JPS61109058A

JPS61109058A - 電子写真用光受容部材

Info

Publication number: JPS61109058A
Application number: JP59228991A
Authority: JP
Inventors: Keishi Saito; 恵志斉藤; Masahiro Kanai; 正博金井; Tetsuo Sueda; 末田　哲夫; Teruo Misumi; 三角　輝男; Yoshio Tsuezuki; 津江月　義男; Kyosuke Ogawa; 小川　恭介
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1984-11-01
Filing date: 1984-11-01
Publication date: 1986-05-27
Also published as: JPH0235300B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線、可視光線、
赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な、電磁波に感受性
のある光受容部材に関する。さらに詳しくは、レーザー
光などの可干渉性光を用いるのに適した光受容部材に関
する。

〔従来技術〕

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することにより静電潜像を形成し、次
いて該潜像を現像、必要に応じて転写、定着などの処理
を行ない、画像を　　゛記録する方法がよく知られてい
る。中でも電子写真法を使用した画像形成法では、レー
ザーとしては小型で安価なＨｅ−Ｍｅレーザーあるいは
半導体レーザー（通常はｅ−５０〜８２０ｎ層の発光波
長を有する）で像記録を行なうことが一般である。

特に、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写真用
の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が他の
種類の光受容部材と比べて格段に優れている点に加えて
、ビッカース硬度が高く、社会的には無公害である点で
例えば特開昭５４−８８３４１号公報や特開昭５８−８
３７４８号公報に開示されているシリコン原子を含む非
晶質材料（以後ｒａ−９ｉＪ　と略記する）から成る光
受容部材が注目されている。

に乍ら、光受容層を単層構成のａ−Ｓｉ層とすると、七
〇高光感度を保持しつつ、電子写真用として要求される
１０Ｌ２Ωｃｍ以上の暗抵抗を確保するには、水素原子
やハロゲン原子或いはこれ等に加えてポロン原子とを特
定の量範囲で層中に制御された形で構造的に含有させる
必要性がある為に、層形成のコントロールを厳密に行う
必要がある等。

光受容部材の設計に於ける許容度に可成りの制限がある
。

この設計上の許容度を拡大出来る。詰り、ある程度低暗
抵抗であっても、その高光感度を有効に利用出来る様に
したものとしては、例えば、特開昭５４−１２１７４３
号公報、特開昭５７一方０５３号公報、特開昭５７一方
１７２号公報に記載されである様に光受容層を伝導特性
の異なる層を積層した二層以上の層構成として、光受容
層内部に空乏層を形成したり、或いは特開昭５７−５２
１７８号、同５２１７９号、同５２１８０号、同５８１
５１号、同５８１８０号、同５８１８１号の各公報に記
載されである様に支持体と光受容層の間、又は／及び光
受容層の上部表面に障壁層を設けた多層構造としたりし
て、見掛は上の暗抵抗を高めた光受容部材が提案されて
いる。

この様な提案によって、ａ　−Ｓｉ系光受容部材はその
商品化設計上の許容度に於いて、或いは製造上の管理の
容易性及び生産性に於いて飛躍的に進展し、商品化に向
けての開発スピードが急速化している。

この様な光受容層が多層構造の光受容部材を用いてレー
ザー記録を行う場合、各層の層厚に班がある為に、レー
ザー光が可干渉性の単色光であるので、光受容層のし・
−ザー光照射側自由表面、光受容層を構成する各層及び
支持体と光受容層との層界面（以後、この自由表面及び
層界面の両者を併せた意味で「界面」と称す）より反射
して来る反射光の各々が干渉を起す可能性がある。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ、画像不良の要因となる。殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合には、画像
の見悪くさは顕著となる。

まして、使用する半導体レーザー光の波長領域が長波長
になるにつれ光受容層に於ける該レーデ−光の吸収が減
少してくるので前記の干渉現象は顕著である。

この点を図面を以って説明する。

第１図に、光受容部材の光受容層を構成するある層に入
射した光Ｉｏと上部界面１Ｇ２で反射した反射光Ｒ１、
下部界面１０１で反射した反射光Ｒ２を示している。

層の平均層厚をｄ、屈折率をｎ、光の波長をλ入として、ある層の層厚がなだらかに一以上の層ｎ厚差で不均一であると１反射光Ｒ１、Ｒ２が２ｎｄ＝ｍ
入（ｍは整数、反射光は強め合う）と２ｎｄ＝（ｍ＋−
’）　　λ（ｍは整数、反射光は弱め合う）の条件のど
ちらに合うかによって、ある層の吸収光量および透過光
量に変化を生じる。

多層構成の光受容部材においては、第１図に示す干渉効
果が各層で起り、第２図に示すように、それぞれの干渉
による相乗的悪影響が生じる。その為に該干渉縞模様に
対応した干渉縞が転写部材上に転写、定着された可視画
像に現われ、不良画像の原因となっていた。

この不都合を解消する方法としては、支持体表面をダイ
ヤモンド切削して、±５００　Ａ〜±　１００００Ａの
凹凸を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開昭５
８−１８２９７５号公報）アルミニウム支持体表面を黒
色アルマイト処理したり、或いは、樹脂中にカーボン、
着色顔料、染料を分散したりして光吸収層を設ける方法
（９１えば特開昭５７−１８５８４５号公報）、アルミ
ニウム支持体表面を梨地状のアルマイト処理したり、サ
ンドブラストにより砂目状の微細凹凸を設けたりして、
支持体表面に光散乱反射防止層を設ける方法（例えば特
開昭５７−１８５５４号公報）等が提案されている。

面乍ら、これ等従来の方法では、画像上に現われる干渉
縞模様を完全に解消することが出来なかった。

即ち、第１の方法は支持体表面を特定の大きさの凹凸が
多数設けられただけである為、確かに光散乱効果による
干渉縞模様の発現防止にはなっているが、光散乱として
は依然として正反射光成分が残°存している為に、該正
反射光による干渉縞模様が残存することに加えて、支持
体表面での光散乱効果の為に照射スポットに拡がりが生
じ、実質的な解像度低下の要因となっていた。

第２の方法は、黒色アルマイト処理程度では、完全吸収
は無理であって、支持体表面での反射光は残存する。又
、着色顔料分散樹脂層を設ける場合はａ−Ｓｉ層を形成
する際、樹脂層よりの脱気現象が生じ、形成される光受
容層の層品質が著しく低下すること、樹脂層がａ−９ｉ
層形成の際のプラズマによってダメージを受けて、本来
の吸収機能を低減させると共に１表面状態の悪化による
その後のａ−９ｉ層の形成に悪影響を与えること等の不
都合さを有する。

支持体表面を不規則に荒す第３方法の場合には、第３図
に示す様に、例えば入射光１０は、光受容層３０２の表
面でその一部が反射されて反射光Ｒ，となり、残りは、
光受容層３０２の内部に進入して透過光■１　となる、
透過光Ｉ！は、支持体３０２の表面に於いて、その一部
は、光散乱されて拡散光ＫＩ　Ｊ２　Ｊ３・・・となり
、残りが正反射されて反射光Ｒ２となり、その一部が出
射光Ｒ３となって外部に出て行く、従って１反射光Ｒ１
と干渉する成分である出射光Ｒ３が残留する為、依然と
して干渉縞模様は完全に消すことが出来ない。

又、干渉を防止して光受容層内部での多重反射を防止す
る為に支持体３０１の表面の拡散性を増加させると、光
受容層内で光が拡散してハレーシ璽ンを生ずる為解像度
が低下するという欠点もあった。

特に、多層構成の光受容部材においては、第４図に示す
ように、支持体４０１表面を不規則に荒しても、第１層
４Ｇ２での表面での反射光Ｒ２＋第２層での反射光Ｒ１
＋支持体４０１面での正反射光Ｒ３の夫々が干渉して、
光受容部材の各層厚にしたがって干渉縞模様が生じる。

従って、多層構成の光受容部材においては、支持体４０
１表面を不規則に荒すことでは、干渉縞を完全に防止す
ることは不可能であった。

又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度が口ｙ　）間に於いてバラ
ツキが多く、且つ同一ロットに於いても粗面度に不均一
があって、製造管理上具合が慈かった。加えて、比較的
大きな突起がランダムに形成される機会が多く、斯かる
大きな突起が光受容層の局所的ブレークダウンの原因と
なっていた。

又、単に支持体表面５０１を規則的に荒した場合、第５
図に示すように、通常、支持体５０１表面の凹凸形状に
沿って、光受容層５０２が堆積するため、支持体ＳＯｔ
の凹凸の傾斜面と光受容層５０２の凹凸の傾斜面とが平
行になる。

したがって、その部分では入射光は２ｎｄｌ＝ｍ入また
は２ｎｄｌ＝　（ｍ＋Ｈ）λが成立ち、夫々明部または
暗部と、なる、また、光受容層全体では光受容層の層厚
ｄｓ　、ｄｚ　、ｄａ　、ｄ４の夫々の差のあるため明
暗の縞模様が現われる。

従って、支持体５０１表面を規則的に荒しただけでは、
干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、第３図において、一層構成の
光受容部材で説明した支持体表面での正反射光と、光受
容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界面での
反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受容部材
の干渉縞模様発現度合より一層複雑となる。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、前述の欠点を解消した光に感受性のあ
る新規な光受容部材を提供することである。

本発明の別の目的は、可干渉性単色光を用いる画像形成
に適すると共に製造管理が容易である光受容部材を提供
することである。

本発明の更に別の目的は、画像形成時に現出する干渉縞
模様と反転現像時の斑点の現出を同時にしかも完全に解
消することができる光受容部材を提供することでもある
。

本発明のもう１つの別の目的は、電気的耐圧性及び光感
度が高く、電子写真特性に優れた光受容部材を提供する
ことでもある。

本発明の更にもう１つの目的は、濃度が高く。

ハーフトーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画
像を得ることが出来る電子写真用に適した光受容部材を
提供することでもある。

〔発明の概要〕

本発明の光受容部材は、所定の切断位置での断面形状が
主ピークに副ピークが重畳された凸状形状である凸部が
多数表面に形成されている支持体と、シリコン原子とゲ
ルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成された第１の
層と、シリコン原子を含む非晶質材料で構成され、光導
電性を示す第２の層とが前記支持体側よりこの順に設け
られた多層構成の光受容層とを有しており、前記第１の
層及び第２の層の少なくとも一方に伝導性を支配する物
質が含有されると共に、前記光受容層は、酸素原子、炭
素原子、窒素原子の中から選択される少なくとも一種を
含有することを複数有する。

以下、本発明を図面に従って具体的に説明する。

第６図は、本発明の基本原理を説明するための説明図で
ある。

本発明は装置の要求解像力よりも微小な凹凸形状を有す
る支持体（不図示）上に、その凹凸の傾斜面に沿って多
層構成の光受容層を有し、該光受容層は第６図の一部に
拡大して示されるように。

第２層６０２の層厚がｄ５からｄ６と連続的に変化して
いる為に、界面８０３と界面８０４とぼ互いに傾向きを
有している。従って、この微小部分（シ諺−トレンジ）
ｌに入射した可干渉性光は該微小部分ｌに於て干渉を起
し、微小な干渉縞模様を生ずる。

又、第７図に示す様に第１層７０１と第２層７０２の界
面７０３と第２層７０２の自由表面７０４とが非平行で
あると、第７図の（Ａ）に示す様に入射光■。に対する
反射光Ｒ，と出射光Ｒ３とはその進行方向が互いに異る
為、界面７０３と７０４とが平行な場合（餉７図のｒ　
（Ｂ）　Ｊ　）に比べて干渉の度合が減少する。

従って、第７図の（Ｃ）に示す様に、一対の界面が平行
な関係にある場合（ｒ　（Ｂ）　Ｊ　）よりも非平行な
場合（ｒ　（Ａ）　Ｊ　）は干渉しても干渉縞模様の明
暗の差が無視し得る程度に小さくなる。

その結果、微小部分の入射光量は平均化される。

このことは、第６図に示す様に第２暦θ０２の層厚がマ
クロ的にも不均一（ｄ７〜ｄ８　）であっても同様に云
える為、全層領域に於て入射光量が均一になる（第６図
のｒ　（Ｄ）Ｊ参照）。

また、光受容層が多層構成である場合に於いて照射側か
ら第２層まで可干渉性光が透過した場合に就いて本発明
の効果を述べれば、第８図に示す様に、入射光１．に対
して１反射光Ｒ１、Ｒ２Ｊ３Ｒ４＋Ｒ５が存在する。そ
の為各々の層で第７図を似って前記に説明したことが生
ずる。

従って、光受容層全体で考えると干渉は夫々の層での相
乗効果となる為、本発明によれば、光受容層を構成する
層の数が増大するにつれ、より一層干渉効果を防止する
ことが出来る。

又、微小部分内に於て生ずる干渉縞は、微小部分の大き
さが照射光スポット径より小さい為、即ち、解像度限界
より小さい為、画像に現われることはない、又、仮に画
像に現われているとしても眼の分解能以下なので実質的
には何等支障を生じない。

本発明に於いて、凹凸の傾斜面は反射光を一方向へ確実
に揃える為に、鏡面仕上１ｆとされるのが望ましい。

本発明に適した微小部分の大きさ！（凹凸形状の一周期
分）は、照射光のスポット径をＬとすれば、ｌ≦Ｌであ
る。

又本発明の目的をより効果的に達成する為には微小部分
ｌに於ける層厚の差（ｄｓ　−ｄｂ）は、照射光の波長
を入とすると、入ｄｓ　　−ｄｂ　　≧　　□ 　ｎ（ｎ：第２層８０２の屈折率）であるのが望ましい。

本発明に於ては、多層構造の光受容層の微小部分ｌの層
厚内（以後「微小カラム」と称す）に於て、少なくとも
いずれか２つの層界面が非平行な関係にある様に各層の
層厚が微小カラム内に於て制御されるが、この条件を満
足するならば該微小カラム内にいずれか２つの層界面が
平行な関係にあっても良い。

但し、平行な層界面を形成する層は、任意の２つの位置
に於ける層厚の差が Å 以下である・様に全領域に於て均一層厚に形成されるの
゛が望ましい。

光受容層を構成する第１の層、第２の層各層の形成には
本発明の目的をより効果的且つ容易に達成する為に、層
厚を光学的レベルで正確に制御できることからプラズマ
気相法（ＰＣＶＤ法）、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法が採用
される。

本発明の目的を達成するための支持体の加工方法として
は、化学エツチング、電気メッキなどの化学的方法、蒸
着、スパッタリングなどの物理的方法、旋盤加工などの
機械的方法などを利用できる。しかし、生産管理を容易
に行うために、旋盤などの機械的加工方法が好ましいも
のである。

たとえば、支持体を旋盤で加工する場合、７字形状の切
刃を有するバイトをフライス盤、旋盤等の切削加工機械
の所定位置に固定し、例えば円筒状支持体を予め所望に
従って設計されたプログラムに従って回転させながら規
則的に所定方向に移動させることにより、支持体表面を
正確に切削加工することで所望の凹凸形状、ピッチ、深
さで形成される。この様な切削加工法によって形成され
る凹凸が作り出す線状突起部は１円筒状支持体の中心軸
を中心にした螺濯構造を有する。突起部の蝶板構造は、
二重、三重の多重螺Ｉ構造、又は交叉螺家構造とされて
も差支えない。

或いは、螺腋構造に加えて中心軸に沿った直線構造を導
入しても良い。

本発明の支持体の所定断面内の凸部は、本発明の効果を
高めるためと、加工管理を容易にするために、一次近似
的に同一形状とすることが好ましい。

又、前記凸部は、本発明の効果を高めるために規則的ま
たは１周期的に配列されていることが好ましい、又、更
に、前記凸部は１本発明の効果を一層高め、光受容層と
支持体との密着性を高めるために、副ピークを複数有す
ることが好ましい。

これ等の夫々に加えて、入射光を効率よく一方向に散乱
するために、前記凸部が主ピークを中心に対称（第９図
（Ａ））または非対称形（第９図（Ｂ））に統一されて
いることが好ましい、しかし、支持体の加工管理の自由
度を高める為には両方が混在しているのが良い。

本発明における支持体の所定の切断位置とは、例えば円
筒の対称軸を有する支持体であって、その対称軸を中心
とする蝶板状構造の凸部が設ｉられている支持体におい
ては、該対称軸を含む任意の面をいい、また例えば、板
状等の平面を有する支持体におていは、支持体上に形成
されている複数の凸部の最低２つを横断する面を言うも
のとする。

本発明に於ては、管理された状態で支持体表面に設けら
れる凹凸の各ディメンジ厘ンは、以下の点を考慮した上
で２本発明の目的を結果的に達成出来る様に設楚される
。

即ち、第１は光受容層を構成するａ−５ｉ層は、層形成
される表面の状態に構造敏感であって、表面状態に応じ
て層品質は大きく変化する。

従って、ａ−５ｔ層の層品質の低下を招来しない様に支
持体表面に設けられる凹凸のディメンジ頂ンを設定する
必要がある。

第２には光受容層の自由表面に極端な凹凸があると、画
像形成後のクリーニングに於てクリーニングを完全に行
なうことが出来なくなる。

また、ブレードクリーニングを行う場合、プレートのい
たみが早くなるという問題がある。

上記した層堆積上の問題点、電子写真法のプロセス上の
問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を検討した結果、
支持体表面の凹部のピッチは、好ましくは５００ｕ　〜
０．３ｇ　、より好ましくは２００−〜Ｉｕ、最適には
５０−〜５−であるのが望ましい。

又、凹部の最大の深さは、好ましくは０．１−〜５−９
より好ましくは０．３％〜３−１最適には０．８鱗〜２
ＪＩｊｌＩとされるのが望ましい、支持体表面の凹部の
ピッチと最大深さが上記の範囲にある場合、凹部（又は
線上突起部）の傾斜面の傾きは、好ましくは１度〜２０
度、より好ましくは３度〜１５度、最適には４度〜１０
度とされるのが望ましい。

又、この様な支持体上に堆積される各層の層厚の不均一
性に基く層厚差の最大は、同一ピッチ内で好ましくは０
．１μｓ〜２牌、より好ましくは０．１−〜１．５４ｍ
、最適には０．２−〜ｌμｓとされるのが望ましい。

さらに本発明の光受容部材における光受容層はシリコン
原子とゲルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成され
た第１の層とシリコン原子を含む非晶質材料で構成され
、光導電性を示す第２の層とが支持体側よりこの順に設
けられた多層構成となっており、良好な電気的、光学的
、光導電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す
。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い、高品
質の画像を安定して繰返し得ることができる。

更に１本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ光
応答が速い。

以下、図面に従って、本発明の光受容部材に就いて詳細
に説、明する。

第１０図は、本発明の実施態様例の光受容部材の層構成
を説明するために模式的に示した模式的構成図である。

第１０図に示す光受容部材１００４は、光受容部材用と
しての支持体１００１の上に、光受容層１０００を有し
、該光受容層１０００は自由表面１００５を一方の端面
に有している。

光受容層１０００は支持体１００１側よりゲルマニウム
原子と、必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン原子
（Ｘ）とを含有するａ−Ｓｉ（以後ｒａ−５ｉＧｅ　（
Ｈ、Ｘ）　Ｊと略記する）で構成された第１の層（Ｇ）
　１００２と、必要に応じて水素原子又は／及びハロゲ
ン原子（Ｘ）とを含有するａ−５ｉ（以後ｒ　ａ−Ｓｉ
　（Ｈ、Ｘ）　Ｊと略記する）で構成され、光導電性を
有する第２の層（Ｓ）　１００３とが順に積層された層
構造を有する。

本発明の光受容部材１００４に於いては、少なくとも第
１　（７）ＮＪ　（Ｇ）　１００２又は／及び第２の暦
（Ｓ）１００３に伝導特性を支配する物質（Ｃ）が含有
されており、該物質（Ｃ）が含有される暦に所望の伝導
特性が与えられている。

本発明に於いては、第１のＦｊ　（Ｇ）　１００２又は
／及び第２の層（Ｓ）　１００３に含有される伝導特性
を支配する物質（Ｃ）は、物質（Ｃ）が含有される層の
全層領域に万遍なく均一に含有されても良く、物質（Ｃ
）が含有される層の一部の層領域に偏在する様に含有さ
れても良い。

本発明に於いて伝導特性を支配する物質（Ｃ）を第１の
層（Ｇ）の一部の層領域に偏在する様に第１の層（Ｇ）
中に含有させる場合には、前記物質（Ｃ）の含有される
層領域（ＰＮ）は、ｗＳｌの層（Ｇ）の端部層領域とし
て設けられるのが望ましい、殊に、第１の暦（Ｇ）の支
持体側の端部層・領域として前記層領域（ＰＮ）が設け
られる場合には、該層領域（ＰＮ）中に含有される前記
物質（Ｃ）の種類及びその含有量を所望に応じて適宜選
択することによって支持体から第２の層（Ｓ）中への特
定の極性の電荷の注入を効果的に阻止することが出来る
。

本発明の光受容部材に於いては、伝導特性を制御するこ
との出来る物質（Ｃ）を、光受容層の一部を構成する第
１の層（Ｇ）中に、前記したように該層（Ｇ）の全域に
万遍なく、或いは層厚方向に偏在する様に含有させるの
が好ましいものであるが、更には、第１の層ＣＧ）に加
えて第１の暦（Ｇ）上に設けられる第２の暦（Ｓ）中に
も前記物質（Ｃ）を含有させても良い。

又、別の好適な実施態様例に於いては前記物質（Ｃ）は
、第１の層（Ｇ）には含有させずに、第２の層（Ｓ）の
み含有される。

この場合、前記物質（Ｃ）は、第２の層（Ｓ）の全層領
域に万遍なく含有させても良いし、或いは、第２の層（
Ｓ）の一部の層領域のみに含有させて偏在させても良い
、偏在させる場合には、第２の層（Ｓ）の第１の層（Ｇ
）側の端部層領域に含有させるのが好ましく、この場合
には、前記物質（Ｃ）の種類及びその含有量を適宜選択
することで支持体側から第２の層（Ｓ）への特定の極性
の電荷の注入を結果的に阻止することが出来る。

第２の層（Ｓ）中に前記物質（Ｃ）を含有させる場合に
は、第１の層（Ｇ）中に含有される前記物質（Ｃ）の種
類やその含有量及びその含有の仕方は、その都度所望に
応じて適宜状められる。

本発明に於いては、第２の暦（Ｓ）中に前記物質（Ｃ）
を含有させる場合、好ましくは、少なくとも第１の層（
Ｇ）との接触界面を含む層領域中に前記物質（Ｃ）を含
有させるのが望ましい。

第１の暦（Ｇ）と第２の層（Ｓ）の両方に伝導特性を支
配する物質（Ｃ）を含有させる場合、第１の層（Ｇ）に
於ける前記物質（Ｃ）が含有されている層領域と、第２
の層（Ｓ）に於ける前記物質（Ｃ）が含有されている層
領域とが、互いに接触する様に設けるのが望ましい。

又、第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）とに含有される前
記物質（Ｃ）は、第１の層ＣＧ）と第２の層（Ｓ）とに
於いて同種類でも異種類であっても良く、又、その含有
量は各層に於いて、同じでも異っていても良い。

面乍ら、本発明に於いては、各層に含有される前記物質
（Ｃ）が両者に於いて同種類である場合には、第１の層
（Ｇ）中の含有量を充分多くするか、又は、電気的特性
の異なる種類の物質（Ｃ）を所望の各層に、夫々含有さ
せるのが好ましい。

本発明に於いては、少なくとも光受容層を構成する第１
の層（Ｇ）又は／及び第２の層（Ｓ）の中に、伝導特性
を支配する物質（Ｃ）を含有させることにより、該物質
（Ｃ）の含有される層領域〔第１の層（Ｇ）又は第２の
層（Ｓ）の一部又は全部の層領域のいずれでも良い〕の
伝導特性を所望に従って任意に制御することが出来るも
のであるが、この様な物質（Ｃ）としては、所謂、半導
体分野で云われる不純物を挙げることが出来、本発明に
於いては、形成される光受容層を構成するａ　−９ｉ　
（Ｈ、Ｘ）又は／及びａ−９ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）に対して
、Ｐ型伝導特性を与えるｐ型不純物及びｎ型伝導特性を
与えるｎ型不純物を挙げることが出来る。

具体的には、ｐ型不純物としては周期律表第■族に属す
る原子（第ｍ族原子）、例えば、　Ｂ　（ｌｊｌ素）、
ＡＩ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（イン
ジウム）、Ｔ７（タリウム）等があり、殊に好適に用い
られるのは、Ｂ、Ｇａである。

ｎ型不純物としては、周期律表第Ｖ族に属する原子（第
Ｖ族原子）、例えば、Ｐ（燐）、Ａｓ（砒素）、ｓｂ（
アンチモン）、Ｂｉ（ビスマス）等であり、殊に、好適
に用いられるのは、Ｐ、Ａｓである。

本発明に於いて、伝導特性を制御する物質（Ｃ）が含有
される層領域（ＰＮ）に於けるその含有量は、該層領域
（ＰＮ）に要求される伝導性、或いは、該層領域（ＰＮ
）が支持体に直に接触して設けられる場合には、その支
持体との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連
性に於いて、適宜選択することが出来る。

又、前記層領域（ＰＮ）に直に接触して設けられる他の
層領域や、該他の層領域との接触界面の於ける特性との
関係も考慮されて、伝導特性を制御する物質（Ｃ）の含
有量が適宜選択される。

本発明に於いて１層領域（ＰＮ）中に含有される伝導特
性を制御する物質（Ｃ）の含有量としては、好ましくは
０．０１〜５Ｘ１０’　　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、よ
り好適には０．５〜ｌ　Ｘ　１０’　　ａｔｏｍｉｃ　
ｐｐｍ　、最適には、１〜５　Ｘ　１０３１０３ａｔｏ
　ｐｐｍとされるのが望ましい。

本発明に於いて、伝導特性を支配する物質（Ｃ）が含有
される層領域（ＰＮ）に於ける該物質（Ｃ）の含有量を
、好ましくは３０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、より好
適には５０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、最適には１０
０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ■以上とすることによって１例
えば該含有させる物質（Ｃ）が前記のｐ型不純物の場合
には、光受容層の自由表面がΦ極性に帯電処理を受けた
際に支持体側からの光受容層中への電子の注入を効果的
に阻止することが出来、又。

前記含有させる物質（Ｃ）が前記のｎ型不純物の場合に
は、光受容層の自由表面がｅ極性に帯電処理を受けた際
に支持体側から光受容層中への正孔の注入を効果的に阻
止することが出来る。

上記の様な場合には、前述した様に、前記層領域（ＰＮ
）を除いた部分の層領域（Ｚ）には１層領域（Ｐ　Ｎ）
に含有される伝導特性を支配する物質の伝導型の極性と
は別の伝導型の極性の伝導特性を支配する物質（Ｃ）を
含有させても良いし、或いは、同極性の伝導型を有する
伝導特性を支配する物質を層領域（ＰＮ）に含有させる
実際の量よりも一段と少ない量にして含有させても良い
ものである。

この様な場合、前記層領域（Ｚ）中に含有される前記伝
導特性を支配する物質の含有量としては、層領域（ＰＮ
）に含有される前記物質（Ｃ）の極性や含有量に応じて
所望に従って適宜決定されるもにであるが、好ましくは
、０．００１〜１０００ａｔｏａ＋ｉｃ　ｐｐｍ　、よ
り好適には０．０５〜５００　ａｔｏｍｉｃｐｐｍ　、
最適には０．１〜２００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとされ
るのが望ましい。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）及び層領域（Ｚ）に同
種の伝導性を支配する物質（Ｃ）を含有させる場合には
、層領域（Ｚ）に於ける含有量としては、好ましくは３
０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以下とするのが望ましい。

本発明に於いては、光受容層に、一方の極性の伝導型を
有する伝導性を支配する物質を含有させた層領域と、他
方の極性の伝導型を有する伝導性を支配する物質を含有
させた層領域とを直に接触する様に設けて、該接触領域
に所謂空乏層を設けることも出来る。

詰り、例えば、光受容層中に、前記のｐ型不純物を含有
する層領域と前記のｎ型不純物を含有する層領域とを直
に接触する様に設けて所謂ｐ−ｎ接合を形成して、空乏
層を設けることが出来る。

第１の暦（Ｇ）　１００２中に含有されるゲルマニウム
原子は、該第１の層（Ｇ）　１００２の層厚方向及び支
持体の表面と平行な面内方向に連続的であって。

且つ均一な分布状態となる様に前記第１の暦（Ｇ）１０
０２中に含有される。

本発明に於いては、第１の暦（Ｇ）上に設けられる第２
の層（Ｓ）中には、ゲルマニウム原子は含有されておら
ず、この様な層構造に光受容層を形成することによって
、可視光領域をふくむ比較的短波長から比較的長波長連
の全領域の波長の光に対して光感度が優れている光受容
部材として得るものである。

又、第１の層ＣＧ）中に於けるゲルマニウム原子の分布
状態は全層領域にゲルマニウム原子が連続的に分布して
いるので、半導体レーザ等を使用した場合の、第２の層
（Ｓ）では殆ど吸収しきれない長波長側の光を第１の層
（Ｇ）に於いて、実質的に完全に吸収することが出来、
支持体面からの反射による干渉を防止することが出来る
。

又、本発明の光受容部材に於いては、第１の層（Ｇ）と
第２の暦（Ｓ）とを構成する非晶質材料の夫々がシリコ
ン原子という共通の構成要素を有しているので積層界面
に於いて化学的な安定性の確保が充分酸されている。

本発明において、第１の暦（Ｇ）中に含有されるゲルマ
ニウム原子の含有量としては、本発明の目的が効果的に
達成される様に所望に従って適宜法められるが、好まし
くは１〜９．５Ｘ　１０５１０５ａｔｏ　ｐｐｍ　、よ
り好ましくは１００〜８Ｘ１０Ｓａｔｏｍｉｃ　ＰＰ■
とされるのが望ましい。

本発明に於いて第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）との層
厚は１本発明の目的を効果的に達成させる為の重要な因
子の１つであるので形成される光受容部材に所望の特性
が充分与えられる様に、光受容部材の設計の際に充分な
る注意が払われる必要がある。

本発明に於いて、第１の暦（Ｇ）の層厚Ｔ、は、好まし
くは３０Ａ〜５０終、より好ましくは、４０Ａ〜４０Ｉ
Ｌ、最適には、５０Ａ〜３０ＩＬとされるのが望ましい
。

又、第２の層（Ｓ）の層厚Ｔは、好ましくは０．５〜８
０ル、より好ましくは１〜８０勝最適には２〜５０ＩＬ
とされるのが望ましい。

第１の層ＣＧ）の層厚Ｔ、と第２の層（Ｓ）の層厚Ｔの
和（Ｔ、＋Ｔ）としては、両層領域に要求される特性と
光受容層全体に要求される特性との相互間の有機的関連
性に基いて、光受容部材の層設針の際に所望に従って、
適宜決定される。

本発明の光受容部材に於いては、上記の（Ｔ＋Ｉ＋Ｔ）
の数値範囲としては、好ましくは１〜１００井、より好
適には１〜８０ｐ、最適には２〜５０ＩＬとされるのが
望ましい。

本発明のより好ましい実施態様例に於いては、上記の層
厚Ｔ、及び層厚Ｔとしては、好ましくはＴ、　／　Ｔ≦
１なる関係を満足する際に、夫々に対して適宜適切な数
値が選択されるのが望ましい。

上記の場合に於ける層厚■−及び層厚Ｔの数値の選択に
於いて、より好ましくは、Ｔ、／Ｔ≦０．９．最適には
Ｔ、　／　Ｔ≦０．８なる関係が満足される様に層厚Ｔ
、及び層厚Ｔの値が決定されるのが望ましいものである
。

本発明に於いて、第１の層（Ｇ）中に含有されるゲルマ
ニウム原子の含有量がＩ　Ｘ　１Ｇ’　　ａｔｏｍｉｃ
ｐｐｍ以上の場合には、第１の層（Ｇ）の層厚■８とし
ては、可成り薄くされるのが望ましく、好ましくは３０
終以下、より好ましくは２５＃Ｌ以下、最適には２０Ｉ
Ｌ以下とされるのが望ましい。

本発明において、光受容層を構成する第１の層（Ｇ）及
び第２の暦（Ｓ）中に必要に応じて含有されるハロゲン
原子（Ｘ）としては、具体的には、フッ素、塩素、臭素
、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好適なものと
して挙げることが出来る。

本発明ニオイテ、　＆−５ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ）　テ構成
される第１の暦（Ｇ）を形成するには例えばグロー放電
法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法
等の放電現象を利用する真空堆積法によって成される０
例えば、グロー放電法によって、ａ−５ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ
）で構成される第１の層（Ｇ）を形成するには、基本的
には、シリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の
原料ガスとゲルマニウム原子（Ｇｅ）を供給し得るＧｅ
供給用の原料ガスと必要に応じて水素原子（Ｈ）導入様
の原料ガス又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料
ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に所望のガス圧状
態で導入して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予
め所定位置に設置されである所定の支持体表面上に含有
されるゲルマニウム原子の分布濃度を所望の変化率曲線
に従って制御し乍らａ−５ｒ　Ｇ　ｅ　（Ｈ＊　Ｘ　）
から成る層を形成させれば良い、又、スパッタリング法
で形成する場合には。

例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスをベ
ースとした混合ガスの雰囲気中でＳｉで構成されたター
ゲットとＧｅで構成されたターゲットの二枚を使用して
、又はＳｉとＧｅの混合されたターゲットを使用してス
パッタリングする際。

必要に応じて水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（
Ｘ）導入用のガスをスパッタリング用の堆積室に導入し
てやれば良い。

本発明において使用されるＳｉ供給用の原料ガスと成り
得る物質としては、　ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６゜５ｉ３）
１Ｂ　、　５ｉＪＩｔ。等のガス状態の又ガス化し得る
水素化硅素（シラン類）が有効に使用されるものとして
挙げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓｉ供給
効率の良さ等の点でＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６。

が好ましいものとして挙げられる。

Ｇｅ供給用の原料ガスと成り得る物質としては、Ｇａ１
ａ、　Ｇａ２Ｈ６、Ｇｅ３）１日、　Ｇｅ４）１１゜、
　Ｇｅ５Ｈ１２。

”６Ｈ１４ｒ　Ｇｅ７Ｈ１６＋　Ｇｅ８Ｈ１８ｔ　Ｇａ
９Ｈ２６等のガス状ｍの又はガス化し得る水素化ゲルマ
ニウムが有効に使用されるものとして挙げられ、殊に、
暦作成作業時の取扱い易さ、Ｇｅ供給効率の良さ等の点
で、Ｇｅ１．　、　Ｇｅ２Ｈ６、Ｇｅ３Ｈ６が好ましい
ものとして挙げられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の
又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる
。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を含
む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明において
は挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲ
ンガス、ＢｒＦ、αＦ、αＦ３　、　ＢｒＦ５　＊Ｂ　
ｒＦ３　＊　ＩＦ３　＋　ＩＦ　ｔ　＋　■α、ＩＢｒ
等のハロゲン間化合物を挙げることが出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲ、ン原子
で置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えば
ＳｉＦ４．　Ｓｉ２Ｆ６　、　Ｓｉαａ　＋　ＳｉＢｒ
４等のハロゲン化硅素を好ましいものとして挙げる事が
出来る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光受容部材を形成す
る場合には、Ｇｅ供給用の原料ガスと共にＳｉを供給し
得る原料ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも
、所望の支持体上にハロゲン原子を含むａ−５ｉＧｅか
ら成る第１の層ＣＧ）を形成する事が出来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む第１の暦（
Ｇ）を作成する場合、基本的には１例えばＳｉ供給用の
原料ガスとなるハロゲン化硅素とＧｅ供給用の原料ガス
となる水素化ゲルマニウムとＡｒ、Ｈ２，Ｈｅ等のガス
等を所定の混合比とガス流量になる様にして第１の暦（
Ｇ）を形成する堆積室に導入し、グロー放電を生起して
これ等のガスのプラズマ雰囲気を形成することによって
、所望の支持体上に第１の層ＣＧ）を形成し得るもので
あるが、水素原子の導入割合の制御を一層容易になる様
に計る為にこれ等のガスに更に水素ガス又は水素原子を
含む硅素化合物のガスも所望量混合して層形成しても良
い。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

反応性スパッタリング法或いはイオンブレーティング法
に依ってａ−３ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ）から成る第１の層（
Ｇ）を形成するには、例えばスパッタリング法の場合に
はＳｉから成るターゲットとＧｅから成るターゲットの
二枚を、或いはＳｉとＧｅから成るターゲットを使用し
て、これを所望のガスプラズマ雰囲気中でスパッタリン
グし、イオンブレーティング法の場合には１例えば、多
結晶シリコン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウム
又は単結晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源として蒸着ボー
トに収容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いはエレクト
ロンビーム法ＣＥＢ法）等によって加熱蒸発させ飛翔蒸
発物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる事で行
う事が出来る。

この際、スパッタリング法、イオンブレーティング法の
何れの場合にも形成される層中にハロゲン原子を導入す
るには、前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子
を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスの
゛プラズマ雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｈ２、或いは前記したシラン類又は／
及び水素化ゲルマニウム等のガス類をスパッタリング用
の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形成
してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の他に、ＨＦ、Ｈα、　ＨＢｒ。

ＨＩ等のハロゲン化水素、ＳｉＨ２Ｆ２　＋　５ＩＨ２
Ｉ２　＊ＳｉＨ２α２　、　Ｓ：ＨＣｌｇ　、　５ｉＨ
２Ｂｒ２　、５ｉＨＢｒ３等のハロゲｙｌ換水素化硅素
、及びＧｅＨＦ３　、　ＧｅＨＢｒ３　、　ＧｅＨ３Ｆ
。

ＧｅＩａ３　　、　　ＧｅＨＢｒ３　　、ＧｅＨ３α　
、ＧｅＨＢｒ３　　。

ＧｅＨＢｒ３　、　ＧｅＨＢｒ３水素化ハロゲン化ゲルマニウム等の水素原子を構成要素
の１・つとするハロゲン化物、ＧｅＦ４゜Ｇｅαａ　＋
　ＧｅＢｒ４　ｒ　ＧｅＩａ　＊　ＧｅＦ２　＋　Ｇｅ
α２　、　ＧｅＢｒ２１ＧｅＩ２等ｃｙ）ハロゲン化ゲ
ルマニウム、等々のカス状態の或いはガス化し得る物質
も有効な第１の層（Ｇ）形成用の出発物質として挙げる
事が出来る。

これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化物は、第
１の層ＣＧ）形成の際に層中にハロゲン原子の導入と同
時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な水素
原子も導入されるので１本発明においては好適なハロゲ
ン導入用の原料として使用される。

水素原子を第１のＭ　（Ｇ）中に構造的に導入するには
、上記の他にＨ２ｇ或いはＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６。

５ｒ３ＨＢ　、　５４４Ｂ１６等の水素化硅素をＧｅを
供給する為のゲルマニウム又はゲルマニウム化合物と、
或いは、　ＧｅＨ４，Ｇｅ２Ｈｉ　＊　Ｇｌ！３ＨＯ＊
　Ｃ１１４ＨＩＯＩ　ｃｅｓＨ１２＋”＆Ｈ１４ｓ　Ｇ
ｅ７Ｈｔｓ　Ｉ　ＧｅＢＨ１Ｂ　＊　ＧｅｇＨ２ｏ等の
水素化ゲルマニウムとＳｉを供給する為のシリコン又は
シリコン化合物とを堆積室中に共存させて放電を生起さ
せる事でも行う事が出来る。

本発明の好ましい例において、形成される光受容層を構
成する第１のＭ（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）の
量又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン
原子の量の和（Ｈ十Ｘ）は、好ましくはＯ，０１ｗ４０
　ａｔｏｍｔｃ％、より好適には０．０５＃　３０　ａ
ｔｏｍｉｃ％、最適には０．１〜２５ａｔｏ腸ｉｃ％と
されるのが望ましい。

第１の層ＣＧ）中に含有される水素原子（Ｈ）又は／及
びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、例えば支持
体温度又は／及び水素原子（Ｈ）、或いはハロゲン原子
（Ｘ）を含有させる為に使用される出発物質の堆積装置
系内へ導入する量、放電々力等を制御してやれば良い。

本発明に於いて、ａ　−９ｉ　（Ｈ、Ｘ）で構成される
第２のＰＪ（Ｓ）を形成するには、前記した第１の層（
Ｇ）形成用の出発物質（Ｉ）の中より。

Ｇｅ供給用の原料ガスとなる出発物質を除いた出発物質
〔第２の層（Ｓ）形成用の出発物質（■）〕を使用して
、第１の層（Ｇ）を形成する場合と、同様の方法と条件
に従って行うことが出来る。

即ち、本発明において、ａ−９ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成され
る第２の層（Ｓ）を形成するには例えばグロー放を法、
スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法等の
放電現象を利用する真空堆積法によって成される０例え
ば、グロー放電法によってａ−９ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成さ
れる第２の層（Ｓ）を形成するには、基本的には前記し
たシリコン原子（Ｓ　ｔ）を供給し得るＳｉ供給用の原
料ガスと共に、必要に応じて水素原子（Ｈ）導入用の又
は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、内部
が減圧にし得る堆積室内に導入して、該堆積室内にグロ
ー放電を生起させ、予め所定位置に設置されである所定
の支持体表面上にａ−９ｉ（）（、Ｘ）からなる層を形
成させれば良い、又、スパッタリング法で形成する場合
には、例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガ
スをベースとした混合ガスの雰囲気中でＳｉで構成され
たターゲットをスパッタリングする際、水素原子（Ｈ）
又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガスをスパッタ
リング用の堆積室に導入しておけば良い。

光受容層を構成する層中に、　伝導特性を制御する物質
（Ｃ）、例えば、第■族原子或いは第Ｖ族原子を構造的
に導入して前記物質（Ｃ）の含有された層領域（ＰＮ）
を形成するには、層形成の際に、第■族原子導入用の出
発物質或いは第Ｖ族原子導入用の出発物質をガス状態で
堆積室中に光受容層を形成する為の他の出発物質と共に
導入してやれば良い、この様な第■族原子導入用の出発
物質と成り得るものとしては、常温常圧でガス状の又は
、少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得るものが
採用されるのが望ましい、その様な第■族原子導入用の
出発物質として具体的には硼素原子導入用としては、Ｂ
２Ｏ＆　、ａ４Ｈｔｏ　ＪｓＨ５ＢＳＨ１１ｍ　ＢＡＭ
　１ＯｅＢ６Ｈ１２＊Ｂ６Ｈ１４等の水素化硼素、　Ｂ
Ｆ３ＢＣＡ　３　、　ＢＢｒ２等のハロゲン化硼素等が
挙げられル、コノ他、Ｍα３　、　　ａａｃ＊　３　、
　Ｇａ　（ＣＨｓ）３１１ｎＣ１３，丁ｃｔ３等も挙げ
ることが出来る。

第Ｖ族原子°導入用の出発物質として１本発明においた
有効に使用されるのは、燐原子導入用としては、”３　
＊　　Ｐ２Ｈ４等の水素上溝、ＰＨａｌ　、　ＰＦ３　
。

ＰＦ５　、　ＰＧｊ　３　、　ＰＧｊ５　、　ＰＢｒ３
．　ＰＢＴＳ、　ＰＩ３等のハロゲン化燐が挙げられる
。この他、　ＡｓＨ２、ＡｓＦａ　＊ＡａＣｊ　３　、
　　ＡｓＢｒ３．　ＡｓＦ５．　ＳｂＨ３，ＳｂＦ３．
５ｂＦｓ。

ＳＭ；７３　、　５ｂＣｊ５　、　ＳｉＨ３，５ｉＣｊ
３　、　　Ｂ１Ｂｒ３等も第Ｖ族原子導入用の出発物質
の有効なものと、して挙げることが出来る。

本発明の光受容部材に於いては、高光感度化と高暗抵抗
化、更には、支持体と光受容層との間の密着性の改良を
図る目的の為に、光受容層中には、斂素原子、炭素原子
、窒素原子の中から選択される少なくとも一種の原子が
層厚方向には均一、又は不均一な分布状態で含有される
。光受容層中に含有されるこの様な原子（ＯＣＮ）は、
光受容層の全層領域に含有されても良いし、或いは、光
受容層の一部の層領域のみに含有させることで偏在させ
ても良い。

原子（ＯＣＮ）の分布状態は分布濃度Ｃ（ＯＣＮ）が。

光受容層の支持体の表面と平行な面内に於いては均一で
あることが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に設けられる原子（ＯＣＮ）
の含有されている層領域（ＱＣ）ｌ）は、光感度と暗抵
抗の向上を主たる目的とする場合には、光受容層の全層
領域を占める様に設けられ、支持体と光受容層との間の
密着性の強化を図るのを主たる目的とする場合には、光
受容層の支持体側端部層領域を占める様に設けられる。

前°者の場合、層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（
０ＯＮ）の含有量は、高光感度を維持する為に比較的少
なくされ、後者の場合には、支持体との密着性の強化を
確実に図る為に比較的多くされるのが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に設けられる層領域（ＯＣＮ
）に含有される原子（ＯＩＪ）の含有量は１層領域（Ｏ
ＣＮ）自体に要求°される特性、或いは該層領域（ＱＣ
）ｌ）が支持体との接触して設けられる場合には、該支
持体との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連
性に於いて、適宜選択することが出来る。

又、前記層領域（ＯＣＮ）に直に接触して他の層領域が
設けられる場合には、該他の層領域の特性や、該他の層
領域との接触界面に於ける特性との関係も考慮されて、
原子（ａＣｔ）の含有量が適宜選択される。

層領域（ｏｃｓ）’中に含有される原子（ＯＣＮ）の量
には、形成される光受容部材に要求される特性に応じて
所望に従って適宜法められるが、好ましくは０、ＱＯｌ
　〜５０ａｔｏｍｉｃ％、より好ましくは、　０．００
２〜４０ａｔｏｍｉｃ％、最適には０．００３〜３０ａ
ｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましい。

本発明に於いて、層領域（ＯＣＮ　）が光受容層の全域
を占めるか、或いは、光受容層の全域を占めなくとも、
層領域（ＯＣＮ）の層厚Ｔｏの光受容層の層厚Ｔに占め
る割合が充分多い場合には、層領域（ＯＣＮ）に含有さ
れる原子（ＯＣＮ）の含有量の上限は、前記の値より充
分多なくされるのが望ましい。

本発明の場合には、層領域（００％）の層厚Ｔｏが光受
容層の層厚Ｔに対して占める割合が５分の２以上となる
様な場合には、層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（
ＯＣＮ）の上限としては、好ましくは３０ａｔｏｍｉｃ
％以下、より好ま、シ＜は２０ａｔｏｍｉｃ％以下、最
適には１０ａｔｏｍｉｃ％以下とされるのが望ましい。

本発明の好適な実施態様例によれば、原子（ＯＣＮ）は
、支持体上に直接設けられる前記の第１の層には、少な
くとも含有されるのが望ましい、詰り、光受容層の支持
体側端部層領域に原子（０ＯＮ）を含有されることで、
支持体と光受容層との間の密着性の強化を図ることが出
来る。

更に、窒素原子の場合には、例えば、硼素原子との共存
下に於いて、暗抵抗の向上と高光感度の確保が一層出来
るので、光受容層に所望量含有されることが望ましい。

又、これ等の原子（ＯＣＮ）は、光受容層中に複数種含
有させても良い、即ち、例えば、第１の層中には、酸素
原子を含有させたり、或いは、同一層領域中に例えば酸
素原子と窒素原子とを共存させる形で含有させても良い
。

第１１図乃至第１８図には、本発明における光受容部材
の層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（ｏｃｔｔ）の
層厚方向の分布状態が不均一な場合の典型的例が示され
る。

第１１図乃至第１３図において、横軸は原子（ＯＣＮ）
の分布濃度Ｃを、縦軸は層領域（ＯＣＮ）の層厚を示し
、１．は支持体側の層領域（ＯＣＮ）の端面の位置を、
ｔ□は支持体側とは反対側の層領域（ＯＣＮ）の端面の
位置を示す、即ち、原子（ＯＣＮ）の含有される層領域
（００８）は１．側より１Ｔ側に向って層形成がなされ
る。

第１１ｒ１！Ｊには、Ｈ領域（ＯＣＮ）中に含有される
原子（ＯＣＮ）の層厚方向の分布状態が不均一な場合の
第１の典型例が示される。

第１１図に示される例では、原子（ＯＣＮ）の含有され
る層領域（ＯＣＮ）が形成される表面と該層領域（０（
Ｊ）の表面とが接する界面位置ｔａより１１の位置まで
は、原子（ＯＣＮ）の分布濃度ＣがＣ１なる一定の値を
取り乍ら原子（ＯＣＮ）が形成される層領域（ＯＣＮ　
）に含有され１位置ｔ１よりは濃度４より界面位置【τ
に至るまで徐々に連続的に減少されている。界面位置を
丁においては原子（０ＯＮ）の分布濃度Ｃは濃度ちとさ
れる。

第１２図に示される例においては、含有される原子（Ｏ
ＣＮ）の分布濃度Ｃは位置１．より１丁に至るまで濃度
Ｃ４から徐々に連続的に減少して位置ｔＴにおいて濃度
ちとなる様な分布状態を形成している。

第１３図の場合には１位置を日より位置ｔ２までは原子
（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは濃度ちと一定値とされ。

位１！ｈと位置１．との間において、徐々に連続的に減
少され１位置を丁において、分布濃度Ｃは実質的に零と
されている（ここで実質的に零とは検出限界量未満の場
合である）。

第１４図の場合には、原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは位
１　ｔａより位置を丁に至るまで、濃度Ｃ８より連続的
に徐々に減少され１位１ｔｙにおいて、実質的に零とさ
れている。

第１５図に示す例においては、Ｊ［子（ＯＣＮ）の分布
濃度Ｃは位ｉｔ　ｔｓと位置ｔｓ間においては濃度ｃ９
と一定値であり、位Ｉｔｔ丁においては濃度Ｃ３゜とさ
れる０位！ｔｔ３と位置を丁どの間では１分布濃度Ｃは
一次間数的に位置ｔ３より位置り、に至るまで減少して
いる。

第１６図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置１
．より位置ｔ４までは濃度Ｃｔｔの一定値を取り、位置
ｔ４より位置１．までは濃度ＣｔＺより濃度Ｃｔａまで
は一次関数的に減少する分布状態とされている。

第１７図に示す例においては１位置１．より位置１゜に
至るまで、原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃｔａよ
り実質的に零に至る様に一次関数的に減少している。

第１８図においては１位１ｏｔａより位置ｔ５に至るま
では原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは、濃度ＣｔＳよりＣ
１６までの一次関数的に減少され１位！ｔｔｓと位置１
、との間においては、濃度０１＆の一定値とされた例が
示されている。

第１８＠に示される例においては、原子（ＯＣＮ）の分
布濃度Ｃは１位ＮｔＢにおいては濃度（ｔ）であり２位
！！ｔ６に至るまではこの濃度Ｃｔｔより初めは緩やか
に減少され、ｔ６の位置付近においては、急激に減少さ
れて位置ｔもでは濃度ａｔｅとされる。

位置ｔ＆と位置、ｔ７との間においては、初め急激に減
少されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位置ｔ
７で濃度ＣｔＳとなり、位置ｔ７と位１ｉｔａとの間で
は、極めてゆっくりと徐々に減少されてｔａにおいて、
濃度Ｃ２Ｏに至る０位！！Ｌａと位１ｔτの間に　′お
いては濃度０２０より実質的に零になる様に図に示す如
き形状の曲線に従って減少されている。

以上、第１１図乃至第１９図により、層領域（ＯＣＮ）
中に含有される原子（０ＯＮ）の層厚方向の分布状態が
不均一な場合の典型例の幾つかを説明した様に、本発明
においては、支持体側において、原子（ＯＣＮ）の分布
濃度Ｃの高い部分を有し、界面１１側においては、前記
分布濃度Ｃは支持体側に較べて可成り低くされた部分を
有する原子（ＯＣＮ）の分布状態が層領域（ＯＣＮ）に
設けられている。

原子（ＯＣＮ）の含有される層領域（ＯＣＮ）は、上記
した様に支持体側の方に原子（ＯＣＮ）が比較的高濃度
で含有されている局在領域（Ｂ）を有するものとして設
けられるのが望ましく、この場合には、支持体と光受容
層との間の密着性をより一層向上させることが出来る。

上記局在領域（Ｂ）は、第１１図乃至第１９図に示す記
号を用いて説明すれば、界面位置１Ｂより５ＪＬ以内に
設けられるのが望ましい。

本発明においては、上記局在領域（Ｂ）は、界面位置ｔ
ａより５ＪＬ厚までの全領域（ＬＴ）とされる場合もあ
るし、又、層領域（Ｌｔ）の一部とされる場合もある。

局在領域（Ｂ）を層領域（ＬＴ　）の一部とするか又は
全部とするかは、形成される光受容層に要求される特性
に従って適宜状められる。

局在領域ＣＢ）はその中に含有される原子（ＯＣＮ）の
層厚方向の分布状態として原子（ＯＣＮ）分布濃度Ｃの
最大値Ｃｍａｘが、好ましくは５００ａｔｏｍｉｃ　ｐ
ｐｍ以上、より好適には８００ａｔｏｍｉｃ　Ｐｐ■以
上、最適には１０００ａｔｏｓｉｃ　ｐｐ麿以上とされ
る様な分布状態となり得る様に層形成されるのが望まし
い。

即ち１本発明においては、原子（ＯＣＮ）の含有される
層領域（ＯＣＮ）は、支持体側からの層厚で５ＪＬ以内
（ｔａから５井厚の層領域）に分布濃度Ｃの最大値０膳
ｄ！が存在する様に形成されるのが望ましい。

本発明において、層領域（ＯＣＮ）が光受容層の一部の
層領域を占める様に設けられる場合には層領域（０ＯＮ
）と他の層領域との界面において、屈折率が緩やかに変
化する様に、原子（ＯＣＮ）の層厚方向の分布状態を形
成するのが望ましい。

この様にすることで、光受容層に入射される光が層接触
界面で反射されるのを阻止し、干渉縞模様の発現をより
効果的に防止することが出来る。

又、層領域（ＯＣＮ）中での原子（ＯＣＮ）の分布濃度
Ｃの変化線は滑らかな屈折率変化を与える点で、連続し
て緩やかに変化しているのが望ましい。

この点から、例えば第１１図乃至第１４図、第１７図及
び第１θ図に示される分布状態となる様に、原子（ＯＣ
Ｎ　）を層領域（ＯＣＮ）中に含有されるのが望ましい
。

本発明に於いて、光受容層に原子（ＯＣＮ）の含有され
た層領域（ＯＣＮ）を設けるには、光受容層の形成の際
に原子（ＯＣＮ）導入用の出発物質を前記した光受容層
形成用の出発物質と共に使用して、形成される層中にそ
の量を制御し乍ら含有してやればよい。

層領域（０（：Ｎ）を形成するのにグロー放電法を用い
る場合には、前記した光受容層形成用の出発物質の中か
ら所望に従って選択されたものに原子（ＯＣＮ）導入用
の出発物質としては、少なくとも原子（０（：Ｎ）を構
成原子とするガス状の物質又はガス化し得る物質をガス
化したものの中の大概のものが使用される。

具体的には、例えば酸素（０２）、オゾン（０３）−酸
化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ２）　、−二酸化窒
素（Ｎ２０）、三二酸化窒素（Ｈｚ　Ｏｓ　）　、四二
酸化窒素（Ｎ２０Ａ）、三二酸化窒素（Ｎ２０ｓ）、二
酸化窒素（ＮＯ３）、シリコン原子（Ｓｉ）と酸素原子
（０）と水素原子（Ｈ）とを構成原子とする１例えばジ
シロキサン（Ｈａ　５ｉＯ９ｉＨ３）　、　　）リシク
ロキサン（Ｈ３ＳｉＯ５ｆＨ２０ＳｉＨ３）等の低級シ
クロキサン、メタンＣＣＨ，）　、エタン（Ｃ２Ｈ＆）
、プロパン（Ｃ３Ｈ１ｌ）。

ｎ−ブタン（ｎ−ＣａＨｓｏ）　、ペンタン（Ｃ５Ｈ１
２）等の炭素数１〜５の飽和炭化水素、エチレン（Ｃ２
＆）、プロピレフ（ＣｊＨ＆）、ブ７　ｙ−１（ＣａＨ
ｓ）　。

ブテン−２（ＣａＨｓ）、インブチレン（ＣＪｉ）、ペ
ンテン（ＣｓＨｔ・）等の炭素！に２〜５のエチレン系
炭化水素、アーセチレン（Ｃ２Ｈ２）、メチルアセチレ
ン（Ｃ３Ｈ４）、ブチン（Ｃｍ　Ｈｇ、　）等の炭素数
２〜４のアセチレン系炭化水素、窒素（［２）、アンモ
ニア（Ｎｕｓ）、ヒドラジン（Ｈ２ＮＮＨ２）、アジ化
水素（ＨＮ３）　、アジ化アンモニウム（ＮＨ４Ｎｓ）
　、三弗化窒素（ＦａＮ）、四弗化窒素ＣＦ４Ｎ）等々
を挙げることが出来る。

スパッタリング法の場合には、原子（ＯＣＮ）４不用の
出発物質としては、グロー放電法の際に列挙した前記の
ガス化可能な出発物質の他に、固体化出発物質として、
５ｉ（ｈ、　Ｓｉ３　Ｎ４、カーボンブラック等を挙げ
ることが出来る。これ等は、Ｓｉ等のターゲットと共に
スパッタリング用のターゲットとしての形で使用される
。

本発明に於いて、光受容層の形成の際に、原子（ＯＣＮ
）の含有される層領域（ＯＣＮ）を設ける場合。

該層領域（０ＯＮ）に含有される原子（ＯＣＮ）の分布
濃度Ｃを層厚方向に変化させて所望の層厚方向の分布状
ａ　（ｄｅｐｊｈｐｒｏｆ　ｆｌｅ）を有する層領域（
ＯＣＮ）を形成するには、グロー放電の場合には１分布
源ｌｆ：ｃを変化させるべき原子（ｏｃｉ）導入用の出
発物質のガスを、そのガス流量を所望の変化率曲線に従
って適宜変化させ乍ら、堆積室内に導入することによっ
て成される。

例えば手動あるいは外部駆動モータ等の通常用いられて
いる何らかの方法により、ガス流量系の途中に設けられ
た所定のニードルバルブの開口を暫時変化させる操作を
行・えば良い、このとき、流量の変化率は線型である必
要はなく、例えばマイコン等を用いて、あらかじめ設計
された変化率曲線に従って流量を制御し、所望の含有率
曲線を得ることもできる。

層領域（０ＯＮ）をスパッタリング法によって形成する
場合、原子（ＯＣＮ）の層厚方向の分布濃度Ｃを層厚方
向、で変化させて、原子（ＯＣＮ）の層厚方向の所望の
分布状態（ｄｅｐｔｈｐｒｏｆｉｌｅ）を形成するには
、第一には、グロー放電法による場合と同様に、原子導
入用の出発物質をガス状態で使用し、該ガスを堆積室中
へ導入する際のガス流量を所望に従って適宜変化させる
ことによって成される。第二にはスパッタリング用のタ
ーゲットを、例えばＳｉと３ｉ０２との混合されたター
ゲットな使用するのであれば、Ｓｉと８１０２との混合
比をターゲットの層厚方向に於いて、予め変化させてお
くことによって成される。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い、導電性支持体としては１例
えば、ＮｉＣｒ、ステンレス、Ａ！。

Ｃｒ、　Ｎｏ、　Ａｕ５Ｗｂ、丁ａ、Ｖ、丁ｔ、　ｐｔ
、　Ｐｄ等の金属又はこれ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロース、アセテート、ポリ
プロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシ
ート、ガラス、セラミック、紙等が通常使用される。こ
れ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一
方の表面を導電処理され、該導電処理された表面側に他
の層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面にＮ１Ｇｒ。

ＡＩ、　Ｃｒ、　Ｎｏ、　Ａｕ、Ｉｒ、　Ｗｂ、　Ｔａ
、　Ｖ、　Ｔｉ、　Ｐｔ、　Ｐｄ、Ｉｎ２Ｏ３、５１１
０２、ＩＴＯ（Ｉｎ２０３　＋５ｎ０２）等から成る薄
膜を設けることによって導電性が付与され、或いはポリ
エステルフィルム等の合成樹脂フィルムであれば、Ｎｉ
Ｃｒ％Ａ１．　Ａｇ、　Ｐｂ、　Ｚｎ、旧、Ａｕ、　Ｃ
ｒ。

Ｎｏ、　Ｉｒ、　Ｗｂ、　Ｔａ、　Ｖ、　Ｔｉ、　Ｐｔ
等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタ
リング等でその表面に設け、又は前記金属でその表面を
ラミネート処理して、その表面に導電性が付与される。

支持体の形状としては、円筒状、ベルト状、板状等任意
の形状とし得、所望によって、その形状は決定されるが
、例えば、第１０図の光受容部材１００４を電子写真用
光受容部材として使用するのであれば連続高速複写の場
合にば、無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい、
支持体の厚さは。

所望通りの光受容部材が形成される様に適宜決定される
が、光受容部材として、可撓性が要求される場合には、
支持体としての機能が充分発揮される範囲内であれば可
能な限り薄くされる。面乍ら、この様な場合支持体の製
造上及び取扱い上、機能的強度の点から、好ましくは１
０ル以上とされる。

次に本発明の光受容部材の製造方法の一例の概略につい
て説明する。

第２０図に光受容部材の製造装置の一例を示す。

図中２００２〜２００Ｂのガスボンベには１本発明の光
受容部材を形成する為の原料ガスが密封されており、そ
の−例として例えば２００２はＳｉＨ４ガス（純度９９
．Ｎ９−％、以下、　５ｉＨａと略す）ボンベ、２００
３はＧｅ１．ガス（純度Ｈ，９９９％、以下ＧｅＨ，と
略す）ボンベ、　２０Ｇ４はＮＯガス（純度８Ｌ９８１
１％、以下ＮＯと略す）ボンベ、２００５はＮ２で稀釈
された８２Ｈ，ガス（純度１３１１．９９９％、以下８
２　Ｈ６／　Ｎ２と略す）ボンベ、２００ＢはＮ２ガス
（純度１３９．９９１３％）ボンベである。

これらのガスを反応室２００１に流入させるにはガスボ
ンベ２００２〜２００Ｂのバルブ２０２２〜２０２６、
リークバルブ２０３５が閉じられていることを確認し、
又、流入バルブ２０１２〜２ｏｔｅ、流出バルブ２０１
７〜２０２１゜補助バルブ２０３２．２０３３が開かれ
ていることを確認して、先ずメインバルブ２０３４を開
いて反応室２００１、及び各ガス配管内を排気する６次
に真空計２０３６の読みが約５　Ｘ　１０’　ｔｏｒｒ
になった時点で補助バルブ２０３２．２０３３、流出バ
ルブ２０１７〜２０２１を閉じる。

次にシリンダー状基体２０３７上に光受容層を形成する
場合の１例をあげると、ガスボンベ２００２よりＳｉＨ
４ガス、ガスボンベ２００３よりＧｅＨ，ガス、ガスボ
ンベ２００４よりＮＯガス、ガスボンベ２００５よりＢ
２Ｏ。

／　Ｎ２ガス、２００ＢよりＮ２ガスをバルブ２０２２
．２０２３．２０２４、２０２５．２０２Ｂを開いて出
口圧ゲージ２Ｇ２７゜２０２８．２０２８．２０３０．
２０３１の圧をｌ　Ｋｇ／ｃｒｎ’に調整し、流入バル
ブ２０１２．２０１３．２０１４．２０１５．２０１８
ヲ徐々に開けて、マスフロコントローラ２００７．２０
０８、２００１．２０１０，２０１１内に夫々流入させ
る。引き続いて流出バルブ２０１７．２０１８．２０１
９．２０２０゜２０２１、補助バルブ２０３２．２０３
３を徐々に開いて夫々のガスを反応室２００１に流入さ
せる。このときのＳｉ漸ガス流量Ｇｅ１．ガス流量、Ｎ
Ｏガス流量の比が所望の値になるように流出バルブ２Ｇ
１７．２０１８．２０１９゜２０２０．２０２！を調整
し、また１反応室２００１内の圧力が所望の値になるよ
うに真空計２０３８の読みを見ながらメインバルブ２０
３４の開口を調整する。そして、基体２０３７の温度が
加熱ヒーター２０３８により５０〜４００℃の範囲の温
度に設定されていることを確認した後、電９２０４０を
所望の電力に設定して反応室２００１内にグロー放電を
生起させる。

上記の様にして所望時間グロー放電を維持して、所望層
厚に、基体２０３７上に第１の層（Ｇ）を形成する。所
望層厚に第１の層（Ｇ）が形成された段階に於て、流出
バルブ２０１８を完全に閉じること及び必要に応じて放
電条件を変える以外は、同様な条件と手順に従って所望
時間グロー放電を維持することで第１のＷＣＧ）上にゲ
ルマニウム原子の実質的に含有されない第２の層（Ｓ）
を形成することが出来る。

なお、第１の層（Ｇ）及び第２の層（Ｓ）の各層には、
流出バルブ２０１８あるいは２０２０を適宜開閉するこ
とで酸素原子あるいは硼素原子を含有させたり、含有さ
せなかったり、あるいは各層の一部の層領域にだけ酸素
原子あるいは硼素原子を含有させることも出来る。また
、酸素原子に代えて層中に窒素原子あるいは炭素原子を
含有させる場合には、ガスボンベ２００４のＮＯガスを
例えばＮＨ３ガスあるいはＣＨ４ガス等に代えて、層形
成を行なえばよい、また、使用するガスの種類を増やす
場合には所望のガスボンベを増設して、同様に層形成を
行なえばよい８層形成を行っている間は層形成の均一化
を計るため基体２０３７はモーター２０３８により一定
速度で回転させてやるのが望ましい。

〔実施例〕

以下実施例について説明する。

実施例１Ｍ支持体〔長さく　Ｌ　）　　３５７ｍ＋＊、外径（ｒ
）８０ｍｍ）を旅館で第２１図（Ｂ）に示すような表面
性に加工した。

次に、第１表に示す条件で、第２０１ｉ１の膜堆積装置
を使用し、所定の操作手順に従ってａ　−５ｉ系電子写
真用光受容部材を作製した。

このようにして作製した光受容部材の表面状態は、第２
１図（Ｃ）に示すようであった。この場合。

Ｍ支持体の中央部と両端部とでの平均層厚の層厚差は、
２鱗であった。

以上の電子写真用光受容部材について、第２４図に示す
画像露光装置Ｆ（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポッ
ト径ａｏｇａ　）で画像露光を行ない、それを現像、転
写して画像を得た。得られた画像には、干渉縞模様は観
測されず、実用に十分なものであった。

実施例２次に、第２表に示す条件で行なう以外は、実施例１と同
様にして、第２０図の膜堆積装置で種々の操作手順に従
ってａ−５ｉ系電子写真用光受容部材を作成した。

以上のようにして形成された電子写真用光受容部材につ
いて、第２４図に示す画像露光装置ｉ（レーザー光の波
長７８０ｎ■、スポット径８０−）で画像露光を行ない
、それを現像、転写して画像を得た。

得られた画像には、渉縞模様は観測されず、実用に十分
なものであった。

実施例３第３表に示す条件で行なう以外は、実施例１と同様にし
て第２０図の膜堆積装置で種々の操作手順に従ってａ−
Ｓｉ系電子写真用光受容部材を作製した。

以上のようにして形成された電子写真用光受容部材につ
いて、第２４図に示す画像露光装置（レーザー光の波長
７８０ｎｍ、スポット径ａｏｕ）で画像露光を行ない、
それを現像、転写して画像を得た。

得られた画像には、干渉縞模様は観測されず、実用に十
分なものであった。

実施例４Ｍ支持体（長さく　Ｌ　）　　３５７＋＋ｎ、径（ｒ　
）　８０ａ＋ｓ）の表面を、第２１図（Ｂ）、第２２図
及び第２３図に示すような表面性に３種類族盤で加工し
た。

次に、第４表に示す条件で、第２０図の膜堆積装置で種
々の操作手順に従ってａ　−Ｓｉ系電子写真用光受容部
材を作製した。ｔｂメ表面層社゛実１９例洟’ｂ　ｉｌ
ｌ　’１ｍ”ｋ　％”ｋＭｔ＃ｔ％　％　＞これらの電
子写真用光受容部材について、第２４図に示す画像露光
装置（レーザー光の波長７８０ｎ■、スポット径８０ｍ
）で画像露光を行ない、それを現像、転写して画像を得
た。得られた画像は。

そのいずれにも干渉縞模様は観測されず、実用に十分な
ものであった。

実施例５Ｍ支持体（長さくＬ）　　３５７ｍｍ、径（ｒ　）　８
０ＩＩｍ）を、第２１図（Ｂ）、第２２図及び第２３ｖ
４に示すような表面性に３種類ＭＬｍで加工した。

次に、１ｉＩＪＳ表に示す条件で行なう以外は実施例４
と同様にして、第２０図の膜堆積装置で種々の操作手順
に従ってａ−Ｓｉ系電子写真用光受容部材を作製した。

このようにして作製した光受容部材のそれぞれについて
、第２４図に示す画像露光装置（レーザー光の波長７８
０ｎ量、スポット径８０μ）で画像露光を行ない、それ
を現像、転写して画像を得た。得られた画像には、その
いずれにも干渉縞模様は観測されず、実用に十分なもの
であった。

実施例６Ｍ支持体（長さく　Ｌ　）　　３５７ｍｍ、径（ｒ　）
　８０ｍｍ）を、第２１図（Ｂ）、第２２図及び第２３
図に示すような表面性に３種類於盤で加工した。

次に、第６表に示す条件で行なう以外は実施例４と同様
にして、第２０図の膜堆積装置で種々の操作手順に従っ
てａ−Ｓｉ系電子写真用光受容部材を作製した。

このようにして作製した光受容部材のそれぞれについて
、第２４図に示す画像露光装置１（レーザー光の波長７
８０ｎｍ、スポット径８０ＪＬ１ｍ　）で画像露光を行
ない、それを現像、転写して画像を得た。得ら′　　　
れた画像には、そのいずれにも干渉縞模様は観測されず
、実用に十分なものであった。

実施例７Ｍ支持体（長さく　Ｌ　）　　３５７＋＋ｎ、径（ｒ　
）　８０ｍｍ）を、第２１図（Ｂ）に示すような表面性
に淀盤で加工した。

次に、この支持体を用いて第７表に示す条件で行なう以
外は、実施例１と同様にして第２０図の膜堆積装置で種
々の操作手順に従ってａ−Ｓｉ系電子写真用光受容部材
を作製した。

なお、第１層の形成に於いては、ＣＨ４ガスのＳｉＨ４
ガスに対する流量比を、第２５図のようになるように、
ＣＨ４ガスのマスフロコントローラー２００３をコンピ
ューター（ＨＰ９８４５Ｂ）により制御した。

以上のようにして形成された電子写真用光受容部材につ
いて、第２４図に示す画像露光装置（レーザー光の波長
７８０ｎｍ、スポット径ａｏＪＩｊ）で画像露光を行な
い、それを現像、転写して画像を得た。

実施例８Ｍ支持体（長さく　Ｌ　）　　３５７ｇｇｍ、径（ｒ　
）　８０ｍｍ）を、第２１図（Ｂ）に示すような表面性
に麿盤で加工した。

次に、この支持体を用いて第８表に示す条件で行なう以
外は、実施例１と同様にして第２０図の膜堆積装置で種
々の操作手順に従ってａ−５ｉ系電子写真用光受容部材
を作製した。

なお、第１層の形成に於いては、ＮＯガスのＧｅＨ４ガ
スとＳｉＨ４ガスとの和に対する流量比を第２６図に示
すようになるようにＮＯガスのマスフロコントローラー
２００８をコンピュータ（ＩＰ８８４５Ｂ　）により制
御してこれを形成した。

このようにして作製した光受容部材について、第２４図
に示す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎ■、ス
ポット径８０−）で画像露光を行ない、それを現像、転
写して画像を得た。得られた画像には干渉縞模様は観測
されず、実用に十分なものであった。

実施例９Ｍ支持体（長さく　Ｌ　）　　３５７ｍｍ、径（ｒ　）
　８０＋ｕ＋）を、第２１図（Ｂ）に示すような表面性
に耕盤で加工した。

次に、この支持体を用い第９表に示す条件で行なう以外
は実施例１と同様にして、第２０図の堆積装置で種々の
操作手順に従って電子写真用光受容部材を作製した。

なお、第１層の形成に於いては、　ＮＨ３ガスのＧｅ１
．ガスとＳｉＨ４ガスとの和に対する流量比を第２７図
に示すようになるようにＮ１（３ガスのマスフロコント
ローラー２００８をコンピュータ（ＩＰ９８４５Ｂ　＞
　　により制御して第１層を形成した。

このようにして作製した光受容部材について。

第２４図に示す画像露光装置（レーザー光の波長７８０
ｎｍ、スポット径８０鱗）で画像露光を行ない、それを
現像、転写して画像を得た。得られた画像には干渉縞模
様は観察されず、実用に十分なものであった。

実施例１０Ｍ支持体（長さく　Ｌ　）　　３５７ａｍ、径（ｒ　）
　８０ｖｓ）を、第２１図（Ｂ）に示すような表面性に
旋盤で加工した。

次に、この支持体を用い第１０表に示す条件で行なう以
外は、実施例１と同様にして第２０図の堆積装置で種々
の操作手順に従って電子写真用光受容部材を作製した。

なお、　ＣＨ４ガスのＧｅＨ４ガスと５ｉＨａガスとの
和に対する流量比は、第２８図に示すようになるように
ＯＨ，ガスのマスフロコントローラー２００９ヲコンピ
ユータ（ＨＰ９８４５Ｂ　）により制御した。

このようにして作製した光受容部材について、第２４図
に示す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｒｖ、　
スポット径８０鱗）で画像露光を行ない。

それを現像、転写して画像を得た。得られた画像には干
渉縞模様は観察されず、実用に十分なものであった。

実施例１１Ｍ支持体〔長さく　Ｌ　）　　３５７ｍｍ、径（ｒ　）
　８０ｍｍ）’を、第？１図ＣＢ）に示したような表面
性に毘盤で加工した。

次に、この支持体を用い第ｔｉ表に示す条件で行なう以
外は、実施例１と同様にして第２０図の堆積装【で種°
々の操作手順に従って電子写真用光受容部材を作製した
。

なお、　ＮＯガスのＧｅＨ４ガスとＳｉＨ４ガスとの和
に対する流量比を第２θ図のようになるように、ＮＯガ
スのマスフロコントローラー２００８をコンピュータ（
ＨＰ９８４５Ｂ）により制御した。

このようにして作製した光受容部材について、第２４ｒ
Ｉ４に示す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎ層
、スポット径８０鱗）で画像露光を行ない、それを現像
、転写して画像を得た。得られた画像には干渉縞模様は
観察されず、実用に十分なものであった・実施例１２Ｍ支持体〔長さく　Ｌ　）　　３５７ｍｍ、径（ｒ　）
　８０ｓｖ）を、第２１図ＣＢ）に示したような表面性
に旋盤で加工した。

次に、この支持体を用い第１２表に示す条件で行なう以
外は、実施例１と同様にして第２０図の堆積装置で種々
の操作手順に従って電子写真用光受容部材を作製した。

なお、　ＮＨ３ガスのＧｅＨ４ガスと５ｊＨ４ガスとの
和に対する流量比を第３０図のようになるように、　Ｎ
Ｈ３ガスのマスフロコントローラー２００９ヲコンピユ
ータ（ＨＰ９８４５Ｂ）により制御した。

このようにして作製した光受容部材について、第２４図
に示す画像露光装Ｍ（レーザー光の波長７８０ｎ■、ス
ポット径８０μｓ）で画像露光を行ない、それを現像、
転写して画像を得た。得られた画像には干渉縞模様は観
察されず、実用に十分なものであった。

実施例１３Ｍ支持体〔長さく　Ｌ　）　　３５７ｍｍ、径（ｒ　）
　８０ｍｍ）を、第２１図（Ｂ）に示したような表面性
に腫盤で加工した。

次に、この支持体を用い第１３表に示す条件で行なう以
外は、実施例１と同様にして第２０図の堆積装置で種々
の操作手順に従って電子写真用光受容部材を作製した。

このようにして作製した光受容部材について、第２４図
に示す画像露光装Ｍ（レーザー光の波長７８０ｎａ、ス
ポット径８０μｓ）で画像露光を行ない、それを現像、
転写して画像を得た。得られた画像には干渉縞模様は観
察されず、実用に十分なものであった。

実施例１４Ｍ支持体〔長さく　Ｌ　）　　３５７ｍ５．径（ｒ　）
　ｌＩｏｍｍ）を、第２１図ＣＢ）に示したような表面
性に琥盤で。

加工した。

次に、この支持体を用い第１４表に示す条件で行なう以
外は、実施例１と同様にして第２０図の堆積装置で種々
の操作手順に従って電子写真用光受容部材を作製した。

このようにして作製した光受容部材について。

第２４図に示す画像露光装置（レーザー光の波長７８０
ｎｓ、スポット径８０−）で画像露光を行ない。

それを現像、転写して画像を得た。得られた画像には干
渉縞模様（±観察されず、実用に十分なものであった。

実施例１５実施例１から実施例１４までについて、Ｂ２で３．０　
Ｑ　０ｖｏｌ　ｐｐｍに稀釈したＢ２）１６ガスの代わ
りにＢ２で３０００マｏｌ　ｐｐｍに稀釈、したＰＨ３
ガスを使用して、電子写真用光受容部材を作製した。

なお、他の製作条件は、実施例１から実施例１４までと
同様にした。

このようにして作製した光受容部材のそれぞれについて
、第２４図に示す画像露光装置（レーザー光の波長７８
０ｎｍ、スポット径８０鱗）で画像露光を行ない２それ
を現像、転写して画像を得た。得られた画像のσｔずれ
にも干渉縞模様は観察されず。

実用に十分なものであった。

【図面の簡単な説明】

第１図は、干渉縞の一般的な説明図である。第２図は、多層の光受容部材の場合の干渉縞の説明図で
ある。第３図は散乱光による干渉縞の説明図である。第４図は、多層の光受容部材の場合の散乱光による干渉
縞の説明図である。第５図は、光受容部材の各層の界面が平行な場合の干渉
縞の説明図である。第６図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（ロ）は光受容部材の
各層の界面が非平行な場合に干渉縞が現われないことの
説明図である。第７図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、光受容部材の各層の
界面が平行である場合と非平行である場合の反射光強度
の比較の説明図である。第８図は、各層の界面が非平行である場合の干渉縞が現
われないことの説明図である。第９図（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ代表的な支持体の表面
状態の説明図である。第１Ｏ図は、光受容部材の層構成の説明図である。第１１図から第１８図は、それぞれ層領域（ＯＣＮ）中
の原子（０，Ｇ、Ｎ）の分布状態を説明するための説明
図である。第２０図は実施例で用いた光受容層の堆積装置の説明図
である。第２１図（Ａ）、（Ｂ）第２２図及び第２３図は、実施
例で用いたＭ支持体の表面状態の説明図、第２１図（Ｃ
）は、実施例で形成した光受容層の表面状態の説明図で
ある。第２４図は、実施例で使用した画像露光装置の説明図で
ある。第２５図から第３０図はそれぞれ実施例におけるガス流
量の変化率曲線を示すものある。１０００・・・・・・・・・・・・・・・・・・光受容
層１００１・・・・・・・・・・・・・・・・・・Ｍ支
持体１００２・・・・・・・・・・・・・・・・・・第
１の層１００３・・・・・・・・・・・・・・・・・・
第２の層１００４・・・・・・・・・・・・・・・・・
・光受容部材１００５・・・・・・・・・・・・・・・
・・・光受容部材の自由表面２６０１・・・・・・・・
・・・・・・・・・・電子写真用光受容部材２６０２・
・・・・・・・・・・・・・・・・・半導体レーザー２
６０３・・・・・・・・・・・・・・・・・・ｆθレン
ズ２６０４・・・・・・・・・・・・・・・・・・ポリ
ゴンミラー２６０５・・・・・・・・・・・・・・・・
・・露光装置の平面図２６０６・・・・・・・・・・・
・・・・・・・露光装置の側面間第１５ｇ１第２図第３図第４図第５図第６図（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）ｇＩ第７ｍｌ！第１１図第１２図第１３図第１４図第１５図第１１３図〇ｌｕｍ）笥　２！ワ（ｐｍ）第２３図第２４図力１人ｅｉｔＥｃ。第２５図カ゛ステえ！よし第２６図ガス洗量ｊＬ第２７図力″ス流量工乙第２８図ｊ入；え量よし竺　９ＧＩ　　ｒ匁ガステ先量毘

Claims

【特許請求の範囲】

（１）所定の切断位置での断面形状が主ピークに副ピー
クが重畳された凸状形状である凸部が多数表面に形成さ
れている支持体と、シリコン原子とゲルマニウム原子と
を含む非晶質材料で構成された第１の層と、シリコン原
子を含む非晶質材料で構成され、光導電性を示す第２の
層とが前記支持体側よりこの順に設けられた多層構成の
光受容層とを有しており、前記第１の層及び第２の層の
少なくとも一方に伝導性を支配する物質が含有されると
共に、前記光受容層は、酸素原子、炭素原子、窒素原子
の中から選択される少なくとも一種を含有することを特
徴とする光受容部材。
（２）酸素原子、炭素原子、窒素原子の中から選択され
る原子の少なくとも一種を含有する前記光受容層に於い
て、該含有される原子の分布状態が、層厚方向に均一で
ある特許請求の範囲第１項記載の光受容部材。
（３）酸素原子、炭素原子、窒素原子の中から選択され
る原子の少なくとも一種を含有する前記光受容層に於い
て、該含有される原子の分布状態が、層厚方向に不均一
である特許請求の範囲第１項記載の光受容部材。
（４）前記凸部が規則的に配列されている特許請求の範
囲第１項記載の光受容部材。
（５）前記凸部が周期的に配列されている特許請求の範
囲第１項記載の光受容部材。
（６）前記凸部の夫々は、一次近似的に同一形状を有す
る特許請求の範囲第１項記載の光受容部材。
（７）前記凸部は、副ピークを複数有する特許請求の範
囲第１項記載の光受容部材。
（８）前記凸部の前記断面形状は、主ピークを中心にし
て対称形状である特許請求の範囲第１項記載の光受容部
材。
（９）前記凸部の前記断面形状は、主ピークを中心にし
て非対称形状である特許請求の範囲第１項記載の光受容
部材。
（１０）前記凸部は、機械的加工によって形成されたも
のである特許請求の範囲第１項記載の光受容部材。
（１１）第１の層及び第２の層の少なくともいずれか一
方に水素原子が含有されている特許請求の範囲第１項に
記載の光受容部材。
（１２）第１の層及び第２の層の少なくともいずれか一
方にハロゲン原子が含有されている特許請求の範囲第１
項及び同第１１項に記載の光受容部材。
（１３）伝導性を支配する物質が周期律表第III族に属
する原子である特許請求の範囲第１項に記載の光受容部
材。
（１４）伝導性を支配する物質が周期律表第Ｖ族に属す
る原子である特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材
。