或いは第Ｖ放反千尋入用の出発物質をガス状態で
堆積室中に光受容層を形成する為の他の出発物質と共に
導入してやれば良い、この様な第■族”原子導入用の出
発物質と成り得るものとしては、常温常圧でガス状の又
は、少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得るもの
が採用されるのが望ましい、その様な第ｍ族原千尋入用
の出発物質として具体的には硼素原子導入用としては、
Ｂ２Ｈｂ　１６４Ｈｔｏ　＊ＢｓＨｑ”Ｊ　１１　＋　
ｏ、ｕ　１゜、Ｂ−瞠、ＢＪｔ＊等の水素化硼素、ＢＦ
。

ｓｃｔ　ｓ　、　ＢＢｒ２等のハロゲン化硼素等が挙げ
られる。コノ他、Ａｌｃｌ、　、　　ＧａＣｌ３　、　
Ｇａ　（ＣＨ３）３１１ｎＣｊ３　、ＴＧｊ３等も挙げ
ることが出来る。

第Ｖ放反千尋入用の出発物質として１本発明においた有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、　Ｐ）Ｉ
３．　　Ｐ、Ｈ，等の水素北端、　ＰＨ４１＋　ＰＦｓ
　＋ＰＦ５　、　ＰＣｊ　３　、　ＰＣｊ５　、　ＰＢ
ｒ３．　ＰＢｒ３．　ＰＩ３等のＩ＼ロゲン化北端挙げ
られる。この他、　ＡｓＨ３、ＡｓＦ３＊Ａｓ（：１３
．　　＾５Ｂｒ３　＋　ＡｓＦ５１　ＳｂＨ３＋　Ｓｂ
Ｆ３　＊　ＳｂＦ５　＋５ｂＣ１３，５ｂＣｊ５　、　
ＳｉＨ３，５ｉＣＡ３　、　　旧Ｂｒ３等も第Ｖ放反千
尋入用の出発物質の有効なものとして挙げることが出来
る。

本発明の光受容部材に於いては、高光感度化と高暗抵抗
化、更には、支持体と光受容層との間の畜着性の改良を
図る目的の為に、光受容層中には、酸素原子、炭素原子
、窒素原子の中から選択される少なくとも一種の原子が
層厚方向には均一、又は不均一な分布状態で含有される
。光受容層中に含有されるこの様な原子（ＯＣＳ）は、
光受容層の全層領域に含有されても良いし、或いは、光
受容層の一部の層領域のみに含有させることで偏在させ
ても良い。

原子（ＯＣＮ）の分布状態は分布濃度Ｃ（ＯＣＮ）が。

光受容層の支持体の表面と平行な面内に於いては均一で
あることが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に設けられる原子（００％）
の含有されている層領域（ＯＣＮ）は、光感度と暗抵抗
の向上を主たる目的とする場合には、光受容層の全層領
域を占める様に設けられ、支持体と光受容層との間の密
着性の強化を図るのを主たる目的とする場合には、光受
容層の支持体側端部層領域を占める様に設けられる。

前者の場合、層領域（０（：Ｎ）中に含有される原子（
ＯＣＮ）の含有量は、高光感度を維持する為に比較的少
なくされ、後者の場合には、支持体との密着。

性の強化を確実に図る為に比較的多くされるのが望まし
い。

本発明に於いて、光受容層に設けられる層領域（０（：
Ｎ）に含有される原子（０ＯＮ）の含有量は、Ｆｉ！！
領域（ＯＣＮ）自体に要求される特性、或いは該層領域
（ＯＣＮ）が支持体との接触して設けられる場合には、
該支持体との接触界面に於ける特性との関係等、有機的
関連性に於いて、適宜選択することが出来る。

又、前記層領域（Ｏｔｌ：Ｎ）に直に接触して他の層領
域が設けられる場合には、該他の層領域の特性や、該他
の層領域との接触界面に於ける特性との関係も考慮され
て、原子（ＯＣＮ）の含有量が適宜選択される。

層領域（００％）中に含有される原子（ＯＣＮ）の量に
は、形成される光受容部材に要求される特性に応じて所
望に従って適宜状められるが、好□ましくは０．００１
〜５０ａｔｏｍｉｃ％、より好ましくは、　０．００２
〜４０ａｔｏｍｉｃ％、最適には０．００３〜３０ａｔ
ｏｍｉｃ％とされるのが望ましい。

本発明に於いて１層領域（ＯＣＮ）が光受容層の全域を
占めるか、或いは、光受容層の全域を占めなくとも１層
領域（ＯＣＮ）の層厚Ｔｏの光受容層の層厚Ｔに占める
割合が充分多い場合には１層領域（ＯＣＮ）に含有され
る原子（ＯＣＮ）の含有量の上限は、前記の値より充分
少なくされるのが望ましい。

本発明の場合には、層領域（ＯＣＮ）の層厚Ｔｏが光受
容層の層厚Ｔに対して占める割合が５分の２以上となる
様な場合には、層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（
ＯＣＮ）の上限としては、好ましくは３０ａｔｏ層ｉｃ
％以下、より好ましくは２０ａｔｏｍｉｃ％以下、最適
には１０ｐｔａｓｉｃ％以下とされるのが望ましい。

本発明の好適な実施態様例によれば、原子（ＯＣＮ）は
、支持体上に直接設けられる前記の第１の層には、少な
くとも含有されるのが望ましい、詰り、光受容層の支持
体側端部層領域に原子（ＯＣＮ）を含有されることで、
支持体と光受容層との間の密着性の強化を図ることが出
来る。

更に、窒素原子の場合には、例えば、硼素原子との共存
下に於いて、暗抵抗の向上と高光感度の確保が一層出来
るので、光受容層に所望量含有されることが望ましい。

又、これ等の原子（００１１）は、光受容層中に複数種
含有させても良い、即ち、例えば、第１の層中には、酸
素原子を含有させたり、或いは、同一層領域中に例えば
Ｓ素原子と窒素原子とを共存させる形で含有させても良
い。

第１１図乃至第１８図には、本発明における光受容部材
の層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（ＯＣＮ）の層
厚方向の分布状態が不均一な場合の典型的例が示される
。

第１１図乃至第１３図において、横軸は原子（ＯＣＮ）
の分布濃度Ｃを、縦軸は層領域（ＯＣＮ）の層厚を示し
、ＬＢは支持体側の層領域（ＯＣＭ）の端面の位置を、
ｔＴは支持体側とは反対側の層領域（ＯＣＮ）の端面の
位置を示す、即ち、原子（ＯＣＮ）の含有される層領域
（ＯＣＮ）はり、側より１Ｔ側に向って層形成がなされ
る。

第１１図には、層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（
Ｏｌｌ：Ｎ）の層厚方向の分布状態が不均一な場合の第
１の典型例が示される。

第１１図に示される例では、原子（ＯＣＮ）の含有され
る層領域（ＯＣＸ）が形成される表面と該層領域（ＯＣ
Ｎ）の表面とが接する界面位置１．よりｔｌの位置まで
は、原子（ＯＣＮ）の分布濃度ＣがＣＩなる一定の値を
取り乍ら原子（ＯＣＸ）が形成される層領域（０ＯＮ）
に含有され、位置１．よりは濃度４より界面位ａｆ　を
丁に至るまｔ徐々に連続的に減少されている。界面位置
１丁においては原子（ＯＣＲ）の分布濃度Ｃは濃度らと
される。

第１２図に示される例においては、含有される原子（Ｏ
ＣＮ）の分布濃度Ｃは位ｔＬＬ日より１Ｔに至るまで濃
度Ｃ４から徐々に連続的に減少して位置１丁において濃
度ちとなる様な分布状態を形成している。

第１３図の場合には１位置１．より位！ｔｚまでは原子
（ＱＣＮ　）の分布濃度Ｃは濃度Ｃ６と一定値とされ、
位ＩＬ２と位置を丁との間において、徐々に連続的に減
少され、位置を丁において１分布源度Ｃは実質的に零と
されている（ここで実質的に零とは検出限界量未満の場
合である）。

第１４図の場合には、原子（０ＯＮ）の分布濃度Ｃは位
Ｚｔｔａより位ｆｉｂに至るまで、ＷＡ度Ｃ８より連続
的に徐々に減少され、位置を丁において、実質的に零と
されている。

第１５図に示す例においては、原子（ＯＣＮ）の分布濃
度Ｃは位Ｗｉｔｓと位５ｉｔ３間においては濃度Ｃ９と
一定値であり１位ａＬ７においては濃度ＣＩＯとされる
０位Ｍｔ３と位置を丁との間では１分布源度Ｃは一次関
数的に位置ｔ３より位置１丁に至るまで減少している。

ＪＦＳｌ［１図に示される例においては１分布源度Ｃは
位ｍ　ｔａより位Ｍｔ４までは濃度Ｃ□□の一定値を取
り、位置ｔ、より位置ｔＴまでは濃度Ｃ１２より濃度Ｃ
１３までは一次関数的に減少する分布状態とされている
。

第１７図に示す例においては、位ｉｔｓより位１ｔ□に
至るまで、原子（ＯＧＮ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃ１４よ
り実質的に零に至る様に一次関数的に減少している。

第１８図においては、位１　ｔａより位Ｉｔｓに至るま
では原子（０ＯＮ）の分布濃度Ｃは、Ｗ度ＣＩＳよりＣ
１６までの一次関数的に減少され、位Ｗｉｔｓと位置を
丁との間においては、濃度Ｃｔ６の一定値とされた例が
示されている。

第１９図に示される例においては、原子（ＱＣ）ｌ）の
分布濃度Ｃは、位置１．においては濃度ｃｉｔであり、
位Ｍｔ＆に至るまではこの濃度Ｃ，フより初めは緩やか
に減少され、ｔもの６ＩＩｉ付近においては、急激に減
少されて位置ｔもでは濃度Ｃｌ１１とされる。

位ＭＬｂと位１ｔ７との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位！ｌｈ
で濃度ＣＩ５となり１位置ｔ７と位ｉ２！ｔｏとの間で
は、極めてゆっくりと徐々に減少されてｔａにおいて、
濃度Ｃ２０に至る０位Ｉｔｏと位Ｈｔτの間においては
濃度ＣＺＯより実質的に零になる様に図に示す如き形状
の曲線に従って減少されている。

Ｊｕ上、　ＭＩＮＩ４乃ｆａＪ８１９ｒｆ４ニヨ’）、
　Ｊｉ！領域（０（：Ｎ）中に含有される原子（ＯＣＭ
）の層厚方向の分布状態が不均一な場合の典ｙＪｆｐ４
の幾つかを説明した様に、本発明においては、支持体側
において、原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃの高い部分を有
し、界面ｔｌ側においては、前記分布濃度Ｃは支持体側
に較べて可成り低くされた部分を有する原子（ＯＣＭ）
の分布状態が層領域（ＯＣＮ）に設けられている。

原子（ＯＣＮ）の含有される層領域（ＯＣＮ）は、上記
した様に支持体側の方に原子（ＯＣＮ）が比較的高濃度
で含有されている局在領域（Ｂ）を有するものとして設
けられるのが望ましく、この場合には、支持体と光受容
層との間の密若性をより一層向上させることが出来る。

上記局在領域（Ｂ）は、第１１図乃至第１８図に示す記
号を用いて説明すれば、界面位置１６より５隼以内に設
けられるのが望ましい。

本発明においては、上記局在領域ＣＢ）は、界面位ＩＬ
ａより５終厚までの全領域（ＬＴ）とされる場合もある
し、又、層領域（Ｌｔ　）の一部とされる場合もある。

局在領域ＣＢ）を層領域（ＬＴ）の一部とするか又は全
部とするかは、形成される光受容層に要求される特性に
従って適宜法められる。

局在領域（Ｂ）はその中に含有される原子（ＯＣＮ）の
層厚方向の分布状態として原子（ＯＣＸ）分布濃度Ｃの
最大値Ｃｍａｘが、好ましくは５００ａｔｏｍｉｃ　ｐ
ｐｍ以上、より好適には８００ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以
上、最適には１０００ａｔｏ層ｉｅ　ＰＰ騰以上とされ
る様な分布状態となり得る様に層形成されるのが望まし
い。

即ち、本発明においては、原子（ＯＣＮ）の含有される
層領域（ＯＣＮ）は、支持体側からの層厚で５８Ｌ以内
（ｔｓから５μ厚の層領域）に分布濃度Ｃの最大値Ｃ■
ａ！が存在する様に形成されるのが望ましい。

本発明において１層領域（０（：Ｎ）が光受容層の一部
の層領域を占める様に設けられる場合には層領域（ＯＣ
Ｒ）と他の層領域との界面において、屈折率が緩やかに
変化する様に、原子（ＯＣＮ）の層厚方向の分布状態を
形成するのが望ましい。

この様にすることで、光受容層に入射される光が層接触
界面で反射されるのを阻止し、干渉縞模様の発現をより
効果的に防止することが出来る。

又２層領域（０（：Ｎ）中での原子（ＯＣＮ）の分布濃
度Ｃの変化線は滑らかな屈折率変化を与える点で、連続
して緩やかに変化しているのが望ましい。

この点から１例えば第１１図乃至第１４図、第１７図及
び第１８図に示される分布状態となる様に、原子（０Ｏ
Ｎ）を層領域（ＯＣＮ）中に含有されるのが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に原子（ＯＣＮ）の含有され
た層領域（ＯＣＮ）を設けるには、光受容層の形成の際
に原子（ＯＣＮ）導入用の出発物質を前記した光受容層
形成用の出発物質と共に使用して、形成される層中にそ
の量を制御し乍ら含有してやればよい。

層領域（００％）を形成するのにグロー放電法を用いる
場合には、前記した光受容層形成用の出発物質の中から
所望に従って選択されたものに原子（ＯＣＮ）導入用の
出発物質としては、少なくとも原子（ＯＣＮ）を構成原
子とするガス状の物質又はガス化し得る物質をガス化し
たものの中の大概のものが使用される。

具体的には１例えば酸素（０２）、オゾン（０３）−醸
化窒素（ＮＯ）　、二酸化窒素（ＮＯ２）　、−三酸化
窒素（Ｎ２０）、三二酸化窒素（Ｎｔ　Ｏｓ　）　、四
二酸化窒素（Ｎ２０ｍ）、三二酸化窒素（Ｎ２０Ｓ）、
三酸化窒素（ＮＯ３）　、シリコン原子（Ｓｉ）と斂素
原子（０）と水素原子（）Ｉ）とを構成原子とする、例
えばジシロキサン（８３５ｉＯ３ｉ）Ｉｓ）　、　　）
リシクロキサン（Ｈ３ＳｉＯＳｉＨ２０ＳｉＨ３）等の
低級シクロキサン、メタｙ（ＣＨ４）　、　ｘタン（Ｃ
２Ｈ＆）　、プロパ７　（Ｃ３Ｈ１１）　。

ｎ−ブタｙ　（＋５−ＣａＨｓｏ）　、ペンタン（Ｃ５
Ｈ１２）等の炭素数１〜５の飽和炭化水素、エチレン（
Ｃ２Ｈ４）。

プロピレン（（ｌａＨ６）、ブテン−１（１：ａＨｓ）
。

ブテン−２（ＣａＨｓ）、インブチレン（ＣａＯ会）、
ペンテン（ＣｓＨＩｏ）等の炭素数２〜５のエチレン系
炭化水素、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、メチルアセチレン
（Ｃ３Ｈ４）、ブチン（Ｃａ　Ｈｓ　）等の炭素数２〜
４のアセチレン系炭化水素、窒素（Ｎ２）、アンモニア
（ＮＨ３）、ヒドラジン（Ｈ２ＮＮＨ２）　、アジ化水
素（ＨＮ３）、アジ化アンモニウム（ＮＨ４Ｎ３）　、
三弗化窒素ＣＦ３Ｎ）、四弗化窒素ＣＦ４Ｎ）等々を挙
げることが出来る。

スパッタリング法の場合には、原子（ＯＣＮ）導入用の
出発物質としては、グロー放電法の際に列挙した前記の
ガス化可ｆ駈な出発物質の他に、固体化出発物質として
、５ｉ０２．Ｓｉ３Ｎｍ、カーボンブラック等を挙げる
ことが出来る。これ等は、Ｓｉ等のターゲットと共にス
パッタリング用のターゲットとしての形で使用される。

本発明に於いて、光受容層の形成の際に、原子（ＯＣＮ
）の含有される層領域（ＯＣＮ）を設ける場合。

該層領域（００％）に含有される原子（ＯＣＮ）の分布
濃度Ｃを層厚方向に変化させて所望の層厚方向の分布状
／１（ｄｓｐｔｈｐｒａｆｉｌｅ）を有する層領域（Ｏ
ＣＮ）を形成するには、グロー放電の場合には、分布濃
度Ｃを変化させるべき原子（ＯＣＮ）導入用の出発物質
のガスを、そのガス流量を所望の変化率曲線に従って適
宜変化させ乍ら、堆積室内に導入することによって成さ
れる。

例えば手動あるいは外部駆動モータ等の通常用いられて
いる何らかの方法により、ガス流量系の途中に設けられ
た所定のニードルバルブの開口を暫時変化させる操作を
行えば良い、このとき、流量の変化率は線型である必要
はなく、例えばマイコン等を用いて、あらかじめ設計さ
れた変化率曲線に従って流量な劃御し、所望の含有率曲
線を得ることもできる。

層領域（ＯＣＮ）をスパッタリング法によって形成する
場合、原子（０（Ｊ）の層厚方向の分布濃度Ｃを層厚方
向で変化させて、原子（ＯＣＮ）の層厚方向の所望の分
布状態（ｄｅｐｔｈｐｒｏｆ　ｆ　Ｉｅ）を形成するに
は、第一には、グロー放電法による場合と同様に、原子
導入用の出発物質をガス状態で使用し、該ガスを堆積室
中へ４人する際のカスＩＩＬ景を所望に従って適宜変化
させることによって成される。第二にはスパッタリング
用のターゲットを、例えばＳｉと５ｉ０２どの混合され
たターゲットを使用するのであれば、Ｓｉと５ｉ０２と
の混合比をターゲットの層厚方向に於いて、予め変化さ
せておくことによって成される。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い、導電性支持体としては、例
えば、旧Ｏｒ、ステンレス、Ｍ、Ｃｒ、　Ｎｏ、　Ａｕ
、　Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｖ、　Ｔｉ、　Ｐｔ、　Ｐｄ等の
金属又はこれ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロース、アセテート、ポリ
プロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシ
ート、ガラス、セラミック、紙等が通常使用される。こ
れ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一
方の表面を導電処理され、該導電処理された表面側に他
の層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面にＮｉＣｒ。

Ａ１．　Ｃｒ、　Ｎｏ、　Ａｕ、　ｌｒ、　Ｎｈ、Ｔａ
、　Ｖ、　Ｔ＋、　Ｐｔ、　Ｐｄ。

Ｉｎ２Ｏ３、５１１０２，ＩＴＯ（１３１２０３＋５ｎ
０２）等から成る離脱を設けることによって導電性が付
与され、或いはポリエステルフィルム等の合成樹脂フィ
ルム１あれば、　ＮｉＣｒ、　’Ａ１．　Ａｇ、　Ｐｂ
、　Ｚｎ、旧、Ａｕ、　Ｏｒ。

Ｎｏ、　Ｉｒ、　Ｉｌｂ、丁ａ、Ｖ、　Ｔｉ、　Ｐｔ等
の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリ
ング等〒その表面に設け、又は前記金属でその表面をラ
ミネート処理して、その表面に導電性が付与される。支
持体の形状としては１円筒状、ベルト状。

板状等任意の形状とし得、所望によって、七の形状は決
定されるが、例えば、第１Ｇ図の光受容部材１００４を
電子写真用光受容部材として使用するのであれば連続高
速複写の場合には、ｆ＃、端ベルト状又は円筒状とする
のが望ましい、支持体の厚さは、所望通りの光受容部材
が形成される様に適宜決定されるが、光受容部材として
、可撓性が要求される場合には、支持体としての機能が
充分発揮される範囲内であれば可能な限り薄くされる。

丙午ら、この様な場合支持体の製造上及び取扱い上、機
能的強度の点から、好ましくはＩＯｅ以上とされる。

次に本発明の光受容部材の製造方法の一例の概略につい
て説明する。

第２０図に光受容部材の製造装置の一例を示す。

図中２００２〜２００Ｂのガスボンベには１本発明の光
受容部材を形成する為の原料ガスが密封されており、そ
の−例として例えば２００２は５ｉＨａガス（純度９９
．９９９％　、以下、　Ｓ＋Ｈａ　ト略す）ボンベ、　
２００３はＧｅＨ４ガス（純度１１９．９１１９％、以
下Ｇｅｍ、と略す）ボンベ、２００４はＮＯガス（純度
９９．９９９％、以下ＮＯと略す）ボンベ、２００５は
Ｈ２で稀釈された８２Ｈ６ガス（純度９９．１１９９％
、以下８２　Ｈ６７Ｈ２と略す）ボンベ。

２００６はＨ２ガス（純度ＨｙＨ１１％）ボンベである
。

これらのガスを反応室２００１に流入させるにはガスボ
ンベ２００２〜２００６のバルブ２０２２〜２０２８、
リークバルブ２０３５が閉じられていることを確認し、
又、流入バルブ２０１２〜２０１８、流出バルブ２０１
７〜２０２１　。

補助バルブ２０３２．２０３３が開かれていることを確
認して、先ずメインバルブ２０３４を開いて反応室２０
０１、及び各ガス配管内を排気する０次に真空計２０３
８の読みが約５　Ｘ　１Ｇ４ｔａｒｔになった時点で補
助バルブ２０３２．２０３３．流出バルブ２０１７〜２
０２１を閉じる。

次にシリンダー状基体２０３７上に光受容層を形成する
場合の１例をあげると、ガスボンベ２００２より５ｉＨ
ａガス、ガスボンベ２００３よりＧ＠１８４ガス、ガス
ボンベ２００４よりＮＯガス、ガスボンベ２００５より
Ｂ、　Ｈ。

／　Ｈｚガス、　２００ＢよりＨ２ガスをバルブ２０２
２．２０２３゜２０２４．２０２５．２０２Ｂを開いて
出口圧ゲージ２０２７．２０２８、２０２９．２０３０
．２０３１１７）圧をＩ　Ｋｇ／ｃｒｎ”に調整し、流
入バルブ２０１２．２０１３．２０１４．２０１５．２
０１８ヲ徐々に開けて、マスフロコントローラ２００７
゜２００８．２０Ｇ９．２０１０．２０１１内に夫々流
入させる。引き続いて流出バルブ２０１７．２Ｇ１８．
２０１９．２０２０゜２０２１、補助バルブ２０３２．
２０３３を徐々に開いて夫々のガスを反応室２００１に
流入させる。このときのＳｒ−ガス流量ＧｅＨ４ガス流
量、ＮＯガス流量の比が所望の値になるように流出バル
ブ２０１７．２０１８．２０１９．２０２Ｇ、２０２１
　ｔ　、３１整り、ｔ？−、、反応室２００１内（７）
圧力が所望の値になるように真空計２０３８の読みを見
ながらメインバルブ２０３４の開口を調整する。そして
、基体２０３７の温度が加熱ヒーター２０３８により５
０〜４００℃の範囲の温度に設定されていることを確認
した後、電源２０４０を所望の電力に設定して反応室２
００１内にグロー放電を生起させる。

上記の様にして所望時間グロー放電を維持して、所望層
厚に、基体２０３７上に第１の層（Ｇ）を形成する。所
望層厚に第１の層（Ｇ）が形成された段階に於て、流出
バルブ２０１８を完全に閉じること及び必要に応じて放
電条件を変える以外は、同様な条件と手順に従って所望
時間グロー放電を維持することで第１の層（Ｇ）上にゲ
ルマニウム原子の実質的に含有されない第２の層（Ｓ）
を形成することが出来る。

なお、第１の層（Ｇ）及び第２の層（Ｓ）の各層には、
流出バルブ２０１９あるいは２０２０を適宜開閉するこ
とで酸素原子あるいは硼素原子を含有させたり、含有さ
せなかったり、あるいは各層の一部の層領域にだけ酸素
原子あるいは硼素原子を含有させることも出来る。また
、酸素原子に代えて層中に窒−素原子あるいは炭素原子
を含有させる場合には、ガスボンベ２００４のＮＯガス
を例えばＮＨ３ガスあるいはＣ）Ｉ４ガス等に代えて１
層形成を行なえばよい、また、使用するガスの種類を増
やす場合には所望のガスボンベを増設して、同様に層形
成、を行なえばよい、Ｊ！１形成を行っている間は層形
成の均一化を計るため基体２０３７はモーター２０３９
により一定速度で回転させてやるのが望ましい。

最後に、上記第２の層（Ｓ）を形成後１例えば２００Ｂ
の水素（Ｈ２）ガスボンベをメタン（ＣＨ４）ガスボン
ベに′取り換え、マスフローコントローラー２００？と
２０１１を所定の流量に設定する以外は、同様な条件と
手順に従って所望時間グロー放電を維持することで、第
２の層Ｃ５）上にシリコン原子と炭素原子から主に形成
される表面層を形成することができる。

上記シリコン原子と炭素原子から主に形成される表面層
をスパッタリングで形成する場合には。

例えば２００６の水素（Ｈ２）ガスボンベをアルゴン（
Ａｒ）ガスボンベに取り換え、−堆積装置を清掃し、カ
ソード電極上に例えばＳｉかもなるスパッタリング用タ
ーゲットとグラファイトからなるスパッタリング用ター
ゲットを、所望の面積比になるように一面に張る。その
後、装置内に第２の！り（Ｓ）まで形成したものを設置
し、減圧した後アルゴンガスを導入し、グロー放電を生
起させ表面層材料をスパッタリングして、所望層厚に表
面層を形成する。

〔実施例〕

以下実施例について説明する。

実施例１ Ｍ支持体〔長さく　Ｌ　）　　３５７ｍｍ、外径（ｒ）
８０■〕を、第１ａ表ＣＢ）　〜（Ｅ）に示す条件で第
２１図に示す表面性に旋盤で加工した。なお、後述の表
中に示される支持体表面状態を表わすＢ−Ｈの各記号は
、それぞれｙＳｌａ表のＣＢ）〜（Ｅ）に対応したもの
である。

次に、第１表に示す条件で、第２０図の膜堆積装置を使
用し、所定の操作手順に従ってａ　−９ｉ系電子写真用
光受容部材を作製した（試料にｏ、２０１〜２００、ま
た、シリコン原子と炭素原子から主に形成される表面層
の堆桔は１次の様にして行なわれた。すなわち、第２！
ｊの堆積後、第１表に示す様にＣＨａガス流量がＳ＋Ｈ
ａガス流量にぺして流量比が、ＳｉＨ４／Ｃ）１４　＝
　１／３Ｇとなる様に各ガスに対応するマスフロコント
ローラーを設定し、高周波電力を３００Ｗとしてグロー
放電を生じさせることにより、表面層を形成した。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第２表の結果を得た。

以上の電子写真用光受容部材について、第２２ｒ１４に
示す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポ
ット径８０ｕ）で画像露光を行ない、それを現像、転写
して画像を得た。ｉられた画像には、干渉縞模様は観測
されず、実用に仕分なものであった。

実施例２ Ｍ支持体〔長さく　Ｌ　）　　３５７ｍｍ、外径（ｒ）
８０鳳■〕を、第１ａ表ＣＢ）〜（Ｅ）に示すような表
面性に旋盤で加工した。

次に、第３表に示す条件で行なう以外は、実施例１と同
様にして、第２０図の膜堆積装置で種々の操作手順に従
ってａ−９ｉ系電子写真用光受容部材を作成した（試料
Ｎｏ、４０１〜４０４）。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第４表の結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第２２図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７Ｂ０ｎ■、スポッ
ト径８０−）で画像露光を行ない、それを現像、転写し
てｍ像を得た。得られた画像には、渉縞模様は！Ｉ測さ
れず、実用に十分・なものであった。

実施例３ Ｍ支持体〔長さく　Ｌ　）　　３５７１１１１．外径（
ｒ）８０■〕を、第１ａ表ＣＢ）〜（Ｅ）に示すような
表面性に旋盤で加工した。

第５表に示す条件で行なう以外は、実施例１と同様にし
て第２０図の膜堆積装置で種々の操作手順に従ってａ−
９ｉ系電子写真用光受容部材を作製した（試料Ｎｏ、８
０１〜８０４）。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第６表の結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第２２図に示
す画像露光装！（レーザー光の波長７８０■、スポット
径８０−）で画像露光を行ない、それを現像、転写して
画像を得た。得られた画像には、干渉縞模様は観測され
ず、実用に十分なものであった・ 実施例４ Ｍ支持体〔長さく　Ｌ　）　　３５７ｍ（外径（ｒ）８
０■〕を、第１ａ表ＣＢ）〜（Ｅ）に示すような表面性
に旋盤で加工した。

次に、第７表に示す条件で行なう以外は、実施例１と同
様にして第２０図の膜堆積装置で種々の操作手順に従っ
てａ−５ｉ系電子写真用光受容部材を作製した（試料Ｎ
ｏ、８０１〜８０４）。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、１８８表の結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第２２図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｕｍ、　　ス
ポット径８０ｕ）で画像露光を行ない、それを現像、転
写して画像を得た。得られた画像には、干渉縞模様は観
測されず、実用に十分なものであった。

実施例５ Ｍ支持体〔長さく　Ｌ　）　　３５７ｍｍ、外径（ｒ）
８０■〕を、第１ａ表ＣＢ）〜（Ｅ）に示すような表面
性に旋盤で加工した。

次に、第９表に示す条件で行なう以外は実施例１と同様
にして、ｉ２Ｇ図の膜堆積装置で種々の・操作手順に従
ってａ−５ｉ系電子写真用光受容部材を作製した（試料
Ｎｏ、１Ｏ０１＝　１００４）　−このようにして作製
した光受容部材の各層の層厚を電子顕微鏡で測定したと
ころ、第１０表の結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第２２図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０１層、スポッ
ト径８０−）で画像露光を行ない、それを現像、転写し
て画像を得た。得られた画像には、干渉縞模様は観測さ
れず、実用に十分なものであった。

実施例６ Ｍ支持体〔長さく　Ｌ　）　　３５７ｍｍ、外径（ｒ）
８０ｓｍ）を、第１ａ表（Ｂ）〜（Ｅ）に示すような表
面性に旋盤で加工した。

次に、第１１表に示す条件で行なう以外は実施例１と同
様にして、第２０図の膜堆積装置で種々の操作手順に従
ってａ−９ｉ系電子写真用光受容部材を作製した（試料
Ｎｏ、１２０１〜１２０４）　。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第１２表の結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第２２図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポッ
ト径８０μ）で画ｇＲ露光を行ない、それを現像、転写
して画像を得た。得られた画像には、干渉縞模様は観測
されず、実用に十分なものであった。

実施例７ Ｍ支持体〔長さく　Ｌ　）　　３５７ｍｍ、外径（ｒ）
８０■〕を、第１ａ表（Ｂ）〜（Ｅ）に示すような表面
性に旋盤で加工した。

次に、第１３表に示す条件で行なう以外は、実施例１と
同様にして第２０図の膜堆積装置で種々の操作手順に従
ってａ−９ｉ系電子写真用光受容部材を作製した（試料
Ｎｏ、１４０１〜１４０４）　。

なお、第１Ｆ！ｌの形成に於いては、　Ｃ）１．ガスの
Ｓトビ４ガスに対する流量比を、第２３図のようになる
ように、　ＣＨ４ガスのでスフロコントローラー２００
９をコンピューター（ｌ（ＰＩ３８４５Ｂ）により制御
し、た　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　ｌこのようにして作
製した光受容部材の各層の層厚を電子顕微鏡で測定した
ところ、第１４表の結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第２２図に示
す画像露光装置！（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポ
ット径８０ｇ）で画像露光を行ない、それを現像、転写
して画像を得た。得られた画像には、干渉縞模様は観測
されず、実用に十分なものであった。

実施例８ Ｍ支持体〔長さく　Ｌ　）　　３５７ｇｇ、外径（ｒ）
＄０１〕を、第１ａ表（Ｂ）〜（Ｅ）に示すような表面
性に旋盤で加工した。

次に、第１５表に示す条件で行なう以外は、実施例１と
同様にして第２０図の膜堆積装置で種々の操作手順に従
ってａ−５ｉ系電子写真用光受容部材を作製した（試料
Ｎｏ、１８０１　Ｎ１８０４）　。

なお、第１Ｍの形成に於いては、　ＮＯガスのＧｅＨ４
ガスとＳｉＨ４ガスとの和に対する流量比を第２４図に
示すようになるようにＮＯガスのマスフロコントローラ
ー２００９をコンピュータ（ＭＰ９８４５Ｂ　）により
制御してこれを形成した。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第１６表の結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第２２図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポッ
ト径８０ｕ）で画像露光を行ない、それを現像、転写し
て画像を得た。得られた画像には、干渉縞模様は観測さ
れず、実用に十分なものであった。

実施例９ Ｍ支持体〔長さく　Ｌ　）　　３５７ｍｍ、外径（ｒ）
８Ｇ−〕を、第第１Ｍ（ＩＩ）〜（Ｅ）に示すような表
面性に旋盤で加工した。

次に、第１７表に示す条件で行なう以外は実施例１と同
様にして、第２０図の堆積装置で稚々の操作手順に従っ
て電子写真用光受容部材を作製した（試料Ｎｏ、１８０
１〜１８０４）　。

なお、第１層の形成に於いては、　Ｎ）！、ガスのＧｅ
Ｈ４ガスとＳｉＨ４ガスとの和に対する流量比を第２５
図に示すようになるようにＮＨ３ガスのマスフロコント
ローラー２００８をコンピュータ（ＩＰ９８４５Ｂ　）
により制御して第１層を形成した。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第１８表の結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第２２図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｓ、　　ス
ポット径８０−）で画像露光を行ない、それを現像、転
写して画像を得た。得られた画像には、干渉縞模様は観
測されず、実用に十分なものであった。

実施例１Ｇ Ｍ支持体〔長さく　Ｌ　）　　３５７ｍｍ、外径（ｒ）
８０購膳〕を、第１ａ表ＣＢ）〜（Ｅ）に示すような表
面性に旋盤で加工した。

次に、第１８表に示す条件で行なう以外線、実施例１と
同様にして第２Ｇ［ｉ！ｆｆの堆積装置で種々の操作手
順に従って電子写真用光受容部材を作製した、（試料１
１ｏ、２００１〜２００４）　。

なお、ＣＨ４ガスのＧｓ）１ｍガスと５ｉＨａガスとの
和に対する流量比は、第２６図に示すようになるように
ＣＨａガスのマスフロコントローラー２００９をコンピ
ュータ（）ＩＰ９８４５Ｂ　）により制御した。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第２０表の結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第２２図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、　スポ
ット径８０−）で画像露光を行ない、それを現像、転写
して画像を得た。得られた画像には、干渉縞模様は観測
されず、実用に十分なものであった。

実施例１Ｉ Ｍ支持体〔長さく　Ｌ　）　　３５７＠ｊ外径（ｒ）８
０ａｌｌ）を１第１ａ表ＣＢ）〜（Ｅ）に示すような表
面性にａｍで加工した。

次に、第２夏表に示す条件で行なう以外は、実施例１と
同様にして第２０図の堆積装置で種々の操作手順に従っ
て電子写真用光受容部材を作製した（試料＋１ａ、２２
０１〜２２０４）　−なお、ＮＯガスのＧｅＨ４ガスと
ＳｉＨ４ガスとの和に対する流量比を第２７図のように
なるように、ＮＯガスのマスフロコントローラー２００
９ヲコンピユータ（ＩＰ９８４５Ｂ）により制御した。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第２２表の結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第２２図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｌ、スポッ
ト径８０ｕ）で画像露光を行ない、それを現像、転写し
て画像を得た。得られた画像には、干渉縞模様は観測さ
れず、実用に十分なものであった・ 実施例！２ Ｍ支持体〔長さく　Ｌ　）　　３５７ｍ５．外径（ｒ）
８０■〕を、第１ａ表（Ｂ）〜（Ｅ）に示すような表面
性に旋盤で加工した。

次に、第２３表に示す条件で行なう以外は、実施例１と
同様にして第２０図の堆積装置で種々の操作手順に従っ
て電子写真用光受容部材を作製した（試料Ｎｏ、２４０
１〜２４Ｇ４）　。

なお、　ＮＨ，ガスのＧｅＨ４ガスとＳｉ＆ガスとの和
に対する流量比を第２８図のようになるように、　Ｎ）
Ｉ３ガスのマス７ａコントローラー２００９ヲコンピユ
ータ（ＨＰ１１８４５Ｂ）により制御した。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第２４表の結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第２２図に示
す画像露光装ｆｌ（レーザー光の波長７８０ｎ■、スポ
ット径８０μ）で画像露光を行ない、それを現像、転写
して画像を得た。得られた画像には、干渉縞模様は観測
されず、実用に十分なものであった拳 実施例１３ Ｍ支持体〔長さく　Ｌ　）　　３５７ｍ５＋、外径（ｒ
）８０■〕を、第１ａ表ＣＢ）〜（Ｅ）に示すような表
面性に旋盤で加工した。

次に、第２５表に示す条件で行なう以外は、実施例１と
同様にして第２０図の堆積装置で種々の操作手順に従っ
て電子写真用光受容部材を作製した（試料Ｎｏ、２８０
１〜２１１０４）　。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
Ｓ微鏡で測定したところ、第２６表の結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第２２図に示
す画像露光装！（レーザー光の波長７８０■、スポット
径８０−）で画像露光を行ない、それを現像、転写して
画像を得た。得られた画像には、干渉縞模様は観測され
ず、実用に十分なものであった・ 実施例１４ Ｍ支持体〔長さく　Ｌ　）　　３５７ｍｍ、外径（ｒ）
８０■〕を、第１ａ表ＣＢ）〜（Ｅ）に示すような表面
。

性に旋盤で加工した。

次に、第２７表に示す条件で行なう以外は、実施例１と
同様にして第２０図の堆積装置で種々の操作手順に従っ
て電子写真用光受容部材を作製した（試料Ｎｏ、２８０
１〜２８０４）　。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第２８表の結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第２２図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０！１１、スポ
ット径８０ｕ）で画像露光を行ない、それを現像、転写
して画像を得た。得られた画像には、干渉ＭＳ様は観測
されず、実用に十分なものであった。

実施例１５ 実施例１から実施例１４までについて、Ｈ２で３０００
マｏｌ　ＰＰｍに稀釈した日２Ｈもガスの代わりにＨ２
で３０００マｏｆ　ＰＰｍに稀釈したＰＭ、ガスを使用
して、電子写真用光受容部材を作製した。

なお、他の製作条件は、実施例１から実施例１４までと
同様にした。

これらの電子写真用光受容部材について、第２２図に示
す画像露光装！！（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポ
ット径８０ｕ）で画像露光を行ない、それ：１ を現像、転写して画像を得た。得られた画像には、干渉
縞模様は観測されず、実用に十分なものであった・ 実施例１８ Ｍ支持体（シリンダＮｏ、２０２）を用い１表面層形成
時のＳｉＨ４ガスとＣ）Ｉ４ガスの流量比を第２８表に
示すように変化させて３表面層におけるシリコン原子と
炭素原子の含有比を変える以外は、実施例１と同様の条
件と手順に従ってａ−５ｉ茶系電子写真光受容部材を作
成した（試料４２９０１〜２ＨＩｌ）　。

これらの電子写真用光受容部材について、第２２図に示
す画像露光装！（レーザー光の波長？８０ｎｍ。

スポット径８０鱗）で画像露光し、作像、現像、クリー
ニングの工程を５万回繰り返した後１画僚評価を行った
ところ第２９表の如き結果を得た。

実施例１７ Ｍ支持体（シリンダＮｏ、２０２）を用い、表面層形成
時の５１４ガス、　ＣＨ，ガス及び５ｉＦａとし、これ
らガスの流量比を第３０表に示すように変化させる以外
は、実施例１８と同様の条件と手順に従ってａ−９ｉ系
主電子写真用光受容材を作成した（試料、、６３００１
〜３００８）。

これらの電子写真用光受容部材について、第２２図に示
す画像型光装置（レーザー光の波長？８Ｑｎｓ。

スポット径８０μ）で画像露光し１作像、現像、クリー
ニングの工程を５万回繰り返した後１画像評価を行った
ところ第３０表の如き結果を得た。

実施例１８ 超支持体（シリンダＮｏ、２０２）を用い、表面層をス
パッタリング法で形成する以外は、実施例１と同様の条
件と手順に従ってａ−Ｓｉ系電子写真用光受容部材を作
成した。その際、Ｓｉｌ！−Ｃの含有量比は、Ｓｒター
ゲットとＣターゲットの面積比を第３１表に示すように
変化させることにより変化させた（試料遂３１Ｇ１〜３
１０？）　。

なお、表面層の形成は以下のようにして行なった。すな
わち、第２の層形成後、該層まで形成した支持体を第２
０図の堆積装置内から取り出し、該装置の水素（Ｈ２）
ガスボンベをアルゴン（Ａｒ）ガスボンベに取り換え、
装置内を清掃し、カーソード電極上にＳｉから・なる厚
さ５履■のスバッタリング用ターゲット、とグラファイ
トからなる厚さ５１６−のスパッタリング用ターゲット
を、その面積比がそれぞれ第３１表の面積比になるよう
に一面に張る。その後、装置内に第２の居まで形成した
支持体を設置し、減圧した後アルゴンガスを導入して高
周波電力を３００Ｗとしてグロー放電を生起させカソー
ド電極上の表面層材料をスパッタリングすることによっ
て表面層を形成した。

これらの電子写真用光受容部材について、第２１図に示
す画像露光装置ｔ（レーザー光の波長７８０ｎ■。

スポット径８０閘）で画像露光し、作像、現像、クリー
ニングの工程を５万回繰り返した後１画像評価を行った
ところ第３１表の如き結果を得た。

〔発明の効果〕

以上、詳細に説明した様に、本発明によれば、可干渉性
単色光を用いる画像形成に適し、製造管理が容易であり
、且つ画像形成時に現出する干渉縞模様と反転現像時の
斑点の現出を同時にしかも完全に解消すφことができ、
しかも機械的耐久性、特に耐摩耗性及び光受容特性に優
れた光受容部材を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、干渉縞の一般的な説明図である。 第２図は、多層の光受容部材の場合の干渉縞の説明図で
ある。 第３図は散乱光による干渉縞の説明図である。 第４図は、多Ｆ！ｊ：ｖ光受容部材の場合の散乱光によ
る干渉縞の説明図である。 第５図は、光受容部材の各層の界面が平行な場合の干渉
縞の説明図である。 第６図（轟）、（Ｂ）、（Ｃ）、（１１）は光受容部材
の各層の界面が非平行な場合に干渉縞が現われないこと
の説明図である。 第７図（Ａ）、ＣＢ）、（Ｃ）は、光受容部材の各層の
界面が平行である場合と非平行である場合の反射光強度
の比較の説明図である。 第８図は、各層の界面が非平行である場合の干渉縞が現
われないことの説明図である。 第９　［（Ａ）　、（ＩＩ）、（Ｃ）ぞれ代表的な支持
体の表面状態の説明図である。 第１０図は、光受容部材の層構成の説明図である。 第１１Ｕｇｉから第１８図は、それぞれ層領域（ａＣＳ
）中の原子（０，Ｃ，）ｌ）の分布状態を説明するため
の説明図である。 第２０図は実施例で用いた光受容層の堆積装置の説明図
である。 第２１図は、実施例で用いたＭ支持体の表面状態の説明
図である。 第２２図は、実施例で使用した画像露光装置の説明図で
ある。 第２３図から第２８１ｉｉｉはそれぞれ実施例における
ガス流量の変化率曲線を示すものある。 １００Ｇ・・・・・・・・・・・・・・・・・・光受容
層１００１・・・・・・・・・・・・・・・・・・Ｍ支
持体１００２・・・・・・・・・・・・・・・・・・第
１の暦１００３・・・・・・・・・・・・・・・・・・
第２の暦１００４・・・・・・・・・・・・・・・・・
・光受容部材１００５・・・・・・・・・・・・・・・
・・・光受容部材の自由表面１００Ｂ・・・・・・・・
・・・・・・・・・・表面層２６０１・・・・・・・・
・・・・・・・・・・電子写真用光受容部材２６０２・
・・・・・・・・・・・・・・・・・半導体レーザー２
６０３・・・・・・・・・−−−−−−−−−ｆθレン
ズ２８０４・・・・・・・・・・・・・・・・・・ポリ
ゴンミラー２６０５・・・・・・・・・・・・・・・・
・・露光装との平面図２６０６・・・・・・・・・・・
・・・・・・・露光装置の側面図特許出願人　　キャノ
ン株式会社 第１閃 丁 第２図 第３図 第４図 ＠５図 （Ａ）　　　　　　　　　　　　ｒ日）（Ｃ） （Ａ） （Ｂ） （Ｃ） 第９図 第１Ｏ図 □Ｃ 第１１図 第１２図 第１３図 第１４図 第１５図 第１６図 第１７図 第１８図 □Ｃ 第１９図 第２１図 第２２図 力１人う丸量工し 第２３０ カ°ス洗量末し 第２４°図 第２５図 力“１流量ル 第２６図 ｊス５え量よし 第２７図 ガス二克量毘 第２８図

Claims (23)

【特許請求の範囲】
1. （１）支持体と、シリコン原子とゲルマニウム原子とを
   含む非晶質材料で構成された第１の層と、シリコンを原
   子を含む非晶質材料で構成され、光導電性を示す第２の
   層と、シリコン原子と炭素原子とを含む非晶質材料から
   なる表面層とが前記支持体側より順に設けられた多層構
   成の光受容層とを有しており、前記第１の層及び前記第
   ２の層の少なくとも一方に伝導性を支配する物質が含有
   されると共に、前記光受容層は、酸素原子、炭素原子、
   窒素原子の中から選択される少なくとも一種を含有し、
   且つショートレンジ内に１対以上の非平行な界面を有し
   、該非平行な界面が層厚方向と垂直な面内の少なくとも
   一方向に多数配列している事を特徴とする光受容部材。
2. （２）酸素原子、炭素原子、窒素原子の中から選択され
   る原子の少なくとも一種を含有する光受容層に於いて、
   該含有される原子の分布状態が層厚方向に均一である特
   許請求の範囲の第１項に記載の光受容部材。
3. （３）酸素原子、炭素原子、窒素原子の中から選択され
   る原子の少なくとも一種を含有する光受容層に於いて、
   該含有される原子の分布状態が層厚方向に不均一である
   特許請求の範囲の第１項に記載の光受容部材。
4. （４）前記配列が規則的である特許請求の範囲第１項に
   記載の光受容部材。
5. （５）前記配列が周期的である特許請求の範囲第１項に
   記載の光受容部材。
6. （６）前記ショートレンジが０．３〜５００μである特
   許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。
7. （７）前記非平行な界面は前記支持体の表面に設けられ
   た規則的に配列している凹凸に基づいて形成されている
   特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。
8. （８）前記凹凸が逆Ｖ字形線状突起によって形成されて
   いる特許請求の範囲第７項に記載の光受容部材。
9. （９）前記逆Ｖ字形線状突起の縦断面形状が実質的に二
   等辺三角形である特許請求の範囲第８項に記載の光受容
   部材。
10. （１０）前記逆Ｖ字形線状突起の縦断面形状が実質的に
    直角三角形である特許請求の範囲第８項に記載の光受容
    部材。
11. （１１）前記逆Ｖ字形線状突起の縦断面形状が実質的に
    不等辺三角形である特許請求の範囲第８項に記載の光受
    容部材。
12. （１２）前記支持体が円筒状である特許請求の範囲第１
    項に記載の光受容部材。
13. （１３）逆Ｖ字形線状突起が前記支持体の面内に於いて
    螺旋構造を有する特許請求の範囲第１２項に記載の光受
    容部材。
14. （１４）前記螺旋構造が多重螺旋構造である特許請求の
    範囲第１３項記載の光受容部材。
15. （１５）前記逆Ｖ字形線状突起がその稜線方向に於いて
    区分されている特許請求の範囲第８項に記載の光受容部
    材。
16. （１６）前記逆Ｖ字形線状突起の稜線方向が円筒状支持
    体の中心軸に沿っている特許請求の範囲第１２項に記載
    の光受容部材。
17. （１７）前記凹凸は傾斜面を有する特許請求の範囲第７
    項に記載の光受容部材。
18. （１８）前記傾斜面が鏡面仕上げされている特許請求の
    範囲第１７項に記載の光受容部材。
19. （１９）光受容層の自由表面には、支持体表面に設けら
    れた凹凸と同一のピッチで配列された凹凸が形成されて
    いる特許請求の範囲第７項に記載の光受容部材。
20. （２０）第１の層及び第２の層の少なくともいずれか一
    方に水素原子が含有されている特許請求の範囲第１項に
    記載の光受容部材。
21. （２１）第１の層及び第２の層の少なくともいずれか一
    方にハロゲン原子が含有されている特許請求の範囲第１
    項及び同第２０項に記載の光受容部材。
22. （２２）伝導性を支配する物質が周期律表第III族に属
    する原子である特許請求の範囲第１項に記載の光受容部
    材。
23. （２３）伝導性を支配する物質が周期律表第Ｖ族に属す
    る原子である特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材
    。